專(zhuān)利名稱(chēng)：Rfid讀寫(xiě)器的解調(diào)器電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種符合IS0/IEC 14443標(biāo)準(zhǔn)的TYPE A型卡的讀寫(xiě)器，特別是涉及所述讀寫(xiě)器的解調(diào)器電路。
背景技術(shù)：
RFID (Radio Frequency Identification，射頻識(shí)別)技術(shù)具有很大的市場(chǎng)，已經(jīng)深入到人們的日常生活中，使用RFID技術(shù)的通訊系統(tǒng)包括一個(gè)讀寫(xiě)器(Reader)和若干標(biāo)簽(Tag)。RFID系統(tǒng)最常用的載波工作頻率是13. 56MHz，用來(lái)傳輸能量和信號(hào)，這時(shí)工作距離通常在0 IOcm之間，標(biāo)簽一般放在讀寫(xiě)器上。這種距離通訊的好處在于標(biāo)簽可以從磁場(chǎng)中耦合產(chǎn)生很大的能量來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理和發(fā)送，而不用內(nèi)置電源。IS0/IEC 14443協(xié)議是工作在近場(chǎng)(通訊距離小于IOcm)的標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議，涉及 PCD(鄰近耦合設(shè)備)與PICC(鄰近卡)之間的雙向通信。根據(jù)信號(hào)發(fā)送和接收方式的不同，IS0/IEC 14443-3定義了 TYPE A,TYPE B兩種卡型，它們的不同主要在于載波的調(diào)制深度及二進(jìn)制數(shù)的編碼方式。TYPE A型卡在P⑶向PICC傳送信號(hào)時(shí)，是通過(guò)13. 56MHz的射頻載波傳送信號(hào)。 其采用方案為同步、改進(jìn)的Miller編碼方式，通過(guò)100% ASK傳送。在PICC向P⑶傳送信號(hào)時(shí)，通過(guò)調(diào)制載波傳送信號(hào)，使用847KHz的副載波傳送Manchester編碼。TYPE B型卡在P⑶向PICC傳送信號(hào)時(shí)，也是通過(guò)13. 56MHz的射頻載波信號(hào)，但采用的是異步、NRZ編碼方式，通過(guò)用10% ASK傳送的方案。在PICC向P⑶傳送信號(hào)時(shí)，則是采用的BPSK編碼進(jìn)行調(diào)制。請(qǐng)參閱圖1，這是一個(gè)符合IS0/IEC 14443標(biāo)準(zhǔn)的RFID系統(tǒng)的示意圖，主要包括 PCD(相當(dāng)于讀寫(xiě)器)和PICC(相當(dāng)于標(biāo)簽)兩部分。其中PCD中解調(diào)器電路包括天線(xiàn)線(xiàn)圈、解調(diào)電路、放大濾波模塊、解碼器等。所述天線(xiàn)線(xiàn)圈接收PICC的載波信號(hào)，所述解調(diào)電路采用下變頻電路消除接收信號(hào)的載波，所述放大濾波模塊直接進(jìn)行信號(hào)的放大，所述解碼器對(duì)信號(hào)包絡(luò)進(jìn)行檢測(cè)解碼。這種電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，但是容易受到外界噪聲的干擾，靈敏度較低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種符合IS0/IEC 14443協(xié)議中的TYPE A型卡標(biāo)準(zhǔn)的讀寫(xiě)器的解調(diào)器電路，為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明RFID讀寫(xiě)器的解調(diào)器電路包括依次相連的接收天線(xiàn)；混頻、濾波和放大模塊；積分模塊；采樣、保持模塊；位解碼模塊；所述接收天線(xiàn)包括電感和電容，該電感和電容組成諧振頻率為13. 56MHz的LC接收電路，該LC接收電路接收來(lái)自標(biāo)簽的調(diào)制信號(hào)，并生成所述解調(diào)器電路的輸入信號(hào)Vr， Vr是載波頻率為13. 56MHz的調(diào)制信號(hào)；所述混頻、濾波和放大模塊包括混頻器、兩個(gè)濾波器和可變?cè)鲆娣糯笃?；該模塊對(duì)接收天線(xiàn)發(fā)來(lái)的13. 56MHz的信號(hào)Vr下變頻到847KHz，并整形、放大；13. 56MHz載波信號(hào)Vr 先經(jīng)過(guò)第一低通濾波器，該低通濾波器的截止頻率高于13. 56MHz的載波頻率，用于濾除信號(hào)Vr中的高次諧波；信號(hào)再經(jīng)過(guò)混頻器之后，下變頻為帶有調(diào)制信號(hào)的847KHZ的子載波； 847Khz載波信號(hào)再經(jīng)過(guò)第二高通濾波器，該高通濾波器的截止頻率低于847KHz，用于濾除低頻無(wú)用信號(hào)；信號(hào)最后經(jīng)過(guò)兩級(jí)放大電路，放大為847Khz載波信號(hào)Vmix ；所述積分模塊包括一個(gè)積分器，對(duì)于每一個(gè)847KHZ載波信號(hào)Vmix，積分模塊采用調(diào)制信號(hào)在共模電平一側(cè)時(shí)正向積分，在另一側(cè)時(shí)反向積分的方法，輸出信號(hào)為Vint ；有調(diào)制信號(hào)時(shí)，Vint是從共模電平開(kāi)始的積分信號(hào)；沒(méi)有調(diào)制信號(hào)的時(shí)候，Vint是一個(gè)與共模電平相同的直流電平；所述采樣、保持模塊包括兩路采樣保持電路，所述兩路采樣、保持電路對(duì)積分信號(hào) Vint進(jìn)行采樣、保持，采樣頻率為216KHZ ；其中，前半周期采樣結(jié)果保持一個(gè)周期得到電壓 VL，后半周期采樣結(jié)果保持半個(gè)周期得到電壓VR ；所述位解碼模塊包括數(shù)字邏輯電路，對(duì)VL和VR數(shù)據(jù)進(jìn)行比較處理，還原標(biāo)簽調(diào)制的數(shù)據(jù)，得到最終解調(diào)信號(hào)Vdata。本發(fā)明RFID讀寫(xiě)器的解調(diào)器電路采用了新穎的設(shè)計(jì)思路，通過(guò)積分器結(jié)構(gòu)對(duì)信號(hào)進(jìn)行處理，可以有效的提高電路的靈敏度和抗干擾能力。


圖1是RFID系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明RFID讀寫(xiě)器的解調(diào)器電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明RFID讀寫(xiě)器的解調(diào)器電路的各級(jí)信號(hào)示意圖；圖4是積分模塊的示意圖。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖2，這是本發(fā)明RFID讀寫(xiě)器的解調(diào)器電路的結(jié)構(gòu)示意圖。該解調(diào)器電路包括依次相連的接收天線(xiàn)；混頻、濾波和放大模塊；積分模塊；采樣、保持模塊；位解碼模塊。所述接收天線(xiàn)包括電感和電容，該電感和電容組成諧振頻率為13. 56MHz的LC接收電路，該LC接收電路接收來(lái)自標(biāo)簽的調(diào)制信號(hào)，并生成所述解調(diào)器電路的輸入信號(hào)Vr， Vr是載波頻率為13. 56MHz的調(diào)制信號(hào)。所述混頻、濾波和放大模塊包括混頻器、兩個(gè)濾波器和可變?cè)鲆娣糯笃?。該模塊對(duì)接收天線(xiàn)發(fā)來(lái)的13. 56MHz的信號(hào)Vr下變頻到847KHz，并整形、放大。13. 56MHz載波信號(hào) Vr先經(jīng)過(guò)第一低通濾波器，該低通濾波器的截止頻率略微高于13. 56MHz的載波頻率，例如截止頻率為14MHz 16MHz之間的任意數(shù)值，用于濾除信號(hào)Vr中的高次諧波。信號(hào)再經(jīng)過(guò)混頻器之后，下變頻為帶有調(diào)制信號(hào)的847KHz的子載波。847Khz載波信號(hào)再經(jīng)過(guò)第二高通濾波器，該高通濾波器的截止頻率略微低于847KHz，例如截止頻率為700KHz 800KHz之間的任意數(shù)值，用來(lái)濾除低頻無(wú)用信號(hào)。最后經(jīng)過(guò)兩級(jí)放大電路，將信號(hào)放大為847Khz載波信號(hào)Vmix0所述積分模塊包括一個(gè)積分器，對(duì)于每一個(gè)847KHZ載波信號(hào)Vmix，積分模塊采用調(diào)制信號(hào)在共模電平一側(cè)時(shí)正向積分，在另一側(cè)時(shí)反向積分的方法，輸出信號(hào)為Vint。所以，有調(diào)制信號(hào)時(shí)，Vint是從共模電平開(kāi)始的積分信號(hào)；沒(méi)有調(diào)制信號(hào)的時(shí)候，Vint是一個(gè)近似共模電平的直流電平。當(dāng)共模電平為2. 5V時(shí)，所述近似共模電平的直流電平例如為 2. 3 2. 7V。所述采樣、保持模塊包括兩路采樣保持電路。根據(jù)IS0/IEC 14443協(xié)議規(guī)定，傳輸數(shù)據(jù)的比特率為106Kbps。Ibit數(shù)據(jù)表示的意義由前半周期和后半周期是否有調(diào)制信號(hào)決定，所以采樣、保持電路對(duì)積分信號(hào)Vint進(jìn)行采樣、保持，采樣頻率為216KHZ。其中，前半周期采樣結(jié)果保持一個(gè)周期得到電壓VL，后半周期采樣結(jié)果保持半個(gè)周期得到電壓VR。所述位解碼模塊包括數(shù)字邏輯電路，根據(jù)IS0/IEC 14443協(xié)議規(guī)定，對(duì)VL和VR數(shù)據(jù)進(jìn)行比較處理，還原標(biāo)簽調(diào)制的數(shù)據(jù)，從而完成解調(diào)過(guò)程，得到最終解調(diào)信號(hào)Vdata。請(qǐng)參閱圖3，這是本申請(qǐng)RFID讀寫(xiě)器的解調(diào)器電路的各級(jí)信號(hào)示意圖，其中自上到下依次為 Vr、Vmix, Vint、VL、VR、Vdata 信號(hào)。根據(jù) IS0/IEC14443 協(xié)議 TTPE A 規(guī)定，圖中13. 56MHz載波信號(hào)Vr中的調(diào)制信號(hào)序列為10010001，和解調(diào)信號(hào)Vdata相吻合。請(qǐng)參閱圖4，這是圖2中的積分模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。其中包括四個(gè)開(kāi)關(guān)電容 Switchl、Switch2、Switch3、Switch4，這四個(gè)開(kāi)關(guān)電容和一個(gè)運(yùn)算放大器AMP1、一個(gè)積分電容Cl共同組成積分器。其中，第一開(kāi)關(guān)電容Switchl由第一 PMOS晶體管P1、第一 NMOS晶體管附和第一反相器(非門(mén))Ii組成。第一 PMOS晶體管Pl的漏極和第一 NMOS晶體管m的漏極相連， 作為第一開(kāi)關(guān)電容Switchl的輸入端。第一反相器Il的輸入端與第一 NMOS晶體管m的柵極相連接。第一反相器Il的輸出端與第一 PMOS晶體管Pl的柵極相連接。第一 PMOS晶體管Pi的源極和第一 NMOS晶體管m的源極相連接，作為第一開(kāi)關(guān)電容Switchl的輸出端。 第三時(shí)鐘信號(hào)CLK3連接第一 NMOS晶體管m的柵極，控制第一開(kāi)關(guān)電容Switchl是正向積分還是反向積分。第二開(kāi)關(guān)電容Switch2由第二 PMOS晶體管P2、第二 NMOS晶體管N2和第二反相器 12組成。第二 PMOS晶體管P2的漏極和第二 NMOS晶體管N2的漏極相連，作為第二開(kāi)關(guān)電容Switch2的接入端。第二反相器12的輸入端與第二 NMOS晶體管N2的柵極相連。第二反相器12的輸出端與第二 PMOS晶體管P2的柵極相連。第二 PMOS晶體管P2的源極和第二 NMOS晶體管N2的源極相連，并接地。第四時(shí)鐘信號(hào)CLK4連接第二 NMOS晶體管的柵極， 控制第二開(kāi)關(guān)電容Switch2是正向積分還是反向積分。第三開(kāi)關(guān)電容Switch3由第三PMOS晶體管P3、第三NMOS晶體管N3和第三反相器 13組成。其連接關(guān)系、信號(hào)傳遞關(guān)系均與第二開(kāi)關(guān)電容Switch4相同。只是第五時(shí)鐘信號(hào) CLK5連接第三NMOS晶體管的柵極，控制第三開(kāi)關(guān)電容Switch3是正向積分還是反向積分。第四開(kāi)關(guān)電容Switch4由第四PMOS晶體管P4、第四NMOS晶體管N4和第四反相器 14組成。其連接關(guān)系、信號(hào)傳遞關(guān)系均與第一開(kāi)關(guān)電容Switchl相同。只是第六時(shí)鐘信號(hào) CLK6連接第四NMOS晶體管的柵極，控制第四開(kāi)關(guān)電容Switch4是正向積分還是反向積分。整個(gè)積分器的信號(hào)輸入端輸入847KHZ子載波信號(hào)Vmix，該信號(hào)Vmix首先接到第一開(kāi)關(guān)電容Switchl的輸入端。第一開(kāi)關(guān)電容Switchl的輸出端連接第二開(kāi)關(guān)電容Switch2 的接入端。第二開(kāi)關(guān)電容Switch2的接入端通過(guò)一個(gè)電容連接到第三開(kāi)關(guān)電容Switch3的接入端。第三開(kāi)關(guān)電容Switch3的接入端連接第四開(kāi)關(guān)電容Switch4的輸入端。第四開(kāi)關(guān)電容Switch4的輸出端連接運(yùn)算放大器AMPl的負(fù)輸入端。運(yùn)放AMPl的正輸入端通過(guò)一電阻接地。積分電容Cl的兩端分別連接運(yùn)放AMPl的負(fù)輸入端和輸出端。運(yùn)放AMPl的輸出端輸出積分信號(hào)Vint。整個(gè)積分器的復(fù)位信號(hào)輸入端輸入復(fù)位信號(hào)Resetl，該信號(hào)Resetl接到第五 NMOS晶體管N5的柵極。第五NMOS晶體管N5的漏極與運(yùn)放AMPl的負(fù)輸入端相連接。第五 NMOS晶體管N5的源極與運(yùn)放AMPl的輸出端相連接。圖4中，積分器以子載波頻率847KHZ的8倍頻積分，當(dāng)調(diào)制信號(hào)高于共模電壓 2. 5V時(shí)，進(jìn)行4次正向積分，這時(shí)CLK3、CLK5是相同的時(shí)鐘，CLK4和CLK6是相同的時(shí)鐘， 開(kāi)關(guān)電容等效為正電阻；當(dāng)調(diào)制信號(hào)低于共模信號(hào)2. 5V時(shí)，進(jìn)行4次負(fù)向積分，這時(shí)CLK3、 CLK4是相同的時(shí)鐘，CLK5和CLK6是相同的時(shí)鐘，開(kāi)關(guān)電容等效為負(fù)電阻。請(qǐng)參閱圖3，在每次積分結(jié)束，下一次采樣、保持之后的時(shí)候，對(duì)積分器進(jìn)行復(fù)位， 輸出Vint變?yōu)楣材ｋ娖?. 5V，復(fù)位信號(hào)Resetl的頻率為212KHz。所以，有調(diào)制信號(hào)的時(shí)候，積分器輸出Vint是一個(gè)2. 5V開(kāi)始的積分信號(hào)；沒(méi)有調(diào)制信號(hào)的時(shí)候，積分器輸出Vint 是一個(gè)近似2. 5V的直流電平，例如為2. 3 2. 7V之間。綜上所述，本發(fā)明RFID讀寫(xiě)器的解調(diào)器電路，遵循IS0/IEC 14443標(biāo)準(zhǔn)的TYPE A 類(lèi)型，對(duì)讀寫(xiě)器的13. 56MHz載波信號(hào)的解調(diào)器電路進(jìn)行設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)工藝的進(jìn)一步優(yōu)化，并進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)，可以提供單芯片13. 56MHzRFID讀寫(xiě)器的核心部分射頻模擬前端電路的IP核(Intellectual Property core)，并廣泛用于電子標(biāo)簽讀卡器和目前應(yīng)用廣泛的近場(chǎng)通信(NFC)收發(fā)器中。
權(quán)利要求
1.一種RFID讀寫(xiě)器的解調(diào)器電路，其特征是，包括依次相連的接收天線(xiàn)；混頻、濾波和放大模塊；積分模塊；采樣、保持模塊；位解碼模塊；所述接收天線(xiàn)包括電感和電容，該電感和電容組成諧振頻率為13. 56MHz的LC接收電路，該LC接收電路接收來(lái)自標(biāo)簽的調(diào)制信號(hào)，并生成所述解調(diào)器電路的輸入信號(hào)Nr，Vr是載波頻率為13. 56MHz的調(diào)制信號(hào)；所述混頻、濾波和放大模塊包括混頻器、兩個(gè)濾波器和可變?cè)鲆娣糯笃鳎辉撃K對(duì)接收天線(xiàn)發(fā)來(lái)的13. 56MHz的信號(hào)Vr下變頻到847KHz，并整形、放大；13. 56MHz載波信號(hào)Vr 先經(jīng)過(guò)第一低通濾波器，該低通濾波器的截止頻率高于13. 56MHz的載波頻率，用于濾除信號(hào)Vr中的高次諧波；信號(hào)再經(jīng)過(guò)混頻器之后，下變頻為帶有調(diào)制信號(hào)的847KHZ的子載波； 847Khz載波信號(hào)再經(jīng)過(guò)第二高通濾波器，該高通濾波器的截止頻率低于847KHz，用來(lái)濾除低頻無(wú)用信號(hào)；信號(hào)最后經(jīng)過(guò)兩級(jí)放大電路，放大為847Khz載波信號(hào)Vmix ；所述積分模塊包括一個(gè)積分器，對(duì)于每一個(gè)847KHZ載波信號(hào)Vmix，積分模塊采用調(diào)制信號(hào)在共模電平一側(cè)時(shí)正向積分，在另一側(cè)時(shí)反向積分的方法，輸出信號(hào)為Vint ；有調(diào)制信號(hào)時(shí)，Vint是從共模電平開(kāi)始的積分信號(hào)；沒(méi)有調(diào)制信號(hào)的時(shí)候，Vint是一個(gè)與共模電平相同的直流電平；所述采樣、保持模塊包括兩路采樣保持電路，所述兩路采樣、保持電路對(duì)積分信號(hào)Vint 進(jìn)行采樣、保持，采樣頻率為216KHZ ；其中，前半周期采樣結(jié)果保持一個(gè)周期得到電壓VL， 后半周期采樣結(jié)果保持半個(gè)周期得到電壓VR ；所述位解碼模塊包括數(shù)字邏輯電路，對(duì)VL和VR數(shù)據(jù)進(jìn)行比較處理，還原標(biāo)簽調(diào)制的數(shù)據(jù)，得到最終解調(diào)信號(hào)Vdata。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFID讀寫(xiě)器的解調(diào)器電路，其特征是，所述積分模塊包括四個(gè)開(kāi)關(guān)電容、一個(gè)運(yùn)算放大器、一個(gè)積分電容、四個(gè)時(shí)鐘輸入、一個(gè)信號(hào)輸入端、一個(gè)積分信號(hào)輸出端、一個(gè)復(fù)位信號(hào)輸入端；其中，第一開(kāi)關(guān)電容由第一 PMOS晶體管、第一 NMOS晶體管和第一反相器組成；第一 PMOS晶體管的漏極和第一 NMOS晶體管的漏極相連，作為第一開(kāi)關(guān)電容的輸入端；第一反相器的輸入端與第一 NMOS晶體管的柵極相連接；第一反相器的輸出端與第一 PMOS晶體管的柵極相連接；第一PMOS晶體管的源極和第一NMOS晶體管的源極相連接，作為第一開(kāi)關(guān)電容 Switch2的輸出端；第三時(shí)鐘信號(hào)連接第一 NMOS晶體管的柵極，控制第一開(kāi)關(guān)電容是正向積分還是反向積分；第二開(kāi)關(guān)電容由第二 PMOS晶體管、第二 NMOS晶體管和第二反相器組成；第二 PMOS晶體管的漏極和第二 NMOS晶體管的漏極相連，作為第二開(kāi)關(guān)電容的接入端；第二反相器的輸入端與第二 NMOS晶體管的柵極相連；第二反相器的輸出端與第二 PMOS晶體管的柵極相連； 第二 PMOS晶體管的源極和第二 NMOS晶體管的源極相連，并接地；第四時(shí)鐘信號(hào)連接第二 NMOS晶體管的柵極，控制第二開(kāi)關(guān)電容是正向積分還是反向積分；第三開(kāi)關(guān)電容由第三PMOS晶體管、第三NMOS晶體管和第三反相器組成；第三PMOS晶體管的漏極和第三NMOS晶體管的漏極相連，作為第三開(kāi)關(guān)電容的接入端；第三反相器的輸入端與第三NMOS晶體管的柵極相連；第三反相器的輸出端與第三PMOS晶體管的柵極相連； 第三PMOS晶體管的源極和第三NMOS晶體管的源極相連，并接地；第五時(shí)鐘信號(hào)連接第三 NMOS晶體管的柵極，控制第三開(kāi)關(guān)電容是正向積分還是反向積分；第四開(kāi)關(guān)電容由第四PMOS晶體管、第四NMOS晶體管和第四反相器組成；第四PMOS晶體管的漏極和第四NMOS晶體管的漏極相連，作為第四開(kāi)關(guān)電容的輸入端；第四反相器的輸入端與第四NMOS晶體管的柵極相連接；第四反相器的輸出端與第四PMOS晶體管的柵極相連接；第四PMOS晶體管的源極和第四NMOS晶體管的源極相連接，作為第四開(kāi)關(guān)電容 Switch2的輸出端；第六時(shí)鐘信號(hào)連接第四NMOS晶體管的柵極，控制第四開(kāi)關(guān)電容是正向積分還是反向積分；信號(hào)輸入端接到第一開(kāi)關(guān)電容的輸入端；第一開(kāi)關(guān)電容的輸出端連接第二開(kāi)關(guān)電容的接入端；第二開(kāi)關(guān)電容的接入端通過(guò)一個(gè)電容連接到第三開(kāi)關(guān)電容的接入端；第三開(kāi)關(guān)電容的接入端連接第四開(kāi)關(guān)電容的輸入端；第四開(kāi)關(guān)電容的輸出端連接運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端；運(yùn)算放大器的正輸入端通過(guò)一電阻接地；積分電容的兩端分別連接運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端和輸出端；運(yùn)算放大器的輸出端接到積分信號(hào)輸出端；復(fù)位信號(hào)輸入端接到第五NMOS晶體管的柵極；第五NMOS晶體管的漏極與運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端相連接；第五NMOS晶體管的源極與運(yùn)算放大器的輸出端相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFID讀寫(xiě)器的解調(diào)器電路，其特征是，所述第一低通濾波器的截止頻率在14MHz 16MHz之間，所述第二高通濾波器的截止頻率在700KHz 800KHz 之間。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種RFID讀寫(xiě)器的解調(diào)器電路，包括依次相連的接收天線(xiàn)；混頻、濾波和放大模塊；積分模塊；采樣、保持模塊；位解碼模塊。其中接收天線(xiàn)接收來(lái)自標(biāo)簽的調(diào)制信號(hào)，并生成所述解調(diào)器電路的輸入信號(hào)Vr?；祛l、濾波和放大模塊對(duì)接收天線(xiàn)發(fā)來(lái)的13.56MHz的信號(hào)Vr下變頻到847KHz，并整形、放大為847Khz載波信號(hào)Vmix。積分模塊對(duì)每一個(gè)847KHz載波信號(hào)Vmix進(jìn)行積分輸出信號(hào)為Vint。采樣、保持模塊對(duì)積分信號(hào)Vint進(jìn)行采樣、保持，前半周期采樣結(jié)果保持一個(gè)周期得到電壓VL，后半周期采樣結(jié)果保持半個(gè)周期得到電壓VR。位解碼模塊對(duì)VL和VR數(shù)據(jù)進(jìn)行比較處理，得到最終解調(diào)信號(hào)Vdata。
文檔編號(hào)G06K17/00GK102456144SQ20101051458
公開(kāi)日2012年5月16日 申請(qǐng)日期2010年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月21日
發(fā)明者彭敏, 朱紅衛(wèi), 杜濤 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司