專利名稱:用于射頻識別系統(tǒng)的信號增強器芯片及其信號增強器的制作方法
技術領域:
本發(fā)明涉及涉及射頻識別技術,特別涉及一種用于射頻識別系統(tǒng)的信號增 強器芯片及其信號增強器。
背景技術:
包括非接觸集成電路卡(Integrated Circuit Card,簡稱IC卡)在內(nèi)的射頻 識別#支術(Radio Frequency Identification,以下簡稱RFID) ^支術經(jīng)過十多年 的發(fā)展,已深入現(xiàn)代生活的各個角落,被廣泛應用于公交、門禁、小額電子 支付等領域。射頻識別技術是自動識別技術的一種,射頻識別系統(tǒng)的組成一 般至少包括兩個部分(1)電子標簽,英文名稱為Tag; (2)閱讀器,英文 名稱為Reader。電子標簽中一般保存有約定格式的電子數(shù)據(jù),在實際應用中, 電子標簽附著在待識別物體的表面。閱讀器又稱為讀出裝置,可無接觸地讀 取并識別電子標簽中所保存的電子數(shù)據(jù),從而達到自動識別物體的目的。進 一步,通過計算機及計算機網(wǎng)絡,可實現(xiàn)對物體識別信息的采集、處理及遠 程傳送等管理功能。對大多數(shù)RFID系統(tǒng)而言,將釆用一個固定的頻率,并有 一套標準協(xié)議與它相配套。
RFID領域廣泛采用數(shù)字調(diào)制技術,如ASK、 FSK和PSK調(diào)制。幅度鍵 控(Amplitude Shift Keying,簡稱ASK)即按載波的幅度受到數(shù)字數(shù)據(jù)的調(diào) 制而取不同的值,例如對應二進制0,載波振幅為0;對應二進制1,載波振 幅為1。調(diào)幅技術實現(xiàn)起來簡單,但容易受增益變化的影響。頻移鍵控 (Frequency Shift Keying,簡稱FSK)即按數(shù)字數(shù)據(jù)的值(如0或1 )調(diào)制載 波的頻率。例如對應二進制0的載波信號的頻率為Fl,而對應二進制1的載波信號的頻率為F2。該技術抗干擾性能好,但占用帶寬較大。相移鍵控(Phase Shift Keying,簡稱PSK)即按數(shù)字數(shù)據(jù)的值調(diào)制載波相位。例如用180相移 表示l,用0相移表示0。這種調(diào)制技術抗干擾性能最好,且相位的變化也可 以作為定時信息來同步發(fā)送機和接收機的時鐘,并對傳輸速率起到加倍的作 用。這幾種調(diào)制方式都是現(xiàn)有的成熟調(diào)制技術,廣泛應用于各通信系統(tǒng)中。
近年來,在軌道交通、物流管理、物品防偽、身份識別等需求推動下, RFID技術不斷進步,應用越來越普及,市場迫切需要各類RFID電子標簽和 識別設備。電子標簽內(nèi)部一般有一個電子錢包,持卡人預先在電子標簽中存 入一定的金額,交易時直接從儲值賬戶中扣除交易金額。但單一功能電子標 簽也有一些缺點,比如電子標簽充值必須到專門的充值中心、比較大額的 交易沒有辦法設置密碼以及無法將RFID支付和移動支付結合起來等。
而與此同時,移動通信終端經(jīng)歷20多年的迅速發(fā)展,幾乎已經(jīng)成為消費 者人手必備的隨身裝置,普及率非常高,并且有在移動終端上集成更多功能 的趨勢。利用手機本身的移動通信網(wǎng)絡如GSM、 CDMA等進行支付是現(xiàn)有的 成熟技術,但將手機和電子標簽有效結合起來,讓手機像公交卡這樣方便使 用是目前射頻識別的發(fā)展方向,也是設備提供商和移動運營商目前大力開拓 的市場。
受日本和韓國手機支付的影響,小額支付是運營商一直期望進入的領域。 由于能夠非常好地為實時支付和現(xiàn)場支付提供解決方案,非接觸式近距離射 頻識別具有極為廣闊的應用前景,并將為目前發(fā)展緩慢的移動支付產(chǎn)業(yè)帶來 前所未有的機遇。而結合移動終端與RFID技術的一機多用或一^^多用將會是 未來十年的新的發(fā)展方向。特別是在3G時代,無處不在的具有無線連接功能 的RFID讀寫器與非接觸式應用的RFID將是發(fā)展的重中之重。目前業(yè)界主要 有兩套基于非接觸技術的解決方案Combi SIM卡方案和近場通信(NFC)方案。
CombiSIM卡方案,又稱雙界面SIM卡方案,指用Combi SIM卡替換手 機內(nèi)部SIM卡,在保留原接觸式界面的SIM卡功能基礎上增加非接觸IC卡 應用界面。比較典型的做法有兩種 一、非接觸IC卡的非接觸天線印刷在塑 料薄膜上,再貼至SIM卡表面;二、非接觸IC卡的非接觸天線作為一個獨立 的部件附加在手機中,將天線引到手機的正面或反面,天線連接在SIM卡尚 未寸吏用的C4和C8兩個4矣口上。但這兩種方案的缺點是天線貼到SIM卡表 面或者引出到手機正面或反面,在安裝過程中很容易造成天線斷裂、損壞, 并造成用戶使用不方便,同時由于手機電池和電路板的屏蔽作用,雙界面SIM 卡能收到的閱讀器的信號和反射給閱讀器的信號都非常微弱。因此,雙界面 SIM卡和閱讀器之間通信的質(zhì)量非常差,閱讀器幾乎收不到雙界面SIM卡返 回的應答。
而NFC方案是近年由Nokia、 Philips等7>司提出有關射頻識別的一種新 的方案,基本的做法是在新設計的手機中加入用于支付的RFID模塊,RFID 模塊和手機之間用專門的通信協(xié)議進行相互通信。這種方法可以比較好地解 決利用手機進行射頻識別的問題,但缺點是用戶必須去改造現(xiàn)有的手機,甚 至購買一個全新的手機,這在現(xiàn)階段并不是所有用戶都能接受的方法,而且 對整個社會而言也是很大的資源浪費。
請參閱圖l現(xiàn)有技術典型雙界面IC卡的內(nèi)部結構示意圖和圖2現(xiàn)有技術 典型雙界面IC卡的RF接口電路示意圖。由Gemplus公司推出的典型的雙界 面IC卡芯片結構圖如圖1所示,接觸式部分通信標準符合ISO/IEC7816標準, 非4妄觸式部分通信標準符合ISO/IEC 14443 TYPEA/TYPEB標準。該典型的雙 界面IC卡芯片主要由射頻(Radio Frequency,簡稱RF )接口、中央處理器 (Central Processing Unit,以下簡稱CPU)、中斷處理器、隨積4t發(fā)生器、只讀存儲器(簡稱ROM)、 EEPROM(即可編程的電擦除只讀存儲器)、外部RAM (即隨機存取存儲器)、循環(huán)冗余校驗(簡稱CRC)模塊、時鐘模塊、 ISO/正C7816等模塊組成。其中,RF接口是雙界面IC卡和13.56MHz閱讀器 的通信接口 ; CPU是雙界面IC卡的中央處理器,和內(nèi)部軟件一起主要用于手 機通信的進行和13.56MHz閱讀器交易的完成;中斷處理器主要用于處理各種 外設的中斷;ROM用于存儲內(nèi)部的固件程序;EEPROM和外部RAM用于存 儲雙界面IC卡的數(shù)據(jù)和中間變量等;CRC模塊用于產(chǎn)生循環(huán)冗余校驗碼,保 證通信過程中數(shù)據(jù)的完整性;時鐘才莫塊用于內(nèi)部的時鐘處理;ISO/IEC 7816 模塊是手機和雙界面IC卡的通信接口 ,且是手機提供電源給IC卡的通道。
如圖2所示,RF接口主要由13.56MHz的非接觸式天線、解調(diào)電路、數(shù) 字量化電if各和調(diào)制電5^組成。
閱讀器發(fā)到雙界面IC卡的信號通過13.56MHz天線接收下來,由于閱讀 器發(fā)到雙界面IC卡的信號是100% ASK的調(diào)制信號,雙界面IC卡中解調(diào)電 路采用二極管峰值包絡檢波的方式進行解調(diào)。檢波輸出后,信號將經(jīng)過量化
電路進行量化處理后變成邏輯電路所需的基帶信號,再送CPU進行處理。
當雙界面IC卡向閱讀器應答信號時,由CPU完成編碼,并送到調(diào)制電 路進行調(diào)制,通過改變RF接口中調(diào)制電路里的負載電阻完成信號的應答反射。
由于手機電池和電路板的屏蔽作用,如果雙界面IC卡替換現(xiàn)有的普通 SIM卡應用到手機環(huán)境中,雙界面IC卡將無法可靠收到閱讀器發(fā)出的命令信 號,同時雙界面IC卡發(fā)出的信號經(jīng)手機環(huán)境后將大幅衰減,如此小的應答信 號無法由閱讀器接收并區(qū)分出來。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決現(xiàn)有技術雙界面SIM卡應用到手機環(huán)境中時,其和閱讀器之間的通信質(zhì)量較差的問題。
為解決上述問題,本發(fā)明在一個方面提供一種用于射頻識別系統(tǒng)的信號
增強器芯片,包括接收電路、發(fā)送電路和電源模塊,所述接收電路包括解 調(diào)放大模塊和數(shù)字量化模塊,所述發(fā)送電路包括邏輯控制模塊和調(diào)制模塊; 其中,
解調(diào)放大模塊,用于將接收到的雙界面SIM卡發(fā)送的通信信號放大并解 調(diào),輸出模擬通信信號;
數(shù)字量化模塊,用于將解調(diào)放大模塊所輸出的模擬通信信號轉化為數(shù)字 通信信號;
邏輯控制模塊,用于處理數(shù)字量化模塊輸出的數(shù)字通信信號,并產(chǎn)生返 回至閱讀器所需的副載波4言號;
調(diào)制才莫塊,用于根據(jù)所述副載波信號,形成待發(fā)送的通信信號。
本發(fā)明在另一方面提供一種包括有上述信號增強器芯片的信號增強器。
與現(xiàn)有技術相比,上述信號增強器芯片具有以下優(yōu)點通過接收雙界面 SIM卡發(fā)送的通信信號,并對其作信號增強處理,再將放大的通信信號發(fā)送 至閱讀器,以改善由于手機電池和電路板的屏蔽導致雙界面SIM卡發(fā)出的通 信信號衰減嚴重的情況,能夠確保閱讀器能接收到足夠強度的通信信號并實 J見成功閱讀。
圖1是現(xiàn)有技術典型雙界面IC卡的內(nèi)部結構示意圖; 圖2是現(xiàn)有技術典型雙界面IC卡的RF接口電路示意圖; 圖3是應用本發(fā)明信號增強器的射頻識別系統(tǒng)的結構示意圖; 圖4是本發(fā)明信號增強器的外部結構示意8圖5是本發(fā)明信號增強器的內(nèi)部結構示意圖6a是圖5所示解調(diào)放大模塊中一種實現(xiàn)相干解調(diào)方法的電路的簡易示 意圖6b是圖5所示解調(diào)放大模塊中一種實現(xiàn)二極管峰值包絡解調(diào)的非相干 解調(diào)方法的電路的簡易示意圖7是圖5所示解調(diào)放大模塊中一種放大電路的電路示意圖。
具體實施例方式
發(fā)明人發(fā)現(xiàn),在具有雙界面SIM卡的射頻識別系統(tǒng)中,由于手才幾電池和電 路板的屏蔽作用,雙界面SIM卡10發(fā)出的信號經(jīng)手機環(huán)境后將大幅衰減,如果 沒有信號增強器2進行信號的增強,閱讀器1就無法收到雙界面SIM卡10返回的 應答信號,也就無法實現(xiàn)雙界面SIM卡10和閱讀器1的正常通信。
有鑒于此,發(fā)明人提出在雙界面SIM卡與閱讀器之間設置用于對通信信號 進行中繼放大的信號增強器。
圖3顯示了應用了本發(fā)明信號增強器的射頻識別系統(tǒng)的結構示意圖。如圖 3所示,所述射頻識別系統(tǒng)包括閱讀器l、后臺系統(tǒng)3、閱讀器1和后臺系統(tǒng)3 的通信接口4、移動通信設備9,該射頻識別系統(tǒng)還包括雙界面SIM卡10和信號 增強器2。其中,雙界面SIM卡10安裝在移動通信設備9 (例如為手機)上,信 號增強器2設置在閱讀器1上或者移動通信設備9上,用于增強雙界面SIM卡10 返回到閱讀器l的應答信號。
在所述射頻識別系統(tǒng)中,閱讀器1主要進行交易命令的發(fā)送和響應的接 收,雙界面SIM卡IO主要進行交易命令的接收并給出響應,而信號增強器2 主要在雙界面SIM卡IO和閱讀器l之間作通信信號的中繼和增強。具體來講, 閱讀器1發(fā)出的信號由移動通信設備9中的雙界面SIM卡10直接接收;而雙 界面SIM卡IO向所述的閱讀器l應答的信號先以ASK、 FSK或PSK調(diào)制方式發(fā)到所述的信號增強器2,完成信號增強后,再將增強后的信號返回給所述 的閱讀器l,供其進行閱讀。
所述的信號增強器2粘貼到閱讀器1上或者移動通信設備9上,用于增 強所述的雙界面SIM卡IO返回所述的閱讀器1的應答信號。
請同時參閱圖4和圖5。圖4是本發(fā)明信號增強器的外部結構示意圖;圖 5是本發(fā)明信號增強器的內(nèi)部結構示意圖。如圖4所示,信號增強器2的信號 收發(fā)由二個天線實現(xiàn)。具體包括信號增強器2和雙界面SIM卡IO通信的接 收天線8、對接收天線8接收的通信信號進行增強處理的信號增強器芯片5、 信號增強器2和閱讀器l通信的發(fā)送天線7。其中,信號增強器芯片5包括第 一天線引腳51、第二天線引腳52、第三天線引腳53、第四天線引腳54。
所述的發(fā)送天線7通過導線連接到所述的信號增強器芯片5的第一天線 引腳51、第二天線引腳52上;所述的接收天線8通過導線連接到所述的信號 增強器芯片5的第三天線53、第四天線引腳54。
閱讀器1發(fā)出的信號由移動通信設備9中的雙界面SIM卡10直接接收, 而雙界面SIM卡10向所述的閱讀器1應答的信號先發(fā)到所述的信號增強器2 和雙界面SIM卡IO通信的接收天線8,經(jīng)所述的信號增強器芯片5完成信號 增強后,再以與所述的閱讀器1相一致的頻率協(xié)議通過發(fā)送天線7返回給所 述的閱讀器1。
在對應的射頻識別系統(tǒng)中,雙界面SIM卡10和信號增強器2通信的調(diào)制 方式是ASK、FSK或PSK調(diào)制,其載波信號的頻率可以是6.78MHz、 13.56MHz 或27.12MHz等。所述的信號增強器2應答到閱讀器1的信號頻率、協(xié)議與閱 讀器l通信的頻率、協(xié)議一致,可以但不限于ISO/IEC 14443標準、ISO/正C 15693或ISO 11784/ISO 11785標準。
所述的信號增強器2工作時,通過所述的發(fā)送天線7直接取用閱讀器1 發(fā)出的載波能量。請繼續(xù)參閱圖5,所述的信號增強器芯片5進一步包括接收電路、發(fā)送電
路和電源模塊506,所述的接收電路還包括濾波器501、解調(diào)放大模塊502、 數(shù)字量化模塊503,所述的發(fā)送電路還包括邏輯控制模塊504、調(diào)制模塊505。 所述的接收天線8將所述的雙界面SIM卡IO發(fā)到信號增強器2的通信信 號先傳送至所述的濾波器501的輸入端,經(jīng)濾波器501濾波,獲得要解調(diào)的 干凈調(diào)制信號。
所述的濾波器501由帶通濾波器和帶阻濾波器組成,所述的帶通濾波器 用于帶通濾波雙界面SIM卡發(fā)送到信號增強器2的調(diào)制波信號和載波信號, 所述的帶阻濾波器用于帶阻濾去閱讀器1發(fā)送到信號增強器2的調(diào)制波信號 和載波信號,其中帶通濾波器和帶阻濾波器的中心頻率是要與信號增強器2 或閱讀器1發(fā)到信號增強器2的載波信號的頻率相一致。所述載波信號的頻 率的具體數(shù)值是根據(jù)信號增強器芯片5所采用的通信標準而定,如采用 ISO/正C 14443或ISO/IEC 15693標準時,載波信號的頻率是13.56MHz;而采 用ISO 11784/ISO 11785標準時,載波信號的頻率是100kHz—150kHz,例如 134.2KHz。所述的濾波器501中的帶阻濾波器和帶通濾波器可以采用但不限 于切比雪夫濾波器。
所述的濾波器501的輸出端與所述的解調(diào)放大模塊502的輸入端相連, 解調(diào)放大模塊502用于將濾波器501所輸出的通信信號進行放大處理并解調(diào), 具體可以包括放大電^各和解調(diào)電路。
圖7所示為一種放大電路的電路示意圖。如圖7所示,所述的放大電路 包括第二PNP管Q2、第一PNP管Q1,第一、第二電容C1、 C2,以及若 干電阻R1 R8。
所述放大電路屬于共發(fā)-共發(fā)的組合放大電路,其中,第二 PNP管Q2 的發(fā)射極和第一 PNP管Ql的發(fā)射極接地,第二 PNP管Q2的基極作為用于 接收所述的解調(diào)電路輸出的解調(diào)信號輸入端,第一 PNP管Ql的集電極作為輸出端。
經(jīng)過上述放大電路的信號增強處理后,所述通信信號將被傳輸至解調(diào)電 路進行解調(diào)。
解調(diào)放大^t塊502的信號解調(diào)方法可以采用但不限于現(xiàn)有實現(xiàn)相干解調(diào) 方法或非相千解調(diào)方法的解調(diào)電路。例如,對于非相干解調(diào)方法,可以采用 二極管峰值包絡解調(diào)、平均包絡解調(diào)等。現(xiàn)有技術可以實現(xiàn)相干或非相干解 調(diào)方法的相應電路都可用作此處的解調(diào)放大模塊502。
圖6a所示為一種實現(xiàn)相干解調(diào)方法的電i 各的簡易示意圖。所述解調(diào)電^各 包括乘法器210、低通濾波器211,經(jīng)濾波器501濾波后并作放大處理的輸入 信號Vi,與本地載波信號經(jīng)由乘法器210的運算后,由低通濾波器211濾波 后,生成解調(diào)輸出信號Vo。
圖6b所示為一種實現(xiàn)二極管峰值包絡解調(diào)的非相干解調(diào)方法的電路的簡 易示意圖。所述解調(diào)電路包括4企波二極管212、 一端與檢波二才及管212負極相 連的電容C以及一端與沖全波二極管212負極相連的電阻R,且所述電容C和 電阻R并聯(lián)。所述的解調(diào)電路在接收輸入信號Vi后,進行二極管峰值包絡解 調(diào),輸出解調(diào)輸出信號Vo。
經(jīng)解調(diào)放大模塊502增強和解調(diào)處理后的模擬通信信號輸出至所述的數(shù) 字量化模塊503的輸入端,供數(shù)字量化模塊503進行量化處理。在本實施例 中,所述的數(shù)字量化電路22可以釆用模數(shù)轉換器(簡稱ADC )或比較器(即 Comparator)電路將所述解調(diào)電路20輸出的模擬通信信號轉化為數(shù)字通信信 號,再將所述數(shù)字通信信號輸出至所述的邏輯控制模塊504的輸入端。
所述的邏輯控制模塊504用于處理數(shù)字量化模塊503輸入的數(shù)字通信信 號,可以根據(jù)所述系統(tǒng)所采用的ISO/正C 14443標準、ISO/IEC 15693或ISO 11784/ISO 11785標準產(chǎn)生相應的控制邏輯,并產(chǎn)生返回給閱讀器所需的副載 波信號,輸出至所述的調(diào)制模塊505的輸入端。所述的邏輯控制模塊504產(chǎn)生的副載波信號根據(jù)信號增強器芯片5所采 用的ISO/正C 14443標準、ISO/IEC 15693或IS011784/ IS011785標準而定。 如采用ISO/正C 14443標準時,副載波信號頻率是847kHz;采用ISO/IEC 15693 標準時,副載波信號頻率是423.75kHz或484.28kHz。
所述的調(diào)制模塊505用于根據(jù)所述副載波信號,形成待發(fā)送的通信信號。
調(diào)制電路。如解調(diào)后的通信信號采用負載調(diào)制時可采用如下方法使用一個 副載波或者多個副載波調(diào)制到載波頻率上形成已調(diào)制信號。其中,副載波的 頻率和數(shù)量由所采用的協(xié)議決定。
所述的調(diào)制模塊505可以根據(jù)已調(diào)制信號發(fā)出高電平或低電平控制連接 發(fā)送天線7兩端的絕緣4冊場效應管(簡稱MOS管)開關5051,從而改變加 到所述的發(fā)送天線7的負載電流,產(chǎn)生副載波反射調(diào)制信號返回到所述的閱 讀器l。當調(diào)制模塊505通過發(fā)出高電平時,MOS管開關5051導通,所述的 發(fā)送天線7構成一個回路,這樣就有負載電流流過,就產(chǎn)生副載波反射調(diào)制 信號返回到所述的閱讀器1;當調(diào)制模塊505通過發(fā)出低電平時,MOS管開 關5051截止,所述的發(fā)送天線7就不構成一個回^各,這樣就沒有負載電流流 過,也就不會產(chǎn)生副載波反射調(diào)制信號返回到所述的閱讀器1。后續(xù),閱讀器 1可以根據(jù)接收到的副載波反射調(diào)制信號,對其進行解調(diào)后得到由雙界面SIM 卡發(fā)送的應答信號,實現(xiàn)雙方的通信,完成交易。
所述的信號增強器芯片5工作時,通過所述的發(fā)送天線7直接取用閱讀 器1發(fā)出的載波能量,所述的電源模塊506利用橋式整流電路產(chǎn)生信號增強 器芯片5工作所需的工作電源,供所述的信號增強器芯片5整個芯片使用。
所述信號增強器的發(fā)送天線7除了作為所述的閱讀器1和信號增強器2 的通信通道外,還將載波能量從所述的閱讀器1傳輸?shù)叫盘栐鰪娖?的信號 增強器芯片5的電源模塊506。因為所述載波能量的傳輸,信號增強器2可以脫離外接直流或交流電源,進行無源地工作。
本發(fā)明的信號增強器2利用信號增強器芯片5內(nèi)部的各個模塊有效解決
了上述信號衰減的問題,實現(xiàn)了信號的增強,并且無需改造閱讀器1和雙界
面SIM卡10所在的移動通信設備9,有效地拓展了系統(tǒng)的應用范圍、降低系 統(tǒng)研發(fā)的資金和時間投入。
雖然本發(fā)明己以較佳實施例披露如上,但本發(fā)明并非限定于此。任何本 領域技術人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),均可作各種更動與修改, 因此本發(fā)明的保護范圍應當以權利要求所限定的范圍為準。
權利要求
1.一種用于射頻識別系統(tǒng)的信號增強器芯片,其特征在于,包括接收電路、發(fā)送電路和電源模塊,所述接收電路包括解調(diào)放大模塊和數(shù)字量化模塊,所述發(fā)送電路包括邏輯控制模塊和調(diào)制模塊;其中,解調(diào)放大模塊,用于將接收到的雙界面SIM卡發(fā)送的通信信號放大并解調(diào),輸出模擬通信信號;數(shù)字量化模塊,用于將解調(diào)放大模塊所輸出的模擬通信信號轉化為數(shù)字通信信號;邏輯控制模塊,用于處理數(shù)字量化模塊輸出的數(shù)字通信信號,并產(chǎn)生返回至閱讀器所需的副載波信號;調(diào)制模塊,用于根據(jù)所述副載波信號,形成待發(fā)送的通信信號。
2. 如權利要求1所述的信號增強器芯片,其特征在于,還包括濾波器,用于 對雙界面SIM卡發(fā)送的通信信號進行濾波處理,并將濾波后的通信信號輸出 至解調(diào)放大模塊。
3. 如權利要求2所述的信號增強器芯片,其特征在于,所述濾波器包括帶通濾波器,用于帶通濾波雙界面SIM卡發(fā)送的調(diào)制波信號和載波信號;帶阻濾波器,用于帶阻濾去閱讀器發(fā)送的調(diào)制波信號和載波信號;其中,帶通濾波器和帶阻濾波器的中心頻率和信號增強器或閱讀器所發(fā) 送的載波信號的頻率相一致。
4. 如權利要求l所述的信號增強器芯片,其特征在于,所述解調(diào)放大模塊進 一步包括解調(diào)電路用于將接收到的雙界面SIM卡發(fā)送的通信信號進行解調(diào); 放大電路,用于對解調(diào)后的通信信號作增強處理。
5. 如權利要求4所述的信號增強器芯片,其特征在于,所述解調(diào)電路的解調(diào) 方法為相干解調(diào)或非相干解調(diào)。
6. 如權利要求5所述的信號增強器芯片,其特征在于,所述非相干解調(diào)為二 極管峰值包絡解調(diào)或平均包絡解調(diào)。
7. 如權利要求1所述的信號增強器芯片,其特征在于,所述數(shù)字量化;漠塊為 模數(shù)轉換器或比較器電路。
8. 如權利要求1所述的信號增強器芯片,其特征在于,所述調(diào)制模塊包括控 制開關,在控制開關導通時,形成負載電流,并產(chǎn)生用于發(fā)送至閱讀器的副 載波反射調(diào)制信號。
9. 如權利要求8所述的信號增強器芯片,其特征在于,所述控制開關為絕緣 才冊場效應管。
10. 如權利要求1所述的信號增強器芯片,其特征在于,所述調(diào)制模塊的調(diào)制 方法為反射調(diào)制或負載調(diào)制。
11. 如權利要求1所述的信號增強器芯片,其特征在于,所述電源模塊是利用 橋式整流電路產(chǎn)生工作電源的。
12. —種包括如權利要求1至11中任一項所述的信號增強器芯片的信號增強器。
全文摘要
一種用于射頻識別系統(tǒng)的信號增強器芯片及其信號增強器,其中信號增強器芯片包括接收電路、發(fā)送電路和電源模塊,接收電路包括解調(diào)放大模塊和數(shù)字量化模塊,發(fā)送電路包括邏輯控制模塊和調(diào)制模塊;解調(diào)放大模塊,用于將雙界面SIM卡發(fā)送的通信信號放大并解調(diào);數(shù)字量化模塊,用于將解調(diào)放大模塊輸出的模擬通信信號轉化為數(shù)字通信信號;邏輯控制模塊,用于處理數(shù)字量化模塊輸出的數(shù)字通信信號,產(chǎn)生返回至閱讀器的副載波信號;調(diào)制模塊,用于根據(jù)副載波信號形成待發(fā)送的通信信號。本發(fā)明的信號增強器及其芯片,作為雙界面SIM卡和閱讀器之間的中繼設備,能將雙界面SIM卡的應答信號進行增強,確保雙界面SIM卡和閱讀器之間的正常通信。
文檔編號G06K19/07GK101561890SQ20091013531
公開日2009年10月21日 申請日期2009年4月17日 優(yōu)先權日2008年4月18日
發(fā)明者金可威 申請人:上海坤銳電子科技有限公司