專利名稱：一種薄型非接觸模塊封裝的焊接方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄型非接觸模塊封裝的焊接方法，其厚度在290-330 P m之 間，可用于無線支付的銀行卡、電子護(hù)照、重大會(huì)展票、地鐵單程票等，此類用 量大、可靠性要求高的薄型卡，卡片厚度均需要小于450 ym。屬于焊接方法技 術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前常規(guī)的非接觸模塊封裝的焊接方法為正打弧金絲球焊工藝，如圖1所 示，其方法為在IC芯片2的壓焊區(qū)上打第一點(diǎn)球焊點(diǎn)，然后在框架3打第二
點(diǎn)楔焊點(diǎn)5，即為正打弧金絲球焊工藝，這種焊接工藝的缺點(diǎn)弧高1高、拉力 低、產(chǎn)品的可靠性差。
非接觸模塊封裝的厚度向薄型化發(fā)展，從早期的400um到目前國際上盛行 的330ym，表征著技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用的拓展，原來的焊接工藝不可能形成小于70 微米如此低的弧高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種弧高控制在30到70微米之間的薄型非接觸模塊封 裝的焊接方法。
為實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是提供一種薄型非接觸模塊封裝的焊接 方法，其特征在于，使用倒焊弧方法，其方法為 第一步，先在IC芯片的壓焊區(qū)上形成一個(gè)金球； 第二步，然后再在引線框架形成第一焊點(diǎn)；
第三步，將第二焊點(diǎn)的楔焊點(diǎn)焊在芯片已焊的金球上，實(shí)現(xiàn)倒焊??； 材料lmil AW66金絲 焊接參數(shù)
球焊點(diǎn)焊接壓力 400-800mN 球焊點(diǎn)焊接時(shí)間 5-15ms球焊點(diǎn)焊接功率 15%_40% 楔焊點(diǎn)焊接壓力 300-700mN 楔焊點(diǎn)焊接時(shí)間 4-15ms 楔焊點(diǎn)焊接功率 10%-40% 加熱塊溫度 180±5°C。
本發(fā)明采用倒焊弧，可以滿足弧高控制在30到70微米之間的要求。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是弧高低、拉力高，保證了超薄模塑成品率和可靠性，對(duì)直徑 25微米的金絲，美國軍標(biāo)是大于4克拉力，該新技術(shù)突破了常規(guī)的標(biāo)準(zhǔn)，達(dá)到6 克以上的拉力強(qiáng)度。


圖1為正打弧金絲球焊工藝示意圖2為一種薄型非接觸模塊封裝的焊接方法示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
實(shí)施例
如圖2所示，為一種薄型非接觸模塊封裝的焊接方法示意圖， 一種薄型非接 觸模塊封裝的焊接方法為
設(shè)備ESEC 3088
材料lmil AW66金絲 第一步，先在IC芯片2的壓焊區(qū)上形成一個(gè)金球6; 第二步，然后再在引線框架3形成第一焊點(diǎn)7;
第二步，將第二焊點(diǎn)的楔焊點(diǎn)焊在芯片2己焊的金球6上，實(shí)現(xiàn)倒焊??；
焊接參數(shù)
球焊點(diǎn)焊接壓力 600mN
球焊點(diǎn)焊接時(shí)間 10ms
球焊點(diǎn)焊接功率 15%-40%
楔焊點(diǎn)悍接壓力 500mN
楔焊點(diǎn)焊接時(shí)間 10ms楔焊點(diǎn)焊接功率 10%-40% 加熱塊溫度 180±5°C。
采用倒焊弧，可以滿足弧高H控制在30到70微米之間的要求。
權(quán)利要求
1. 一種薄型非接觸模塊封裝的焊接方法，其特征在于，使用倒焊弧方法，其方法為第一步，先在IC芯片(2)的壓焊區(qū)上形成一個(gè)金球(6)；第二步，然后再在引線框架(3)形成第一焊點(diǎn)(7)；第二步，將第二焊點(diǎn)的鍥焊點(diǎn)焊在芯片(2)已焊的金球(6)上，實(shí)現(xiàn)倒焊?。徊牧?mil AW66金絲焊接參數(shù)球焊點(diǎn)焊接壓力 400-800mN球焊點(diǎn)焊接時(shí)間 5-15ms球焊點(diǎn)焊接功率 15％-40％楔焊點(diǎn)焊接壓力 300-700mN楔焊點(diǎn)焊接時(shí)間 4-15ms楔焊點(diǎn)焊接功率 10％-40％加熱塊溫度 180±5℃。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種薄型非接觸模塊封裝的焊接方法，其特征在于，使用倒焊弧方法，其方法為先在IC芯片的壓焊區(qū)上形成一個(gè)金球；然后再在引線框架形成第一焊點(diǎn)；將第二焊點(diǎn)的楔焊點(diǎn)焊在芯片已焊的金球，實(shí)現(xiàn)倒焊弧。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是弧高低、拉力高，保證了超薄模塑成品率和可靠性。對(duì)直徑25.4微米的金絲，美國軍標(biāo)是大于4克拉力，該新技術(shù)突破了常規(guī)的標(biāo)準(zhǔn)，達(dá)到6克以上的拉力強(qiáng)度。
文檔編號(hào)G06K19/077GK101419926SQ20081020279
公開日2009年4月29日 申請(qǐng)日期2008年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月17日
發(fā)明者葉佩華, 陸美華 申請(qǐng)人:上海伊諾爾信息技術(shù)有限公司