專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件是包括晶體管的器件。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，展開了對(duì)能夠無(wú)線發(fā)送及接收數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件的開發(fā)。這種半導(dǎo)體器件稱作RFID(無(wú)線射頻識(shí)別；Radio FrequencyIDentification)、RF芯片、RF標(biāo)簽(tag)、IC芯片、IC標(biāo)簽、IC標(biāo)記(label)、無(wú)線芯片、無(wú)線標(biāo)簽、電子芯片、電子標(biāo)簽、無(wú)線處理器、以及無(wú)線存儲(chǔ)器等(例如，參見專利文獻(xiàn)1)，已經(jīng)在一部分領(lǐng)域開始應(yīng)用。
日本發(fā)明專利申請(qǐng)公開2004-282050號(hào)公報(bào)在能夠無(wú)線發(fā)送及接收數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件中使用了天線。這種半導(dǎo)體器件大致分為如下兩類使用設(shè)置有晶體管和天線兩者的基板的半導(dǎo)體器件；使用設(shè)置有晶體管的第一基板和設(shè)置有天線的第二基板的半導(dǎo)體器件。這兩類半導(dǎo)體器件在很多情況下根據(jù)頻帶分別使用。此外，在這種半導(dǎo)體器件中，如果要通信距離長(zhǎng)，就必須擴(kuò)大天線的占有面積。因此，在很多情況下，為了擴(kuò)大天線的占有面積而使用設(shè)置有晶體管的第一基板和設(shè)置有天線的第二基板。

發(fā)明內(nèi)容
在使用具有晶體管的疊層體和設(shè)置有導(dǎo)電層的基板的情況下，有必要貼合疊層體和基板并且電連接包括在疊層體中的第一導(dǎo)電層和在基板上的第二導(dǎo)電層。在這種情況下，本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件，其能夠可靠地實(shí)現(xiàn)包括在具有晶體管的疊層體中的第一導(dǎo)電層和在基板上的第二導(dǎo)電層的電連接。
在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，設(shè)置有使包括在具有晶體管的疊層體中的第一導(dǎo)電層(例如，設(shè)置在與晶體管所含的柵電極相同的層上的導(dǎo)電層；設(shè)置在與連接于晶體管的源極或漏極的源極布線或漏極布線相同的層上的導(dǎo)電層；設(shè)置在與連接于源極布線或漏極布線的布線相同的層上的導(dǎo)電層等)和設(shè)置在基板上的第二導(dǎo)電層(例如，起到天線或連接布線的作用的導(dǎo)電層)電連接的導(dǎo)電層。因此，能夠可靠地實(shí)現(xiàn)第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的電連接。
此外，貫穿第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層地設(shè)置有使第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層電連接的導(dǎo)電層。由此，可以牢固地固定具有晶體管的疊層體和設(shè)置有第二導(dǎo)電層的基板。下面，將說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括薄膜集成電路；與薄膜集成電路相連接的第一端子部分；設(shè)置在基板上的第一導(dǎo)電層；與第一導(dǎo)電層相連接的第二端子部分；以及使第一端子部分和第二端子部分電連接、同時(shí)貫穿第一端子部分、第二端子部分及基板地設(shè)置的第二導(dǎo)電層。第一端子部分和第二端子部分設(shè)置為互相重疊。此外，第一端子部分、第二端子部分及第二導(dǎo)電層設(shè)置為與薄膜集成電路不重疊。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括設(shè)置在第一基板的一個(gè)表面上的薄膜集成電路；與薄膜集成電路相連接的第一端子部分；設(shè)置在第二基板的一個(gè)表面上的第一導(dǎo)電層；與第一導(dǎo)電層相連接的第二端子部分；以及使第一端子部分和第二端子部分電連接、同時(shí)貫穿第一基板、第一端子部分、第二端子部分、以及第二基板地設(shè)置的第二導(dǎo)電層。第一基板的一個(gè)表面和第二基板的一個(gè)表面相對(duì)地設(shè)置，并且使第一端子部分和第二端子部分互相重疊。此外，第一端子部分、第二端子部分及第二導(dǎo)電層被設(shè)置為與薄膜集成電路不重疊。
用于使第一端子部分和第二端子部分電連接的第二導(dǎo)電層由熱導(dǎo)率或電導(dǎo)率比較大的物質(zhì)(例如金屬)來(lái)制成。第二導(dǎo)電層具有細(xì)長(zhǎng)的線形狀，可以稱作線狀的導(dǎo)體(導(dǎo)電體)、針狀的導(dǎo)體(導(dǎo)電體)、棒狀的導(dǎo)體(導(dǎo)電體)。第二導(dǎo)電層具體地是細(xì)條(金屬線，例如是細(xì)絲)、針狀物(例如是“U”，字形的裝訂針)、鐵絲、釘子。第二導(dǎo)電層的截面形狀是方形、橢圓形、圓形等，對(duì)于其形狀沒有特別的限制。
此外，對(duì)于第二導(dǎo)電層的尺寸沒有特別的限制，根據(jù)將設(shè)置第二導(dǎo)電層的地方適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。此外，第二導(dǎo)電層設(shè)置在多個(gè)端子部分之間，并且使多個(gè)端子部分電連接。
此外，第二導(dǎo)電層被設(shè)置得貫穿包括在具有晶體管的疊層體中的第一端子部分和包括在設(shè)置有導(dǎo)電層的基板中的第二端子部分。由此，可以牢固地固定具有晶體管的疊層體和基板。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括具有半導(dǎo)體層、第一絕緣層(柵絕緣層)及第一導(dǎo)電層(柵電極)的晶體管；設(shè)置在晶體管上的第二絕緣層；通過形成在第二絕緣層中的開口部分而連接于晶體管的源極或漏極的第二導(dǎo)電層(源極布線或漏極布線)；和設(shè)置在與第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層相同的層上的第三導(dǎo)電層(相當(dāng)于第一端子部分)。
除了上述結(jié)構(gòu)之外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件還包括設(shè)置在第二絕緣層和第二導(dǎo)電層上的第三絕緣層；設(shè)置在第三絕緣層上的第四導(dǎo)電層；設(shè)置在與第四導(dǎo)電層相同的層上的第五導(dǎo)電層(相當(dāng)于第二端子部分)；設(shè)置在第三絕緣層和第四導(dǎo)電層上的基板；和使第一端子部分和第二端子部分電連接、同時(shí)貫穿第一端子部分、第二端子部分及基板地設(shè)置的第六導(dǎo)電層。第一端子部分和第二端子部分被設(shè)置得互相重疊。在具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中，也可以使用各向異性導(dǎo)電層來(lái)代替第三絕緣層。
或者，除了上述結(jié)構(gòu)之外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件也包括設(shè)置在第二絕緣層和第二導(dǎo)電層上的第三絕緣層；設(shè)置在第三絕緣層上的第四絕緣層；設(shè)置在第四絕緣層上的第四導(dǎo)電層；設(shè)置在與第四導(dǎo)電層相同的層上的第五導(dǎo)電層(相當(dāng)于第二端子部分)；設(shè)置在第四絕緣層和第四導(dǎo)電層上的基板；和使第一端子部分和第二端子部分電連接、同時(shí)貫穿第一端子部分、第二端子部分及基板地設(shè)置的第六導(dǎo)電層。第一端子部分和第二端子部分被設(shè)置得互相重疊。在具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中，也可以使用各向異性導(dǎo)電層來(lái)代替第四絕緣層。
或者，除了上述結(jié)構(gòu)之外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件也包括選擇性地設(shè)置在第二絕緣層和第二導(dǎo)電層上的第三絕緣層；通過形成在第三絕緣層中的開口部分而連接到第三導(dǎo)電層的凸塊；設(shè)置在第三絕緣層上的第四導(dǎo)電層；設(shè)置在與第四導(dǎo)電層相同的層上，并且連接到凸塊的第五導(dǎo)電層(第二端子部分)；設(shè)置在第三絕緣層和第四導(dǎo)電層上的基板；使第一端子部分和第二端子部分電連接、同時(shí)貫穿第一端子部分、第二端子部分及基板地設(shè)置的第六導(dǎo)電層。第一端子部分和第二端子部分被設(shè)置得互相重疊。
或者，除了上述結(jié)構(gòu)之外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件還包括選擇性地設(shè)置在第二絕緣層和第二導(dǎo)電層上的第三絕緣層；通過形成在第三絕緣層中的開口部分而連接到第三導(dǎo)電層的凸塊；設(shè)置在第三絕緣層和凸塊上的各向異性導(dǎo)電層；設(shè)置在各向異性導(dǎo)電層上的第四導(dǎo)電層；設(shè)置在與第四導(dǎo)電層相同的層上，并且連接到凸塊的第五導(dǎo)電層(相當(dāng)于第二端子部分)；設(shè)置在各向異性導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層上的基板；使第一端子部分和第二端子部分電連接、同時(shí)貫穿第一端子部分、第二端子部分及基板地設(shè)置的第六導(dǎo)電層。第一端子部分和第二端子部分被設(shè)置得互相重疊。
或者，除了上述結(jié)構(gòu)之外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件還包括選擇性地設(shè)置在第二絕緣層和第二導(dǎo)電層上的第三絕緣層；通過形成在第三絕緣層中的開口部分而連接到第三導(dǎo)電層的第一凸塊；選擇性地設(shè)置在第三絕緣層上的第四絕緣層；通過形成在第四絕緣層中的開口部分而連接到第一凸塊的第二凸塊；設(shè)置在第四絕緣層上的第四導(dǎo)電層；設(shè)置在與第四導(dǎo)電層相同的層上，并且連接到第二凸塊的第五導(dǎo)電層(相當(dāng)于第二端子部分)；設(shè)置在第四絕緣層和第四導(dǎo)電層上的基板；使第一端子部分和第二端子部分電連接、同時(shí)貫穿第一端子部分、第二端子部分及基板地設(shè)置的第六導(dǎo)電層。第一端子部分和第二端子部分被設(shè)置得互相重疊。
或者，除了上述結(jié)構(gòu)之外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件還包括選擇性地設(shè)置在第二絕緣層和第二導(dǎo)電層上的第三絕緣層；通過形成在第三絕緣層中的開口部分而連接到第三導(dǎo)電層的第一凸塊；設(shè)置在第三絕緣層和第一凸塊上的各向異性導(dǎo)電層；設(shè)置在各向異性導(dǎo)電層上的第二凸塊；設(shè)置在各向異性導(dǎo)電層上的第四導(dǎo)電層；設(shè)置在與第四導(dǎo)電層相同的層上的第五導(dǎo)電層(相當(dāng)于第二端子部分)；設(shè)置在各向異性導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層上的基板；和使第一端子部分和第二端子部分電連接、同時(shí)貫穿第一端子部分、第二端子部分及基板地設(shè)置的第六導(dǎo)電層。第一端子部分和第二端子部分被設(shè)置得互相重疊。
在具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中，第四、第五導(dǎo)電層起到天線的作用。此外，作為凸塊(也稱作突起電極)的材料，使用含有金、銀或銅的材料。優(yōu)選地使用含有電阻值低的銀的材料。
使第一端子部分和第二端子部分連接的第六導(dǎo)電層由熱導(dǎo)率或電導(dǎo)率比較高的物質(zhì)來(lái)制造。第六導(dǎo)電層為細(xì)長(zhǎng)的線形狀。
此外，通過設(shè)置貫穿第一端子部分和第二端子部分的導(dǎo)電層，可以使半導(dǎo)體器件中帶著的靜電放電，以防止半導(dǎo)體器件包括的半導(dǎo)體元件的劣化或破壞。也就是說(shuō)，通過設(shè)置貫穿第一端子部分和第二端子部分的導(dǎo)電層，可以防止對(duì)于半導(dǎo)體器件的靜電破壞。
根據(jù)本發(fā)明，能夠可靠地實(shí)現(xiàn)包括在具有晶體管的疊層體中的第一導(dǎo)電層和設(shè)置在基板上的第二導(dǎo)電層的電連接。此外，能夠牢固地固定具有晶體管的疊層體和設(shè)置有第二導(dǎo)電層的基板。此外，能夠降低第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間的電阻值，從而降低半導(dǎo)體器件的耗電量。


圖1A和1B是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的附圖；圖2A至2C是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的附圖；圖3A和3B是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的附圖；圖4是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的附圖；圖5A至5D是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的附圖；
圖6A至6D是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的附圖；圖7A和7B是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的附圖；圖8A和8B是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的附圖；圖9A和9B是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的附圖；圖10A和10B是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的附圖；圖11A和11B是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的附圖；圖12是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的附圖；圖13A和13B是說(shuō)明設(shè)置有用作天線的導(dǎo)電層的基板的附圖；圖14是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的附圖；圖15A至15E是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的附圖；圖16A至16D是說(shuō)明晶體管和其制造方法的附圖；圖17A至17C是說(shuō)明晶體管和其制造方法的附圖；圖18A和18B是說(shuō)明晶體管和其制造方法的附圖；圖19A至19D是說(shuō)明實(shí)驗(yàn)的結(jié)果的附圖；圖20A至20C是說(shuō)明實(shí)驗(yàn)的結(jié)果的附圖；圖21A至21C是說(shuō)明實(shí)驗(yàn)的結(jié)果的附圖；圖22是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的附圖；圖23A至23D是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的附圖；圖24A和24B是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的附圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，本發(fā)明不局限于以下說(shuō)明，所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個(gè)事實(shí)，就是其方式和詳細(xì)內(nèi)容可以被變換為各種各樣的形式，而不脫離本發(fā)明的宗旨及范圍。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限制在實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。此外，在以下說(shuō)明的本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中，在各個(gè)附圖中的相同部分使用相同的符號(hào)。
實(shí)施方式1下面參照?qǐng)D23A至23D、圖24A和24B說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)。圖23C為沿圖23A的俯視圖中從點(diǎn)A至點(diǎn)B的截面圖，圖23D為沿圖23B的俯視圖中從點(diǎn)A至點(diǎn)B的截面圖，圖24B為沿圖24A的俯視圖中從點(diǎn)A至點(diǎn)B的截面圖。
在基板200的一個(gè)表面上設(shè)置有導(dǎo)電層201和202(參見圖23A和23C)。導(dǎo)電層201和202用作天線或連接布線。端子部分203為導(dǎo)電層201的端部，端子部分204為導(dǎo)電層202的端部。
在基板205的一個(gè)表面上設(shè)置有薄膜集成電路208(參見圖23B和23D)。此外，在基板205的一個(gè)表面上設(shè)置有與薄膜集成電路208相連接的端子部分206和207。薄膜集成電路208具有多個(gè)晶體管。端子部分206和207由如下的導(dǎo)電層形成與薄膜集成電路208所含的晶體管的柵極相同的層的導(dǎo)電層、與源極布線和漏極布線相同的層的導(dǎo)電層、或與連接于源極布線和漏極布線的布線相同的層的導(dǎo)電層等。
端子部分206和207與包括在薄膜集成電路208中的多個(gè)晶體管的任何一個(gè)電連接。
設(shè)置基板200和基板205使得基板200的一個(gè)表面和基板205的一個(gè)表面互相相對(duì)(參見圖24A和24B)。此時(shí)，將端子部分203和端子部分206互相重疊地配置。另外，將端子部分204和端子部分207互相重疊地配置。然后，設(shè)置貫穿基板200、端子部分203、206及基板205的導(dǎo)電層209。并設(shè)置貫穿基板200、端子部分204、207及基板205的導(dǎo)電層210。此時(shí)，以不與薄膜集成電路208相重疊的方式設(shè)置導(dǎo)電層209、210。
通過設(shè)置導(dǎo)電層209、210，可以分別使端子部分203和端子部分206、端子部分204和端子部分207電連接。此外，通過設(shè)置導(dǎo)電層209、210，可以牢固地貼合基板200和基板205。
另外，也可以將基板205從包括薄膜集成電路208的疊層體上分開。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)器件的小型化、薄型化和輕量化。此外，在上述結(jié)構(gòu)中，僅僅在基板205的一個(gè)表面上設(shè)置有薄膜集成電路208，然而本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。還可以在基板200的一個(gè)表面上也設(shè)置薄膜集成電路。
實(shí)施方式2為了說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)，將參照?qǐng)D1A至1B、圖2A至2C、圖3A和3B及圖4的截面圖、圖5A至5D和圖6A至6D的俯視圖說(shuō)明半導(dǎo)體器件的制造方法。其中，圖1B為沿圖5A中從點(diǎn)A至點(diǎn)B的截面圖，圖2A為沿圖5B和圖5C中從點(diǎn)A至點(diǎn)B的截面圖，圖2B為沿圖5D中沿點(diǎn)A至點(diǎn)B的截面圖。圖2C為沿圖6A中從點(diǎn)A至點(diǎn)B的截面圖，圖3B為沿圖6B中從點(diǎn)A至點(diǎn)B的截面圖，圖4為沿圖6C和圖6D中從點(diǎn)A至點(diǎn)B的截面圖。
首先，在基板10的一個(gè)表面上形成絕緣層11(參見圖1A)。然后在絕緣層11上形成剝離層12。接著，在剝離層12上形成絕緣層13。
基板10為玻璃基板、塑料基板、硅基板、以及石英基板等。作為基板10，優(yōu)選使用玻璃基板或塑料基板。這是因?yàn)椋绻褂貌ＡЩ寤蛩芰匣?，很容易制造一邊長(zhǎng)度大于等于1m的基板，而且很容易制造具有矩形等所希望的形狀的基板。因此，如果使用例如具有矩形并且一邊長(zhǎng)度大于等于1m的玻璃基板或塑料基板，就可以大幅度地提高生產(chǎn)率。與使用具有圓形并且最大直徑大致為30cm的硅基板相比，這是個(gè)很大的優(yōu)點(diǎn)。
通過等離子體CVD法或?yàn)R射法等形成硅的氧化物、硅的氮化物、含氮的硅的氧化物、以及含氧的硅的氮化物等作為絕緣層11和13。絕緣層11起到防止來(lái)自基板10的雜質(zhì)元素侵入到上層的作用。如果不需要，也可以不形成絕緣層11。
通過等離子體CVD法或?yàn)R射法等，形成包括由選自鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)、以及硅(Si)中的元素或以上述元素為主要成分的合金材料或者化合物材料的層的單層或?qū)臃e層作為剝離層12。含有硅的層的結(jié)晶結(jié)構(gòu)可以為非晶結(jié)構(gòu)、微晶結(jié)構(gòu)、以及多晶結(jié)構(gòu)中的任何一種。
當(dāng)剝離層12具有單層結(jié)構(gòu)時(shí)，優(yōu)選形成鎢層、鉬層或含有鎢和鉬的混合物的層。此外，可以形成含有鎢的氧化物、鎢的氧氮化物或鎢的氮氧化物的層、含有鉬的氧化物、鉬的氧氮化物或鉬的氮氧化物的層，或者含有鎢和鉬的混合物的氧化物、氧氮化物或，或者含有氮氧化物的層。
當(dāng)剝離層12具有疊層結(jié)構(gòu)時(shí)，優(yōu)選形成鎢層、鉬層或含有鎢和鉬的混合物的層作為第一層，形成含有鎢的氧化物、鉬的氧化物、鎢和鉬的混合物的氧化物、鎢的氧氮化物、鉬的氧氮化物、以及鎢和鉬的混合物的氧氮化物的層作為第二層。
當(dāng)形成鎢和鎢的氧化物的疊層結(jié)構(gòu)作為剝離層12時(shí)，可以首先形成含有鎢的層作為剝離層12，并且在其上形成含有硅的氧化物的層作為絕緣層13，從而含有鎢的氧化物的層被形成在含有鎢的層和含有硅的氧化物的層之間。這在形成含有鎢的氮化物、鎢的氧氮化物、以及鎢的氮氧化物的層等的情況下也是相同的，可以在形成含有鎢的層之后，在其上形成含有硅的氮化物的層、含有氧的氮化硅層、以及含有氮的氧化硅層。
接下來(lái)，在絕緣層13上形成多個(gè)晶體管14。在本實(shí)施方式中，形成薄膜晶體管(Thin film transistor)作為多個(gè)晶體管14。多個(gè)晶體管14分別具有半導(dǎo)體層50、柵絕緣層(也簡(jiǎn)單地稱作絕緣層)51、以及作為柵(也稱作柵電極)的導(dǎo)電層52。半導(dǎo)體層50具有用作源或漏的雜質(zhì)區(qū)域53、55和溝道形成區(qū)域54。在雜質(zhì)區(qū)域53、55中添加有給予N型或P型的雜質(zhì)元素。具體來(lái)說(shuō)，添加了給予N型的雜質(zhì)元素(例如磷(P)、砷(As))或給予P型的雜質(zhì)元素(例如硼(B))。雜質(zhì)區(qū)域55是LDD(輕摻雜漏極)區(qū)域。每個(gè)多個(gè)晶體管14可以是柵絕緣層51設(shè)置在半導(dǎo)體層50上并且導(dǎo)電層52設(shè)置在柵絕緣層51上的頂柵型，也可以是柵絕緣層51設(shè)置在導(dǎo)電層52上并且半導(dǎo)體層50設(shè)置在柵絕緣層51上的底柵型。
在圖上所示的結(jié)構(gòu)中，只形成了多個(gè)晶體管14，然而本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)?？梢愿鶕?jù)半導(dǎo)體器件的用途而適當(dāng)?shù)卣{(diào)整在基板設(shè)定10上的元件。例如，在半導(dǎo)體器件具有無(wú)線發(fā)送及接收數(shù)據(jù)的功能的情況下，可以在基板10上只形成多個(gè)晶體管，或者可以在基板10上形成多個(gè)晶體管和用作天線的導(dǎo)電層。此外，在半導(dǎo)體器件具有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的功能的情況下，還可以在基板10上形成多個(gè)晶體管和存儲(chǔ)元件(例如，晶體管和存儲(chǔ)晶體管等)。此外，在半導(dǎo)體器件具有電路控制的功能和信號(hào)生成的功能等的情況下(例如，CPU、信號(hào)生成電路等)，可以在基板10上形成晶體管。此外，除了上述以外，可以根據(jù)需要形成電阻元件和電容元件等其他元件。
接下來(lái)，在多個(gè)晶體管14上形成絕緣層15至17。通過等離子體CVD方法、濺射法、SOG(玻璃旋涂)法、液滴噴射法等，使用硅的氧化物、硅的氮化物、聚酰亞胺、丙烯酸、硅氧烷等形成絕緣層15至17。硅氧烷由例如硅和氧的結(jié)合構(gòu)成骨架結(jié)構(gòu)，并且用具有至少含有氫的有機(jī)基(例如烷基、芳香烴)、氟基、或至少含有氫的有機(jī)基和氟基作為取代基。在上述結(jié)構(gòu)中，在多個(gè)晶體管14上形成有三層絕緣層(絕緣層15至17)，然而本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。對(duì)形成在多個(gè)晶體管14上的絕緣層的數(shù)目沒有特別的限制。
接下來(lái)，在絕緣層15至17中形成開口部分，然后形成連接到各個(gè)多個(gè)晶體管14的源(也稱作源區(qū))或漏(也稱作漏區(qū))的導(dǎo)電層20至25。通過等離子體CVD法或?yàn)R射法等，使用選自鈦(Ti)、鋁(Al)等的元素、或以這些元素為主要成分的合金材料或化合物材料，以單層或疊層的方式形成導(dǎo)電層20至25。導(dǎo)電層20至25起到源極布線或漏極布線的作用。此外，導(dǎo)電層20、25還起到端子部分的作用。
接下來(lái)，在絕緣層17和導(dǎo)電層20至25上形成絕緣層28(參見圖1B和圖5A)。絕緣層28由絕緣樹脂以5至200μm的厚度、優(yōu)選以15至35μm的厚度形成。絕緣樹脂指的是例如環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂等。此外，通過絲網(wǎng)印刷法、液滴噴射法(例如噴墨法)、光刻法等均勻地形成絕緣層28。在這些方法中，優(yōu)選使用絲網(wǎng)印刷法。這是因?yàn)榻z網(wǎng)印刷法的處理時(shí)間短、裝置廉價(jià)的緣故。
接下來(lái)，形成開口部分29，以至少使剝離層12的一部分露出(參見圖2A、5B和5C)。該步驟通過光刻法或激光束的照射等來(lái)進(jìn)行，但為了縮短處理時(shí)間優(yōu)選使用激光束。對(duì)基板10、絕緣層11、剝離層12、絕緣層13、15至17、28照射激光束。此外，從絕緣層28的表面一側(cè)照射激光束。開口部分29被形成得至少使剝離層12的一部分露出。因此，至少在絕緣層13、15至17、28中形成開口部分29。在圖2A、圖5B中，示出了激光束抵達(dá)基板10的情況。此外，在圖5C中示出了將基板10分割成6個(gè)的情況。
激光器由激光介質(zhì)、激勵(lì)源、以及共振器構(gòu)成。當(dāng)根據(jù)介質(zhì)來(lái)分類時(shí)，激光器可以分為氣體激光器、液體激光器、以及固體激光器，而當(dāng)根據(jù)振蕩的特征來(lái)分類時(shí)，激光器可以分為自由電子激光器、半導(dǎo)體激光器、以及X射線激光器。本發(fā)明可以使用任何激光器。優(yōu)選使用氣體激光器或固體激光器，更優(yōu)選使用固體激光器。
氣體激光器包括氦氖激光器、二氧化碳激光器、受激準(zhǔn)分子激光器、以及氬離子激光器。受激準(zhǔn)分子激光器包括稀有氣體受激準(zhǔn)分子激光器、稀有氣體鹵化物受激準(zhǔn)分子激光器。稀有氣體受激準(zhǔn)分子激光器使用氬、氪以及氙這三種激勵(lì)分子而振蕩。氬離子激光器包括稀有氣體離子激光器、金屬蒸汽離子激光器。
液體激光器包括無(wú)機(jī)液體激光器、有機(jī)螯合物激光器、以及染料激光器。無(wú)機(jī)液體激光器和有機(jī)螯合物激光器將用于固體激光器的釹等稀土離子用作激光介質(zhì)。
固體激光器所使用的激光介質(zhì)是在固體的母體中摻雜了起到激光作用的活性物質(zhì)(active species)的激光介質(zhì)。固體的母體是晶體或玻璃。晶體指的是YAG(釔鋁石榴石晶體)、YLF、YVO4、YAlO3、藍(lán)寶石、紅寶石、以及變石。此外，起到激光作用的活性物質(zhì)是例如3價(jià)離子(Cr3+、Nd3+、Yb3+、Tm3+、Ho3+、Er3+、Ti3+)。
作為用于本發(fā)明的激光可以使用連續(xù)振蕩型的激光束和脈沖振蕩型的激光束。根據(jù)包括多個(gè)晶體管14的疊層體的厚度等而適當(dāng)?shù)卦O(shè)定激光束的照射條件，如頻率、功率密度、能量密度、以及光束輪廓等。
在上述照射激光束的步驟中，是以使用燒蝕處理為特征的。燒蝕處理是一種利用在照射了激光束的部分產(chǎn)生的現(xiàn)象的處理，即通過照射激光束使吸收了該激光束的部分的分子鍵被切斷，由此光分解、氣化并且蒸發(fā)。也就是說(shuō)，在本發(fā)明中，通過照射激光束，切斷在基板10、絕緣層11、剝離層12、絕緣層13、15至17、28的一部分中的分子鍵，使其光分解、氣化并且蒸發(fā)，以形成開口部分29。
此外，作為激光器，可以使用波長(zhǎng)為1至380nm即紫外區(qū)域的固體激光器。優(yōu)選使用波長(zhǎng)為1至380nm的Nd:YVO4激光器。這是因?yàn)?，與波長(zhǎng)在高頻一側(cè)的其他激光器相比，波長(zhǎng)為1至380nm的Nd:YVO4激光器的光很容易被基板吸收，因而可以進(jìn)行燒蝕處理。此外的原因是，使用Nd:YVO4激光器不會(huì)影響到處理部分的周圍，因此處理性良好。
接下來(lái)，在絕緣層28上形成絕緣層35(參見圖2B、圖5D)。絕緣層35由絕緣材料形成。此外，絕緣層35由熱固化樹脂、紫外線固化樹脂、聚醋酸乙烯樹脂粘合劑、乙烯共聚樹脂粘合劑、環(huán)氧樹脂粘合劑、聚氨酯樹脂粘合劑、橡膠粘合粘合劑、丙烯樹脂粘合劑等的粘合劑形成。此外，絕緣層35由粘合劑中設(shè)置有導(dǎo)電填料的各向異性導(dǎo)電材料形成。以粘合劑中設(shè)置有導(dǎo)電填料的材料稱為ACP(Anisotropic Conductive Paste)。通過絲網(wǎng)印刷法、液滴噴射法、光刻法等均勻地形成絕緣層35。
接下來(lái)，準(zhǔn)備設(shè)置有天線(用作天線的導(dǎo)電層)40、電容元件41的基板36(參見圖2C和圖6A)。天線40、電容元件41各通過絲網(wǎng)印刷法、液滴噴射法、光刻法、濺射法、CVD法等來(lái)形成。圖2C示出了作為天線40的一部分的導(dǎo)電層33、34。該導(dǎo)電層33、34既是天線的一部分又是端子部分。
接下來(lái)，在絕緣層35上提供設(shè)置有導(dǎo)電層33、34的基板36(參見圖3A)。此時(shí)，使導(dǎo)電層33和導(dǎo)電層20的一部分、導(dǎo)電層34和導(dǎo)電層25的一部分分別重疊地提供基板36。導(dǎo)電層20的一部分和導(dǎo)電層25的一部分為端子部分。
接下來(lái)，根據(jù)需要，粘合絕緣層35和基板36。由芯片倒置裝片機(jī)(flip chip bonder)、芯片裝片機(jī)、ACF貼片機(jī)、以及壓接機(jī)等對(duì)絕緣層35和基板36的一方或雙方進(jìn)行加壓處理和加熱處理使二者粘合起來(lái)。
接下來(lái)，用基板36將包括多個(gè)晶體管14的疊層體從基板10分開(參見圖3B和圖6B)。以剝離層12的內(nèi)部或以剝離層12和絕緣層13為邊界而進(jìn)行包括多個(gè)晶體管14的疊層體從基板10的分開處理。在圖上所示的結(jié)構(gòu)中，示出了以剝離層12和絕緣層13為邊界而進(jìn)行將包括多個(gè)晶體管14的疊層體從基板10分開的情況。注意，在該步驟中的特征在于將疊層體從基板10分開是使用基板36來(lái)進(jìn)行的。通過上述特征，可以以短時(shí)間容易地進(jìn)行分開處理。
接下來(lái)，貫穿絕緣層13、15至17、導(dǎo)電層20、絕緣層28、35、導(dǎo)電層33、基板36地設(shè)置導(dǎo)電層18(參見圖4、圖6C和6D)。貫穿絕緣層13、15至17、導(dǎo)電層25、絕緣層28、35、導(dǎo)電層34、基板36地設(shè)置導(dǎo)電層19。作為導(dǎo)電層18、19的材料，使用將不銹鋼絲拉成絲的材料、在常溫下將鍍鋅退火鋼絲拉成絲的材料等。此外，作為設(shè)置導(dǎo)電層18、19的裝置，例如可以使用如下工具，即通過將“U”字形的裝針插入到對(duì)象物并將該裝訂針的尖端往內(nèi)側(cè)彎曲來(lái)固定對(duì)象物的工具(例如是裝訂器、合訂器、訂書器)。此外，可以使用縫紙等的機(jī)械(例如是縫紉機(jī))。
不重疊于多個(gè)薄膜晶體管14(多個(gè)晶體管14)地設(shè)置導(dǎo)電層18、19。此外，以“U”字形形成導(dǎo)電層18、19。由此，可以牢固地固定包括多個(gè)晶體管14的疊層體和基板36。
通過設(shè)置導(dǎo)電層18、19，可以使導(dǎo)電層20和導(dǎo)電層33、導(dǎo)電層25和導(dǎo)電層34分別電連接。此外，通過設(shè)置導(dǎo)電層18、19，可以牢固地固定包括多個(gè)晶體管14的疊層體和設(shè)置有導(dǎo)電層33、34的基板36。此外，通過設(shè)置導(dǎo)電層18、19，可以使導(dǎo)電層20和導(dǎo)電層33之間、導(dǎo)電層25和導(dǎo)電層34之間的電阻值降低，并且降低耗電量。
此外，可以將包括多個(gè)晶體管14的疊層體固定到物品(例如紙幣等)上。在此情況下，可以除了貫穿絕緣層13、15至17、導(dǎo)電層20、絕緣層28、35、導(dǎo)電層33、基板36之外，還貫穿物品地設(shè)置導(dǎo)電層18、19。由此，可以將包括多個(gè)晶體管14的疊層體和物品固定在一起。
在上述優(yōu)點(diǎn)中，可以降低耗電量這一優(yōu)點(diǎn)對(duì)于可以無(wú)線發(fā)送及接收數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件是個(gè)很有用的優(yōu)點(diǎn)。這是因?yàn)?，由于可以無(wú)線發(fā)送及接收數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件使用由天線供給的交流電信號(hào)而產(chǎn)生電源，難以使電源穩(wěn)定，因此必須盡可能地抑制耗電量的緣故。如果耗電量增大，就需要輸入較強(qiáng)的電磁波，有可能由此產(chǎn)生如下問題讀取/寫入器的耗電量增加、對(duì)其他裝置或人的身體產(chǎn)生不良影響等。此外，有可能對(duì)于半導(dǎo)體器件和讀取、寫入器之間的通訊距離產(chǎn)生限制。
在具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件(參見圖4)中，也可以進(jìn)一步用基板密封包括多個(gè)晶體管14的疊層體(參見圖7A)。具體而言，也可以在基板36和絕緣層13的一方或雙方的表面上另外提供基板。在圖上所示的結(jié)構(gòu)中，通過在基板36的表面上提供基板37，在基板13的表面上提供基板38，而將包括多個(gè)晶體管14的疊層體用基板37、38密封起來(lái)。通過用基板37、38密封，可以提高其強(qiáng)度。在圖上所示的結(jié)構(gòu)中，在用基板37、38密封之后設(shè)置導(dǎo)電層18、19，然而本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以在周基板37、38密封之前設(shè)置導(dǎo)電層18、19。
基板(也可以稱作基底、薄膜、以及帶子)37和38分別是柔性基板。作為基板37和38的基材材料，可以分別包括聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、AS樹脂、ABS樹脂(由丙烯腈、丁二烯、以及苯乙烯等三種聚合而成的樹脂)、甲基丙烯酸樹脂(也稱為丙烯酸)、聚氯乙烯、聚縮醛、聚酰胺、聚碳酸酯、變性聚亞苯基醚、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚酰胺-酰亞胺、聚甲基戊烯、酚醛樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、環(huán)氧樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚酰亞胺、以及聚氨基甲酸乙酯等的材料和纖維材料(例如紙)。薄膜可以是單層的薄膜，也可以是層積了多個(gè)薄膜的薄膜。此外，在其表面上可以設(shè)置接合層。接合層是含有粘合劑的層。
基板37、38的表面可以分別由二氧化硅(硅土)的粉末涂覆。通過涂覆，即使在高溫且高濕的環(huán)境下也可以保持防水性。此外，其表面也可以由氧化銦錫等導(dǎo)電材料涂覆。對(duì)涂覆了的基板37、38的材料充(charge)靜電，可以保護(hù)薄膜集成電路免受靜電影響。此外，其表面也可以由以碳為主要成分的材料(如類金剛石碳)來(lái)涂覆。通過涂覆，可以增大強(qiáng)度并且可以抑制半導(dǎo)體器件的劣化和損壞。此外，基板37、38可以由將基材的材料(如樹脂)和以二氧化硅、導(dǎo)電材料、或碳為主要成分的材料混合了的材料構(gòu)成。
通過進(jìn)行加熱處理而使基板37和38各自的表面的層、或基板37、38各自的表面的接合層融化，以由基板37、38將包括多個(gè)晶體管14的疊層體密封。此外，可以根據(jù)需要進(jìn)行加壓處理。
此外，在具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件(參見圖7A)中，在導(dǎo)電層20和33之間、導(dǎo)電層25和34之間分別設(shè)置有導(dǎo)電層18、19，但本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以在導(dǎo)電層20至25上設(shè)置絕緣層60，并且設(shè)置通過形成在絕緣層60中的開口部分連接到導(dǎo)電層20、25的導(dǎo)電層58、59。此外，在導(dǎo)電層58和33之間、導(dǎo)電層59和34之間分別設(shè)置導(dǎo)電層18、19。
此外，在具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件(參見圖7A)中，在導(dǎo)電層20、25和導(dǎo)電層33、34之間設(shè)置有兩層絕緣層(絕緣層28、35)，然而本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以在導(dǎo)電層20、25和導(dǎo)電層33、34之間僅僅單獨(dú)地設(shè)置絕緣層26(參見圖8A)。絕緣層26由絕緣材料、具有粘性的材料、各向異性導(dǎo)電材料等而形成。像這樣，通過僅僅單獨(dú)地設(shè)置絕緣層，可以實(shí)現(xiàn)步驟數(shù)目和制造成本的降低。此外，可以實(shí)現(xiàn)薄型化。
此外，在具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件(參見圖7A)中，使導(dǎo)電層20和33、導(dǎo)電層25和34分別電連接地設(shè)置導(dǎo)電層18、19。導(dǎo)電層20、25是連接于晶體管的源極或漏極的源極布線或漏極布線、或設(shè)置在與源極布線或漏極布線相同的層上的導(dǎo)電層。然而，本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以使用設(shè)置在晶體管的柵電極相同的層上的導(dǎo)電層31、32而不使用導(dǎo)電層20、25。然后，使導(dǎo)電層31和33、導(dǎo)電層32和34分別電連接地設(shè)置導(dǎo)電層18、19。
此外，在具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件(參見圖7A)中，導(dǎo)電層18、19分別設(shè)置有兩個(gè)貫穿孔(也稱作孔、洞開口部分)，然而本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以設(shè)置兩個(gè)或更多的導(dǎo)電層18、19的貫穿孔(參見圖8B)?？梢允褂每p紙等的機(jī)械(例如縫紉機(jī))來(lái)設(shè)置兩個(gè)或更多的貫穿孔。此外，作為導(dǎo)電層18、19，可以使用具有柔性的導(dǎo)電材料。通過設(shè)置兩個(gè)或更多的貫穿孔，可以牢固地固定包括多個(gè)晶體管14的疊層體和設(shè)置有導(dǎo)電層33、34的基板36。
此外，與具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件(參見圖7A)不同，也可以選擇性地設(shè)置絕緣層28、35，并且在導(dǎo)電層20和導(dǎo)電層33之間設(shè)置凸塊65(參見圖9A)。另外，也可以在導(dǎo)電層25和導(dǎo)電層34之間設(shè)置凸塊66。
此外，與具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件(參見圖7A)不同，也可以選擇性地設(shè)置絕緣層28，并且用含有導(dǎo)電顆粒73的樹脂層74來(lái)代替絕緣層35。也可以在導(dǎo)電層20和導(dǎo)電層33之間設(shè)置凸塊65和樹脂層74(參見圖9B)。在導(dǎo)電層25和導(dǎo)電層34之間也可以設(shè)置凸塊66和樹脂層74。含有導(dǎo)電顆粒73的樹脂層74是各向異性導(dǎo)電層。
此外，與具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件(參見圖7A)不同，也可以選擇性地設(shè)置絕緣層28、35，并且在導(dǎo)電層20和導(dǎo)電層33之間設(shè)置凸塊68、69(參見圖10A)。也可以在導(dǎo)電層25和導(dǎo)電層34之間設(shè)置凸塊70、71。
此外，與具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件(參見圖7A)不同，也可以選擇性地設(shè)置絕緣層28，并且用含有導(dǎo)電顆粒73的樹脂層74來(lái)代替絕緣層35。也可以在導(dǎo)電層20和導(dǎo)電層33之間設(shè)置凸塊68、含有導(dǎo)電顆粒73的樹脂層74和凸塊69(參見圖10B)。在導(dǎo)電層25和導(dǎo)電層34之間也可以設(shè)置凸塊70、樹脂層74和凸塊71。
作為凸塊，使用金、銀、銅的任何一個(gè)，優(yōu)選使用電阻低的銀。
實(shí)施方式3在上述實(shí)施方式中，將包括多個(gè)晶體管14的疊層體從基板10分開(參見圖3B)，然而本發(fā)明不局限于該方式。
也可以在形成導(dǎo)電層20至25之后(圖1A)，根據(jù)需要，在導(dǎo)電層20至25上形成目的在于保護(hù)的層，然后使用研磨設(shè)備研磨基板10的另一個(gè)表面。優(yōu)選研磨得使基板10的厚度為100μm或更薄。研磨設(shè)備例如是研磨盤、磨石。
接著，也可以使用拋光設(shè)備拋光已經(jīng)研磨了的基板10的另一個(gè)表面。優(yōu)選拋光得使基板10的厚度為50μm或更薄，更優(yōu)選為20μm或更薄，更優(yōu)選為5μm或更薄。拋光設(shè)備例如是拋光布和磨粉(例如氧化鈰等)。在進(jìn)行研磨步驟和拋光步驟后，根據(jù)需要，可以進(jìn)行目的在于去除灰塵的洗滌步驟和干燥步驟中的一方或雙方。
此外，考慮到在研磨步驟和拋光步驟中花費(fèi)的時(shí)間、在之后要進(jìn)行的切斷步驟中花費(fèi)的時(shí)間、半導(dǎo)體器件的用途、對(duì)于其用途需要的強(qiáng)度等，適當(dāng)?shù)卦O(shè)定拋光后的基板10的厚度。例如，在通過縮短研磨步驟和拋光步驟的時(shí)間而提高生產(chǎn)率的情況下，可以使拋光后的基板10的厚度大致為50μm。此外，在通過縮隨后要進(jìn)行的切割步驟的時(shí)間來(lái)提高生產(chǎn)率的情況下，可以使拋光后的基板10的厚度為20μm或更薄，優(yōu)選為5μm或更薄。此外，在將半導(dǎo)體器件貼附或嵌入到薄的物品上的情況下，可以使拋光后的基板10的厚度為20μm或更薄，優(yōu)選為5μm或更薄。
接下來(lái)，在導(dǎo)電層20至25上形成絕緣層28(參見圖1B)。接著，在絕緣層28上形成絕緣層35而不形成開口部分29(參見圖2B)。接著，準(zhǔn)備設(shè)置有導(dǎo)電層33、34的基板36。然后，在絕緣層35上提供設(shè)置有導(dǎo)電層33、34的基板36。接著，設(shè)置導(dǎo)電層18、19以使導(dǎo)電層20和33、導(dǎo)電層25和34分別電連接(參見圖22)。導(dǎo)電層18、19分別貫穿導(dǎo)電層20和33、導(dǎo)電層25和34地設(shè)置。像這樣，也可以不將基板10從包括多個(gè)晶體管14的疊層體分開而保留基板10保留。通過保留基板10，可以抑制有害氣體、水和雜質(zhì)元素的進(jìn)入。因此，可以抑制劣化或破壞，以提高可靠性。
另外也可以使用如本實(shí)施方式所示的研磨及拋光基板10的步驟來(lái)代替在上述實(shí)施方式2中所示的分開基板10的步驟。通過研磨及拋光基板10，可以提高阻擋性。
實(shí)施方式4在上述實(shí)施方式中，將基板10從包括多個(gè)晶體管14的疊層體分開(參見圖3B)，然后設(shè)置導(dǎo)電層18、19(參見圖4)，然而本發(fā)明不局限于該方式。也可以將基板10從包括多個(gè)晶體管14的疊層體分開(參見圖3B)，然后在絕緣層13的表面上設(shè)置包括基板42和多個(gè)晶體管43的疊層體44(參見圖11A)。根據(jù)需要，也可以通過進(jìn)行加熱處理或加壓處理的一方或雙方來(lái)粘合絕緣層13和絕緣層45。絕緣層45由粘合劑或各向異性導(dǎo)電材料來(lái)構(gòu)成。
接下來(lái)，使用基板36將基板42從包括多個(gè)晶體管43的疊層體46分開(參見圖11B)。在圖上所示的結(jié)構(gòu)中，以剝離層47和絕緣層48為邊界將基板42從疊層體46分開。接著，也可以設(shè)置貫穿導(dǎo)電層33、20、56的導(dǎo)電層18，和貫穿導(dǎo)電層34、25、57的導(dǎo)電層19(參見圖12)。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，可以提供一種層積了多個(gè)晶體管的半導(dǎo)體器件。通過層積多個(gè)晶體管，能夠增加設(shè)置在一個(gè)半導(dǎo)體器件中的晶體管的數(shù)目，因此可以提供一種實(shí)現(xiàn)了高功能化的半導(dǎo)體器件。
實(shí)施例1下面參照?qǐng)D13說(shuō)明設(shè)置有導(dǎo)電層的基板。設(shè)置有導(dǎo)電層的基板有例如如下所述的兩種。導(dǎo)電層起到天線或連接布線的作用。
其中一種是在基板36上形成有導(dǎo)電層33、34的結(jié)構(gòu)(參見圖13A)?；?6由聚酰亞胺、PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、以及PES(聚醚砜)等形成。導(dǎo)電層33、34由銅和銀等形成。此外，將金等鍍?cè)趯?dǎo)電層33、34的露出的部分，以便防止氧化。
另一種是在基板36上形成有導(dǎo)電層33、34和保護(hù)層39的結(jié)構(gòu)(參見圖13B)。作為保護(hù)層39，使用基板和絕緣樹脂的一方或雙方?；迨蔷埘啺贰ET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、以及PES(聚醚砜)。絕緣樹脂是環(huán)氧樹脂、硅樹脂、以及合成橡膠樹脂等。
在使基板36上的導(dǎo)電層33、34用作天線的情況下，對(duì)于導(dǎo)電層33、34的形狀沒有特別的限制。作為導(dǎo)電層33、34的形狀，是例如具有偶極、環(huán)狀(例如環(huán)形天線)、螺旋形狀、長(zhǎng)方體并平坦的形狀(例如平板天線)等。此外，對(duì)于形成導(dǎo)電層33、34的材料沒有特別的限制。作為導(dǎo)電層33、34的材料，可以使用例如金、銀、銅等。其中，優(yōu)選使用電阻值低的銀。此外，對(duì)于其制造方法也沒有特別的限制，可以使用濺射法、CVD法、絲網(wǎng)印刷法、液滴噴射法(例如噴墨法)、分散器法等。
當(dāng)將天線直接貼附到金屬的表面上時(shí)，在金屬中由經(jīng)過金屬表面的磁通量產(chǎn)生渦電流。這種渦電流在與讀取/寫入器的磁場(chǎng)相反的方向上產(chǎn)生。于是，可以將具有磁導(dǎo)率高、高頻損失小的鐵氧體或金屬薄膜平板夾在天線和導(dǎo)電層之間，以便防止渦電流的產(chǎn)生。
在上述實(shí)施方式中使用了設(shè)置有導(dǎo)電層的基板。作為這種設(shè)置有導(dǎo)電層的基板，都可以使用上述兩種中的任何一種。
實(shí)施例2下面參照?qǐng)D14說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件100具有運(yùn)算處理電路101、存儲(chǔ)電路103、天線104、電源電路109、解調(diào)電路110、以及調(diào)制電路111。在半導(dǎo)體器件100中，天線104和電源電路109是不可缺少的結(jié)構(gòu)單元，而其他單元根據(jù)半導(dǎo)體器件100的用途而適當(dāng)?shù)卦O(shè)置。
運(yùn)算處理電路101根據(jù)從解調(diào)電路110輸入的信號(hào)來(lái)分析指令、控制存儲(chǔ)電路103，并且向調(diào)制電路111輸出要發(fā)送到外部的數(shù)據(jù)等。
存儲(chǔ)電路103具有包括存儲(chǔ)元件的電路及控制寫入和讀出數(shù)據(jù)的控制電路。在存儲(chǔ)電路103中，至少存儲(chǔ)有半導(dǎo)體器件本身的識(shí)別號(hào)碼。識(shí)別號(hào)碼是為了與其他半導(dǎo)體器件區(qū)別而使用的。此外，存儲(chǔ)電路103具有選自有機(jī)存儲(chǔ)器、DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、FeRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、掩模ROM(只讀存儲(chǔ)器)、PROM(可編程只讀存儲(chǔ)器)、EPROM(電可編程只讀存儲(chǔ)器)、EEPROM(電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)、以及閃速存儲(chǔ)器中的一種或多種。有機(jī)存儲(chǔ)器具有在一對(duì)導(dǎo)電層之間夾有含有有機(jī)化合物的層的結(jié)構(gòu)。有機(jī)存儲(chǔ)器具有簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，由此可以使制作步驟簡(jiǎn)單化，可以減少費(fèi)用。此外，由于具有簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，可以很容易使疊層體的面積小型化并且很容易實(shí)現(xiàn)大容量化。此外，有機(jī)存儲(chǔ)器具有非易失性和不需要內(nèi)置電池的優(yōu)點(diǎn)。因此，作為存儲(chǔ)電路103，優(yōu)選使用有機(jī)存儲(chǔ)器。
天線104將從讀取/寫入器112供給的載波轉(zhuǎn)換成交流電信號(hào)。此外，由調(diào)制電路111施加負(fù)載調(diào)制。電源電路109使用天線14所轉(zhuǎn)換了的交流電信號(hào)來(lái)生成電源電壓，并且將該電源電壓提供給每個(gè)電路。
解調(diào)電路110解調(diào)由天線104轉(zhuǎn)換了的交流電信號(hào)，并且將被解調(diào)了的信號(hào)提供給運(yùn)算處理電路101。調(diào)制電路111根據(jù)由運(yùn)算處理電路101供給的信號(hào)，向天線104施加負(fù)載調(diào)制。
讀取/寫入器112將天線104所施加的負(fù)載調(diào)制作為載波來(lái)接收。此外，讀取/寫入器112將載波發(fā)射到半導(dǎo)體器件100。載波是讀取/寫入器112所發(fā)射的電磁波。
實(shí)施例3通過利用能夠無(wú)線發(fā)送及接收數(shù)據(jù)的功能，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件125可以適用于各種物品和各種系統(tǒng)。所述物品例如是鑰匙(參見圖15A)、紙幣、硬幣、有價(jià)證券、無(wú)記名債券、證書(駕駛執(zhí)照或居民證等)、書籍、容器(實(shí)驗(yàn)器皿等，參見圖15B)、隨身物品(包、眼鏡等，參見圖15C)、包裝容器(包裝紙、瓶子等，參見圖15D)、存儲(chǔ)介質(zhì)(磁盤或光盤、錄像帶等)、交通工具(自行車等)、食品、衣服、生活用品、以及電子器具(液晶顯示裝置、EL顯示裝置、電視機(jī)、便攜式終端等)等。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件通過貼附或嵌入在如上所述的各種形狀的物品的表面上而固定。
此外，系統(tǒng)指的是物流和庫(kù)存管理系統(tǒng)、認(rèn)證系統(tǒng)、流通系統(tǒng)、生產(chǎn)歷史系統(tǒng)、以及書籍管理系統(tǒng)等。通過使用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，可以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的高功能化、多功能化、以及高附加價(jià)值化。例如，將本發(fā)明的半導(dǎo)體器件設(shè)置在身份證的內(nèi)部，并且將讀取/寫入器121設(shè)置在建筑物的入口(參見圖15E)。讀取/寫入器121讀取在各人所帶的身份證中的識(shí)別號(hào)碼，然后將所讀取的關(guān)于識(shí)別號(hào)碼的信息提供給計(jì)算機(jī)122。計(jì)算機(jī)122根據(jù)由讀取/寫入器121供給的信息來(lái)判斷允許或不許進(jìn)出。像這樣，通過使用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，可以提供提高了方便性的出入管理系統(tǒng)。
實(shí)施例4下面參照?qǐng)D16A至16D、17A至17C、以及18A和18B說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件所包括的晶體管的制造方法。首先，在基板551上形成絕緣層552(參見圖16A)。接著，在絕緣層552上形成絕緣層553。接著，在絕緣層553上形成半導(dǎo)體層554。然后，在半導(dǎo)體層554上形成柵絕緣層555。
半導(dǎo)體層554例如通過以下制造步驟來(lái)形成。首先，通過濺射法、LPCVD法、以及等離子體CVD法等形成非晶半導(dǎo)體層。接著，通過使用激光晶化法、RTA法(快速熱退火)、使用退火爐的熱晶化法、使用促進(jìn)晶化的金屬元素的熱晶化法、以及組合了使用促進(jìn)晶化的金屬元素的熱晶化和激光晶化法的方法等使非晶半導(dǎo)體層晶化，以形成晶體半導(dǎo)體層。隨后，將得到了的晶體半導(dǎo)體層形成為所希望的圖形(圖形加工)。
優(yōu)選的是，通過組合以下兩個(gè)晶化法來(lái)形成半導(dǎo)體層554包括熱處理的晶化法；發(fā)射連續(xù)振蕩激光或以10MHz或更大的頻率振蕩的激光束的晶化法。通過發(fā)射連續(xù)振蕩激光或以10MHz或更大的頻率振蕩的激光束，可以使晶化了的半導(dǎo)體層554的表面平坦。此外，通過使半導(dǎo)體層554的表面平坦化，可以使柵絕緣層555薄膜化。此外，可以提高柵絕緣層555的耐壓性。
此外，可以通過對(duì)半導(dǎo)體層554進(jìn)行等離子體處理并使表面氧化或氮化而形成柵絕緣層555。例如，可以通過引入如He、Ar、Kr、或Xe等的稀有氣體和氧、氧化氮、氨、氮、或氫等的混合氣體的等離子體處理而形成柵絕緣層555。在這種情況下，優(yōu)選通過引入微波而進(jìn)行等離子體激發(fā)。這是因?yàn)楫?dāng)引入微波時(shí)，可以在低電子溫度下生成高密度的等離子體。可以由利用該高密度等離子體生成的氧基(也有包括OH基的情況)和氮基(也有包括NH基的情況)使半導(dǎo)體層554的表面氧化或氮化，以形成柵絕緣層555。也就是說(shuō)，通過使用這種高密度等離子體的處理，在半導(dǎo)體層554的表面上形成具有1至20nm、典型地具有5至10nm厚度的絕緣層。在這種情況下，由于反應(yīng)是固相反應(yīng)，所以可以大大降低該絕緣層和半導(dǎo)體層554之間的邊界能級(jí)密度。
這種高密度等離子體處理由于使半導(dǎo)體層(晶體硅或多晶硅)直接氧化(或氮化)，從而可以極大地減小形成在該半導(dǎo)體層的表面上的柵絕緣層的厚度的偏差。此外，在晶體硅的晶粒界面上不會(huì)發(fā)生異常的氧化反應(yīng)，所以成為非常優(yōu)選的狀態(tài)。換句話說(shuō)，通過進(jìn)行在此所述的高密度等離子體處理使半導(dǎo)體層554的表面固相氧化，可以形成均勻性良好、邊界能級(jí)密度低的柵絕緣層555，而在晶粒界面上不會(huì)發(fā)生異常氧化反應(yīng)。
柵絕緣層555可以僅僅使用通過高密度等離子體處理而形成的絕緣層，也可以使用通過利用等離子體和熱反應(yīng)的CVD法在其上沉淀并層積氧化硅、氧氮化硅、以及氮化硅等的絕緣層。在任何情況下，在柵絕緣層555的一部分或所有部分中包括通過高密度等離子體形成的絕緣層的晶體管可以減少特性的偏差。
此外，通過將連續(xù)振蕩激光或以10MHz或更大的頻率振蕩的激光束沿一個(gè)方向掃描而使晶化的半導(dǎo)體層554具有結(jié)晶沿該激光束的掃描方向成長(zhǎng)的特性。通過將其掃描方向?qū)?yīng)于溝道長(zhǎng)度方向(當(dāng)形成溝道形成區(qū)域時(shí)載流子所流過的方向)地設(shè)置晶體管的有源層，并且采用上述方法作為柵絕緣層的制造方法，可以得到特性偏差小并且場(chǎng)效應(yīng)遷移率大的晶體管。
另外，也有使用等離子體處理來(lái)形成絕緣層552和553、半導(dǎo)體層554、以及柵絕緣層555等的情況。這種等離子體處理優(yōu)選在電子密度為1×1011cm-3或更高并且等離子體的電子溫度為1.5eV或更低的情況下進(jìn)行。更優(yōu)選在電子密度為1×1011cm-3或更高至1×1013cm-3或更低并且等離子體的電子溫度為0.5eV或更高至1.5eV或更低的情況下進(jìn)行。
如果等離子體的電子密度高，并且在被處理對(duì)象(例如，絕緣層552和553、半導(dǎo)體層554、以及柵絕緣層555等)附近的電子溫度低時(shí)，可以防止等離子體給被處理對(duì)象帶來(lái)的損傷。此外，由于等離子體的電子密度高達(dá)1×1011cm-3或更高，使用等離子體處理使被處理對(duì)象氧化或氮化而形成的氧化物或氮化物比起通過CVD法和濺射法等形成的薄膜來(lái)其膜厚度等的均勻性要高，并且可以形成致密的膜。此外，由于等離子體的電子溫度低至1.5eV或更低，所以與常規(guī)的等離子體處理以及熱氧化法相比，可以在更低的溫度下進(jìn)行氧化或氮化處理。例如，即使在比玻璃的應(yīng)變點(diǎn)再低100度以上(含100度)的溫度下進(jìn)行等離子體處理，也可以充分進(jìn)行氧化或氮化處理。
接下來(lái)，在柵絕緣層555上層積形成導(dǎo)電層501和導(dǎo)電層503。導(dǎo)電層501和導(dǎo)電層503分別由鎢、鉻、鉭、氮化鉭、鉬等的金屬以及以上述金屬為主要成分的合金或化合物構(gòu)成。導(dǎo)電層501和導(dǎo)電層503使用互相不同的材料來(lái)形成。具體來(lái)說(shuō)，采用在以后進(jìn)行的蝕刻步驟中產(chǎn)生蝕刻速度的差別的材料來(lái)形成導(dǎo)電層501和導(dǎo)電層503。
接下來(lái)，在導(dǎo)電層503上形成由抗蝕劑構(gòu)成的掩模506。掩模506使用包括遮光膜和半透明膜的曝光掩模而形成。該掩模的具體構(gòu)成將在后面描述。
接下來(lái)，使用掩模506蝕刻導(dǎo)電層503，以形成掩模507和導(dǎo)電層504(參見圖16B)。利用由電場(chǎng)加速了的離子濺射掩模506，將它分割成兩個(gè)掩模507，并且使該兩個(gè)掩模507分開地配置。其次，使用掩模507和導(dǎo)電層504來(lái)蝕刻導(dǎo)電層501，以形成導(dǎo)電層502(參見圖16C)。
接下來(lái)，選擇性地蝕刻掩模507和導(dǎo)電層504，以形成掩模508和導(dǎo)電層505(參見圖16D)。利用由電場(chǎng)加速了的離子濺射掩模508，使它的尺寸縮小。在這個(gè)步驟中，控制施加到基板一側(cè)的偏壓電壓，以使導(dǎo)電層502不被蝕刻。
接下來(lái)，將給予一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素添加到半導(dǎo)體層554中，以形成第一濃度的雜質(zhì)區(qū)域509、516、以及517(參見圖17A)。此時(shí)，使用導(dǎo)電層505以自對(duì)準(zhǔn)的方式將雜質(zhì)元素添加到半導(dǎo)體層554中。
接下來(lái)，通過將給予一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素添加到半導(dǎo)體層554中，以形成第二濃度的雜質(zhì)區(qū)域510和511(參見圖17B)。給予一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素不添加在重疊于導(dǎo)電層505的半導(dǎo)體層554中。因此，重疊于導(dǎo)電層505的半導(dǎo)體層554用作溝道形成區(qū)域。通過以上步驟，完成薄膜晶體管520。
接下來(lái)，覆蓋薄膜晶體管520地形成絕緣層512和513(參見圖17C)。然后形成通過形成在絕緣層512和513中的開口部分連接于第二濃度的雜質(zhì)區(qū)域510和511的導(dǎo)電層514和515。
在上述步驟中，使用具有不同厚度而且形狀復(fù)雜的掩模506來(lái)蝕刻導(dǎo)電層501和503。通過使用掩模506，可以形成分開配置的掩模507。由此，可以使兩個(gè)溝道形成區(qū)域之間的間隔減小。具體來(lái)說(shuō)，可以使兩個(gè)溝道形成區(qū)域之間的間隔不足2μm。因此，在形成具有兩個(gè)或更多的柵電極的多柵型薄膜晶體管的情況下，可以縮小其占有面積。因此，可以實(shí)現(xiàn)高集成化，以提供一種高精度的半導(dǎo)體器件。
接下來(lái)，參照?qǐng)D18A和18B說(shuō)明掩模506的形成方法。圖18A為放大了的曝光掩模的一部分的俯視圖。圖18B為對(duì)應(yīng)于圖18A的曝光掩模的一部分的截面圖及包括基板551的疊層體的截面圖。
曝光掩模具有透光基板560、遮光膜561和562、以及半透明膜563。遮光膜561和562由鉻、鉭、CrNx(x為正整數(shù))等的金屬膜構(gòu)成。半透明膜563根據(jù)曝光波長(zhǎng)適當(dāng)?shù)剡x擇材料而形成，例如，可以使用TaSixOy(x和y為正整數(shù))、CrOxNy(x和y為正整數(shù))、CrFxOy(x和y為正整數(shù))、MoSixNy(x和y為正整數(shù))、以及MoSixOy(x和y為正整數(shù))。半透明膜563用作輔助圖形。
當(dāng)通過使用具有上述結(jié)構(gòu)的曝光掩模對(duì)抗蝕劑掩模進(jìn)行曝光時(shí)，大致分為沒有曝光的區(qū)域521和被曝光了的區(qū)域522。當(dāng)在這種狀態(tài)下進(jìn)行顯影處理時(shí)，除去被曝光了的區(qū)域522上的抗蝕劑，以形成具有如圖16A所示的形狀的掩模506。
實(shí)施例5下面參照?qǐng)D19A至19D、圖20A和20B、圖21A至21C說(shuō)明使用樣品A、B的實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。樣品A、B是俯視結(jié)構(gòu)相同而截面結(jié)構(gòu)不同的半導(dǎo)體器件。圖19A、B為樣品A、B的俯視圖，圖19C、D分別為樣品A、B的截面圖。圖19C和19D為沿圖19B所示的俯視圖中的從點(diǎn)A至點(diǎn)B的截面圖。圖20A為樣品A、B的俯視圖，圖20B、C分別為樣品A、B的截面圖。圖20B和20C為沿圖20A所示的俯視圖中的從點(diǎn)A至點(diǎn)B的截面圖。圖21A為樣品A、B的俯視照片，圖21B為樣品A的照片，圖21C為樣品B的照片。圖21B和21C為圖21A的中央部分的放大照片。圖21A所示的樣品A、B的俯視照片的概念圖為圖19B。此外，圖21B所示的樣品A的俯視照片和圖21C所示的樣品B的俯視照片的概念圖為圖20A。
首先，準(zhǔn)備了兩個(gè)設(shè)置有用作天線的導(dǎo)電層82、83的基板81(參見圖19A)。在兩個(gè)基板81中，一個(gè)用于樣品A，另一個(gè)用于樣品B。
在樣品A中，將層積有樹脂層86、導(dǎo)電層85及絕緣層84的基板87貼附到了設(shè)置有導(dǎo)電層82、83的基板81上(參見圖19B和19C、圖21A的照片)。此時(shí)，導(dǎo)電層82和導(dǎo)電層83處于互相絕緣的狀態(tài)，導(dǎo)電層82的端部的節(jié)點(diǎn)95和導(dǎo)電層83的端部的節(jié)點(diǎn)96之間的電阻值為1300Ω。
在樣品B中，將層積有樹脂層86、導(dǎo)電層85、凸塊88、89及絕緣層84的基板87貼附到了設(shè)置有導(dǎo)電層82、83的基板81上(參見圖19B和19D、圖21A的照片)。此時(shí)，導(dǎo)電層82和導(dǎo)電層83為通過凸塊88、導(dǎo)電層85及凸塊89而電連接的狀態(tài)，節(jié)點(diǎn)95和節(jié)點(diǎn)96之間的電阻值為5.3Ω。
接下來(lái)，在樣品A中，設(shè)置了貫穿基板81、導(dǎo)電層82、絕緣層84、導(dǎo)電層85、樹脂層86及基板87的導(dǎo)電層91(參見圖20A和20B、圖21B的照片)。此外，設(shè)置了貫穿基板81、導(dǎo)電層83、絕緣層84、導(dǎo)電層85、樹脂層86及基板87的導(dǎo)電層92。當(dāng)設(shè)置導(dǎo)電層91、92時(shí)使用裝訂器，該導(dǎo)電層91、92是“U”字形的裝訂針。由此，導(dǎo)電層82、83處于通過導(dǎo)電層91、導(dǎo)電層85及導(dǎo)電層92電連接的狀態(tài)，此時(shí)，節(jié)點(diǎn)95和節(jié)點(diǎn)96之間的電阻值為0.42Ω。像這樣，通過設(shè)置導(dǎo)電層91、92，電阻值從1300Ω大幅度地降低到了0.42Ω。
接下來(lái)，在樣品B中，也設(shè)置了貫穿基板81、導(dǎo)電層82、凸塊88、導(dǎo)電層85、樹脂層86及基板87的導(dǎo)電層93(參見圖20A和20C、圖21C的照片)。另外，設(shè)置了貫穿基板81、導(dǎo)電層83、凸塊89、導(dǎo)電層85、樹脂層86及基板87的導(dǎo)電層94。設(shè)置導(dǎo)電層93、94時(shí)使用了裝訂器。由此，導(dǎo)電層82、83處于通過導(dǎo)電層93、導(dǎo)電層85及導(dǎo)電層94電連接的狀態(tài)。此時(shí)，節(jié)點(diǎn)95和節(jié)點(diǎn)96之間的電阻值為1.71Ω。像這樣，通過設(shè)置導(dǎo)電層93、94，電阻值從5.3Ω降低到了1.71Ω。
由上述結(jié)果可見，通過設(shè)置導(dǎo)電層可以降低電阻值。如果可以降低電阻值，就能夠降低耗電量。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括薄膜集成電路；與所述薄膜集成電路相連接的第一端子部分；在其上設(shè)置有第二端子部分和與所述第二端子部分相連接的第一導(dǎo)電層的基板；以及貫穿所述第一端子部分、所述第二端子部分、以及所述基板的第二導(dǎo)電層，其中，所述第一端子部分和所述第二端子部分互相重疊，以及所述第一端子部分通過所述第二導(dǎo)電層與所述第二端子部分電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述薄膜集成電路具有至少一個(gè)晶體管，并且所述第一端子部分與所述晶體管電連接。
3.一種半導(dǎo)體器件，包括具有半導(dǎo)體層、第一絕緣層、以及第一導(dǎo)電層的晶體管；在所述晶體管上的第二絕緣層；通過設(shè)置在所述第二絕緣層中的開口部分與所述晶體管的源極或漏極電連接的第二導(dǎo)電層；與所述第一導(dǎo)電層或所述第二導(dǎo)電層電連接的第一端子部分；在所述第二絕緣層和所述第二導(dǎo)電層上的第三絕緣層；在所述第三絕緣層上的第三導(dǎo)電層；與所述第三導(dǎo)電層電連接的第二端子部分；在所述第三絕緣層和所述第三導(dǎo)電層上的基板；以及貫穿所述第一端子部分、所述第二端子部分、以及所述基板的第四導(dǎo)電層，其中，所述第一端子部分和所述第二端子部分互相重疊，以及所述第一端子部分通過所述第四導(dǎo)電層與所述第二端子部分電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件還包括凸塊，并且所述凸塊設(shè)置在所述第一端子部分和所述第二端子部分之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件還包括凸塊；以及在所述凸塊上的各向異性導(dǎo)電層，其中，所述凸塊和所述各向異性導(dǎo)電層設(shè)置在所述第一端子部分和所述第二端子部分之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件還包括第一凸塊；在所述第一凸塊上的各向異性導(dǎo)電層；以及在所述各向異性導(dǎo)電層上的第二凸塊，其中，所述第一凸塊、所述各向異性導(dǎo)電層、以及所述第二凸塊設(shè)置在所述第一端子部分和所述第二端子部分之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第三導(dǎo)電層用作天線。
8.一種半導(dǎo)體器件，包括具有半導(dǎo)體層、第一絕緣層、以及第一導(dǎo)電層的晶體管；在所述晶體管上的第二絕緣層；通過設(shè)置在所述第二絕緣層中的開口部分與所述晶體管的源極或漏極電連接的第二導(dǎo)電層；與所述第一導(dǎo)電層或所述第二導(dǎo)電層相連接的第一端子部分；在所述第二絕緣層和所述第二導(dǎo)電層上的第三絕緣層；在所述第三絕緣層上的第四絕緣層；在所述第四絕緣層上的第三導(dǎo)電層；與所述第三導(dǎo)電層相連接的第二端子部分；在所述第四絕緣層和所述第三導(dǎo)電層上的基板；以及貫穿所述第一端子部分、所述第二端子部分、以及所述基板的第四導(dǎo)電層，其中，所述第一端子部分和所述第二端子部分互相重疊，以及所述第一端子部分通過所述第四導(dǎo)電層與所述第二端子部分電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件還包括凸塊，所述凸塊設(shè)置在所述第一端子部分和所述第二端子部分之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件還包括凸塊；以及在所述凸塊上的各向異性導(dǎo)電層，其中，所述凸塊和所述各向異性導(dǎo)電層設(shè)置在所述第一端子部分和所述第二端子部分之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件還包括第一凸塊；在所述第一凸塊上的各向異性導(dǎo)電層；以及在所述各向異性導(dǎo)電層上的第二凸塊，其中，所述第一凸塊、所述各向異性導(dǎo)電層、以及所述第二凸塊設(shè)置在所述第一端子部分和所述第二端子部分之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第三導(dǎo)電層用作天線。
13.一種半導(dǎo)體器件，包括薄膜集成電路；與所述薄膜集成電路相連接的第一端子部分；在其上設(shè)置有第二端子部分和與所述第二端子部分相連接的第一導(dǎo)電層的基板；以及固定裝置，用于固定所述薄膜集成電路、所述第一端子部分、所述第二端子部分、以及所述基板，并用于電連接所述第一端子部分和所述第二端子部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述薄膜集成電路具有至少一個(gè)晶體管，并且所述第一端子部分與所述晶體管電連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述固定裝置是線狀的導(dǎo)體、針狀的導(dǎo)體、或棒狀的導(dǎo)體。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述固定裝置是被拉成絲的不銹鋼絲或被拉成絲的鍍鋅鋼絲。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述固定裝置是貫穿所述第一端子部分和所述第二端子部分的導(dǎo)電層。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件，其中包括在具有晶體管的疊層體中的第一導(dǎo)電層和基板上的第二導(dǎo)電層是電連接起來(lái)的。在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中設(shè)置有使包括在具有晶體管的疊層體中的第一導(dǎo)電層(例如，設(shè)置在與晶體管所包括的柵電極相同的層上的導(dǎo)電層；設(shè)置在與連接于晶體管的源極或漏極的源極布線或漏極布線相同的層上的導(dǎo)電層；設(shè)置在與連接于源極布線或漏極布線的布線相同的層上的導(dǎo)電層等)和設(shè)置在基板上的第二導(dǎo)電層(例如，起到天線或連接布線的作用的導(dǎo)電層)電連接的導(dǎo)電層。
文檔編號(hào)G06K19/077GK1893050SQ200610099778
公開日2007年1月10日 申請(qǐng)日期2006年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月30日
發(fā)明者高橋秀和 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所