專利名稱：有效的鄰近效應校正方法
技術領域：
本發(fā)明涉及制造半導體芯片的過程。更具體地，本發(fā)明涉及一種用于執(zhí)行鄰近效應校正(proximity effect correction)的方法。
背景技術：
集成電路技術改進主要由半導體芯片特征尺寸的減小所驅動。隨著電路特征尺寸的減小，電路設計者不得不處理用于制造集成電路的光刻過程的局限性。光刻過程(lithography process)首先由利用稱為光刻膠的材料涂覆半導體晶片表面開始。在透明掩模的情況下，輻射源然后照射通過放置在光刻膠層之上的掩模。對于反射掩模，所述輻射由放置在光刻膠層之上的掩模所反射。透明掩模由對輻射透明的基片制成，并涂覆有限定對輻射透明和不透明區(qū)域的圖案化不透明層。透明掩模主要用于436nm、405nm、365nm、248nm、193nm和157nm典型波長的光學光刻中。反射掩模使用對輻射反射的基片制成，并涂覆有限定對輻射反射和非反射區(qū)域的圖案化非反射層?？商鎿Q地，反射掩?？捎赏扛灿蟹瓷鋵拥姆欠瓷浠瞥伞７瓷溲谀Ｖ饕糜谕ǔ７Q作EUV或者極紫外線(Extreme UltraViolet)的在13nm級的較短輻射波長。在對輻射源的曝光過程中，掩模的圖像使用光刻膠層頂部上的系統(tǒng)形成。光刻膠層在透射掩模的情況下由通過掩模的輻射曝光或在反射掩模的情況下由掩模反射。光刻膠然后在顯影液器(developer bath)中顯影，并依賴于光刻膠的極性(正或負)移除光刻膠的曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域。最終得到的是帶有具有所期望圖案的光刻膠層的半導體晶片。該光刻膠圖案然后可由對晶片下層區(qū)域的后續(xù)處理步驟使用。
隨著特征尺寸減小，圖案轉移過程中的畸變變得更加嚴重。必須修改設計形狀以便在晶片上印刷所期望的圖像。所述修改說明了光刻過程的局限性。在光學光刻情況下一種這樣的修改稱為光學鄰近校正(OPC)。在OPC的情況下，對設計圖像的修改說明了光學局限性以及制造局限性和光刻膠局限性。對設計圖像的修改還可說明如干蝕刻或者注入的后續(xù)處理步驟。它還說明了光學系統(tǒng)中的光斑(flare)以及圖案密度變化。鄰近效應校正的另一個應用是對用于將掩模圖像印刷到晶片上的光學系統(tǒng)的像差(aberration)的校正。在該情況下，由于像差是工具特定的(tool specific)，帶有像差校正的掩模將專用于給定的光刻工具。
當前光學系統(tǒng)的局限性由以下等式得出R＝k1λ/NAR＝分辨率λ＝照明源的波長NA＝曝光系統(tǒng)的數(shù)值孔徑所實現(xiàn)的用于標準光學系統(tǒng)的最大分辨率(或者由相等線和間隔所構成的圖案中的最小線)在k1＝0.25時實現(xiàn)。但是對于低于0.5的k1值在晶片上可觀察到圖案的嚴重畸變，因此需要對掩模的校正以便在晶片上印刷所期望的圖像。
圖1示出用于校正鄰近效應的掩模數(shù)據(jù)的修改。對掩模數(shù)據(jù)的處理開始于表示晶片上的圖像期望尺度的目標布局101。由于鄰近效應，目標布局101的印刷圖像102不同于期望圖像。為了參考，目標布局101與印刷圖像102一起示出。然后移動特征邊緣(103)以便校正晶片上的對應印刷圖像(盡可能接近目標)104。在圖1中，布局的所有區(qū)域都已得到校正，但是鄰近效應校正可限定到真正重要的區(qū)域如例如多層中的柵區(qū)。
可利用基于規(guī)則的方法或者基于模型的方法來應用對布局101的校正。對于基于規(guī)則的方法(基于規(guī)則的OPC)，段的位移將依賴于例如特征尺寸及其環(huán)境由規(guī)則列表設定。對于基于模型的方法(基于模型的OPC)，晶片上的印刷圖像將利用圖案轉移過程模型來模擬。校正將被設置使得所模擬的圖像與期望晶片圖像匹配。還可使用有時稱為混合OPC的基于規(guī)則的OPC和基于模型的OPC的組合。
在基于模型的OPC的情況下，如圖2中所示的原始布局201解剖為經修改的布局202中所示的較小段203。每個段都結合了估算點204。如最終布局205中所示，通過在垂直于所述段的方向上移動對應段來補償估算點的印刷錯誤。利用多重迭代校正所述段以便說明每個單獨段的鄰近校正。
利用當前基于模型和基于規(guī)則的OPC方法的主要問題之一是在校正后頂點的數(shù)量顯著增加，因而導致與校正前相比在校正后的更大的數(shù)據(jù)量(典型地是較大數(shù)量級)。較大數(shù)據(jù)量增加了數(shù)據(jù)處理時間以及寫掩模所花的時間。此外，由于當數(shù)據(jù)轉換到掩模寫工具格式時產生非常小的碎片，校正的復雜性可產生矢量掃描電子束(e-beam)掩模寫工具的一些問題。這些小碎片導致在掩模被曝光時曝光劑量不準確，這又導致尺度不準確。
基于模型的OPC的另一個問題是，所述校正對于估算點是準確的，但是由于解剖點引入校正的不連續(xù)性，不保證所述校正對于估算點中間的點是足夠的。應用到估算點中間的點的校正是基于固有地傾向于誤差的外插(extrapolation)。該效果在圖3中描述。兩個段301和302利用基于模型的OPC被校正。還示出所得到的印刷圖像303和目標布局304。對于估算點305和306，印刷圖像303緊密匹配目標布局304。對于估算點305和306中間的點307，印刷圖像不匹配目標圖像。
圖4描述了當前OPC方法的另一個局限性。對由兩個相對角組成的布局(401)的校正導致布局402，在所述布局402中在角之間產生緊間隔403。該緊間隔是不期望的，因為當晶片曝光時它將導致減小的處理范圍。緊間隔還能夠難以在掩模上制造并還產生后續(xù)地檢驗和修復問題。
圖3和圖4所展示的局限性由固有地不準確的估算點之間校正的外插產生。在增加估算點數(shù)量以增加校正準確度和減少估算點數(shù)量以提高校正速度之間采取折衷。
所需要的是新的OPC方法，其將減小OPC之后的數(shù)據(jù)量膨脹、防止數(shù)據(jù)斷裂期間的碎片(sliver)的產生、在估算點中間生成更準確的校正以及避免相對角之間的小間隔的產生。

發(fā)明內容
描述了一種在集成電路布局上執(zhí)行鄰近效應校正的方法。該方法提供簡化的校正方法，所述校正方法將產生具有更準確校正的布局并且還將減小鄰近效應校正之后的數(shù)據(jù)量膨脹。
對于給定布局，對應于校正應滿足給定規(guī)格的布局位置的估算點可被標識。數(shù)據(jù)處理器隨后被使用以執(zhí)行對估算點的鄰近效應校正，由此產生校正點。經校正的布局通過互連相鄰校正點而產生。
在一些實施例中，校正點通過平移估算點而產生。所述平移可沿垂直于原始布局的線執(zhí)行。
在一些實施例中，互連曲線可以是直線、多項式函數(shù)，或者其可以斷裂成以角度的有限集合排列的線集合。
在一些實施例中，估算點放置在子分辨率輔助特征上。在該情況下鄰近效應校正可通過計算校正點的位置執(zhí)行，以增強由對應子分辨率輔助特征所輔助的圖案空間像(aerial image)的對比度。
還描述了在集成電路布局上執(zhí)行鄰近效應校正的另一種方法。該方法提供了產生具有更準確校正的布局的校正方法。
限定給定布局的段被解剖為較小的段。數(shù)據(jù)處理器隨后被使用以執(zhí)行對其中經校正段可不平行于對應輸入段的所述段的鄰近效應校正。
在一些實施例中，每段至少一個估算點被標識并且所述段通過相對于輸入段的相應估算點旋轉和平移所述輸入段而得到校正。
在一些實施例中，鄰近經校正段的端利用互連段而連接。每個段還可利用在與鄰近段的交點所產生的頂點進行外插并連接到鄰近段。經校正段的外插可沿直線或沿例如利用三階多項式所定義的曲線執(zhí)行。在隨后的步驟中，經校正的段可斷裂成以角度的有限集合排列的線集合，以方便用于矢量掃描掩模寫工具的掩模制造過程。
在一些實施例中，至少一個估算點在輸入段內標識且經校正段的位置通過計算相對于估算點的平移而獲得。
在一些實施例中，一些輸入段可放置在子分辨率輔助特征上。在該情況下，鄰近效應校正可通過計算經校正段的位置而執(zhí)行，以增強由對應子分辨率輔助特征所輔助的圖案空間像的對比度。
本發(fā)明的實施例包括光刻掩模。所述光刻掩模包括已利用上述方法之一針對鄰近效應得到校正的布局圖案。
本發(fā)明的實施例包括用于制造集成電路的方法。該方法包括使用以上限定的掩模在IC中曝光材料層。
本發(fā)明的實施例包括用于生產光刻掩模的方法。所述光刻掩模利用掩模布局制造。所述掩模布局包括已利用上述方法之一針對鄰近效應得到校正的布局圖案。
本發(fā)明的實施例包括生產布局的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括執(zhí)行指令程序的數(shù)據(jù)處理器和可由數(shù)據(jù)處理器訪問以便存儲指令程序的存儲器。所述指令程序包括接收集成電路一部分的計算機可讀布局并利用上述校正方法之一校正布局的邏輯。
本發(fā)明的實施例包括制造物品，包括存儲指令程序的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質。指令程序包括接收集成電路一部分的計算機可讀布局并利用上述校正方法之一校正布局的邏輯。


圖1示出用于校正鄰近效應的數(shù)據(jù)修改。
圖2示出用于基于模型的OPC的處理流。
圖3示出對于估算點中間的點的OPC校正不準確性。
圖4示出在OPC之后相對角度角之間的小間隔的生成。
圖5示出對段的距離和角度的校正。
圖6示出用于計算段的移動和旋轉的方法。
圖7示出用于通過平均多個估算點的位置計算校正后的段位置的方法。
圖8示出如何可通過外插段和使用鄰近段之間的交點作為新頂點來減小數(shù)據(jù)量。
圖9示出使用估算點作為經校正布局的頂點的技術。
圖10示出針對與現(xiàn)有技術相比的圖9所述技術的頂點數(shù)量的減小。
圖11示出更通用的校正方法。
圖12示出用于帶有非印刷輔助特征的布局的校正方法。
圖13示出遵從矢量掃描掩模寫工具的限制的邊緣解剖。
圖14示出遵從矢量掃描掩模寫工具的限制的圖10布局1003的修改。
圖15示出用于段的優(yōu)選角度，所述段用于連接兩個校正點以遵從矢量掃描掩模寫工具的限制。
圖16示出計算機系統(tǒng)，用于校正數(shù)據(jù)布局上的鄰近效應。
圖17描述處理流，用于利用帶有改進的鄰近效應校正方法制成的掩模制造具有改進的尺度控制的IC。
具體實施例方式
圖5示出如何通過改變段的角度實現(xiàn)對校正的較好外插。目標布局和段的原始位置由線504表示。501和502表示校正后段的位置。應注意的是所述段已被移動以及沿線504從其原始位置旋轉。針對段501和502的估算點分別是505和506。線503表示當使用經校正數(shù)據(jù)時晶片上圖像的位置。與圖3相比(與圖3相同的目標)，由于針對估算點505和506中間的點507的段的旋轉而實現(xiàn)了較好的校正。
圖6示出用于計算段的移動和旋轉的一種方法。線601表示原始布局以及目標晶片圖像。估算點602放置在具有兩個解剖點603和604的線601上。校正前的晶片圖像由線605表示。校正后的段位置由606表示。校正后的段由它與原始布局的距離d以及由它與原始布局的角度α表征。應注意的是，替代d，可使用距離d′＝d.cosα。d′表示沿垂直于經校正段的路徑從原始估算點位置到經校正段的距離。可使用兩種不同方法以計算距離d和角度α。首先可使用多個估算點。如圖7所示然后計算并且然后擬合每個估算點所需的校正。線701表示原始布局以及目標晶片圖像。估算點702放置在具有兩個解剖點703和704的線701上。兩個附加估算點705和706放置在估算點702的每一側。段707表示校正后原始段的位置。通過擬合校正后三個估算點的位置(圖7中以黑點示出)計算段的位置。圖7實例中所使用的擬合函數(shù)是一階多項式。為了實現(xiàn)更好的擬合，可使用較高階的多項式諸如二階或三階多項式。另一種方法在于計算圖6所示的角度β并將α設置成等于β、β的分數(shù)或者β的函數(shù)。
圖8示出可如何處理數(shù)據(jù)量問題。線801表示原始布局的位置以及目標晶片圖像。具有相應估算點804和805的經校正段802和803已被外插以便在兩個段的交點生成一個頂點806。原始解剖點807在圖8中示出用于參考。與圖5中使用的技術相比，該技術潛在地在兩個段的交點上保存一個頂點。這種保存僅能夠在我們允許段旋轉的情況下實現(xiàn)。如果兩個段之間的角度γ太接近弧度π(180度)，圖5中所述的技術將用于連接所述段。
為了進一步簡化圖5和8所示的技術，解剖點可用作圖9所示的經校正布局的頂點。線901表示原始布局的位置以及目標晶片圖像。估算點902和903生成相應的校正點904和905。通過用線906連接校正點904和905，位于估算點902和903中間的點的校正得到內插。該內插技術比現(xiàn)有技術中所述的技術更準確。圖9的實例中所使用的擬合函數(shù)是一階多項式。為了實現(xiàn)較好的擬合，可使用較高階的多項式諸如二階或三階多項式。估算點902和903優(yōu)選地選定在布局的臨界位置以確保校正精確地應用到布局的大部分臨界位置。校正點904和905可利用基于規(guī)則或基于模型的方法生成。
圖10示出校正之前的布局1001、現(xiàn)有技術中所述的校正之后的布局1002以及利用圖9所述校正方法的校正之后的布局1003之間的頂點數(shù)量的比較。作為參考，解剖點1004和估算點1005在圖10中示出。在校正之前頂點數(shù)量為4。利用現(xiàn)有技術的鄰近校正方法，頂點數(shù)量增加到二十。利用圖9所述技術，頂點數(shù)量僅為十二，與現(xiàn)有技術相比這示出了顯著的減少。該技術還體現(xiàn)了生成如1006的較平滑角的優(yōu)點，該優(yōu)點又將避免圖4所述的問題。更平滑的角以及急轉彎(jog)如1007的消除還將有助于掩模檢驗和修復過程。
圖11中以更通用的方式描述了估算點的校正。線1101表示原始布局的位置以及目標晶片圖像。估算點1102在原始布局上示出。線1103表示晶片上的印刷圖像。為了校正晶片上的印刷圖像1103和目標晶片圖像1101之間的差異，在布局中產生對應于校正點1104的新頂點。相對于估算點1102的1104位置由r和θ給出，其中r是從1102到1104的距離而θ是經過1102垂直于原始布局的線和經過1102垂直于晶片上印刷圖像的線之間的角度。d是1102和1105的距離，d′是1102和1106的距離，δ是經過1102垂直于原始布局的線和經過1102及1104的線之間的角度。
在最通常的情況下，r和θ是d和δ的函數(shù)。對于基于模型的OPC，θ在每次迭代中可等于δ的分數(shù)(例如80％)。對于基于規(guī)則的OPC，θ可從在校正之前從測試結構印刷中產生的規(guī)則表中選擇。為了簡單起見，可使θ等于δ。
對于基于模型的OPC，r在每次迭代中是d的分數(shù)(例如80％)，以保證對所有段的校正收斂。對于基于規(guī)則的OPC，r從規(guī)則表中選擇。
在圖9所述的簡單情況下，θ＝0并且r是d′的函數(shù)。典型地，對于基于模型的OPC，r在每次迭代中是d′的分數(shù)。對于基于規(guī)則的OPC，r從規(guī)則表中選擇。
圖9所述的校正方法可應用于如圖12所述的帶有非印刷輔助特征的布局。左側的布局表示由主要特征1201和輔助特征1202、1203、1204以及1205組成的原始布局。估算點放置在布局(如例如1206)上并且由星號表示。估算點放置在主特征和輔助特征上。優(yōu)選地但是不必要地，主特征的估算點投影在輔助特征上以便在輔助特征的兩側生成估算點。例如，主特征上的估算點1207投影在相鄰輔助特征1204上以便在所述輔助特征上生成兩個估算點1208和1209。主特征1201應印刷在晶片上而輔助特征1202、1203、1204和1205不應印刷。如例如通過其處理范圍或通過晶片上空間像的對比度所測量的，輔助特征改善了主特征的可印刷性。處理范圍可通過光刻膠邊緣位置的劑量和焦點范圍定義。
圖12右側的布局表示鄰近效應校正之后的布局。主特征以與圖10的特征1003類似的方式得到了校正。輔助特征也得到了校正。優(yōu)選地，輔助特征的校正是基于在主特征上的對應估算點處的空間像的對比度。例如，估算點1208和1209的校正是基于對應估算點1207上的空間像的對比度。其它標準也可使用，如例如在估算點1207位置的劑量或者空間像的焦點范圍。當校正點1208和1209時，必須滿足附加需求。主特征和輔助特征之間的距離不能設得太小，因為這將難以在掩模上解析。輔助特征的寬度不能設得太小，因為這將難以在掩模上制造，或不能設得太大，因為其可能在晶片上印刷。這些標準取決于掩模制造過程和晶片曝光條件。
在優(yōu)選實施例中，在輔助特征上的估算點首先被校正以改善主特征的處理范圍。然后主特征上的估算點被校正以調整主特征的印刷圖像的尺寸。對于基于模型的鄰近校正，每次迭代將重復該過程。
用于掩模寫的數(shù)據(jù)斷裂現(xiàn)在有兩種主要寫策略用于掩模制造。對于稱為“光柵掃描”的第一種策略，電子或光束在掩模上掃描并在掩模應該曝光的地方將其打開。對于稱為“矢量掃描”的第二種策略，整形的電子束在掩模上的某些坐標處曝光，其中該坐標表示所述掩模應該曝光的數(shù)據(jù)。整形的束曝光工具通常需要僅包含角度的某些集合的數(shù)據(jù)。由于可由曝光工具產生的形狀的約束，典型地所述角度為45度、90度和135度角度。如果數(shù)據(jù)包含其它角度，數(shù)據(jù)將修改為僅包含45度、90度和135度角度。圖13描述了這樣的情況。多邊形1301包含不同于45度、90度或135度的角α。多邊形1302表示修改后的數(shù)據(jù)。在角度α的段被解剖為較小的段。原始段1303以虛線示出。盡管圖13描述了用于角度的特定集合即45度、90度和135度角度的邊緣的斷裂，可選擇對應另一矢量掃描寫工具的角度的另一集合。該數(shù)據(jù)處理僅僅在數(shù)據(jù)處理的最后階段，恰好在掩模制造之后增加數(shù)據(jù)量，由此最小化在整個數(shù)據(jù)處理流中的數(shù)據(jù)量的影響。
為了適應矢量掃描電子束寫工具的局限性，圖10中所示數(shù)據(jù)1003能夠如圖14所述被修改。在優(yōu)選實施例中，段將根據(jù)圖15所述的規(guī)則被解剖。線1501表示具有估算點1502和1503以及對應的校正頂點1504和1505的原始布局。為了連接1504和1505，來自校正點1504的優(yōu)選段方向由1506、1507和1508給出。方向1506和1508處于自方向1507的45度角。不推薦垂直于線1501的方向1509和1510，因為它們會改變段所收到的校正的數(shù)據(jù)。
圖16示出用于在數(shù)據(jù)布局上校正鄰近效應的計算機系統(tǒng)，代表適合該應用的廣范圍的各種計算機系統(tǒng)和計算機結構。處理器1601被連接以從輸入電路1602接收指示用戶信號的數(shù)據(jù)并將數(shù)據(jù)限定圖像提供給顯示器1603。處理器1601還被連接用于訪問掩模布局數(shù)據(jù)1604，所述掩模布局數(shù)據(jù)1604限定在構造的掩模布局以及用于利用該掩模曝光的材料層的布局。處理器1601還被連接用于從指令輸入電路1605接收指令數(shù)據(jù)，所述指令輸入電路1605可提供從到存儲器1606、存儲介質訪問裝置1607或網(wǎng)絡1608的連接中接收到的指令。
圖17示出IC(集成電路)的制造過程。在步驟1701，首先利用圖16所示的計算機系統(tǒng)讀取集成電路的布局文件。在步驟1702標識估算點，并且在步驟1703通過平移估算點生成校正點。在步驟1704，連接鄰近校正點以生成輸出布局，該輸出布局在步驟1705隨后轉換到掩模書寫器格式。步驟1705所得到的數(shù)據(jù)用于在步驟1706生成掩模，并且在步驟1707該掩模最終用于IC的制造過程。
總結本敘述中所描述的數(shù)據(jù)結構和代碼可存儲在計算機可讀存儲介質上，該存儲介質可以是能夠存儲計算機系統(tǒng)所使用的代碼和/或者數(shù)據(jù)的任何設備或者介質。這包括但不局限于磁和光存儲設備如盤驅動器、磁帶、CD(致密盤)和DVD(數(shù)字視頻盤)，并且計算機指令信號嵌入在傳輸介質中。例如，所述傳輸介質可包括如國際互聯(lián)網(wǎng)的通信網(wǎng)絡。
本發(fā)明可應用于任何類型的光刻過程，包括光學光刻、極紫外線光刻、電子束光刻、離子束光刻以及X-射線光刻。
本發(fā)明可應用于在單一或者多種曝光方法中使用的任何二進制掩模、邊緣相移掩模(rim phase-shifting mask)、無鉻相移掩模(chromelessphase-shifting mask)、衰減相移掩模(attenuated phase-shifting mask)、交替孔徑相移掩模(alternating aperture phase-shifting mask)。
在本發(fā)明參考以上詳述的優(yōu)選實施例和例子被公開時，應該理解的是這些例子意在說明而不是限制。應該預期的是修改和組合對于本領域技術人員將是容易發(fā)生的，這種修改和組合將在本發(fā)明的精神和隨后權利要求的范圍之內。
權利要求
1.一種用于在集成電路的布局上執(zhí)行鄰近效應校正以產生經校正布局文件的方法，所述方法包括接收所述集成電路一部分的計算機可讀布局；利用數(shù)據(jù)處理器標識所述布局的第一估算點和第二估算點；利用數(shù)據(jù)處理器執(zhí)行對所述第一估算點的鄰近效應校正以便形成第一經校正點，以及執(zhí)行對所述第二估算點的鄰近效應校正以便形成第二經校正點。計算連接所述第一經校正點與所述第二經校正點的互連曲線。
2.權利要求1的方法，其中所述執(zhí)行包括平移所述第一估算點以形成所述第一經校正點，以及平移所述第二估算點以形成所述第二經校正點。
3.權利要求1的方法，其中所述執(zhí)行包括沿垂直于所述布局的線平移所述第一估算點以形成所述第一經校正點，以及沿垂直于所述布局的線平移所述第二估算點以形成所述第二經校正布局。
4.權利要求1的方法，其中所述互接曲線是直線。
5.權利要求1的方法，其中所述互接曲線是多項式函數(shù)。
6.權利要求1的方法包括將所述互連曲線斷裂成以角度的有限集合排列的線集合。
7.權利要求1的方法，其中所述第一估算點和所述第二估算點放置在子分辨率輔助特征上。
8.權利要求7的方法，其中所述執(zhí)行包括調整所述第一估算點和所述第二估算點以便增強由所述子分辨率輔助特征所輔助的圖案空間像上的對比度。
9.一種用于在集成電路的布局上執(zhí)行鄰近效應校正以產生經校正布局文件的方法，所述方法包括接收所述集成電路一部分的計算機可讀布局；利用數(shù)據(jù)處理器標識所述布局的具有第一端和第二端的至少一個輸入段；利用數(shù)據(jù)處理器執(zhí)行對所述輸入段的鄰近效應校正以便形成具有經校正第一端和經校正第二端的經校正段，其中所述經校正段不平行于所述輸入段。
10.權利要求9的方法，包括標識所述輸入段內的至少一個估算點；以及通過相對于所述估算點旋轉和平移所述輸入段來限定所述經校正段。
11.權利要求9的方法，包括標識所述布局的具有第一端和第二端的另一個輸入段；在所述另一個輸入段上執(zhí)行鄰近效應校正以便形成具有經校正第一端和經校正第二端的第二經校正段，其中所述第二經校正段包括對所述另一個輸入段的旋轉和平移；以及計算連接所述第一經校正段的所述第二經校正端與所述第二經校正段的所述第一經校正端的互連段。
12.權利要求9的方法，包括標識所述布局的具有第一端和第二端的另一個輸入段；在所述另一個輸入段上執(zhí)行鄰近效應校正以便形成具有經校正第一端和經校正第二端的第二經校正段，其中所述第二經校正段包括對所述另一個輸入段的旋轉和平移；以及將所述經校正段外插到與所述第二經校正段的交點，并在所述交點建立頂點。
13.權利要求9的方法，包括標識所述布局的具有第一端和第二端的另一個輸入段；在所述另一個輸入段上執(zhí)行鄰近效應校正以便形成具有經校正第一端和經校正第二端的第二經校正段，其中所述第二經校正段包括對所述另一個輸入段的旋轉和平移；以及將所述經校正段沿直線外插到與所述第二經校正段的交點，并在所述交點建立頂點。
14.權利要求9的方法，包括標識所述布局的具有第一端和第二端的另一個輸入段；在所述另一個輸入段上執(zhí)行鄰近效應校正以便形成具有經校正第一端和經校正第二端的第二經校正段，其中所述第二經校正段包括對所述另一個輸入段的旋轉和平移；以及將所述經校正段沿曲線外插到與所述第二經校正段的交點，并在所述交點建立頂點。
15.權利要求9的方法，其中所述執(zhí)行包括標識所述輸入段內的至少一個估算點，并計算相對于所述估算點的所述平移；以及包括標識所述布局的具有第一端和第二端的另一個輸入段；在所述另一個輸入段上執(zhí)行鄰近效應校正，包括標識所述另一個輸入段內的至少一個估算點，并計算相對于所述估算點的所述平移，以便形成具有經校正第一端和經校正第二端的第二經校正段，其中所述第二經校正段包括對所述另一個輸入段的旋轉和平移；以及計算連接所述經校正段的所述經校正第二端與所述第二經校正段的所述經校正第一端的互連段，以及包括將所述經校正段斷裂成以角度的有限集合排列的線集合。
16.權利要求9的方法，其中所述執(zhí)行包括標識輸入段內的至少一個估算點，并計算相對于所述估算點的平移以限定所述經校正段上的第一經平移點，其中所述估算點包括在所述輸入段的所述第一端和所述第二端之間的所述段上的點。
17.權利要求9的方法，其中所述至少一個輸入段包括在子分辨率輔助特征上的段。
18.權利要求9的方法，其中所述至少一個輸入段包括在子分辨率輔助特征上的段，并且其中所述執(zhí)行包括調整所述輸入段以增強由所述子分辨率輔助特征所輔助的圖案空間像的對比度。
19.一種用于限定材料層的掩模，所述掩模包括掩?；?；所述掩模基片上的布局圖案，所述基片包括用于將圖像轉移到工件的材料或物理形狀；所述布局圖案具有包括對具有第一估算點和第二估算點的布局文件中所限定的輸入段的鄰近效應校正的特征；所述校正包括從所述第一估算點平移的第一經校正點、從所述第二估算點平移的第二經校正點以及連接所述第一經校正點與所述第二經校正點的互連曲線。
20.一種用于限定材料層的掩模，所述掩模包括掩模基片；所述掩?；系牟季謭D案，所述基片包括用于將圖像轉移到工件的材料或物理形狀；所述布局圖案具有包括對布局文件中所限定的輸入段的鄰近效應校正的特征，所述校正包括具有經校正第一端和經校正第二端的經校正段，其中所述經校正段不平行于所述輸入段。
21.一種用于制造集成電路的方法，所述集成電路包括至少材料層，包括接收所述集成電路一部分的計算機可讀布局；利用數(shù)據(jù)處理器標識所述布局的第一估算點和第二估算點；利用數(shù)據(jù)處理器執(zhí)行對所述第一估算點的鄰近效應校正以便形成第一經校正點，以及執(zhí)行對所述第二估算點的鄰近效應校正以便形成第二經校正點；計算連接所述第一經校正點與所述第二經校正點的互連曲線以產生經校正布局段；基于所述經校正布局段產生具有掩模布局的掩模；以及利用所述掩模布局將利用對輻射能敏感的材料所處理的半導體曝光于所述輻射能。
22.一種用于制造集成電路的方法，所述集成電路包括至少材料層，包括接收集成電路一部分的計算機可讀布局；利用數(shù)據(jù)處理器標識所述布局的具有第一端和第二端的至少一個輸入段；利用數(shù)據(jù)處理器執(zhí)行對所述輸入段的鄰近效應校正以便形成具有經校正第一端和經校正第二端的經校正布局段，其中所述經校正段不平行于所述輸入段；基于所述經校正布局段產生具有掩模布局的掩模；以及利用掩模布局將利用對輻射能敏感的材料所處理的半導體曝光于所述輻射能。
23.一種產生用于集成電路上的層布局的掩模的方法，包括接收所述集成電路一部分的計算機可讀布局；利用數(shù)據(jù)處理器標識所述布局的具有第一端和第二端的至少一個輸入段；利用數(shù)據(jù)處理器執(zhí)行對所述輸入段的鄰近效應校正以便形成具有經校正第一端和經校正第二端的經校正布局段，其中所述經校正段不平行于所述輸入段；基于所述經校正布局段產生具有掩模布局的掩模。
24.一種產生用于集成電路上的層布局的掩模的方法，包括接收所述集成電路一部分的計算機可讀布局；利用數(shù)據(jù)處理器標識所述布局的第一估算點和第二估算點；利用數(shù)據(jù)處理器執(zhí)行對所述第一估算點的鄰近效應校正以便形成第一經校正點，以及執(zhí)行對所述第二估算點的鄰近效應校正以便形成第二經校正點；計算連接所述第一經校正點與所述第二經校正點的互連曲線以產生經校正布局段。基于所述經校正布局段產生具有掩模布局的掩模。
25.一種用于產生布局數(shù)據(jù)的系統(tǒng)，包括數(shù)據(jù)處理器，其執(zhí)行指令程序；存儲器，可由所述數(shù)據(jù)處理器訪問并存儲指令程序，所述指令程序包括以下邏輯接收集成電路一部分的計算機可讀布局；標識所述布局的第一估算點和第二估算點；執(zhí)行對所述第一估算點的鄰近效應校正以便形成第一經校正點，以及執(zhí)行對所述第二估算點的鄰近效應校正以便形成第二經校正點；以及計算連接所述第一經校正點與所述第二經校正點的互連曲線以生成經校正布局段。
26.一種用于生成布局數(shù)據(jù)的系統(tǒng)，包括數(shù)據(jù)處理器，執(zhí)行指令程序；存儲器，可由所述數(shù)據(jù)處理器訪問并存儲指令程序，所述指令程序包括以下邏輯接收集成電路一部分的計算機可讀布局；標識所述布局的具有第一端和第二端的至少一個輸入段；執(zhí)行對所述輸入段的鄰近效應校正以便形成具有經校正第一端和經校正第二端的經校正布局輸入段，其中所述經校正段不平行于所述輸入段。
27.一種制造物品，包括存儲指令程序的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質，包括以下邏輯接收集成電路一部分的計算機可讀布局；標識所述布局的第一估算點和第二估算點；執(zhí)行對所述第一估算點的鄰近效應校正以便形成第一經校正點，以及執(zhí)行對所述第二估算點的鄰近效應校正以便形成第二經校正點；以及計算連接所述第一經校正點與所述第二經校正點的互連曲線以生成經校正布局段。
28.一種制造物品，包括存儲指令程序的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質，包括以下邏輯接收集成電路一部分的計算機可讀布局；標識所述布局的具有第一端和第二端的至少一個輸入段；執(zhí)行對所述輸入段的鄰近效應校正以便形成具有經校正第一端和經校正第二端的經校正布局段，其中所述經校正段不平行于所述輸入段。
全文摘要
本發(fā)明描述了基于目標布局(504)的選定估算點(505和506)的之間的校正(501和502)的內插(503)的方法。通過連接校正點，該技術提供了減小數(shù)據(jù)量并簡化掩模寫、檢驗和修復處理的方法。相同的方法可應用于帶有非印刷特征的布局，其中所述校正基于主特征的圖像質量。對于矢量掃描掩模寫工具，內插所述校正的段可斷裂為角度適合的段。
文檔編號G06K9/00GK1781106SQ200480011095
公開日2006年5月31日 申請日期2004年4月13日 優(yōu)先權日2003年4月14日
發(fā)明者克里斯托弗·皮拉特 申請人:達酷美科技公司