的數(shù)值Drr，并且控制單元140可將這些暫存器Rl?Rn的數(shù)值Drr存儲于存儲單元130。當控制單元140完全將這些暫存器Rl?Rn的數(shù)值Drr寫入至存儲單元130時,控制單元140可發(fā)出關機命令CMpo至中央處理單元120，以控制中央處理單元120，使中央處理單元120進入關機狀態(tài)。在其他實施例中，也可依實際應用，僅將部分暫存器Rl?Rn的數(shù)值Drr存儲于存儲單元130中。在其他實施例中，除了可通過控制單元140控制中央處理單元120進入閑置狀態(tài)外，在另一實施例中，當中央處理單元120從接收到的電壓狀態(tài)信號Svs得知系統(tǒng)電壓VDD下降至小于等于電能減弱電壓Vbo且大于重置低電壓Vlvr時，中央處理單元120也可自動進入閑置狀態(tài)。
[0029]當系統(tǒng)電壓VDD上升至大于重置低電壓Vlvr且控制單元140執(zhí)行完成一預讀取動作時，控制單元140讀取這些暫存器Rl?Rn存儲于存儲單元130的數(shù)值Drr，并且將所讀取的數(shù)值Drr寫回這些暫存器Rl?Rn。其中，當控制單元140執(zhí)行預讀取動作時，控制單元140可讀取使用者所定義的設定位元(opt1n bit),以決定控制單元140的運作參數(shù)(如重置低電壓Vlvr、電能減弱電壓Vbo)。
[0030]在其他實施例中，中央處理單元120可于檢測到電壓恢復到例如大于重置低電壓Vlvr后，自動進到閑置模式，并于檢測到電壓恢復到大于電能減弱電壓Vbo時，自動進到運作模式。在其他實施例中，可先預估電壓從重置低電壓Vlvr上升至電能減弱電壓Vbo所需的時間，以及可預估回復暫存器Rl?Rn的數(shù)據(jù)的時間，以決定要設計什么時候讓控制單元140進行暫存器Rl?Rn的數(shù)據(jù)回復，例如控制單元140可設定在中央處理單元120進入運作模式前一刻才回復暫存器Rl?Rn的數(shù)據(jù)(如數(shù)值Drr)。
[0031]依據(jù)上述，當斷電的情況發(fā)生時(如系統(tǒng)電壓VDD開始下降至小于等于電能減弱電壓Vbo)，控制單元140可將暫存器Rl?Rn的數(shù)值Drr存儲于存儲單元130，并且在電力恢復時(如系統(tǒng)電壓VDD上升至大于重置低電壓Vlvr)，控制單元140可將暫存器Rl?Rn存儲于存儲單元130的數(shù)值Drr回寫至暫存器Rl?Rn。由于暫存器Rl?Rn的數(shù)值在斷電前及斷電后可保持相同，亦即集成電路100的運作狀態(tài)會一樣，因此集成電路100可不受斷電的影響，進而可提高集成電路100的穩(wěn)定性及安全性。
[0032]存取閘道150可耦接于中央處理單元120、存儲單元130及控制單元140。當系統(tǒng)電壓VDD上升至大于電能減弱電壓Vbo時，控制單元140可導通存取閘道150，以使中央處理單元120可存取存儲單元130。當系統(tǒng)電壓VDD下降至小于等于電能減弱電壓Vbo時，控制單元140可截止存取閘道150，使得中央處理單元120不會繼續(xù)從存儲單元130讀取數(shù)據(jù)。在其他實施例中，也可不截止存取閘道150，因為中央處理單元120在閑置狀態(tài)下不運作，因此中央處理單元120并不需要去讀取存儲單元130里的數(shù)據(jù)。
[0033]周邊介面160耦接于外部裝置10及中央處理單元120，可使中央處理單元120通過周邊介面160耦接至外部裝置10，而外部裝置10可通過周邊介面160接收中央處理單元120所提供的數(shù)據(jù)或暫存器Rl?Rn的數(shù)值Drr。
[0034]在本發(fā)明的一實施例中，控制單元140可整合一測試動作聯(lián)合群組(Joint TestAct1n Group, JTAG)和 / 或仿真器(In-Circuit Emulator, ICE)。并且，控制單兀 140 可配置一中繼旗標FR。當控制單元140將這些暫存器Rl?Rn的數(shù)值Drr完全存儲于存儲單元130時，控制單元140可設置中繼旗標FR，以表示存儲單元130已完整備份暫存器Rl?Rn的數(shù)值Drr。此外，當控制單元140將這些暫存器Rl?Rn存儲于存儲單元130的數(shù)值完全重寫入這些暫存器Rl?Rn時，控制單元140可重置中繼旗標FR，以表示存儲單元130中所備份的暫存器Rl?Rn的數(shù)值Drr已經(jīng)過時而不能使用?？刂茊卧?40可于執(zhí)行預讀取動作時，對中繼旗標FR進行確認。關于中繼旗標FR的詳細說明請參考后續(xù)的實施例。
[0035]圖2為圖1依據(jù)本發(fā)明一實施例的中央處理單元及控制單元于電力消失的運作示意圖。請參照圖1及圖2，在本實施例中，當系統(tǒng)電壓VDD大于電能減弱電壓Vbo時，中央處理單元120可處于運作狀態(tài)，控制單元140可處于閑置狀態(tài)。
[0036]當系統(tǒng)電壓VDD下降至小于等于電能減弱電壓Vbo且大于重置低電壓Vlvr時，控制單元140可發(fā)出強迫閑置命令CMid至中央處理單元120，以控制中央處理單元120為閑置狀態(tài)。并且，控制單元140可讀取這些暫存器Rl?Rn的數(shù)值Drr，并且將這些暫存器Rl?Rn的數(shù)值Drr存儲于存儲單元130,亦即控制單元140可備份這些暫存器Rl?Rn的數(shù)據(jù)。在控制單元140將這些暫存器Rl?Rn的數(shù)值Drr存儲于存儲單元130后，控制單元140進入閑置狀態(tài)。并且，在控制單元140進入閑置狀態(tài)前，控制單元140可設定中繼旗標FR。當系統(tǒng)電壓VDD下降至小于等于重置低電壓Vlvr時，中央處理單元120及控制單元140可切換為重置狀態(tài)。
[0037]圖3為圖1依據(jù)本發(fā)明另一實施例的中央處理單元及控制單元于電力消失的運作示意圖。請參照圖1至圖3，在本實施例中，動作大致相同于圖2所示，其不同之處在于，在控制單元140將這些暫存器Rl?Rn的數(shù)值Drr存儲于存儲單元130后，控制單元140可發(fā)出關機命令CMpo至中央處理單元120，以使中央處理單元120進入關機狀態(tài)。
[0038]圖4為圖1依據(jù)本發(fā)明一實施例的中央處理單元及控制單元于電力回復的運作示意圖。請參照圖1及圖4，在本實施例中，當系統(tǒng)電壓VDD小于等于重置低電壓Vlvr時，中央處理單元120及控制單元140可處于重置狀態(tài)。
[0039]當系統(tǒng)電壓VDD上升至大于重置低電壓Vlvr及小于等于電能減弱電壓Vbo時，中央處理單元120可處于閑置狀態(tài)，而控制單元140可執(zhí)行預讀取動作，以讀取使用者所定義的設定位元(opt1n bit),并且可讀取中繼旗標FR。接著，當控制單元140執(zhí)行完成預讀取動作時，控制單元140可讀取這些暫存器Rl?Rn存儲于存儲單元130的數(shù)值Drr，并且將所讀取的數(shù)值Drr重寫入這些暫存器Rl?Rn，亦即控制單元140可回復這些暫存器Rl?Rn的數(shù)據(jù)。當控制單元140將暫存器Rl?Rn的數(shù)值Drr重寫入這些暫存器Rl?Rn時，控制單元140可重置中繼旗標FR并且接著進入閑置狀態(tài)。當系統(tǒng)電壓VDD上升至大于電能減弱電壓Vbo時，中央處理單元120進入運作狀態(tài)，亦即開始運作。
[0040]依據(jù)上述，為了使暫存器Rl?Rn的數(shù)值Drr可完整備份，控制單元140讀取這些暫存器Rl?Rn的數(shù)值Drr且完全存儲于存儲單元130中的所需時間需小于等于系統(tǒng)電壓VDD由電能減弱電壓Vbo下降至重置低電壓Vlvr的時間，通常系統(tǒng)電壓VDD由電能減弱電壓Vbo下降至重置低電壓Vlvr的時間約可從I μ s?10ms左右，依實際情況而可不同。并且，本實施例的存儲單元130的最低運作電壓可為重置低電壓Vlvr，如此一來，在系統(tǒng)電壓VDD下降至重置低電壓Vlvr前，暫存器Rl?Rn的數(shù)值Drr都可正常寫入存儲單元130。其中，可選用可高速寫入及在低電壓(例如可操作在2.5V以下，甚至可到0.8V)下仍可正常程序化(program)的存儲元件來降低暫存器Rl?Rn的數(shù)值Drr的讀寫時間及確保暫存器Rl?Rn的數(shù)值Drr可正常寫入，例如阻抗性隨機存取存儲器(RRAM)或其他可在低電壓下寫入數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性存儲器。換句話說，即可在無需外加電池的情況下，將暫存器Rl?Rn的數(shù)值Drr存儲在存儲單元130中。
[0041]圖5為依據(jù)本發(fā)明一實施例的集成電路的運作方法的流程圖。請參照圖5，在本實施例中，集成電路的運作方法包括下列步驟。判斷提供至中央處理單元的系統(tǒng)電壓是否小于等于電能