1.一種高安全性的繼電模組，其特征在于：包括串行隔離總線模塊、微控制器、輸入電壓線性光耦隔離檢測(cè)模塊、門(mén)極驅(qū)動(dòng)模塊、低通濾波模塊、比較器、放大器、功率MOSFET和四線制高邊電流檢測(cè)電阻；
輸入電壓線性光耦隔離檢測(cè)模塊：供電電路供電后，生成負(fù)載的電壓形式模擬電壓信號(hào)，并將電壓形式模擬電壓信號(hào)發(fā)送至微控制器；
微控制器：接收輸入電壓線性光耦隔離檢測(cè)模塊傳來(lái)的電壓形式模擬電壓信號(hào)；將電壓形式模擬電壓信號(hào)發(fā)送至串行隔離總線模塊；接收串行隔離總線模塊傳來(lái)的TTL電平的關(guān)閉功率MOSFET的指令，并將TTL電平的關(guān)閉功率MOSFET的指令發(fā)送至門(mén)極驅(qū)動(dòng)模塊；接收串行隔離總線模塊傳來(lái)的TTL電平的打開(kāi)功率MOSFET的指令，并將TTL電平的打開(kāi)功率MOSFET的指令發(fā)送至門(mén)極驅(qū)動(dòng)模塊；接收低通濾波模塊傳來(lái)的濾波后的電流形式模擬電壓信號(hào)；并將濾波后的電流形式模擬電壓信號(hào)發(fā)送至串行隔離總線模塊；接收比較器傳來(lái)的中斷信號(hào)，將中斷信號(hào)發(fā)送至門(mén)極驅(qū)動(dòng)模塊；
串行隔離總線模塊：接收微控制器傳來(lái)的電壓形式模擬電壓信號(hào)，將電壓形式模擬電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為外部總線電平的電壓形式模擬電壓信號(hào)，并將外部總線電平的電壓形式模擬電壓信號(hào)發(fā)送至外部控制裝置；接收外部控制裝置傳來(lái)的外部總線電平的關(guān)閉功率MOSFET的指令；并將外部總線電平的關(guān)閉功率MOSFET的指令轉(zhuǎn)換為T(mén)TL電平的關(guān)閉功率MOSFET的指令，并將TTL電平的關(guān)閉功率MOSFET的指令發(fā)送至微控制器；接收外部控制裝置傳來(lái)的外部總線電平的打開(kāi)功率MOSFET的指令；并將外部總線電平的打開(kāi)功率MOSFET的指令轉(zhuǎn)換為T(mén)TL電平的打開(kāi)功率MOSFET的指令，并將TTL電平的打開(kāi)功率MOSFET的指令發(fā)送至微控制器；接收微控制器傳來(lái)的濾波后的電流形式模擬電壓信號(hào)，將濾波后的電流形式模擬電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為外部總線電平的電流形式模擬電壓信號(hào)，并將外部總線電平的電流形式模擬電壓信號(hào)發(fā)送至外部控制裝置；
外部控制裝置：接收串行隔離總線模塊傳來(lái)的外部總線電平的電壓形式模擬電壓信號(hào)，對(duì)外部總線電平的電壓形式模擬電壓信號(hào)進(jìn)行監(jiān)測(cè)判斷，當(dāng)電壓形式模擬電壓信號(hào)超出預(yù)先設(shè)定電壓范圍時(shí)，發(fā)出外部總線電平的關(guān)閉功率MOSFET的指令至串行隔離總線模塊；當(dāng)電壓形式模擬電壓信號(hào)在預(yù)先設(shè)定電壓范圍內(nèi)時(shí)，發(fā)出外部總線電平的打開(kāi)功率MOSFET的指令至串行隔離總線模塊；接收串行隔離總線模塊傳來(lái)的外部總線電平的電流形式模擬電壓信號(hào)；
門(mén)極驅(qū)動(dòng)模塊：接收微控制器傳來(lái)的TTL電平的關(guān)閉功率MOSFET的指令，將TTL電平的關(guān)閉功率MOSFET的指令變換為12V的門(mén)極關(guān)閉控制信號(hào)，發(fā)送至功率MOSFET；接收微控制器傳來(lái)的TTL電平的打開(kāi)功率MOSFET的指令，將TTL電平的打開(kāi)功率MOSFET的指令變換為12V的門(mén)極打開(kāi)控制信號(hào)，發(fā)送至功率MOSFET；接收微控制器傳來(lái)的傳來(lái)額的中斷信號(hào)，將中斷信號(hào)轉(zhuǎn)化為12V的中斷信號(hào)，將12V的中斷信號(hào)發(fā)送至功率MOSFET；
功率MOSFET：接收門(mén)極驅(qū)動(dòng)模塊傳來(lái)的12V的門(mén)極關(guān)閉控制信號(hào)，功率MOSFET關(guān)閉；接收門(mén)極驅(qū)動(dòng)模塊傳來(lái)的12V的門(mén)極打開(kāi)控制信號(hào)，功率MOSFET打開(kāi)；接收門(mén)極驅(qū)動(dòng)模塊傳來(lái)的12V的中斷信號(hào)，功率MOSFET關(guān)閉；
四線制高邊電流檢測(cè)電阻：功率MOSFET打開(kāi)后，供電電路的電流通過(guò)四線制高邊電流檢測(cè)電阻，產(chǎn)生電阻電壓，并將電阻電壓發(fā)送至放大器；
放大器：接收四線制高邊電流檢測(cè)電阻傳來(lái)的電阻電壓，對(duì)電阻電壓進(jìn)行放大處理，生成發(fā)大后的電阻電壓，并將發(fā)大后的電阻電壓輸出至低通濾波模塊；
低通濾波模塊：接收放大器傳來(lái)的發(fā)大后的電阻電壓，對(duì)發(fā)大后的電阻電壓進(jìn)行濾波處理，生成濾波后的電流形式模擬電壓信號(hào)，并將濾波后的電流形式模擬電壓信號(hào)輸出至微控制器；同時(shí)將濾波后的電流形式模擬電壓信號(hào)輸出至比較器；
比較器：預(yù)設(shè)過(guò)流電壓值；接收低通濾波模塊傳來(lái)的濾波后的電流形式模擬電壓信號(hào)；對(duì)濾波后的電流形式模擬電壓信號(hào)和預(yù)設(shè)過(guò)流電壓值進(jìn)行比較，當(dāng)濾波后的電流形式模擬電壓信號(hào)超過(guò)預(yù)設(shè)過(guò)流電壓值時(shí)，發(fā)出中斷信號(hào)至微控制器；當(dāng)濾波后的電流形式模擬電壓信號(hào)不超過(guò)預(yù)設(shè)過(guò)流電壓值時(shí)，不做處理；
微控制器：接收電壓的模擬電壓信號(hào)和電流的模擬電壓信號(hào)；進(jìn)行存儲(chǔ)；當(dāng)接收到外部控制裝置發(fā)來(lái)的信號(hào)采集指令時(shí)，輸出電壓的模擬電壓信號(hào)和電流的模擬電壓信號(hào)至外部控制裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高安全性的繼電模組，其特征在于：所述繼電模組還包括第一隔離電源和第二隔離電源；
第一隔離電源：輸出+5V電源為輸入電壓線性光耦隔離檢測(cè)模塊供電；
第二隔離電源：輸出+12V電源為門(mén)極驅(qū)動(dòng)模塊供電；輸出+3.3V電源為串行隔離總線模塊、微控制器、低通濾波模塊、比較器和放大器供電。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高安全性的繼電模組，其特征在于：所述四線制高邊電流檢測(cè)電阻包括檢測(cè)電阻、第一電阻、第一線路、第二電阻、第二線路、第一測(cè)量電流線路和第二測(cè)量電流線路；其中，檢測(cè)電阻的一端分別與第一線路和第一測(cè)量電流線路連接；第一線路上串聯(lián)有第一電阻；第一測(cè)量電流線路的輸出端與放大器正端連接；檢測(cè)電阻的另一端分別與第二線路和第二測(cè)量電流線路連接；第二線路上串聯(lián)第二電阻；第二測(cè)量電流線路的輸出端與放大器負(fù)端連接。