本發(fā)明涉及一種glitch信號處理裝置，尤其涉及離子注入機的一種glitch信號處理裝置。

背景技術：

離子注入機作為一種半導體器件制造中的摻雜設備，是整個半導體器件生產(chǎn)流程上重要組成部分。離子注入的主要功能是通過改變芯片內(nèi)載流子的分布從而達到所需的電參數(shù)，其中包括源漏極間的串聯(lián)電阻，優(yōu)化其沿路的電場分布，降低甚至消除短溝道效應，降低CMOS的工作電壓，提高運行速度，降低寄生電容及功耗。目前離子注入機發(fā)展方向是向著低能大束流的方向發(fā)展。當束流大能量低時，單位空間的帶電粒子量增多，當出現(xiàn)其他擾動時極易發(fā)生帶電粒子的聚集從而產(chǎn)生打火現(xiàn)象。一般將這種現(xiàn)象稱之為glitch現(xiàn)象。當注入機處于晶片注入狀態(tài)時，glitch現(xiàn)象的發(fā)生會影響晶片的注入劑量。為了減少廢片，改善glitch發(fā)生對晶片注入劑量的影響，使用適當?shù)男盘柌杉疤幚硌b置是必要的。

本發(fā)明提供了一種glitch信號處理裝置。本裝置可以快速的采集到glitch信號并將其傳送相應控制器中，并關斷相應電源。本裝置采集速度快，反應迅速，效果好，適合注入機打火時的信號采集。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明公開了離子注入機系統(tǒng)中glitch信號處理裝置及相關處理方法。該發(fā)明用于離子注入機，可實現(xiàn)準確快速glitch信號處理及傳送。

本發(fā)明通過以下技術方案實現(xiàn)：主要組成包括：主控制器、光纖信號傳輸模塊、電源信號采集與控制模塊、電源模塊。其中，主控制器為整個信號處理裝置的核心。首先發(fā)送相應控制字給A/D轉(zhuǎn)換芯片，之后A/D轉(zhuǎn)換芯片進入數(shù)據(jù)采集狀態(tài)并同時將信號傳送給主控制器。主控制器根據(jù)傳送的數(shù)據(jù)進行分析。當電源反饋信號顯示出無較大波動時，此時不發(fā)生觸發(fā)信號；當電源反饋信號顯示出較大波動時，觸發(fā)glitch信號。此時，控制器向光纖信號傳輸模塊發(fā)出信號，此信號通過光纖傳送至PMAC控制器中，之后進行相應操作避免glitch信號的進一步影響。

電源反饋信號由電源產(chǎn)生。電源與glitch控制器之間通過DB9相連。PMAC控制器與glitch控制器之間通過光纖接口相連。

在控制器發(fā)送glitch信號的同時，主控制器還會對電源輸出控制端進行相應動作。當無glitch信號出現(xiàn)時，電源輸出控制端由上位機通過PSI控制器發(fā)送0-10V電壓信號進行控制。當glitch信號出現(xiàn)時，主控制器通過模擬開關將此路電壓輸出控制信號接地。此時電源接收到的設置電壓為零。為完成下一次信號的重新判斷，模擬開關僅將電壓輸出控制信號接地一段時間，之后重新接通至PSI控制器控制。此時整個裝置完成一次glitch信號的觸發(fā)工作，進入下一次glitch信號的判斷。

本發(fā)明具有如下顯著優(yōu)點：

1.主控制器采用CPLD作為主控芯片，響應速度迅速。

2.關斷信號使用的模擬開關，關斷速度極快。

3.觸發(fā)信號由主控制器發(fā)出，觸發(fā)通過改變CPLD程序即可，觸發(fā)條件易控制。

附圖說明

圖1為glitch信號處理裝置結構圖。

具體實施方式

下面結合附圖1對本發(fā)明作進一步的介紹，但不作為對本發(fā)明的限定。

如圖1中所示，在本發(fā)明當中，采取的觸發(fā)條件直接影響最后得到的結果。當觸發(fā)條件過大時，許多較小的打火就被控制器所忽略，甚至不會出現(xiàn)觸發(fā)信號。當觸發(fā)條件過小時，簡單的信號波動可能也會導致觸發(fā)，這樣會引起誤動作。在注入機的實際使用過程中，由于帶電粒子運動軌跡較長，期間經(jīng)歷電位復雜，所以不同位置的觸發(fā)信號的觸發(fā)條件設置應該是不同的。當匹配了合理的觸發(fā)條件之后才能使glitch信號處理達到最優(yōu)效果。

本發(fā)明專利的特定實施例已對本發(fā)明專利的內(nèi)容做了詳盡說明。對本領域一般技術人員而言，在不背離本發(fā)明專利精神的前提下對它所做的任何顯而易見的改動，都構成對本發(fā)明專利的侵犯，將承擔相應的法律責任。