上位機失效處理方法和裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種上位機失效處理方法，用于在半導體工藝期間上位機失效時對各半導體設備進行控制，該上位機失效處理方法由下位機執(zhí)行，其包括：從所述上位機獲取所述半導體工藝所處的工藝階段；以及當接收上位機失效信號時，根據(jù)當前所述半導體工藝所處的工藝階段對所述各半導體設備的工藝參數(shù)進行相應控制。本發(fā)明還提供了一種上位機失效處理裝置，能夠在保證安全的前提下使設備正常完成工藝流程，避免因上位機失效導致產(chǎn)品損壞。
【專利說明】上位機失效處理方法和裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體設備控制【技術領域】，特別涉及一種上位機失效的處理方法及處
理裝置。
【背景技術】
[0002]立式氧化爐設備在半導體生產(chǎn)行業(yè)不可或缺，無論國產(chǎn)還是進口設備，對于設備控制方式，多數(shù)采用上位機和下位機相結合的控制方式，正常運行時由上位機為主要控制，通過上位機與下位機及上位機與設備及下位機與設備之間的通訊進行控制，由于下位機的計算速度很難達到實時控制，所以當設備在工藝過程中，上位機出現(xiàn)問題導致宕機的時候，多數(shù)情況下都會停止工藝，然后通過操作人員進行排故處理。雖然設備和人員的安全性得以保證，但卻很有可能會造成產(chǎn)品報廢，造成較大的經(jīng)濟損失。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的主要目的旨在提供一種能夠在半導體工藝過程中上位機失效的情況下，繼續(xù)對設備進行控制的方法，以最大限度地保護操作人員、設備以及產(chǎn)品的安全。
[0004]為達成上述目的，本發(fā)明提供一種上位機失效處理方法，用于在半導體工藝期間上位機失效時對各半導體設備進行控制，所述上位機失效處理方法由下位機執(zhí)行，其包括以下步驟:從所述上位機獲取所述半導體工藝所處的工藝階段；以及當接收上位機失效信號時，根據(jù)當前所述半導體工藝所處的工藝階段對所述各半導體設備的工藝參數(shù)進行相應控制。
[0005]優(yōu)選地，所述工藝階段包括工藝準備階段，主工藝階段以及工藝結束階段。
[0006]優(yōu)選地，所述上位機失效處理方法還包括:存儲所述工藝結束階段所述各半導體設備的工藝參數(shù)。
[0007]優(yōu)選地，若接收所述上位機失效信號時所述半導體工藝所處的工藝階段為工藝準備階段，則將所述各半導體設備的工藝參數(shù)設為所述工藝結束階段的工藝參數(shù)。
[0008]優(yōu)選地，若接收所述上位機失效信號時所述半導體工藝所處的工藝階段為主工藝階段，則維持當前所述各半導體設備的工藝參數(shù)，直至所述主工藝階段完成時將該些工藝參數(shù)設為所述工藝結束階段的工藝參數(shù)。
[0009]優(yōu)選地，根據(jù)所述半導體工藝進入所述主工藝階段的時刻、接收所述上位機失效信號的時刻以及所述主工藝階段所需的時間，獲得所述上位機失效時所述主工藝階段的剩余時間，并根據(jù)該剩余時間計時計算以判斷所述主工藝級階段是否完成。
[0010]優(yōu)選地，所述半導體設備為立式擴散/氧化爐，所述半導體設備的工藝參數(shù)包括爐絲溫度、閥體的開關狀態(tài)、氣體的流量、運動部件的狀態(tài)。
[0011]本發(fā)明還提供了一種上位機失效處理裝置，用于在半導體工藝期間上位機失效時對各半導體設備進行控制。所述上位機失效處理裝置包括第一接收模塊、第二接收模塊以及控制模塊。其中，第一接收模塊用于從所述上位機獲取所述半導體工藝所處的工藝階段；第二接收模塊用于接收上位機失效信號；控制模塊與所述第一接收模塊和第二接收模塊相連，用于根據(jù)接收該上位機失效信號時所述半導體工藝所處的工藝階段對所述各半導體設備的工藝參數(shù)進行相應控制。
[0012]優(yōu)選地，所述工藝階段包括工藝準備階段，主工藝階段以及工藝結束階段。
[0013]優(yōu)選地，所述控制模塊包括存儲子模塊，用于存儲所述工藝結束階段所述各半導體設備的工藝參數(shù)。
[0014]優(yōu)選地，若所述第二接收模塊接收所述上位機失效信號時所述第一接收模塊獲取的所述工藝階段為工藝準備階段，則所述控制模塊將所述各半導體設備的工藝參數(shù)設為所述工藝結束階段的工藝參數(shù)。
[0015]優(yōu)選地，若所述第二接收模塊接收所述上位機失效信號時所述第一接收模塊獲取的所述工藝階段為主工藝階段，則所述控制模塊維持當前所述各半導體設備的工藝參數(shù)，直至所述主工藝階段完成時將該些工藝參數(shù)設為所述工藝結束階段的工藝參數(shù)。
[0016]優(yōu)選地，所述控制模塊包括計時子模塊，其中設有所述主工藝階段所需的時間，所述計時子模塊根據(jù)所述第一接收模塊獲取所述半導體工藝進入所述主工藝階段的時刻、所述第二接收模塊接收所述上位機失效信號的時刻以及所述主工藝階段所需的時間，獲得所述上位機失效時所述主工藝階段的剩余時間，并根據(jù)該剩余時間計時計算以判斷所述主工藝級階段是否完成。
[0017]優(yōu)選地，所述半導體設備為立式擴散/氧化爐，所述半導體設備的工藝參數(shù)包括爐絲溫度、閥體的開關狀態(tài)、氣體的流量、運動部件的狀態(tài)。
[0018]本發(fā)明所提出的上位機失效處理方法和裝置，能夠在上位機失效時，由下位機根據(jù)當前半導體設備所處的工藝階段對各半導體設備進行控制，能夠在保證安全的前提下使設備正常完成工藝流程。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為本發(fā)明上位機失效處理裝置的方塊圖；
[0020]圖2為本發(fā)明上位機失效處理方法的流程圖；
[0021]圖3為本發(fā)明一實施例上位機失效處理方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0022]為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結合說明書附圖，對本發(fā)明的內(nèi)容作進一步說明。當然本發(fā)明并不局限于該具體實施例，本領域內(nèi)的技術人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
[0023]圖1為本發(fā)明上位機失效處理裝置的方塊圖；圖2為本發(fā)明上位機失效處理方法的流程圖，以下將結合圖1和圖2對本發(fā)明進行詳細的說明。
[0024]本發(fā)明的上位機失效處理裝置位于下位機10中，用于在半導體工藝期間上位機20失效時對各半導體設備30進行控制。上位機失效處理裝置包括第一接收模塊11，第二接收模塊12和控制模塊13。其中，第一接收模塊11用于執(zhí)行步驟SI，從上位機獲取半導體工藝所處的工藝階段。具體來說，半導體工藝的工藝階段可分為工藝準備階段、主工藝階段和工藝結束階段。從半導體工藝開始，第一接收模塊11通過與上位機20建立通訊，從上位機20獲得半導體工藝的工藝階段是處于工藝準備階段，主工藝階段還是工藝結束階段。第二接收模塊12和控制模塊13用于執(zhí)行步驟S2，具體來說第二接收模塊12用于接收上位機失效信號，當上位機發(fā)生宕機等失效情況時，將即時發(fā)送失效信號至第二接收模塊12 ；控制模塊13與第一接收模塊11和第二接收模塊12相連，用于根據(jù)第二接收模塊12接收上位機失效信號時，半導體工藝所處的工藝階段來對各半導體設備30的工藝參數(shù)進行相應控制。具體來說，當上位機在主工藝階段發(fā)生失效情況，如果此時停止工藝會造成產(chǎn)品的損壞，造成很大的經(jīng)濟損失，因此控制模塊13將控制半導體設備30的各工藝參數(shù)維持原來的參數(shù)，直到主工藝階段完成。其中，主工藝階段的完成判定可通過控制模塊13的計時子模塊來完成，下文將進一步闡述。當判斷主工藝階段完成后，控制模塊再控制將半導體設備30的工藝參數(shù)設定為工藝結束階段所適用的工藝參數(shù)。如果上位機在工藝準備階段發(fā)生失效情況，由于主工藝階段尚未開始，控制模塊13可以停止工藝，直接將半導體設備30的工藝參數(shù)設定為工藝結束階段所適用的工藝參數(shù)；如果失效情況發(fā)生在工藝結束階段，由于主工藝階段已經(jīng)完成，控制模塊13繼續(xù)維持該工藝結束階段所適用的工藝參數(shù)。因此，較佳的控制模塊13具有存儲工藝結束階段各半導體設備所適用的工藝參數(shù)的存儲子模塊，可根據(jù)需要直接調取該工藝參數(shù)來控制各半導體設備。
[0025]圖3所示為本發(fā)明一具體實施例的上位機失效處理方法的流程示意圖。在本實施例中，半導體設備為立式擴散/氧化爐，半導體工藝為通過立式擴散/氧化爐進行的晶片熱處理工藝。該晶片熱處理工藝同樣分為工藝準備階段、主工藝階段和工藝結束階段三個過程。從工藝開始，第一接收模塊11與上位機建立通訊，從上位機獲取當前所處的熱處理工藝的工藝階段。上位機檢測其是否出現(xiàn)問題導致宕機，一旦出現(xiàn)宕機，上位機將即時發(fā)送失效信號至第二接收模塊12。此時，控制模塊13將根據(jù)第一接收模塊11所接收的工藝階段和第二接收模塊12接收的失效信號，判斷上位機發(fā)生宕機時熱處理工藝是處于工藝準備階段，主工藝階段還是工藝結束階段。
[0026]若上位機發(fā)生宕機時熱處理工藝仍處于工藝準備階段，由于主工藝階段尚未開始，工藝準備階段過程中只會在立式擴散/氧化爐中通入小流量的氧氣，只要停止工藝將硅片取出進行清洗處理，就完全可以滿足再次進行工藝的要求。因此，控制模塊13將調用存儲子模塊中工藝結束階段立式擴散/氧化爐所適用的工藝參數(shù)，這些工藝參數(shù)包括爐絲溫度、閥體的開關狀態(tài)、氣體的流量、運動部件的狀態(tài)等。如將爐絲目標溫度控制為600°C這一設備出舟溫度，將工藝氣體MFC流量計的流量值設為O、關閉所有工藝氣體閥體同時開啟氮氣氣路的閥體，及給爐管通入氮氣。保持當前狀態(tài)，等爐絲溫度降到出舟溫度后，后續(xù)工作由現(xiàn)場操作人員完成。
[0027]若上位機發(fā)生宕機時熱處理工藝處于主工藝階段，如果停止工藝會造成產(chǎn)品的損壞，造成很大的經(jīng)濟損失，因此控制模塊13將維持當前立式擴散/氧化爐的工藝參數(shù)，包括爐絲的溫度，工藝氣體的流量，各閥體的狀態(tài)，運動部件的狀態(tài)等，直到主工藝階段完成。具體的，控制模塊13包括一計時子模塊，該計時子模塊中設有主工藝階段所需要的總體時間。計時子模塊根據(jù)第一接收模塊所獲取的熱處理工藝進入主工藝階段的時刻、第二接收模塊接收上位機失效信號的時刻以及該主工藝階段所需時間，就能夠獲得上位機宕機時主工藝階段距離其完成的剩余時間。計時模塊并根據(jù)該剩余時間進行計時計算，以判斷主工藝級階段是否完成。當主工藝階段完成后，控制模塊13將調用存儲子模塊中工藝結束階段立式擴散/氧化爐所適用的工藝參數(shù)，如將爐絲溫度控制在設備出舟溫度600°C，所有工藝氣體MFC流量設置為O，閥體根據(jù)需要進行關閉及打開，并通氮氣，因為此時主工藝階段已經(jīng)完成且上位機也處于宕機狀態(tài)，出舟溫度控制可以不需要太過精確，保持當前狀態(tài)等爐絲溫度降到出舟溫度后，后續(xù)工作由現(xiàn)場操作人員完成。
[0028]若上位機發(fā)生宕機時，熱處理工藝不處于工藝準備階段或主工藝階段，則說明熱處理工藝已經(jīng)處于工藝結束階段，硅片的熱處理完成，只需安全取出即可。因此，控制模塊13將保持當前的設備的工藝參數(shù)，等爐絲溫度降到出舟溫度后，后續(xù)工作由現(xiàn)場操作人員完成。
[0029]綜上所述，本發(fā)明的上位機失效處理方法和裝置，能夠在上位機失效時，由下位機根據(jù)當前半導體設備所處的工藝階段對各半導體設備進行控制，能夠在保證安全的前提下使設備正常完成工藝流程，避免因設備失去控制導致產(chǎn)品損壞。
[0030]雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然所述諸多實施例僅為了便于說明而舉例而已，并非用以限定本發(fā)明，本領域的技術人員在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下可作若干的更動與潤飾，本發(fā)明所主張的保護范圍應以權利要求書所述為準。
【權利要求】
1.一種上位機失效處理方法，用于在半導體工藝期間上位機失效時對各半導體設備進行控制，其特征在于，所述上位機失效處理方法由下位機執(zhí)行，其包括以下步驟: 從所述上位機獲取所述半導體工藝所處的工藝階段；以及 當接收上位機失效信號時，根據(jù)當前所述半導體工藝所處的工藝階段對所述各半導體設備的工藝參數(shù)進行相應控制。
2.根據(jù)權利要求1所述的上位機失效處理方法，其特征在于，所述工藝階段包括工藝準備階段，主工藝階段以及工藝結束階段。
3.根據(jù)權利要求2所述的上位機失效處理方法，其特征在于，還包括:存儲所述工藝結束階段所述各半導體設備的工藝參數(shù)。
4.根據(jù)權利要求3所述的上位機失效處理方法，其特征在于，若接收所述上位機失效信號時，所述半導體工藝所處的工藝階段為工藝準備階段，則將所述各半導體設備的工藝參數(shù)設為所述工藝結束階段的工藝參數(shù)。
5.根據(jù)權利要求1所述的上位機失效處理方法，其特征在于，若接收所述上位機失效信號時，所述半導體工藝所處的工藝階段為主工藝階段，則維持當前所述各半導體設備的工藝參數(shù)，直至所述主工藝階段完成時將該些工藝參數(shù)設為所述工藝結束階段的工藝參數(shù)。
6.根據(jù)權利要求5所述的上位機失效處理方法，其特征在于，根據(jù)所述半導體工藝進入所述主工藝階段的時刻、接收所述上位機失效信號的時刻以及所述主工藝階段所需的時間，獲得所述上位機失效時所述主工藝階段的剩余時間，并根據(jù)該剩余時間計時計算以判斷所述主工藝級階段是否完成。
7.根據(jù)權利要求1所述的上位機失效處理方法，其特征在于，所述半導體設備為立式擴散/氧化爐，所述半導體設備的工藝參數(shù)包括爐絲溫度、閥體的開關狀態(tài)、氣體的流量、運動部件的狀態(tài)。
8.—種上位機失效處理裝置，用于在半導體工藝期間上位機失效時對各半導體設備進行控制，其特征在于，所述失效處理裝置包含于下位機中，其包括: 第一接收模塊，用于從所述上位機獲取所述半導體工藝所處的工藝階段； 第二接收模塊，用于接收上位機失效信號；以及 控制模塊，與所述第一接收模塊和第二接收模塊相連，用于根據(jù)接收該上位機失效信號時所述半導體工藝所處的工藝階段對所述各半導體設備的工藝參數(shù)進行相應控制。
9.根據(jù)權利要求8所述的上位機失效處理裝置，其特征在于，所述工藝階段包括工藝準備階段，主工藝階段以及工藝結束階段。
10.根據(jù)權利要求9所述的上位機失效處理裝置，其特征在于，所述控制模塊包括存儲子模塊，用于存儲所述工藝結束 階段所述各半導體設備的工藝參數(shù)。
11.根據(jù)權利要求10所述的上位機失效處理裝置，其特征在于，若所述第二接收模塊接收所述上位機失效信號時，所述第一接收模塊獲取的所述工藝階段為工藝準備階段，則所述控制模塊將所述各半導體設備的工藝參數(shù)設為所述工藝結束階段的工藝參數(shù)。
12.根據(jù)權利要求11所述的上位機失效處理裝置，其特征在于，若所述第二接收模塊接收所述上位機失效信號時，所述第一接收模塊獲取的所述工藝階段為主工藝階段，則所述控制模塊維持當前所述各半導體設備的工藝參數(shù)，直至所述主工藝階段完成時將該些工藝參數(shù)設為所述工藝結束階段的工藝參數(shù)。
13.根據(jù)權利要求8所述的上位機失效處理裝置，其特征在于，所述控制模塊包括計時子模塊，其中設有所述主工藝階段所需的時間，所述計時子模塊根據(jù)所述第一接收模塊獲取所述半導體工藝進入所述主工藝階段的時刻、所述第二接收模塊接收所述上位機失效信號的時刻以及所述主工藝階段所需的時間，獲得所述上位機失效時所述主工藝階段的剩余時間，并根據(jù)該剩余時間計時計算以判斷所述主工藝級階段是否完成。
14.根據(jù)權利要求8所述的上位機失效處理裝置，其特征在于，所述半導體設備為立式擴散/氧化爐，所述半導體設備的工藝參數(shù)包括爐絲溫度、閥體的開關狀態(tài)、氣體的流量、運動部件的 狀態(tài)。
【文檔編號】G05B19/418GK103809576SQ201410072416
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2014年2月28日 優(yōu)先權日:2014年2月28日
【發(fā)明者】付運濤, 張海輪 申請人:北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司