調(diào)壓器和電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及調(diào)壓器和電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)。該調(diào)壓器包括：電源端子，其配置為提供電源電壓；輸出端子，其配置為輸出負(fù)載電流；第一晶體管，其連接在電源端子與輸出端子之間，在第一模式下通過放大器施加的信號啟用該第一晶體管以產(chǎn)生第一電流，并且將第一電流輸出至輸出端子；以及第二晶體管，其連接在電源端子與輸出端子之間，在第二模式下通過放大器施加的信號啟用該第二晶體管以產(chǎn)生與第一電流不同的第二電流，并且將第二電流輸出至輸出端子，其中，在第二模式下啟用第一晶體管，在第一模式下禁用第二晶體管。
【專利說明】調(diào)壓器和電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求2012年7月12日提交至韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請N0.10-2012-0076215的優(yōu)先權(quán)，在此通過引用方式將該申請的全部內(nèi)容并入本文。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明構(gòu)思涉及調(diào)壓器、電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)、存儲器芯片和存儲設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0004]隨著電子、信息、通信技術(shù)的發(fā)展，已經(jīng)提供了多種便攜式電子設(shè)備。一般來說，通過從安裝在內(nèi)部的電池向便攜式電子設(shè)備供電來操作該便攜式電子設(shè)備。因此，最近幾年，電池的壽命或持續(xù)時(shí)間被認(rèn)為是便攜式電子設(shè)備性能中的一項(xiàng)重要因素，并且已經(jīng)在使有限容量的電池的效率最大化方面積極地進(jìn)行了研究。
[0005]在有效率地使用電池容量的方法中，存在以下方法:將便攜式電子設(shè)備的操作模式分成針對高性能操作的激活模式和用于使功耗最小化的省電模式，并且根據(jù)便攜式電子設(shè)備處于激活模式還是處于省電模式來以不同的方式管理設(shè)備的功耗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明構(gòu)思提供了一種具有改進(jìn)的操作可靠性的調(diào)壓器。
[0007]本發(fā)明構(gòu)思還提供了一種包括這種調(diào)壓器的電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)，從而改進(jìn)了操作可靠性并且優(yōu)化了功耗。
[0008]本發(fā)明構(gòu)思還提供了一種包括這種調(diào)壓器的存儲器芯片，從而改進(jìn)了操作可靠性并且優(yōu)化了功耗。
[0009]本發(fā)明構(gòu)思還提供了一種包括這種調(diào)壓器的存儲設(shè)備，從而改進(jìn)了操作可靠性并且優(yōu)化了功耗。
[0010]本發(fā)明構(gòu)思不限于此，并且通過以下示例性實(shí)施例的說明將會描述或清楚本發(fā)明構(gòu)思的其他特征和元件。
[0011]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個方面，提供了一種調(diào)壓器，包括:電源端子，其配置為提供電源電壓；輸出端子，其配置為輸出負(fù)載電流；以及第一晶體管，其連接在所述電源端子與所述輸出端子之間。在第一模式下，通過放大器施加的信號啟用所述第一晶體管以產(chǎn)生第一電流，并且所述第一晶體管將所述第一電流輸出至所述輸出端子。所述調(diào)壓器還包括第二晶體管，其連接在所述電源端子與所述輸出端子之間。在第二模式下，通過所述放大器施加的信號啟用所述第二晶體管以產(chǎn)生與所述第一電流不同的第二電流，并且所述第二晶體管將所述第二電流輸出至所述輸出端子。在所述第二模式下啟用所述第一晶體管，在所述第一模式下禁用所述第二晶體管。
[0012]在一些實(shí)施例中，所述第一晶體管的尺寸與所述第二晶體管的尺寸不同。
[0013]在一些實(shí)施例中，所述第二晶體管的尺寸大于所述第一晶體管的尺寸。[0014]在一些實(shí)施例中，所述第二電流大于所述第一電流。
[0015]在一些實(shí)施例中，所述第一模式包括省電模式，所述第二模式包括激活模式。
[0016]在一些實(shí)施例中，所述調(diào)壓器還包括連接在所述輸出端子與所述放大器之間的反饋網(wǎng)絡(luò)，并且所述第一晶體管和所述第二晶體管并聯(lián)地連接在所述電源端子與所述輸出端子之間。
[0017]在一些實(shí)施例中，在所述第一模式下所述負(fù)載電流是所述第一電流，并且在所述第二模式下所述負(fù)載電流是所述第一電流與所述第二電流的總和。
[0018]在一些實(shí)施例中，所述調(diào)壓器還包括連接在所述電源端子與所述輸出端子之間的第三晶體管，其中，在與所述第一模式和所述第二模式不同的第三模式下，通過所述放大器施加的信號啟用所述第三晶體管以產(chǎn)生與所述第一電流和所述第二電流不同的第三電流，并且其中，所述第三晶體管將所述第三電流輸出至所述輸出端子。
[0019]在一些實(shí)施例中，在所述第三模式下啟用所述第一晶體管，在所述第三模式下啟用所述第二晶體管，并且在所述第一模式和所述第二模式下禁用所述第三晶體管。
[0020]在一些實(shí)施例中，所述第三晶體管的尺寸大于所述第二晶體管的尺寸，并且所述第二晶體管的尺寸大于所述第一晶體管的尺寸。
[0021]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個方面，提供了一種調(diào)壓器，包括:電源端子，其配置為提供電源電壓；輸出端子，其配置為輸出負(fù)載電流；第一晶體管，其具有與所述電源端子連接的第一端子、與所述輸出端子連接的第二端子和與放大器連接的柵極端子；以及第二晶體管，其具有與所述電源端子連接的第一端子、與所述輸出端子連接的第二端子和與第一開關(guān)和第二開關(guān)的每一個的一端連接的柵極端子，其中，所述第一開關(guān)的另一端與所述電源端子連接，所述第二開關(guān)的另一端與所述放大器連接。
[0022]在一些實(shí)施例中，在第一模式下接通所述第一開關(guān)，在第二模式下斷開所述第一開關(guān)，并且其中，所述第二模式與所述第一模式不同。
[0023]在一些實(shí)施例中，在所述第一模式下斷開所述第二開關(guān)，在所述第二模式下接通所述第二開關(guān)。
[0024]在一些實(shí)施例中，所述第一模式包括省電模式，所述第二模式包括激活模式。
[0025]在一些實(shí)施例中，所述第一晶體管和所述第二晶體管包括PMOS晶體管。
[0026]在一些實(shí)施例中，所述調(diào)壓器還包括第三晶體管，其具有與所述電源端子連接的第一端子、與所述輸出端子連接的第二端子和與第三開關(guān)和第四開關(guān)的每一個的一端連接的柵極端子，其中，所述第三開關(guān)的另一端與所述電源端子連接，所述第四開關(guān)的另一端與所述放大器連接。
[0027]在一些實(shí)施例中，在第一模式下，接通所述第一開關(guān)和所述第三開關(guān)，并斷開所述第二開關(guān)和所述第四開關(guān)。在與所述第一模式不同的第二模式下，接通所述第二開關(guān)和所述第三開關(guān)，并斷開所述第一開關(guān)和所述第四開關(guān)。在與所述第一模式和所述第二模式不同的第三模式下，接通所述第二開關(guān)和所述第四開關(guān)，并斷開所述第一開關(guān)和所述第三開關(guān)。
[0028]在一些實(shí)施例中，所述第一晶體管的尺寸與所述第二晶體管的尺寸不同。
[0029]在一些實(shí)施例中，所述第二晶體管的尺寸大于所述第一晶體管的尺寸。
[0030]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的再一個方面，提供了一種電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)，包括:負(fù)載塊，其包括第一負(fù)載塊和第二負(fù)載塊，第一負(fù)載電流用于驅(qū)動所述第一負(fù)載塊，第二負(fù)載電流用于驅(qū)動所述第二負(fù)載塊；以及調(diào)壓器，其向所述負(fù)載塊提供所述第一負(fù)載電流和所述第二負(fù)載電流，其中，所述調(diào)壓器包括并聯(lián)地連接在電源端子與所述負(fù)載塊之間的第一晶體管和第二晶體管，其中，當(dāng)驅(qū)動所述第一負(fù)載塊時(shí)，禁用所述調(diào)壓器的第二晶體管并啟用所述調(diào)壓器的第一晶體管，以產(chǎn)生所述第一負(fù)載電流，并且其中，當(dāng)驅(qū)動所述第二負(fù)載塊時(shí)，啟用所述調(diào)壓器的第一晶體管和第二晶體管以產(chǎn)生所述第二負(fù)載電流。
[0031]在一些實(shí)施例中，所述第一晶體管所產(chǎn)生的第一電流的大小與所述第二晶體管所產(chǎn)生的第二電流的大小不同。
[0032]在一些實(shí)施例中，所述第二電流的大小大于所述第一電流的大小。
[0033]在一些實(shí)施例中，所述第二負(fù)載電流是所述第一電流和所述第二電流的總和。
[0034]在一些實(shí)施例中，所述負(fù)載塊還包括第三負(fù)載塊，第三負(fù)載電流用于驅(qū)動所述第三負(fù)載塊，其中，所述調(diào)壓器還包括第三晶體管，其并聯(lián)地連接在所述電源端子與所述負(fù)載塊之間，其中，當(dāng)驅(qū)動所述第一負(fù)載塊時(shí)，禁用所述調(diào)壓器的第二晶體管和第三晶體管并啟用所述調(diào)壓器的第一晶體管，以產(chǎn)生所述第一負(fù)載電流，其中，當(dāng)驅(qū)動所述第二負(fù)載塊時(shí)，禁用所述調(diào)壓器的第三晶體管并啟用所述調(diào)壓器的第一晶體管和第二晶體管，以產(chǎn)生所述第二負(fù)載電流，并且其中，當(dāng)驅(qū)動所述第三負(fù)載塊時(shí)，啟用所述調(diào)壓器的第一晶體管、第二晶體管和第三晶體管以產(chǎn)生所述第三負(fù)載電流。
[0035]在一些實(shí)施例中，所述第三晶體管所產(chǎn)生的第三電流的大小大于所述第二晶體管所產(chǎn)生的第二電流的大小，并且所述第二晶體管所產(chǎn)生的第二電流的大小大于所述第一晶體管所產(chǎn)生的第一電流的大小。
[0036]在一些實(shí)施例中，所述第三負(fù)載電流是所述第一電流、所述第二電流和所述第三電流的總和。
[0037]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的再一個方面，提供了一種存儲器芯片，包括:存儲器單元陣列，其包括多個存儲器單元；以及調(diào)壓器，其產(chǎn)生負(fù)載電流并將所述負(fù)載電流提供至所述存儲器單元，其中，所述調(diào)壓器包括:電源端子，其配置為提供電源電壓；輸出端子，其配置為輸出負(fù)載電流；第一晶體管，其連接在所述電源端子與所述輸出端子之間，其中，在第一模式下，通過放大器施加的信號啟用所述第一晶體管以產(chǎn)生第一負(fù)載電流，并且其中，所述第一晶體管提供所述第一負(fù)載電流以驅(qū)動所述多個存儲器單元之中的N個存儲器單元(N為自然數(shù))；以及第二晶體管，其連接在所述電源端子與所述輸出端子之間，其中，在第二模式下，通過所述放大器施加的信號啟用所述第二晶體管以產(chǎn)生大于所述第一負(fù)載電流的第二負(fù)載電流，并且其中，所述第二晶體管提供所述第二負(fù)載電流以驅(qū)動所述多個存儲器單元之中的M個存儲器單元(M為大于N的自然數(shù))，其中，在所述第二模式下啟用所述第一晶體管，并在所述第一模式下禁用所述第二晶體管。
[0038]在一些實(shí)施例中，所述調(diào)壓器布置在所述存儲器芯片的控制器中。
[0039]在一些實(shí)施例中，由地址信號決定所述第一模式和所述第二模式。
[0040]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的再一個方面，提供了一種存儲設(shè)備，包括:多個存儲器芯片；以及控制器，其產(chǎn)生負(fù)載電流并且使用所述負(fù)載電流來驅(qū)動所述存儲器芯片，其中，所述控制器包括調(diào)壓器，并且所述調(diào)壓器包括:電源端子，其配置為提供電源電壓；輸出端子，其配置為輸出所述負(fù)載電流；第一晶體管，其連接在所述電源端子與所述輸出端子之間，其中，在第一模式下，通過放大器施加的信號啟用所述第一晶體管以產(chǎn)生第一負(fù)載電流，并且其中，所述第一晶體管提供所述第一負(fù)載電流以驅(qū)動所述多個存儲器芯片之中的N個存儲器芯片(N為自然數(shù));以及第二晶體管，其連接在所述電源端子與所述輸出端子之間，其中，在第二模式下，通過所述放大器施加的信號啟用所述第二晶體管以產(chǎn)生大于所述第一負(fù)載電流的第二負(fù)載電流，并且其中，所述第二晶體管提供所述第二負(fù)載電流以驅(qū)動所述多個存儲器芯片之中的M個存儲器芯片(M為大于N的自然數(shù))，其中，在所述第二模式下啟用所述第一晶體管，在所述第一模式下禁用所述第二晶體管。
[0041]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的再一個方面，提供了一種調(diào)壓器，包括:電源端子，其配置為提供電源電壓；輸出端子，其配置為輸出負(fù)載電流；放大器，其放大所述輸出端子的至少一部分電壓；第一晶體管，其連接在所述電源端子與所述輸出端子之間；以及第二晶體管，其連接在所述電源端子與所述輸出端子之間。在第一模式下，通過所述放大器施加的信號啟用所述第一晶體管以產(chǎn)生第一電流，并且禁用所述第二晶體管。在第二模式下，通過所述放大器施加的信號啟用所述第一晶體管以產(chǎn)生第一電流，并且通過所述放大器施加的信號啟用所述第二晶體管以產(chǎn)生第二電流。
[0042]在一些實(shí)施例中，所述第一晶體管的尺寸與所述第二晶體管的尺寸不同。
[0043]在一些實(shí)施例中，所述第二電流大于所述第一電流。
[0044]在一些實(shí)施例中，所述第一模式包括省電模式，而所述第二模式包括激活模式。
[0045]在一些實(shí)施例中，在所述第一模式下所述負(fù)載電流是所述第一電流，并且在所述第二模式下所述負(fù)載電流是所述第一電流與所述第二電流的總和。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0046]通過對如附圖所示出的本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例更加具體的描述，將會清楚本發(fā)明構(gòu)思的前述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)，在全部的不同附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的部件。附圖不一定是按照比例的，而是著重用于示出本發(fā)明構(gòu)思的原理。
[0047]圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)的概念框圖。
[0048]圖2和圖3是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖1所示電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)的操作的框圖。
[0049]圖4是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖1所示調(diào)壓器的電路圖。
[0050]圖5和圖6是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖4的調(diào)壓器的操作的電路圖。
[0051]圖7是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的調(diào)壓器的性能的示圖。
[0052]圖8是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)的概念框圖。
[0053]圖9是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的調(diào)壓器的電路圖。
[0054]圖10至圖12是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖9的調(diào)壓器的操作的電路圖。
[0055]圖13是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲器芯片的概念框圖。
[0056]圖14和圖15是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖13的存儲器芯片的操作的框圖。
[0057]圖16是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲設(shè)備的概念框圖。[0058]圖17和圖18是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖16的存儲設(shè)備的框圖。
[0059]圖19是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的概念框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0060]下面，將參考示出了一些示例性實(shí)施例的附圖，詳細(xì)描述本發(fā)明構(gòu)思的各個示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以按照許多種不同的形式具體實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于所述的實(shí)施例。
[0061]應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)某一元件或?qū)颖环Q作“在另一元件或?qū)又稀?、“連接到另一元件或?qū)印被颉榜罱拥搅硪辉驅(qū)印睍r(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯釉诹硪辉驅(qū)又稀⒅苯舆B接到另一元件或?qū)踊蛑苯玉罱拥搅硪辉驅(qū)?，或者也可能存在中間元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)某一元件被稱作“直接在另一元件或?qū)又稀?、“直接連接到另一元件或?qū)印被颉爸苯玉罱拥搅硪辉驅(qū)印睍r(shí)，則不存在中間元件或?qū)?。在全文中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。本文所使用的術(shù)語“和/或”包括一個或多個所列相關(guān)項(xiàng)目的任意和所有組合。
[0062] 本文所使用的術(shù)語僅用來描述具體實(shí)施例而不是用來限制本發(fā)明構(gòu)思。除非文章中明確地指出，否則本文所使用的單數(shù)形式“一”、“一個”和“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)當(dāng)理解的是，在本說明書中使用的術(shù)語“包括”和/或“包括……的”表明存在所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件，但并不排除存在或增加一種或多種其他特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組。
[0063]應(yīng)當(dāng)理解的是，雖然術(shù)語第一、第二等在本文中可以用于描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被該術(shù)語所限制。這些術(shù)語僅用來將一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一個元件、部件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)的情況下，下面論述的第一元件、第一部件、第一區(qū)域、第一層或第一部分也可以被稱為第二元件、第二部件、第二區(qū)域、第二層或第二部分。
[0064]為了便于描述，在本文中使用空間關(guān)系術(shù)語“下方”、“下面”、“下部”、“上面”、“上部”等來描述附圖中示出的一個元件或特征與另一個(或多個)元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，除了附圖描繪的方位以外，空間關(guān)系術(shù)語旨在涵蓋設(shè)備在使用時(shí)或在操作時(shí)的不同方位。例如，如果附圖中的設(shè)備翻轉(zhuǎn)，那么被描述為在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件將會取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧厦妗薄Ｒ虼?，示例性術(shù)語“下面”可以涵蓋上面和下面兩種方位。設(shè)備可以指向其他方位(旋轉(zhuǎn)90度或其他方位)，并且可以相應(yīng)地解釋本文所使用的空間關(guān)系描述用語。
[0065]參考作為理想化示例性實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意性視圖的剖視圖來描述示例性實(shí)施例。因此，例如由于制造技術(shù)或公差造成的與所示形狀之間的變形是可預(yù)期的。因此，示例性實(shí)施例不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于本文所示區(qū)域的具體形狀，而是應(yīng)當(dāng)包括例如由制造而產(chǎn)生的形狀偏差。因此，附圖所示的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，它們的形狀不是用來示出最終區(qū)域的實(shí)際形狀，也不是用來限制本發(fā)明構(gòu)思的范圍。
[0066]圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)的概念框圖。
[0067]參考圖1，電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)I包括負(fù)載塊200和調(diào)壓器100。
[0068]負(fù)載塊200可以包括第一負(fù)載塊210和第二負(fù)載塊220,其中需要第一負(fù)載電流來驅(qū)動第一負(fù)載塊210，并且需要第二負(fù)載電流來驅(qū)動第二負(fù)載塊220。在該示例性實(shí)施例中，第二負(fù)載電流大于第一負(fù)載電流。也就是說，需要比驅(qū)動第一負(fù)載塊210更大的電流量來驅(qū)動第二負(fù)載塊220。
[0069]在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中，如圖1所示，第一負(fù)載塊210與第二負(fù)載塊220可以相互重疊。也就是說，第一負(fù)載塊210所具有的部件也可以包括在第二負(fù)載塊220中。它的具體實(shí)例如下。
[0070]如果第一負(fù)載塊210是包括多個部件當(dāng)中的10個部件的塊，那么第二負(fù)載塊220可以是包括第一負(fù)載塊210所包括的10個部件和第一負(fù)載塊210所不包括的40個部件的塊。在這種情況下，假定需要I倍的負(fù)載電流來驅(qū)動第一負(fù)載塊210所包括的10個部件，那么需要5倍的負(fù)載電流來驅(qū)動第二負(fù)載塊220所包括的50個部件。后面將對其進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0071]雖然在圖1中示出了第一負(fù)載塊210與第二負(fù)載塊220相互重疊的情況，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中，第一負(fù)載塊210與第二負(fù)載塊220可以不相互重疊。也就是說，如果第一負(fù)載塊210是包括多個部件中的10個部件的塊，那么第二負(fù)載塊220可以是包括第一負(fù)載塊210所不包括的50個部件的塊。此外，在本發(fā)明構(gòu)思的一些其他實(shí)施例中，如果第一負(fù)載塊210是包括10個第一部件的塊，那么第二負(fù)載塊220可以是包括10個不同于第一部件的第二部件的塊。在該實(shí)施例中，需要比驅(qū)動一個第一部件更大的電流量來驅(qū)動一個第二部件。
[0072]調(diào)壓器100可以向負(fù)載塊200提供分別用于驅(qū)動負(fù)載塊200的第一負(fù)載塊210和第二負(fù)載塊220的第一負(fù)載電流和第二負(fù)載電流。在該實(shí)施例中，調(diào)壓器100可以包括并聯(lián)地連接在電源端子10與負(fù)載塊200(或調(diào)壓器100的輸出端子40)之間的第一晶體管20和第二晶體管30。第一晶體管20的尺寸與第二晶體管30的尺寸可以彼此不同。因此，第一晶體管20所產(chǎn)生的電流的大小可以不同于第二晶體管30產(chǎn)生的電流的大小。
[0073]具體地說，在該示例性實(shí)施例中，第一晶體管20的尺寸可以小于第二晶體管30的尺寸。因此，第一晶體管20所產(chǎn)生的電流的大小可以小于第二晶體管30產(chǎn)生的電流的大小。
[0074]下面，將參考圖2和圖3描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖1的電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)的具體操作。
[0075]圖2和圖3是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖1的電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)100的操作的框圖。
[0076]首先，參考圖2，當(dāng)需要驅(qū)動第一負(fù)載塊210時(shí)，調(diào)壓器100以第一模式(例如，省電模式)運(yùn)行。也就是說，調(diào)壓器100產(chǎn)生用于驅(qū)動第一負(fù)載塊210的第一負(fù)載電流Iedl，并且向第一負(fù)載塊210提供第一負(fù)載電流Iedl。此時(shí)，禁用調(diào)壓器100的第二晶體管30而啟用第一晶體管20，以產(chǎn)生第一電流II。所產(chǎn)生的第一電流Il被提供至輸出端子40并且作為第一負(fù)載電流Iedl被提供至第一負(fù)載塊210。
[0077]然后，參考圖3，當(dāng)需要驅(qū)動第二負(fù)載塊220時(shí)，調(diào)壓器100以第二模式(例如，激活模式)運(yùn)行。具體地說，調(diào)壓器100產(chǎn)生用于驅(qū)動第二負(fù)載塊220的第二負(fù)載電流Ied2，并且向第二負(fù)載塊220提供第二負(fù)載電流Ied2。以在驅(qū)動第二負(fù)載塊220時(shí)第一負(fù)載塊210也被驅(qū)動的示例性實(shí)施例為例來進(jìn)行描述。
[0078]為了產(chǎn)生第二負(fù)載電流Ied2，可以同時(shí)啟用調(diào)壓器100的第一晶體管20和第二晶體管30。具體地說，可以啟用第一晶體管20以產(chǎn)生第一電流II，并且可以也啟用第二晶體管30以產(chǎn)生第二電流12。在該不例性實(shí)施例中，第一晶體管20所產(chǎn)生的第一電流Il的大小可以不同于第二晶體管30所產(chǎn)生的第二電流12的大小。具體地說，第二電流12的大小可以大于第一電流Il的大小。
[0079]第一晶體管20和第二晶體管30分別產(chǎn)生的第一電流Il和第二電流12可以在輸出端子40處結(jié)合并作為第二負(fù)載電流Ied2提供至第二負(fù)載塊220。也就是說，第二負(fù)載電流Ied2可以是第一電流Il與第二電流12的總和。
[0080]下面，將參考圖4詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖1的調(diào)壓器。
[0081]圖4是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖1的調(diào)壓器100的電路圖。
[0082]參考圖4，調(diào)壓器100包括第一晶體管20、第二晶體管30、反饋網(wǎng)絡(luò)55和放大器60。
[0083]第一晶體管20可以連接在提供電源Vin的電壓的電源端子10與輸出負(fù)載電流(未示出)的輸出端子40之間。具體地說，如圖所示，第一晶體管20可以具有與電源端子10連接的第一端子、與輸出端子40連接的第二端子以及與放大器60連接的柵極端子。
[0084]在第一模式(例如,省電模式)下,根據(jù)本例性實(shí)施例,可以通過放大器60施加的信號啟用第一晶體管20,從而產(chǎn)生第一電流(未不出)并將第一電流輸出至輸出端子40。下文將描述第一晶體管20的更具體操作。
[0085]第二晶體管30也可以連接在提供電源Vin的電壓的電源端子10與輸出負(fù)載電流(未示出)的輸出端子40之間。在本示例性實(shí)施例中，如圖所示，第二晶體管30可以與第一晶體管20并聯(lián)地連接在電源端子10與輸出端子40之間。具體地說，第二晶體管30可以具有與電源端子10連接的第一端子、與輸出端子40連接的第二端子以及與第一開關(guān)65和第二開關(guān)70的每一個的一端連接的柵極端子。如圖所示，第一開關(guān)65的一端可以與第二晶體管30的柵極連接，而第一開關(guān)65的另一端可以與電源端子10連接。第二開關(guān)70的一端可以與第二晶體管30的柵極連接，而第二開關(guān)70的另一端可以與放大器60連接。
[0086]在該實(shí)施例中，第一開關(guān)65和第二開關(guān)70可以根據(jù)調(diào)壓器100的模式接通/斷開。具體地說，可以在第一模式(例如，省電模式)接通第一開關(guān)65,并且在第二模式(例如，激活模式)下斷開第一開關(guān)65?？梢栽诘谝荒Ｊ?例如，省電模式)下斷開第二開關(guān)70，并且在第二模式(例如，激活模式)下接通第二開關(guān)70。在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中，可以使用除了第一晶體管20和第二晶體管30以外的附加晶體管(未示出)來實(shí)現(xiàn)第一開關(guān)65和第二開關(guān)70，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。通過切換第一開關(guān)65和第二開關(guān)70以使第一開關(guān)65斷開(也就是說，處于斷開位置)并且使第二開關(guān)70接通(也就是說，處于閉合位置)，第二晶體管30在第二模式(例如，激活模式)下可以被放大器60施加的信號啟用，從而產(chǎn)生第二電流(未示出)并且將第二電流輸出至輸出端子40。下文將描述第二晶體管30的更具體操作。
[0087]在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中，如圖所示，第一晶體管20和第二晶體管30都可以由PMOS晶體管構(gòu)成；然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。
[0088]在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中，第一晶體管20的尺寸可以與第二晶體管30的尺寸不同。具體地說，第二晶體管30的尺寸可以大于第一晶體管20的尺寸。相應(yīng)的是，雖然未示出，第二晶體管30所產(chǎn)生的第二電流(未示出)的大小可以大于第一晶體管20所產(chǎn)生的第一電流(未不出)的大小。
[0089]第一晶體管20和第二晶體管30可以包括在一個調(diào)壓器100中。也就是說，根據(jù)本示例性實(shí)施例的調(diào)壓器100可以包括相互分開并且具有不同尺寸的第一晶體管20和第
二晶體管30。
[0090]反饋網(wǎng)絡(luò)55可以包括連接在節(jié)點(diǎn)NI處的第一電阻器Rl和第二電阻器R2。第一電阻器Rl的一端可以與輸出端子40連接，而第一電阻器Rl的另一端可以連接在節(jié)點(diǎn)NI處。第二電阻器R2的一端可以連接在節(jié)點(diǎn)NI處，而第二電阻器R2的另一端可以與電源(例如，大地)連接。放大器60接收參考電壓VKrf和來自反饋網(wǎng)絡(luò)55的反饋電壓并輸出信號。
[0091]反饋網(wǎng)絡(luò)55和放大器60可以用于向第一晶體管20和第二晶體管30的柵極端子施加輸出端子40的電壓。具體地說，反饋網(wǎng)絡(luò)55的一端可以與輸出端子40連接，而反饋網(wǎng)絡(luò)55的另一端可以與放大器60連接，使得反饋網(wǎng)絡(luò)55用于向放大器60施加輸出端子40的至少一部分電壓。此外，在與參考電壓Vltef比較之后，放大器60可以用于放大反饋網(wǎng)絡(luò)55所提供的電壓。如圖所示，可以將放大后的電壓提供至第一晶體管20和第二晶體管30的柵極端子。
[0092]在圖4的配置中，根據(jù)本示例性實(shí)施例的調(diào)壓器100可以向輸出端子40提供大小彼此不同的第一負(fù)載電流和第二負(fù)載電流(未示出)。下面，將參考圖5和圖6更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖4的調(diào)壓器100的操作。
[0093]圖5和圖6是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖4的調(diào)壓器100的操作的框圖。
[0094]首先，參考圖5，在第一模式(例如，省電模式)下，來自電源Vin的電壓通過反饋網(wǎng)絡(luò)55和放大器60轉(zhuǎn)換和放大，并且從放大器60提供至第一晶體管20的柵極端子。因此，啟用第一晶體管20。同時(shí)，斷開第二開關(guān)70，并且轉(zhuǎn)換和放大后的電壓沒有提供至第二晶體管30的柵極端子(參見虛線)。因?yàn)榈谝婚_關(guān)65被接通并且電源Vin的電壓被提供至第二晶體管30的柵極端子，所以禁用第二晶體管30。也就是說，在第一模式(例如，省電模式)下，啟用第一晶體管20，而禁用第二晶體管30。
[0095]相應(yīng)的是，第一晶體管20產(chǎn)生第一電流Il并且將第一電流Il提供至輸出端子40，但是第二晶體管30不會產(chǎn)生電流。因此，第一電流Il作為第一負(fù)載電流Iedl輸出至輸出端子40。
[0096]接下來，參考圖6，在第二模式(例如，激活模式)下，來自電源Vin的電壓通過反饋網(wǎng)絡(luò)55和放大器60轉(zhuǎn)換和放大，并且從放大器60提供至第一晶體管20的柵極端子。因此，啟用第一晶體管20。此外，接通第二開關(guān)70，因此，轉(zhuǎn)換和放大后的電壓同樣從放大器60提供至第二晶體管30的柵極端子。因此，也啟用第二晶體管30 (參見虛線)。同時(shí)，斷開第一開關(guān)65，并且電源Vin的電壓不會提供至第二晶體管30的柵極端子。也就是說，在第二模式(例如，激活模式)下，同時(shí)啟用第一晶體管20和第二晶體管30。
[0097]相應(yīng)的是，第一晶體管20產(chǎn)生第一電流Il并且將第一電流Il提供至輸出端子40，并且第二晶體管30產(chǎn)生第二電流12并且將第二電流12提供至輸出端子40。因此，第一電流Il和第二電流12的總和作為第二負(fù)載電流Ied2輸出至輸出端子40。在該示例性實(shí)施例中，因?yàn)榈诙w管30的尺寸大于第一晶體管20的尺寸，所以第二晶體管30所產(chǎn)生的第二電流12的大小會大于第一晶體管20所產(chǎn)生的第一電流Il的大小。[0098]在根據(jù)一個(單個調(diào)壓器100)的模式產(chǎn)生大小不同的第一負(fù)載電流Iedl和第二負(fù)載電流Ied2的實(shí)施例中，可以提高操作可靠性。下面，將參考圖7描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的調(diào)壓器100的性能。
[0099]圖7是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的調(diào)壓器100的性能的示圖。
[0100]參考圖7，線A是示出常規(guī)實(shí)施例的輸出電壓的示圖，在常規(guī)實(shí)施例中，第一調(diào)壓器產(chǎn)生第一負(fù)載電流Iedl，第二調(diào)壓器產(chǎn)生第二負(fù)載電流Ied2，并且第一調(diào)壓器和第二調(diào)壓器配置為相互分開。線B是示出本示例性實(shí)施例的輸出電壓的示圖,在本示例性實(shí)施例中，第一晶體管20產(chǎn)生第一負(fù)載電流Iedl,第一晶體管20和第二晶體管30共同產(chǎn)生第二負(fù)載電流Ied2，并且第一晶體管20和第二晶體管30配置為集成到一個調(diào)壓器100中。
[0101]參考圖7，在線A的實(shí)施例中，顯示出當(dāng)便攜式電子設(shè)備從第一模式(例如，省電模式)過渡到第二模式(例如，激活模式)時(shí)，輸出電壓在較長時(shí)間段t2內(nèi)波動。當(dāng)?shù)诙{(diào)壓器與第一調(diào)壓器分開地配置來產(chǎn)生第二負(fù)載電流Ied2時(shí)，在反饋回路等正常運(yùn)行之前需要一定量的時(shí)間。因此，出現(xiàn)了電壓波動的記錄期t2。
[0102]在線B的實(shí)施例中，顯示出了當(dāng)便攜式電子設(shè)備從第一模式(例如，省電模式)過渡到第二模式(例如，激活模式)時(shí)，輸出電壓僅在相對較短時(shí)間段tl內(nèi)波動。也就是說，如線B的示例性實(shí)施例所示，由于輸出電壓的波動較小，所以與線A所示的常規(guī)實(shí)施例相比，操作可靠性更高。與線A所示的常規(guī)實(shí)施例不同的是，因?yàn)樵谝粋€調(diào)壓器中產(chǎn)生大小不同的第一負(fù)載電流Iedl和第二負(fù)載電流Ied2，所以在獲得正常操作之前不需要一定的時(shí)間。也就是說，在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)I的情況下，可以提高操作可靠性并且優(yōu)化功耗。
[0103]接下來，將參考圖8描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例性實(shí)施例的電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)。
[0104]圖8是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例性實(shí)施例的電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)2的概念框圖。
[0105]參考圖8，電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)2包括負(fù)載塊202和調(diào)壓器102。
[0106]負(fù)載塊202可以包括第一負(fù)載塊210、第二負(fù)載塊220和第三負(fù)載塊230，其中，需要第一負(fù)載電流來驅(qū)動第一負(fù)載塊210，需要第二負(fù)載電流來驅(qū)動第二負(fù)載塊220，并且需要第三負(fù)載電流來驅(qū)動第三負(fù)載塊230。在該實(shí)施例中,第二負(fù)載電流可以大于第一負(fù)載電流，并且第三負(fù)載電流可以大于第二負(fù)載電流。也就是說，需要比驅(qū)動第一負(fù)載塊210更大的電流量來驅(qū)動第二負(fù)載塊220，并且需要比驅(qū)動第二負(fù)載塊220更大的電流量來驅(qū)動第三負(fù)載塊230。
[0107]在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中，如圖所示，第一負(fù)載塊210、第二負(fù)載塊220和第三負(fù)載塊230可以相互重疊；然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。在本發(fā)明構(gòu)思的一些其他示例性實(shí)施例中，第一負(fù)載塊210、第二負(fù)載塊220和第三負(fù)載塊230可以不相互重疊。
[0108]調(diào)壓器102可以向負(fù)載塊202提供分別用于驅(qū)動負(fù)載塊202的第一負(fù)載塊210、第二負(fù)載塊220和第三負(fù)載塊230的第一負(fù)載電流、第二負(fù)載電流和第三負(fù)載電流。在該實(shí)施例中，調(diào)壓器102可以包括并聯(lián)地連接在電源端子10與負(fù)載塊202 (或調(diào)壓器202的輸出端子40)之間的第一晶體管20、第二晶體管30和第三晶體管80。
[0109]在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中，第一晶體管20、第二晶體管30和第三晶體管80的各自尺寸可以彼此不同。相應(yīng)的是，第一晶體管20、第二晶體管30和第三晶體管80所產(chǎn)生的電流的大小可以彼此不同。[0110]具體地說，在該示例性實(shí)施例中，第一晶體管20的尺寸可以小于第二晶體管30的尺寸，第二晶體管30的尺寸可以小于第三晶體管80的尺寸。相應(yīng)的是，第一晶體管20所產(chǎn)生的電流的大小可以小于第二晶體管30所產(chǎn)生的電流的大小，而第二晶體管30所產(chǎn)生的電流的大小可以小于第三晶體管80所產(chǎn)生的電流的大小。
[0111]當(dāng)驅(qū)動第一負(fù)載塊210時(shí)，調(diào)壓器102在第一模式(例如，省電模式)下運(yùn)行，在第一模式下，調(diào)壓器102產(chǎn)生用于驅(qū)動第一負(fù)載塊210的第一負(fù)載電流Iedl。調(diào)壓器102向第一負(fù)載塊210提供第一負(fù)載電流Iedl。然后，當(dāng)驅(qū)動第二負(fù)載塊220時(shí)，調(diào)壓器102在第二模式(例如，第一激活模式)下運(yùn)行，在第二模式下，調(diào)壓器102產(chǎn)生用于驅(qū)動第二負(fù)載塊220的第二負(fù)載電流Ied2。調(diào)壓器102向第二負(fù)載塊220提供第二負(fù)載電流Ied2。然后，當(dāng)驅(qū)動第三負(fù)載塊230時(shí)，調(diào)壓器102在第三模式(例如，第二激活模式)下運(yùn)行，在第三模式下，調(diào)壓器102產(chǎn)生用于驅(qū)動第三負(fù)載塊230的第三負(fù)載電流Ied3。調(diào)壓器102向第三負(fù)載塊230提供第三負(fù)載電流Ied3。以在驅(qū)動第三負(fù)載塊230的同時(shí)驅(qū)動第一負(fù)載塊210和第二負(fù)載塊220的示例性實(shí)施例為例來進(jìn)行描述。
[0112]下面，將參考圖9詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖8的調(diào)壓器102。
[0113]圖9是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖8的調(diào)壓器102的電路圖。
[0114]參考圖9，調(diào)壓器102包括第一晶體管20、第二晶體管30、第三晶體管80、反饋網(wǎng)絡(luò)55和放大器60。
[0115]如圖所示，第一晶體管20、第二晶體管30和第三晶體管80可以并聯(lián)地連接在提供電源Vin電壓的電源端子10與輸出負(fù)載電流(未示出)的輸出端子40之間。
[0116]具體地說，第一晶體管20可以具有與電源端子10連接的第一端子、與輸出端子40連接的第二端子以及與放大器60連接的柵極端子。第二晶體管30可以具有與電源端子10連接的第一端子、與輸出端子40連接的第二端子以及與第一開關(guān)65和第二開關(guān)70的每一個的一端連接的柵極端子。同時(shí)，如圖所示，第一開關(guān)65的一端可以與第二晶體管30的柵極端子連接，而第一開關(guān)65的另一端可以與電源端子10連接。第二開關(guān)70的一端可以與第二晶體管30的柵極端子連接，而第二開關(guān)70的另一端可以與放大器60連接。第三晶體管80可以具有與電源端子10連接的第一端子、與輸出端子40連接的第二端子以及與第三開關(guān)85和第四開關(guān)90的每一個的一端連接的柵極端子。在該實(shí)施例中，如圖所示，第三開關(guān)85的一端可以與第三晶體管80的柵極端子連接，而第三開關(guān)85的另一端可以與電源端子10連接。第四開關(guān)90的一端可以與第三晶體管80的柵極端子連接，而第四開關(guān)90的另一端可以與放大器60連接。
[0117]在該示例性實(shí)施例中，第一開關(guān)65、第二開關(guān)70、第三開關(guān)85和第四開關(guān)90中的每一個開關(guān)都可以根據(jù)調(diào)壓器102的模式被接通/斷開。具體地說，在第一模式(例如，省電模式)下，可以接通第一開關(guān)65和第三開關(guān)85，而可以斷開第二開關(guān)70和第四開關(guān)90。在第二模式(例如，第一激活模式)下，可以接通第二開關(guān)70和第三開關(guān)85，而可以斷開第一開關(guān)65和第四開關(guān)90。在第三模式(例如，第二激活模式)下，可以接通第二開關(guān)70和第四開關(guān)90，而可以斷開第一開關(guān)65和第三開關(guān)85。
[0118]根據(jù)這種配置，可以在第一模式、第二模式和第三模式(例如，省電模式、第一激活模式和第二激活模式)下啟用第一晶體管20。可以在第一模式(例如，省電模式)下禁用第二晶體管30，而在第二模式和第三模式(例如，第一激活模式和第二激活模式)下啟用第二晶體管30?？梢栽诘谝荒Ｊ胶偷诙Ｊ?例如,省電模式和第一激活模式)下禁用第三晶體管80，而在第三模式(例如，第二激活模式)下啟用第三晶體管80。下文將描述根據(jù)該示例性實(shí)施例的調(diào)壓器102的具體操作。
[0119]在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中，如圖所示，第一晶體管20、第二晶體管30和第三晶體管80中的所有晶體管可以配置為PMOS晶體管；然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。如圖所示，第一晶體管20、第二晶體管30和第三晶體管80可以被包括在一個調(diào)壓器102中。也就是說，根據(jù)該示例性實(shí)施例的調(diào)壓器102可以包括彼此分開并且具有不同尺寸的第一晶體管20、第二晶體管30和第三晶體管80。
[0120]反饋網(wǎng)絡(luò)55和放大器60可以用于向第一晶體管20、第二晶體管30和第三晶體管80的柵極端子施加輸出端子40的電壓。具體地說，反饋網(wǎng)絡(luò)55的一端可以與輸出端子40連接，而反饋網(wǎng)絡(luò)55的另一端可以與放大器60連接，使得反饋網(wǎng)絡(luò)55用于向放大器60施加輸出端子40的至少一部分電壓。此外，在與參考電壓Vltef比較之后，放大器60可以用于放大反饋網(wǎng)絡(luò)55所提供的電壓。如圖所示，可以基于便攜式電子設(shè)備的操作模式將放大后的電壓提供至第一晶體管20、第二晶體管30和第三晶體管80的柵極端子。
[0121]根據(jù)該示例性實(shí)施例的配置的調(diào)壓器102可以向輸出端子40提供大小不同的第一、第二和第三負(fù)載電流(未示出)。下面，將參考圖10至圖12更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖9的調(diào)壓器102的操作。
[0122]圖10至圖12是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖9的調(diào)壓器102的操作。
[0123]首先，參考圖10，在第一模式(例如，省電模式)下，來自電源Vin的電壓通過反饋網(wǎng)絡(luò)55和放大器60轉(zhuǎn)換和放大并提供至第一晶體管20的柵極端子，因此，啟用第一晶體管
20。同時(shí)，第二開關(guān)70和第四開關(guān)90是斷開的(也就是說，處于斷開位置)，并且來自放大器60的轉(zhuǎn)換和放大后的電壓沒有提供至第二晶體管30和第三晶體管80的柵極端子(參見虛線)。因?yàn)榈谝婚_關(guān)65和第三開關(guān)85是接通的(也就是說，處于閉合位置)并且電源Vin的電壓被分別提供至第二晶體管30和第三晶體管80的柵極端子，所以禁用第二晶體管30和第三晶體管80。也就是說，在第一模式(例如，省電模式)下，啟用第一晶體管20，而禁用第二晶體管30和第三晶體管80。
[0124]相應(yīng)的是,在第一模式下,第一晶體管20產(chǎn)生第一電流Il并且將第一電流Il提供至輸出端子40，但是第二晶體管30和第三晶體管80不會產(chǎn)生電流。因此，在第一模式下，第一電流Il作為第一負(fù)載電流Iedl輸出至輸出端子40。
[0125]接下來，參考圖11，在第二模式(例如，第一激活模式)下，來自電源Vin的電壓通過反饋網(wǎng)絡(luò)55和放大器60轉(zhuǎn)換和放大并提供至第一晶體管20的柵極端子，因此，啟用第一晶體管20。此外，因?yàn)榈诙_關(guān)70是接通的(也就是說，處于閉合位置)并且來自放大器60的轉(zhuǎn)換和放大后的電壓也提供至第二晶體管30的柵極端子，所以啟用第二晶體管30(參見虛線)。然而，因?yàn)榈谒拈_關(guān)90是斷開的(也就是說，處于斷開位置)并且來自放大器60的轉(zhuǎn)換和放大后的電壓沒有提供至第三晶體管80的柵極端子，所以禁用第三晶體管80。
[0126]同時(shí)，第一開關(guān)65是斷開的(也就是說，處于斷開位置)，并且電源Vin的電壓沒有提供至第二晶體管30的柵極端子。然而，第三開關(guān)85是接通的(也就是說，處于閉合位置)，并且電源Vin的電壓提供至第三晶體管80的柵極端子。相應(yīng)的是，在第二模式(例如，第一激活模式)下，啟用第一晶體管20和第二晶體管30，而禁用第三晶體管80。
[0127]相應(yīng)的是,在第二模式下,第一晶體管20產(chǎn)生第一電流Il并且將第一電流Il提供至輸出端子40，而第二晶體管30產(chǎn)生第二電流12并且將第二電流12提供至輸出端子40。然而，在第二模式下，第三晶體管80不會產(chǎn)生電流。因此，在第二模式下，第一電流Il和第二電流12的總和作為第二負(fù)載電流Ied2輸出至輸出端子40。
[0128]在該實(shí)施例中，第一晶體管20的尺寸可以小于第二晶體管30的尺寸。相應(yīng)的是，第一晶體管20所產(chǎn)生的電流的大小可以小于第二晶體管30所產(chǎn)生的電流的大小。
[0129]接下來，參考圖12，在第三模式(例如，第二激活模式)下，來自電源Vin的電壓通過反饋網(wǎng)絡(luò)55和放大器60轉(zhuǎn)換和放大并提供至第一晶體管20的柵極端子，因此，啟用第一晶體管20。此外，因?yàn)榈诙_關(guān)70和第四開關(guān)90是接通的(也就是說，處于閉合位置)并且來自放大器60的轉(zhuǎn)換和放大后的電壓也提供至第二晶體管30和第三晶體管80的柵極端子，所以也啟用第二晶體管30和第三晶體管80 (參見虛線)。同時(shí)，第一開關(guān)65和第三開關(guān)85是斷開的并且電源Vin的電壓沒有提供至第二晶體管30和第三晶體管80的柵極端子。也就是說，在第三模式(例如，第二激活模式)下，第一晶體管20、第二晶體管30和第三晶體管80中的所有晶體管都被啟用。
[0130]相應(yīng)的是,在第三模式下,第一晶體管20產(chǎn)生第一電流Il并且將第一電流Il提供至輸出端子40，第二晶體管30產(chǎn)生第二電流12并且將第二電流12提供至輸出端子40，而第三晶體管80產(chǎn)生第三電流13并且將第三電流13提供至輸出端子40。因此，第一電流
I1、第二電流12和第三電流13的總和作為第三負(fù)載電流Ied3輸出至輸出端子40。
[0131]在該示例性實(shí)施例中，第一晶體管20的尺寸可以小于第二晶體管30的尺寸，而第二晶體管30的尺寸可以小于第三晶體管80的尺寸。相應(yīng)的是，第一晶體管20所產(chǎn)生的電流的大小可以小于第二晶體管30所產(chǎn)生的電流的大小，而第二晶體管30所產(chǎn)生的電流的大小可以小于第三晶體管80所產(chǎn)生的電流的大小。
[0132]在根據(jù)一個單調(diào)壓器102的模式產(chǎn)生大小不同的第一負(fù)載電流Iedl、第二負(fù)載電流Ied2和第三負(fù)載電流Ied3的本示例性實(shí)施例中，可以提高操作可靠性。由于上面已經(jīng)完整闡述了該實(shí)施例的詳細(xì)描述，所以將省略重復(fù)的描述。
[0133]接下來，將參考圖13描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲器芯片。
[0134]圖13是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲器芯片1000的概念框圖。
[0135]參考圖13，存儲器芯片1000包括存儲器單元陣列310、位線(BL)選擇電路320、寫入驅(qū)動器330、讀出放大器電路340、數(shù)據(jù)輸入/輸出(I/O)緩沖電路350、地址解碼器360以及上述調(diào)壓器100。
[0136]存儲器單元陣列310中的每一個存儲器單元都可以包括存儲器元件。具體地說，在該示例性實(shí)施例中，存儲器單元可以包括非易失性存儲器單元。
[0137]雖然沒有詳細(xì)地示出存儲器單元，但是存儲器單元陣列310中的每一個存儲器單元都可以包括存儲器元件和選擇元件。在本發(fā)明構(gòu)思的一些示例性實(shí)施例中，存儲器元件和選擇元件中的每一個元件都可以由晶體管實(shí)現(xiàn)。
[0138]地址解碼器360通過字線WL與存儲器單元陣列310連接。地址解碼器360對從外部輸入的地址信號ADDR解碼，并且向所選擇的字線提供偏壓。此外，地址解碼器360產(chǎn)生用于選擇位線BL的選擇信號Yi并且將選擇信號Yi提供至BL選擇電路320。[0139]BL選擇電路320通過位線BL與存儲器單元陣列310連接。BL選擇電路320在讀取操作和編程操作過程中響應(yīng)于從地址解碼器360提供的選擇信號Yi而選擇存儲器單元陣列310的位線BL。BL選擇電路320可以包括多個NMOS晶體管，并且NMOS晶體管可以使位線BL與數(shù)據(jù)線DL電連接。
[0140]寫入驅(qū)動器330接收來自數(shù)據(jù)I/O緩沖電路350的將要編入存儲器單元陣列310的編程目標(biāo)存儲器單元的數(shù)據(jù)，并且將相應(yīng)的寫入電流(例如，負(fù)載電流)輸出至存儲器單元陣列310的編程目標(biāo)存儲器單元。在該實(shí)施例中，如上文所述，提供至寫入驅(qū)動器330的寫入電流(例如，負(fù)載電流)可以是來自調(diào)壓器100的電流。
[0141]在讀取操作時(shí)，讀出放大器電路340讀取儲存在存儲器單元陣列310的存儲器單元中的數(shù)據(jù)并且將數(shù)據(jù)輸出至數(shù)據(jù)I/o緩沖電路350。此外，在程序校驗(yàn)操作時(shí)，讀出放大器電路340可以讀取儲存在存儲器單元中的數(shù)據(jù)以進(jìn)行程序校驗(yàn)操作?？刂破?70的控制信號可以控制寫入驅(qū)動器330和讀出放大器電路340的操作。
[0142]調(diào)壓器100可以向?qū)懭腧?qū)動器330提供輸出至存儲器單元陣列310的編程目標(biāo)存儲器單元負(fù)載電流。也就是說，如果因?yàn)樵诖鎯ζ鲉卧嚵?10中有許多編程目標(biāo)存儲器單元而需要大量的負(fù)載電流，那么調(diào)壓器100會在第二模式(例如，激活模式)下運(yùn)行，并且向?qū)懭腧?qū)動器330提供大量的負(fù)載電流。如果因?yàn)樵诖鎯ζ鲉卧嚵?10中有較少編程目標(biāo)存儲器單元而需要少量的負(fù)載電流，那么調(diào)壓器100會在第一模式(例如，省電模式)下運(yùn)行，并且向?qū)懭腧?qū)動器330提供少量的負(fù)載電流。在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中，可以由地址信號ADDR決定調(diào)壓器100的第一模式(例如，省電模式)和第二模式(例如，激活模式);然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。下文將描述調(diào)壓器100的具體操作。
[0143]在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中，如圖所示，調(diào)壓器100可以布置在存儲器芯片1000的控制器370中。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，并且與所示的示例性實(shí)施例不同的是，調(diào)壓器100可以配置為與控制器370分開。
[0144]下面，將參考圖14和圖15描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖13的存儲器芯片1000的操作。
[0145]圖14和圖15是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲器芯片1000的操作的電路圖。
[0146]首先，參考圖14，在需要對存儲器單元陣列310的多個存儲器單元之中的N個存儲器單元(N為自然數(shù))進(jìn)行驅(qū)動的實(shí)施例中，調(diào)壓器100可以在第一模式(例如，省電模式)下運(yùn)行。相應(yīng)的是，調(diào)壓器100可以產(chǎn)生用于驅(qū)動N個存儲器單元的第一負(fù)載電流Iedl并且將第一負(fù)載電流Iedl提供至寫入驅(qū)動器330。在該示例性實(shí)施例中，如上文所述，禁用調(diào)壓器100的第二晶體管30而啟用調(diào)壓器100的第一晶體管20，以產(chǎn)生第一電流II。所產(chǎn)生的第一電流Il作為第一負(fù)載電流Iedl提供至寫入驅(qū)動器330。
[0147]接下來，參考圖15，在需要對存儲器單元陣列310的多個存儲器單元之中的M個存儲器單元(M為大于N的自然數(shù))進(jìn)行驅(qū)動的實(shí)施例中，調(diào)壓器100可以在第二模式(例如，激活模式)下運(yùn)行。相應(yīng)的是，調(diào)壓器100可以產(chǎn)生用于驅(qū)動M個存儲器單元的第二負(fù)載電流Ied2并且將第二負(fù)載電流Ied2提供至寫入驅(qū)動器330。在該實(shí)施例中，如上文所述，可以同時(shí)啟用調(diào)壓器100的第一晶體管20和第二晶體管30以產(chǎn)生第二負(fù)載電流Ied2。用于驅(qū)動M個存儲器單元的第二負(fù)載電流Ied2的大小可以大于用于驅(qū)動N個存儲器單元的第一負(fù)載電流Iedl的大小。
[0148]附圖中已經(jīng)示出了調(diào)壓器100，在該調(diào)壓器100中，尺寸不同的第一晶體管20和第二晶體管30并聯(lián)地連接在電源端子10與輸出端子40之間；然而，本發(fā)明構(gòu)思的存儲器芯片1000的配置不限于此。在本發(fā)明構(gòu)思的一些其他實(shí)施例中，存儲器芯片1000可以包括調(diào)壓器102，如上文所述，在該調(diào)壓器102中，尺寸不同的第一晶體管20、第二晶體管30和第三晶體管80并聯(lián)地連接在電源端子10與輸出端子40之間。
[0149]接下來，將參考圖16描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲設(shè)備。將使用固態(tài)盤(SSD)作為存儲設(shè)備的實(shí)例進(jìn)行下面的描述；然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。
[0150]圖16是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲設(shè)備2000的概念框圖。
[0151]參考圖16，存儲設(shè)備2000包括多個存儲器芯片2100和控制器2200。存儲器芯片可以被分成多組，例如，第一組2100al至第η組2100an。每一組存儲器芯片都可以配置為經(jīng)由一條共用信道與控制器2200進(jìn)行通信。例如，存儲器芯片經(jīng)由第一信道CHl至第k信道CHk與控制器2200進(jìn)行通信。
[0152]圖16中已經(jīng)示出了多個存儲器芯片與一條信道連接的情況，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。在本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中，存儲設(shè)備2000可以被修改成一個存儲器芯片與一條信道連接。
[0153]存儲器芯片2100或存儲設(shè)備2000可以安裝成多種封裝類型。例如，存儲器芯片2100或存儲設(shè)備2000可以安裝成諸如以下封裝:封裝件層疊(PoP)、球柵陣列(BGA)、芯片尺寸封裝(CSP)、塑料 引線芯片載體(PLCC)、塑料雙列直插式封裝(PDIP)、華夫組件芯片(Die in Waffle Pack)、華夫形式芯片(Die in Wafer Form)、板上芯片(COB)、陶瓷雙列直插式封裝(CERDIP)、塑料公制四方扁平封裝(MQFP)、薄型四方扁平封裝(TQFP)^jWFB集成電路(S0IC)、收縮型小外形封裝(SS0P)、薄型小尺寸封裝(TS0P)、薄型四方扁平封裝(TQFP)、系統(tǒng)級封裝(SIP)、多芯片封裝(MCP)、晶片級制造封裝(WFP)和/或晶片級處理層疊封裝(WSP)。
[0154]控制器2200可以與主機(jī)和存儲器芯片2100連接。響應(yīng)于來自主機(jī)的請求，控制器2200可以配制成對存儲器芯片2100進(jìn)行存取。例如，控制器2200可以配制成控制存儲器芯片2100的讀取、寫入、擦除和后臺操作?？刂破?200可以配制成提供存儲器芯片2100與主機(jī)之間的接口。在該實(shí)施例中，控制器2200可以配制成驅(qū)動用于控制存儲器芯片2100的固件。
[0155]例如，控制器2200還可以包括已知部件，諸如隨機(jī)存取存儲器(RAM)、處理單元、主機(jī)接口和存儲器接口。RAM用作處理單元的操作存儲器、存儲器芯片2100與主機(jī)之間的高速緩沖存儲器以及存儲器芯片2100與主機(jī)之間的緩沖存儲器中至少一者。處理單元控制控制器2200的所有操作。
[0156]主機(jī)接口包括用于在主機(jī)與控制器2200之間進(jìn)行數(shù)據(jù)交換的協(xié)議。例如，控制器2200配置為通過例如以下各種接口協(xié)議中的至少一種與外部(例如，主機(jī))進(jìn)行通信:通用串行總線(USB)協(xié)議、多媒體卡(MMC)協(xié)議、外設(shè)互連(PCI)協(xié)議、快捷PCI (PC1-E)協(xié)議、高技術(shù)配置(ATA)協(xié)議、串行ATA協(xié)議、并行ATA協(xié)議、小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口(SCSI)協(xié)議、增強(qiáng)小型驅(qū)動接口(ESDI)協(xié)議以及集成驅(qū)動電子設(shè)備(IDE)協(xié)議。存儲器接口與存儲器芯片2100連接。例如，存儲器接口包括NAND接口或NOR接口。[0157]存儲設(shè)備2000的控制器2200可以包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的調(diào)壓器100。下面，將參考圖17和圖18更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖16的存儲設(shè)備2000的操作。
[0158]圖17和圖18是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲設(shè)備2000的操作的框圖。
[0159]首先，參考圖17，在需要對存儲器芯片2100之中的N個存儲器芯片(N為自然數(shù))進(jìn)行驅(qū)動的情況中，調(diào)壓器100可以在第一模式(例如，省電模式)下運(yùn)行。相應(yīng)的是，調(diào)壓器100可以產(chǎn)生用于驅(qū)動N個存儲器芯片的第一負(fù)載電流Iedl并且將第一負(fù)載電流Iedl提供至N個存儲器芯片。在該示例性實(shí)施例中，禁用調(diào)壓器100的第二晶體管30而啟用調(diào)壓器100的第一晶體管20，以產(chǎn)生第一電流II。所產(chǎn)生的第一電流Il作為第一負(fù)載電流Iedl提供至N個存儲器芯片。
[0160]接下來，參考圖18，在需要對存儲器芯片2100之中的M個存儲器芯片(M為大于N的自然數(shù))進(jìn)行驅(qū)動的實(shí)施例中，調(diào)壓器100可以在第二模式(例如，激活模式)下運(yùn)行。相應(yīng)的是，調(diào)壓器100可以產(chǎn)生用于驅(qū)動M個存儲器芯片的第二負(fù)載電流Ied2并且將第二負(fù)載電流Ied2提供至M個存儲器芯片。在該實(shí)施例中，可以同時(shí)啟用調(diào)壓器100的第一晶體管20和第二晶體管30以產(chǎn)生第二負(fù)載電流Ied2。用于驅(qū)動M個存儲器芯片的第二負(fù)載電流Ied2的大小可以大于用于驅(qū)動N個存儲器芯片的第一負(fù)載電流Iedl的大小。
[0161]附圖中已經(jīng)示出了調(diào)壓器100，在該調(diào)壓器100中，尺寸不同的第一晶體管20和第二晶體管30并聯(lián)地連接在電源端子10與輸出端子40之間；然而，本發(fā)明構(gòu)思的存儲設(shè)備2000的配置不限于此。在本發(fā)明構(gòu)思的一些其他實(shí)施例中，存儲設(shè)備2000可以包括調(diào)壓器102，如上文所述，在該調(diào)壓器102中，尺寸不同的第一晶體管20、第二晶體管30和第三晶體管80并聯(lián)地連接在電源端子10與輸出端子40之間。
[0162]接下來，將參考圖19描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲系統(tǒng)。
[0163]圖19是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲系統(tǒng)3000的概念框圖。
[0164]參考圖19，存儲系統(tǒng)3000包括中央處理單元3100、隨機(jī)存取存儲器(RAM) 3200、用戶接口 3300、電源3400以及如上文所述的存儲設(shè)備2000。
[0165]存儲設(shè)備2000可以通過系統(tǒng)總線3500與中央處理單元3100、RAM3200、用戶接口3300和電源3400電連接。通過用戶接口 3300提供的數(shù)據(jù)或經(jīng)由中央處理單元3100處理的數(shù)據(jù)儲存在存儲設(shè)備2000中。
[0166]控制器2200和存儲器芯片2100可以集成在一個半導(dǎo)體器件中?？刂破?200和存儲器芯片2100可以集成在一個半導(dǎo)體器件中以形成存儲卡。例如，控制器2200和存儲器芯片2100可以集成在一個半導(dǎo)體器件中以構(gòu)成諸如以下存儲卡:PC卡(個人計(jì)算機(jī)存儲卡國際協(xié)會(PCMCIA))、微型閃存(CF)卡、智能媒體卡(SM，SMC)、記憶棒、多媒體卡(MMC,RS-MMC, MMCmicro)、SD 卡(SD，miniSD, microSD, SDHC)、通用閃存裝置(UFS)等。
[0167]存儲系統(tǒng)3000可以用作諸如以下電子裝置的各種部件之一:計(jì)算機(jī)、超級移動個人計(jì)算機(jī)(UMPC)、工作站、上網(wǎng)本、個人數(shù)字助理(PDA)、便攜式計(jì)算機(jī)(PC)、網(wǎng)絡(luò)寫字板、無線電話、移動電話、智能電話、電子書、便攜式多媒體播放器(PMP)、便攜式游戲控制臺、導(dǎo)航裝置、黑匣子、數(shù)字照相機(jī)、數(shù)字多媒體廣播(DMB)播放器、數(shù)字音頻記錄器、數(shù)字音頻播放器、數(shù)字圖片記錄器、數(shù)字圖片播放器、數(shù)字視頻記錄器、數(shù)字視頻播放器、用于在無線環(huán)境中傳輸和接收信息的裝置、構(gòu)成家庭網(wǎng)絡(luò)的各種電子裝置之一、構(gòu)成計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的各種電子裝置之一、構(gòu)成遠(yuǎn)程信息處理網(wǎng)絡(luò)的各種電子裝置之一、射頻識別(RFID)裝置以及構(gòu)成計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的各種部件之一，但是本發(fā)明不限于此。
[0168]雖然參考示例性實(shí)施例詳細(xì)示出和描述了本發(fā)明構(gòu)思，但是應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離權(quán)利要求的精神和范圍的情況下可以進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)的變化。
【權(quán)利要求】
1.一種調(diào)壓器,包括: 電源端子，其配置為提供電源電壓； 輸出端子，其配置為輸出負(fù)載電流； 第一晶體管，其連接在所述電源端子與所述輸出端子之間，其中，在第一模式下，通過放大器施加的信號啟用所述第一晶體管以產(chǎn)生第一電流，并且其中，所述第一晶體管將所述第一電流輸出至所述輸出端子；以及 第二晶體管，其連接在所述電源端子與所述輸出端子之間，其中，在第二模式下，通過所述放大器施加的信號啟用所述第二晶體管以產(chǎn)生與所述第一電流不同的第二電流，并且其中，所述第二晶體管將所述第二電流輸出至所述輸出端子， 其中，在所述第二模式下啟用所述第一晶體管，在所述第一模式下禁用所述第二晶體 管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)壓器，其中，所述第一晶體管的尺寸與所述第二晶體管的尺寸不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的調(diào)壓器，其中，所述第二晶體管的尺寸大于所述第一晶體管的尺寸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)壓器，其中，所述第二電流大于所述第一電流。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)壓器，其中，所述第一模式包括省電模式，所述第二模式包括激活模式。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)壓器，還包括連接在所述輸出端子與所述放大器之間的反饋網(wǎng)絡(luò)， 其中，所述第一晶體管和所述第二晶體管并聯(lián)地連接在所述電源端子與所述輸出端子之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)壓器，其中，在所述第一模式下所述負(fù)載電流是所述第一電流，并且在所述第二模式下所述負(fù)載電流是所述第一電流與所述第二電流的總和。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)壓器，還包括連接在所述電源端子與所述輸出端子之間的第三晶體管，其中，在與所述第一模式和所述第二模式不同的第三模式下，通過所述放大器施加的信號啟用所述第三晶體管以產(chǎn)生與所述第一電流和所述第二電流不同的第三電流，并且其中，所述第三晶體管將所述第三電流輸出至所述輸出端子。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的調(diào)壓器，其中，在所述第三模式下啟用所述第一晶體管， 在所述第三模式下啟用所述第二晶體管，并且 在所述第一模式和所述第二模式下禁用所述第三晶體管。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的調(diào)壓器，其中，所述第三晶體管的尺寸大于所述第二晶體管的尺寸，并且 所述第二晶體管的尺寸大于所述第一晶體管的尺寸。
11.一種調(diào)壓器，包括: 電源端子，其配置為提供電源電壓； 輸出端子，其配置為輸出負(fù)載電流； 第一晶體管，其具有與所述電源端子連接的第一端子、與所述輸出端子連接的第二端子和與放大器連接的柵極端子；以及第二晶體管，其具有與所述電源端子連接的第一端子、與所述輸出端子連接的第二端子、以及與第一開關(guān)和第二開關(guān)的每一個的一端連接的柵極端子， 其中，所述第一開關(guān)的另一端與所述電源端子連接，所述第二開關(guān)的另一端與所述放大器連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的調(diào)壓器，其中，在第一模式下接通所述第一開關(guān)，在第二模式下斷開所述第一開關(guān)，并且其中，所述第二模式與所述第一模式不同。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的調(diào)壓器，其中，在所述第一模式下斷開所述第二開關(guān)，在所述第二模式下接通所述第二開關(guān)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的調(diào)壓器，其中，所述第一模式包括省電模式，所述第二模式包括激活模式。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的調(diào)壓器，其中，所述第一晶體管和所述第二晶體管包括PMOS晶體管。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的調(diào)壓器，還包括第三晶體管，其具有與所述電源端子連接的第一端子、與所述輸出端子連接的第二端子和與第三開關(guān)和第四開關(guān)的每一個的一端連接的柵極端子， 其中，所述第三開關(guān)的另一端與所述電源端子連接，所述第四開關(guān)的另一端與所述放大器連接。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的調(diào)壓器，其中，在第一模式下，接通所述第一開關(guān)和所述第三開關(guān)，并斷開所述第二開關(guān)和所述第四開關(guān)， 其中，在與所述第一模式不同的第二模式下，接通所述第二開關(guān)和所述第三開關(guān)，并斷開所述第一開關(guān)和所述第四開 關(guān)，并且 其中，在與所述第一模式和所述第二模式不同的第三模式下，接通所述第二開關(guān)和所述第四開關(guān)，并斷開所述第一開關(guān)和所述第三開關(guān)。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的調(diào)壓器，其中，所述第一晶體管的尺寸與所述第二晶體管的尺寸不同。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的調(diào)壓器，所述第二晶體管的尺寸大于所述第一晶體管的尺寸。
20.一種電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)，包括: 負(fù)載塊，其包括第一負(fù)載塊和第二負(fù)載塊，第一負(fù)載電流用于驅(qū)動所述第一負(fù)載塊，第二負(fù)載電流用于驅(qū)動所述第二負(fù)載塊；以及 調(diào)壓器，其向所述負(fù)載塊提供所述第一負(fù)載電流和所述第二負(fù)載電流， 其中，所述調(diào)壓器包括并聯(lián)地連接在電源端子與所述負(fù)載塊之間的第一晶體管和第二晶體管， 其中，當(dāng)驅(qū)動所述第一負(fù)載塊時(shí)，禁用所述調(diào)壓器的第二晶體管并啟用所述調(diào)壓器的第一晶體管，以產(chǎn)生所述第一負(fù)載電流，并且 其中，當(dāng)驅(qū)動所述第二負(fù)載塊時(shí)，啟用所述調(diào)壓器的第一晶體管和第二晶體管以產(chǎn)生所述第二負(fù)載電流。
【文檔編號】G05F1/56GK103543779SQ201310292448
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年7月12日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月12日
【發(fā)明者】李柱盛, 許棟勛 申請人:三星電子株式會社