專利名稱：恒電流電路、和使用了它的反相器及振蕩電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及恒電流電路。
背景技術(shù)：
在很多電子電路中，使用即便溫度、電源電壓發(fā)生變動也生成恒定的恒電流的恒電流電路。恒電流電路例如可以通過不具有溫度依賴性的生成基準(zhǔn)電壓的基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路(band gap reference circuit)和將基準(zhǔn)電壓轉(zhuǎn)換成電流的電壓電流轉(zhuǎn)換電路來構(gòu)成。例如，非專利文獻(xiàn)1的圖4.50中記載了這樣的結(jié)構(gòu)的恒電流電路。通過該恒電流電路，能夠得到不依賴于溫度的非常穩(wěn)定的恒電流。
另一方面，在鐘表等電池驅(qū)動型的電子設(shè)備中，從電池壽命的觀點考慮，希望能將電路的消耗電流降低到極限。即，根據(jù)使用恒電流電路的應(yīng)用(application)，有時需要盡量減少晶體管等的元件數(shù)量，并且降低電路的消耗電流。在這樣的情況下，一般使用非專利文獻(xiàn)1的圖4.41中所記載的那樣的利用熱電壓的偏置電流源。
非專利文獻(xiàn)1P.R.Gray等著，“用于系統(tǒng)LSI的模擬集成電路設(shè)計技術(shù) 上卷 原著第4版”培風(fēng)館，2003年7月10日，pp356～381發(fā)明內(nèi)容〔發(fā)明所要解決的課題〕但是，使用熱電壓的偏置電流源雖然電路結(jié)構(gòu)簡易、消耗電流較少，但在溫度特性上要劣于上述的基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路。
本發(fā)明是鑒于這樣的課題完成的，其目的之一在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單且溫度特性優(yōu)良的恒電流電路。
〔用于解決課題的手段〕為解決上述課題，本發(fā)明的一個方案的恒電流電路，包括偏置電流源，通過對電流生成用電阻施加與熱電壓成比例的電壓，生成恒電流；溫度補償電路，通過對溫度補償電阻施加相當(dāng)于雙極型晶體管的基-射間電壓的電壓，生成溫度補償電流。該恒電流電路輸出由偏置電流源生成的恒電流與由溫度補償電路生成的溫度補償電流的和。
熱電壓Vt和雙極型晶體管的基-射間電壓Vbe分別具有正和負(fù)的溫度依賴性。因此，通過對由偏置電流源生成的恒電流和由溫度補償電路生成的溫度補償電流乘以預(yù)定系數(shù)并相加，能夠消除熱電壓Vt的溫度依賴性和基-射間電壓Vbe的溫度依賴性，能生成溫度依賴性較小的恒電流。
溫度補償電路可以包括串聯(lián)設(shè)置在由偏置電流源生成的恒電流的路徑上，且基-集間相連接的第1雙極型晶體管和第2雙極型晶體管；與第2雙極型晶體管形成電流鏡電路的第3雙極型晶體管；以及基極與第1雙極型晶體管的基極相連、集電極與第3雙極型晶體管的集電極相連、射極連接溫度補償電阻的第4雙極型晶體管；并且輸出第3雙極型晶體管和第4雙極型晶體管的集電極電流的和。
溫度補償電阻被施加從第1、第2雙極型晶體管的基-射間電壓的和(Vbe1+Vbe2)減去第3雙極型晶體管的基-射間電壓Vbe3后的電壓(Vbe1+Vbe2-Vbe3)?，F(xiàn)在，假定Vbe1＝Vbe2＝Vbe3＝Vbe，則溫度補償電阻成了被施加電壓Vbe，溫度補償電阻和第4雙極型晶體管中流過的電流Ix在設(shè)溫度補償電阻的電阻值為R1時，由Ix＝Vbe/R1給出。另一方面，第3雙極型晶體管中流過由偏置電流源生成的恒電流。根據(jù)該方案，利用第4雙極型晶體管中流過的電流Ix的溫度特性，抵消由偏置電流源生成的恒電流的溫度特性，由此能夠生成溫度依賴性小的恒電流。
溫度補償電路可以包括串聯(lián)設(shè)置在由偏置電流源生成的恒電流的路徑上，且基-集間相連接的第1雙極型晶體管和第2雙極型晶體管；與第2雙極型晶體管形成電流鏡電路的第3雙極型晶體管；基極與第1雙極型晶體管的基極相連，射極連接溫度補償電阻的第4雙極型晶體管；以及基極與第1雙極型晶體管的基極相連、射極與第3雙極型晶體管的集電極相連的第5雙極型晶體管；并且輸出第5雙極型晶體管和第4雙極型晶體管的集電極電流的和。
根據(jù)該方案，通過在上述的溫度補償電路基礎(chǔ)上再設(shè)置第5雙極型晶體管，能夠使第3、第5雙極型晶體管中流過的電流逼近由偏置電流源生成的恒電流。
偏置電流源可以包括基-集間相連接的第6雙極型晶體管；基極與第6雙極型晶體管的基極相連、在射極與固定電位間連接有電流生成用電阻的第7雙極型晶體管；以及連接于第6、第7雙極型晶體管的集電極的電流鏡負(fù)載；并且輸出與流過電流鏡負(fù)載的電流成比例的電流。
由于電流生成用電阻上產(chǎn)生與熱電壓Vt成比例的電壓，所以通過該偏置電流源，生成與熱電壓成比例的電流。
上述恒電流電路可以被一體集成在一個半導(dǎo)體襯底上。另外，所謂“一體集成”，包括電路的所有結(jié)構(gòu)要件都形成在半導(dǎo)體襯底上的情況，以及電路的主要結(jié)構(gòu)要件被一體集成的情況，也可以為調(diào)節(jié)電路常數(shù)而將一部分電阻、電容等設(shè)置在半導(dǎo)體襯底的外部。通過將恒電流電路作為一個LSI進(jìn)行集成，能夠減小電路面積。
本發(fā)明的另一個方案是反相器。反相器包括上述恒電流電路，和以該恒電流電路為負(fù)載的晶體管。
通過該方案，能夠以非常小的電流對晶體管進(jìn)行偏置。
本發(fā)明的再一個方案是振蕩電路。該振蕩電路包括電壓控制水晶振蕩器；與電壓控制水晶振蕩器并聯(lián)設(shè)置的電阻；以及與電壓控制水晶振蕩器并聯(lián)設(shè)置的上述的反相器。
通過該方案，能夠降低電路的消耗電流。
本發(fā)明的又一個方案是電子設(shè)備。該電子設(shè)備具備上述振蕩電路。通過該方案，能夠降低振蕩電路的消耗電流，延長電池的壽命。
另外，將以上結(jié)構(gòu)要件的任意組合、本發(fā)明的結(jié)構(gòu)要件以及表達(dá)方式在方法、裝置、系統(tǒng)等之間相互置換的方案，作為本發(fā)明的實施方式也是有效的。


圖1是表示實施方式的恒電流電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖2是表示由圖1的偏置電流源生成的恒電流Iref以及從恒電流電路輸出的恒電流Iref’的溫度依賴性的圖。
圖3是表示使用了圖1的恒電流電路的反相器的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖4是表示具備圖3的反相器的振蕩電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖5是表示圖1的恒電流電路的變形例的電路圖。
〔標(biāo)號說明〕10恒電流電路、20偏置電流源、30溫度補償電路、40反相器、42晶體管、50振蕩電路、52電壓控制水晶振蕩器、54反相器、C1第1電容、C2第2電容、Rfb反饋電阻、Q1第1雙極型晶體管、Q2第2雙極型晶體管、Q3第3雙極型晶體管、Q4第4雙極型晶體管、Q5第5雙極型晶體管、Q6第6雙極型晶體管、Q7第7雙極型晶體管、Q8第8雙極型晶體管、Q9第9雙極型晶體管、Q10第10雙極型晶體管、R1溫度補償電阻、R2電流生成用電阻。
具體實施例方式
以下，基于優(yōu)選的實施方式，參照

本發(fā)明。對于各附圖中所示的相同或等同的結(jié)構(gòu)要件、部件、處理標(biāo)注相同的標(biāo)號，并適當(dāng)省略重復(fù)的說明。另外，實施方式只是例示，并非限定本發(fā)明，實施方式中所記述的所有特征及其組合，不一定就是本發(fā)明的本質(zhì)特征。
在本說明書中，所謂“部件A與部件B相連接”，既包括部件A與部件B物理地直接連接的情況，也包括部件A與部件B經(jīng)由不對電連接狀態(tài)產(chǎn)生影響的其他部件間接相連接的情況。
以下說明的實施方式的恒電流電路，能夠很好地應(yīng)用于生成亞μA至數(shù)μA程度的微小電流的用途。
圖1是表示實施方式的恒電流電路10的結(jié)構(gòu)的電路圖。實施方式的恒電流電路10包括偏置電流源20、溫度補償電路30。偏置電流源20以熱電壓Vt作為基準(zhǔn)電壓，通過將該基準(zhǔn)電壓施加給電阻來生成微小的恒電流。溫度補償電路30補償由偏置電流源20生成的恒電流Iref的溫度特性。該恒電流電路10被一體集成在一個半導(dǎo)體襯底上地構(gòu)成。
在以下說明中，將表示電阻的標(biāo)號也作為該電阻的電阻值來使用。偏置電流源20包括NPN型的第6雙極型晶體管Q6和第7雙極型晶體管Q7、以及PNP型的第8雙極型晶體管Q8～第10雙極型晶體管Q10。
第6雙極型晶體管Q6基-集間相連接，射極被接地。第7雙極型晶體管Q7的基極與第6雙極型晶體管Q6的基極相連接，在射極和接地間連接電流生成用電阻R2。第8雙極型晶體管Q8、第9雙極型晶體管Q9構(gòu)成電流鏡電路。第8雙極型晶體管Q8、第9雙極型晶體管Q9的基極被共連，射極被施加電源電壓Vcc。第8雙極型晶體管Q8、第9雙極型晶體管Q9的集電極分別與第6雙極型晶體管Q6、第7雙極型晶體管Q7的集電極相連接。即，第8雙極型晶體管Q8、第9雙極型晶體管Q9相對于第6雙極型晶體管Q6、第7雙極型晶體管Q7作為電流鏡負(fù)載而發(fā)揮作用。
第10雙極型晶體管Q10與第8雙極型晶體管Q8、第9雙極型晶體管Q9相并聯(lián)地設(shè)置，將與流過電流鏡負(fù)載的電流成比例的電流Iref作為恒電流輸出。
下面說明這樣構(gòu)成的偏置電流源20的動作。第6雙極型晶體管Q6、第7雙極型晶體管Q7的飽和電流分別與各自的射極面積成比例?，F(xiàn)在，將第6雙極型晶體管Q6、第7雙極型晶體管Q7的飽和電流分別記為Is6、Is7，將流過第8雙極型晶體管Q8、第9雙極型晶體管Q9的電流分別記為Iin、Iout。流過第8雙極型晶體管Q8、第9雙極型晶體管Q9的電流比Iin/Iout，由兩個晶體管的面積比決定。
電流生成用電阻R2上的電壓由下式(1)給出。
Iout×R2＝Vt×ln〔(Iin/Iout)(Is2/Is1)〕…(1)因此，電流生成用電阻R2上被施加與熱電壓Vt成比例的電壓。另外，流過電流生成用電阻R2的電流Iout由下式(2)給出。
Iout＝Vt×ln〔(Iin/Iout)(Is2/Is1)〕/R2…(2)這樣，偏置電流源20通過對電流生成用電阻R2施加與熱電壓Vt成比例的電壓而生成恒電流Iout。恒電流Iout被第10雙極型晶體管Q10復(fù)制，作為恒電流Iref輸出。在本實施方式中，以第8雙極型晶體管Q8～第10雙極型晶體管Q10的晶體管尺寸相等、Iin＝Iout＝Iref成立的情況進(jìn)行說明。此時，由偏置電流源20生成的恒電流Iref可以用下式(3)來表示。
Iref＝Vt×α/R2…(3)這里，α＝ln〔(Iin/Iout)(Is2/Is1)〕。
在此對由偏置電流源20生成的恒電流Iref的溫度依賴性進(jìn)行討論。恒電流Iref的溫度依賴性可以通過以各變量進(jìn)行偏微分而得到，由下式(4)給出。
∂Iref∂T=VtR2·α(1Vt∂Vt∂T-1R2∂R2∂T)---(4)]]>
這里，Vt/T和R2/T都是正的。
溫度補償電路30是為消除上式(4)給出的恒電流Iref的溫度依賴性而設(shè)置的。溫度補償電路30包括第1雙極型晶體管Q1～第4雙極型晶體管Q4、溫度補償電阻R1。
第1雙極型晶體管Q1、第2雙極型晶體管Q2串聯(lián)設(shè)置在由偏置電流源20生成的恒電流Iref的路徑上。第1雙極型晶體管Q1、第2雙極型晶體管Q2分別基-集間相連，第2雙極型晶體管Q2的射極接地。第1雙極型晶體管Q1、第2雙極型晶體管Q2都作為二極管來發(fā)揮作用。
第3雙極型晶體管Q3與第2雙極型晶體管Q2基極共連，形成電流鏡電路。在本實施方式中，以第1雙極型晶體管Q1至第4雙極型晶體管Q4的晶體管尺寸都相等的情況進(jìn)行說明。此時，第3雙極型晶體管Q3的集電極電流等于第2雙極型晶體管Q2的集電極電流、即恒電流Iref。
第4雙極型晶體管Q4的基極與第1雙極型晶體管Q1的基極相連接，集電極與第3雙極型晶體管Q3的集電極相連接。在第4雙極型晶體管Q4的射極與接地間，連接溫度補償電阻R1。該溫度補償電阻R1上的電壓由Vbe1+Vbe2-Vbe4給出。若假定各晶體管的基-射間電壓Vbe1～Vbe4都相等，則溫度補償電阻R1上被施加Vbe的電壓。其結(jié)果，溫度補償電阻R1中流過由Icmp＝Vbe/R1給出的補償電流。該補償電流Icmp與第4雙極型晶體管Q4的集電極電流相等。
在此，考察補償電流Icmp的溫度依賴性。補償電流Icmp的溫度依賴性可以分別以溫度T對雙極型晶體管的基-射間電壓Vbe和電阻進(jìn)行偏微分而得到，由下式(5)給出。
∂Icmp∂T=VbeR1(1Vbe∂Vbe∂T-1R1∂R1∂T)---(5)]]>溫度補償電路30將第3雙極型晶體管Q3和第4雙極型晶體管Q4的集電極電流的和(Iref+Icmp)作為恒電流Iref’輸出。從溫度補償電路30輸出的恒電流Iref’的溫度特性，由以式(4)給出的恒電流Iref的溫度特性和以式(5)給出的補償電流Icmp的溫度特性的和得出?，F(xiàn)在，若假定溫度補償電阻R1、電流生成用電阻R2由多晶硅(polysilicon)形成，則其溫度依賴性R1/T、R2/T與其他項相比較小，所以可以忽略。其結(jié)果，作為從溫度補償電路30輸出的恒電流Iref’的溫度特性，得到下式(6)。
∂Iref′∂T=αR2∂Vt∂T+1R1∂Vbe∂T---(6)]]>為了抑制從恒電流電路10輸出的恒電流Iref’的溫度依賴性，只要進(jìn)行設(shè)計使得上式(6)成為0即可。這里，Vt/T＝k/q(k玻耳茲曼常數(shù)、q電子電荷量)，Vbe/T＝-2mV/℃成立。因此，式(6)的右邊第1項是正的，而右邊第2項取負(fù)值，所以通過適當(dāng)選擇常數(shù)α、R1、R2，能夠使右邊的各個項相等。對于常數(shù)α、電阻值R1、R2，通過進(jìn)行仿真或?qū)嶒炦x擇最佳值即可。
這樣，通過本實施方式的恒電流電路10，以由溫度補償電路30生成的補償電流Icmp的溫度特性消除由偏置電流源20生成的恒電流Iref的溫度特性，從而能夠生成溫度依賴性小的恒電流Iref’。
圖2是表示由圖1的偏置電流源20生成的恒電流Iref和從恒電流電路10輸出的恒電流Iref’的溫度依賴性的圖。另外，圖2的溫度依賴性是實際制造圖1所示的恒電流電路10并測定溫度依賴性后的實測值。如圖2所示，由偏置電流源20生成的恒電流Iref，在以常溫30℃為中心值時，在從-30℃到80℃的范圍內(nèi)以±數(shù)10％的范圍進(jìn)行變動，與此不同，由本實施方式的恒電流電路10生成的恒電流Iref’僅在±10％程度的范圍內(nèi)變動，可知溫度特性得到改善。
圖1的恒電流電路10可以作為對各種電路提供偏置電流的偏置電路來使用。圖3是表示使用了圖1的恒電流電路10的反相器40的結(jié)構(gòu)的電路圖。反相器40包括晶體管42、恒電流電路10。晶體管42是源極接地、輸入信號被輸入到柵極的N溝道MOSFET。圖1的恒電流電路10作為恒電流負(fù)載連接于晶體管42的漏極。在圖3的反相器40中，假定由恒電流電路10生成的恒電流Iref’例如是0.3μA。
通過這樣構(gòu)成的反相器40，以非常小的恒電流進(jìn)行偏置，所以能夠使工作電流變得極小。進(jìn)而，由于由恒電流電路10生成的恒電流Iref’的溫度依賴性較小，所以即使溫度變動，也能作為反相器保持良好的特性。
圖4是表示具備圖3的反相器40的振蕩電路50的結(jié)構(gòu)的電路圖。振蕩電路50包括電壓控制水晶振蕩器52、第1電容C1、第2電容C2、反饋電阻Rfb、反相器40、反相器54。
電壓控制水晶振蕩器52的兩端分別經(jīng)由第1電容C1、第2電容C2接地。反相器40和反饋電阻Rfb與電壓控制水晶振蕩器52并聯(lián)連接。反相器54將反相器40的輸出信號反轉(zhuǎn)輸出。
有的電壓控制水晶振蕩器52存在若反相器40的偏置電流降低就不再振蕩的情況，所以，在由不具備溫度補償電路30的偏置電流源20向晶體管42提供偏置電流的情況下，為了在低溫時也能得到足夠的偏置電流，需要使常溫時的偏置電流的設(shè)定值較高，結(jié)果出現(xiàn)電路的消耗電流變大這樣的問題。
與此不同，根據(jù)上述本實施方式的圖4的振蕩電路50，反相器40被穩(wěn)定地生成溫度依賴性較小的偏置電流。其結(jié)果，能夠?qū)⒊叵碌钠秒娏鞯脑O(shè)定值設(shè)定得較低，能夠降低電路電流，并且能使之在較寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定地振蕩。
當(dāng)將圖4所示的振蕩電路50安裝于例如鐘表等那樣的電池驅(qū)動型的電子設(shè)備中時，通過削減電路電流，能夠延長電池的壽命。進(jìn)而，如圖1所示，由于恒電流電路10的元件數(shù)量較少，所以能使電路規(guī)模較小，對設(shè)備的小型化有利。
上述實施方式是個例示，可以對各結(jié)構(gòu)要件和各處理過程的組合進(jìn)行各種變形，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解這些變形例也處于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
圖5是表示圖1的恒電流電路10的變形例的電路圖。圖5的恒電流電路10是在圖1的恒電流電路10的基礎(chǔ)上再具備第5雙極型晶體管Q5。在圖5中，對與圖1相同的結(jié)構(gòu)要件標(biāo)注相同的標(biāo)號，并省略重復(fù)的說明。
NPN型的第5雙極型晶體管Q5的基極與第1雙極型晶體管Q1的基極相連，射極與第3雙極型晶體管Q3的集電極相連。即，第1雙極型晶體管Q1、第5雙極型晶體管Q5、第2雙極型晶體管Q2、第3雙極型晶體管Q3是共基-共射(cascode)連接的電流鏡電路，第5雙極型晶體管Q5的集電極電流Iref成為與從偏置電流源20輸出的恒電流Iref相等的電流。
圖5的恒電流電路10輸出作為第5雙極型晶體管Q5的集電極電流的恒電流Iref與作為第4雙極型晶體管Q4的集電極電流的補償電流Icmp的和。通過圖5的恒電流電路10，與圖1的恒電流電路10一樣，能夠生成溫度依賴性較小的恒電流Iref’。
另外，在圖1和圖5中，設(shè)置于偏置電流源20的第8雙極型晶體管Q8～第10雙極型晶體管Q10可以用P溝道MOSFET構(gòu)成。另外，也可以通過使第10雙極型晶體管Q10為NPN型，并與第6雙極型晶體管Q6、第7雙極型晶體管Q7進(jìn)行電流鏡連接而輸出恒電流。
溫度補償電路30也不限于圖1、圖5的結(jié)構(gòu)。例如，通過將NPN型和PNP型互換、將接地?fù)Q成電源、將電源換成接地所得到的電路，也能進(jìn)行溫度補償。
基于實施方式對本發(fā)明進(jìn)行了說明，但顯然實施方式僅是表示本發(fā)明的原理、應(yīng)用，在不脫離權(quán)利要求書所規(guī)定的本發(fā)明的思想的范圍內(nèi)，可以對實施方式進(jìn)行很多變形例以及變更配置。
〔工業(yè)可利用性〕本發(fā)明能夠用于半導(dǎo)體裝置。
權(quán)利要求
1.一種恒電流電路，其特征在于包括偏置電流源，通過對電流生成用電阻施加與熱電壓成比例的電壓，生成恒電流，以及溫度補償電路，通過對溫度補償電阻施加相當(dāng)于雙極型晶體管的基-射間電壓的電壓，生成溫度補償電流；并且，輸出由上述偏置電流源生成的恒電流與由上述溫度補償電路生成的溫度補償電流的和。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的恒電流電路，其特征在于上述溫度補償電路包括串聯(lián)設(shè)置在由上述偏置電流源生成的恒電流的路徑上，且基-集間相連接的第1雙極型晶體管和第2雙極型晶體管，與上述第2雙極型晶體管形成電流鏡電路的第3雙極型晶體管，以及基極與上述第1雙極型晶體管的基極相連、集電極與上述第3雙極型晶體管的集電極相連、射極連接溫度補償電阻的第4雙極型晶體管，并且，輸出上述第3雙極型晶體管和上述第4雙極型晶體管的集電極電流的和。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的恒電流電路，其特征在于上述溫度補償電路包括串聯(lián)設(shè)置在由上述偏置電流源生成的恒電流的路徑上，且基-集間相連接的第1雙極型晶體管和第2雙極型晶體管，與上述第2雙極型晶體管形成電流鏡電路的第3雙極型晶體管，基極與上述第1雙極型晶體管的基極相連，射極連接溫度補償電阻的第4雙極型晶體管，以及基極與上述第1雙極型晶體管的基極相連、射極與上述第3雙極型晶體管的集電極相連的第5雙極型晶體管，并且，輸出上述第5雙極型晶體管和上述第4雙極型晶體管的集電極電流的和。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任一項所述的恒電流電路，其特征在于上述偏置電流源包括基-集間相連接的第6雙極型晶體管，基極與上述第6雙極型晶體管的基極相連、在射極與固定電位間連接有電流生成用電阻的第7雙極型晶體管，以及連接于上述第6雙極型晶體管和上述第7雙極型晶體管的集電極的電流鏡負(fù)載，并且，輸出與流過上述電流鏡負(fù)載的電流成比例的電流。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任一項所述的恒電流電路，其特征在于被一體集成在一個半導(dǎo)體襯底上。
6.一種反相器，其特征在于，包括權(quán)利要求1至3的任一項所述的恒電流電路，以及以上述恒電流電路為負(fù)載的晶體管。
7.一種振蕩電路，其特征在于，包括電壓控制水晶振蕩器，與上述電壓控制水晶振蕩器并聯(lián)設(shè)置的反饋電阻，以及與上述電壓控制水晶振蕩器并聯(lián)設(shè)置的權(quán)利要求6所述的反相器。
8.一種電子設(shè)備，其特征在于具有權(quán)利要求7所述的振蕩電路。
全文摘要
本發(fā)明提供一種既抑制電路元件數(shù)量的增加，又改善溫度特性的恒電流電路。偏置電流源(20)通過對電流生成用電阻(R2)施加與熱電壓(Vt)成比例的電壓來生成恒電流(Iref)。第1雙極型晶體管(Q1)、第2雙極型晶體管(Q2)串聯(lián)設(shè)置在由偏置電流源(20)生成的恒電流的路徑上。第3雙極型晶體管(Q3)與第2雙極型晶體管(Q2)形成電流鏡電路。第4雙極型晶體管(Q4)基極與第1雙極型晶體管(Q1)的基極相連，射極連接溫度補償電阻(R1)。恒電流電路(10)輸出第3雙極型晶體管(Q3)和第4雙極型晶體管(Q4)的集電極電流的和。
文檔編號G05F3/08GK101091145SQ20068000151
公開日2007年12月19日 申請日期2006年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月17日
發(fā)明者柴田泰, 唐澤良幸, 橫溝伊知郎 申請人:羅姆股份有限公司