專利名稱：過程控制系統(tǒng)用的動態(tài)目標(biāo)設(shè)定方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般有關(guān)半導(dǎo)體制造，且更特別有關(guān)一種動態(tài)目標(biāo)設(shè)定系統(tǒng)用的方法及設(shè)備，而用于動態(tài)地調(diào)整一過程控制系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
于制造的工業(yè)中的技術(shù)爆發(fā)性進展已經(jīng)導(dǎo)致很多新的及創(chuàng)新的生產(chǎn)過程。今日的生產(chǎn)過程，特別是半導(dǎo)體生產(chǎn)過程，需要大量重要的步驟。這些過程步驟通常系不可缺少的，且因此，需要許多大致上系微調(diào)以維持適當(dāng)?shù)闹圃炜刂频妮斎胙b置。
該半導(dǎo)體裝置的制造需要許多個別的過程步驟，以由原始的半導(dǎo)體材料創(chuàng)造一已封裝的半導(dǎo)體裝置。由該半導(dǎo)體材料的最初增長、該半導(dǎo)體晶體的切片形成個別的晶圓、該生產(chǎn)階段(蝕刻、摻雜、離子植入等等)至該已完成裝置的封裝及最后測試等各種過程系彼此不同且專門化，以致這些過程可能施行在包含不同控制設(shè)計方案的不同制造位置中。
大致言的，越過一群、有時稱為一批半導(dǎo)體晶圓會進行許多處理步驟。譬如，可能由各種不同材料構(gòu)成的處理層可形成橫越一半導(dǎo)體晶圓。此后，可使用現(xiàn)有的微影蝕刻技術(shù)形成圖案化光阻劑而橫越該處理層。然后進行蝕刻過程典型系使用該光阻蝕刻劑的圖案層當(dāng)作光罩以橫越該處理層。該蝕刻過程導(dǎo)致各種部件或目標(biāo)形成于該處理層中。此部件可用作譬如一晶體管用的閘電極結(jié)構(gòu)。常常，溝道絕緣結(jié)構(gòu)亦形成于橫越該半導(dǎo)體晶圓的基板，以橫越半導(dǎo)體晶圓而絕緣電性區(qū)域。用于絕緣結(jié)構(gòu)的范例系一種淺溝道絕緣(Shallow TrenchIsolation，下文簡稱STI)結(jié)構(gòu)。
在半導(dǎo)體制造設(shè)備內(nèi)的制造工具典型與一制造框架或處理模塊網(wǎng)絡(luò)相通。每一制造工具大致上系連接至配件接口。該配件接口系連接至一機器接口，制造網(wǎng)絡(luò)系連接至該機器接口，藉此有助于該制造工具與該制造框架間的相通。該機器接口大致上能夠系進階過程控制(Advanced Process Control，下文簡稱APC)系統(tǒng)的一部份。該APC系統(tǒng)始于一控制腳本，該控制腳本可為自動地取得所需數(shù)據(jù)以執(zhí)行生產(chǎn)過程的軟件程序。
第1圖說明典型的半導(dǎo)體晶圓105。該半導(dǎo)體晶圓105典型包含以柵150列置的多個個別的半導(dǎo)體芯片103。使用現(xiàn)有微影蝕刻過程及設(shè)備，光阻的圖案層可形成橫越一或多個欲圖案化的處理層。當(dāng)作該微影蝕刻過程的一部份，典型曝光過程系借著步進器在大約一至四塊芯片103位置上同時施行，依所使用的特定光罩而定。該已圖案化的光阻層能于材料底層或各層上施以濕式或干式蝕刻過程期間作為一光罩，該材料層例如一層多晶硅、金屬或絕緣材料，以將想要的圖案轉(zhuǎn)印至該底層。光阻劑的圖案層系包含多個部件，例如在下面處理層上復(fù)制的線型部件或開口型部件。
處理工具的最佳狀態(tài)(工具最佳狀態(tài))可能于借著該處理工具所施行的晶圓處理期間有不同變化。該工具最佳狀態(tài)可能與該處理工具在一預(yù)定規(guī)格內(nèi)操作得如何令人滿意的評價有關(guān)，該預(yù)定規(guī)格可包含諸如工具環(huán)境特性(例如工具溫度、濕度、及類似特性)及借著該處理工具所施行過程的品質(zhì)及準(zhǔn)確度的規(guī)格。該工具最佳狀態(tài)中的各種變化可能發(fā)生及對半導(dǎo)體晶圓105的品質(zhì)具不利地影響。該工具最佳狀態(tài)中的各種變化可造成處理工具于其操作中惡化。由吾人大致上修改控制該處理工具操作的控制模塊，以補償該處理工具于其操作中的惡化。最后，該控制模塊可能變得過度修改，且其結(jié)果是該處理工具的操作可變得不可預(yù)測及/或靠不住。換句話說，該過程操作可由一預(yù)定范圍的值任意改變。此將導(dǎo)致所處理的半導(dǎo)體晶圓105不一致的品質(zhì)及準(zhǔn)確度。
現(xiàn)在翻至第2圖，其說明借著半導(dǎo)體制造系統(tǒng)在一半導(dǎo)體晶圓105上所施行的典型過程流程圖。大致上，半導(dǎo)體晶圓105系借著一制造系統(tǒng)(方塊210)所處理。于處理該半導(dǎo)體晶圓105時，該制造系統(tǒng)可作成一項決定，以決定是否已經(jīng)發(fā)生(方塊220)既定安排的時間以取得制造數(shù)據(jù)，諸如度量衡數(shù)據(jù)、工具狀態(tài)數(shù)據(jù)、及類似數(shù)據(jù)，或一造成制造數(shù)據(jù)的取得的觸發(fā)事件(例如工具故障等等)。當(dāng)該系統(tǒng)決定取得制造數(shù)據(jù)的既定安排時間或觸發(fā)事件沒有發(fā)生時，該制造系統(tǒng)持續(xù)處理半導(dǎo)體晶圓105。
當(dāng)該制造系統(tǒng)決定取得制造數(shù)據(jù)的觸發(fā)事件或既定安排時間發(fā)生后，進行制造相關(guān)數(shù)據(jù)的取得(方塊230)。此可包含取得有關(guān)所處理的半導(dǎo)體晶圓105的度量衡數(shù)據(jù)及/或取得工具狀態(tài)數(shù)據(jù)(例如壓力數(shù)據(jù)、溫度數(shù)據(jù)、濕度數(shù)據(jù)、氣體流速數(shù)據(jù)、及類似數(shù)據(jù))。然后該制造系統(tǒng)可施行對所取得的制造相關(guān)數(shù)據(jù)作一分析，以檢查是否有過程錯誤、在所處理的半導(dǎo)體晶圓105上的瑕疵、及類似錯誤(方塊240)。對該制造相關(guān)數(shù)據(jù)的分析作出響應(yīng)，該制造系統(tǒng)可對隨后的過程操作施行調(diào)整(方塊250)。隨后，該制造系統(tǒng)可使用該修改后的控制模塊繼續(xù)處理半導(dǎo)體晶圓105(方塊260)。另一選擇是該制造系統(tǒng)可基于該制造相關(guān)數(shù)據(jù)的分析而停止處理半導(dǎo)體晶圓105。
在與現(xiàn)行方法各相關(guān)問題之間，其包含必須等待施行大量的分析及/或計算，以調(diào)整在該半導(dǎo)體晶圓105上所施行的過程操作。該等必須等待施行的分析及/或計算可能變慢隨后的過程操作執(zhí)行調(diào)整的速率。譬如，不能有效率地處理大量制造相關(guān)數(shù)據(jù)以施行類神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)式(Run-to-Run)控制，因為一些計算可能需要深入分析及太遲而未能應(yīng)用于施行某些型式的反饋或前饋調(diào)整。此外，施行晶圓間的調(diào)整可能是困難的，因為在晶圓間的基礎(chǔ)上不能利用某些制造數(shù)據(jù)的分析。
再者，現(xiàn)行方法涉及在取得制造相關(guān)數(shù)據(jù)之前等候一既定安排時間，諸如處理完成一定量的半導(dǎo)體晶圓105?，F(xiàn)行方法會要求在取得制造相關(guān)數(shù)據(jù)之前等候觸發(fā)事件，諸如于處理期間的大變動事件，或借著操作員手動地施行干涉。大致上系基于對規(guī)劃時距及/或觸發(fā)事件做出響應(yīng)所取得的數(shù)據(jù)作生產(chǎn)過程調(diào)整。因此，可使用非現(xiàn)行制造數(shù)據(jù)處理可觀數(shù)量的半導(dǎo)體晶圓105。這可在所處理的半導(dǎo)體晶圓105上造成錯誤，此錯誤可用其它方式避免。
本發(fā)明系針對克服、或至少減少上面所提出一或多個問題的效應(yīng)。

發(fā)明內(nèi)容
于本發(fā)明的一論點中，提供一種用于施行過程控制系統(tǒng)的動態(tài)目標(biāo)設(shè)定調(diào)整的方法。該方法包含于一批工件中的第一工件上基于一過程目標(biāo)設(shè)定施行一過程步驟。該過程目標(biāo)設(shè)定包含與該第一工件的目標(biāo)特性有關(guān)的至少一參數(shù)。該方法尚包含取得與該第一工件的處理有關(guān)的制造數(shù)據(jù)。該制造數(shù)據(jù)包含一有關(guān)該已處理第一工件的度量衡數(shù)據(jù)的至少一數(shù)據(jù)及有關(guān)處理工具的工具狀態(tài)的工具狀態(tài)數(shù)據(jù)。該方法尚包含基于該電子數(shù)據(jù)及該制造數(shù)據(jù)的相互關(guān)系在處理該批次中的第二工件期間至少局部取得有關(guān)該已處理第一工件的電子數(shù)據(jù)及動態(tài)地調(diào)整該過程目標(biāo)設(shè)定。
于本發(fā)明的另一論點中，一方法系提供用于動態(tài)地調(diào)整半導(dǎo)體晶圓的處理，該方法包含基于有關(guān)半導(dǎo)體晶圓的產(chǎn)量、品質(zhì)、及性能的至少一種的過程目標(biāo)設(shè)定處理半導(dǎo)體晶圓；取得有關(guān)該已處理半導(dǎo)體晶圓基于既定時距及觸發(fā)事件的至少一種的度量衡數(shù)據(jù)；及于該批處理期間以大約實時的方式取得有關(guān)該已處理半導(dǎo)體晶圓的電子數(shù)據(jù)。用于動態(tài)地調(diào)整半導(dǎo)體晶圓的處理的方法尚包含基于該電子數(shù)據(jù)及該度量衡數(shù)據(jù)的分析動態(tài)地調(diào)整該過程目標(biāo)設(shè)定。用于動態(tài)地調(diào)整一目標(biāo)設(shè)定系統(tǒng)而用于處理半導(dǎo)體晶圓的方法包含基于一由該目標(biāo)設(shè)定系統(tǒng)所提供的過程目標(biāo)處理一半導(dǎo)體晶圓，取得有關(guān)該已處理半導(dǎo)體晶圓的制造數(shù)據(jù)，該制造數(shù)據(jù)包含有關(guān)該已處理工件的度量衡數(shù)據(jù)及有關(guān)處理工具的工具狀態(tài)的工具狀態(tài)數(shù)據(jù)的至少一種；及于該批次的處理期間取得有關(guān)該已處理半導(dǎo)體晶圓的電子數(shù)據(jù)。提供用于動態(tài)地調(diào)整處理半導(dǎo)體晶圓用的目標(biāo)設(shè)定系統(tǒng)的方法尚包含基于該制造數(shù)據(jù)及該電子數(shù)據(jù)動態(tài)地調(diào)整該目標(biāo)設(shè)定系統(tǒng)。
于本發(fā)明的另一論點中，提供一用于過程控制用的動態(tài)目標(biāo)設(shè)定的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包含處理工具及運轉(zhuǎn)地耦合至該處理工具的過程控制器。該處理工具處理一工件及該過程控制器施行一動態(tài)目標(biāo)設(shè)定分析，用于目標(biāo)設(shè)定一或多個有關(guān)處理該工件的參數(shù)。該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定分析包含基于一有關(guān)該已處理工件的電子數(shù)據(jù)及有關(guān)該已處理工件的度量衡數(shù)據(jù)的分析動態(tài)地調(diào)整有關(guān)一或多個參數(shù)的過程目標(biāo)設(shè)定。
于本發(fā)明的又另一論點中，一以各種指令編碼的計算機可讀取程序儲存裝置系提供用于施行一過程控制系統(tǒng)的動態(tài)目標(biāo)設(shè)定調(diào)整。當(dāng)由計算機執(zhí)行時，一以各種指令編碼的計算機可讀取程序儲存裝置施行一種方法，該方法包含于一批工件中的第一工件上基于一過程目標(biāo)設(shè)定施行一過程步驟，該過程目標(biāo)設(shè)定包含與該已處理工件的一目標(biāo)特性有關(guān)的至少一參數(shù)，并取得與該工件的處理有關(guān)的制造數(shù)據(jù)，該制造數(shù)據(jù)包含有關(guān)該已處理第一工件的度量衡數(shù)據(jù)及有關(guān)一處理工具的工具狀態(tài)的工具狀態(tài)數(shù)據(jù)的至少一數(shù)據(jù)。當(dāng)計算機執(zhí)行時，以各種指令編碼的計算機可讀取程序儲存裝置尚施行一種方法，該方法于處理批量工件中的第二工件期間提供至少局部取得有關(guān)該已處理第一工件的電子數(shù)據(jù)及基于該電子數(shù)據(jù)與該制造數(shù)據(jù)的相互關(guān)系動態(tài)地調(diào)整該過程目標(biāo)設(shè)定。


第1圖系一欲處理的先前技藝半導(dǎo)體晶圓的簡化概要圖；第2圖說明一先前技藝生產(chǎn)過程于半導(dǎo)體晶圓的制造期間的簡化流程圖描述；第3圖提供一方塊圖，其代表按照本發(fā)明的一說明性具體實施例的系統(tǒng)；第4圖說明本發(fā)明的一說明性具體實施例說明一更詳細(xì)的方塊圖，其代表第3圖的一工具狀態(tài)數(shù)據(jù)傳感器單元；第5圖說明本發(fā)明的一說明性具體實施例說明一更詳細(xì)的方塊圖，其代表第3圖的一電子測試單元；第6圖說明本發(fā)明的一說明性具體實施例說明一更詳細(xì)的方塊圖，其代表第3圖的一動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元；第7圖說明本發(fā)明的一說明性具體實施例說明一方塊圖，其系有關(guān)施行一動態(tài)目標(biāo)設(shè)定控制過程的數(shù)據(jù)流程圖；第8圖說明本發(fā)明的一說明性具體實施例說明一更詳細(xì)的方塊圖，其代表第3圖中所示的系統(tǒng)；第9圖說明本發(fā)明的一說明性具體實施例說明一方法的流程圖描述；及第10圖說明本發(fā)明的一說明性具體實施例說明一施行如第9圖所指示動態(tài)目標(biāo)設(shè)定過程的方法的更詳細(xì)流程圖描述。
具體實施例方式
雖然本發(fā)明系可容許各種修改及另一種選擇形式，其特定的具體實施例業(yè)已借著各圖面中的范例顯示及系已在此詳細(xì)敘述。然而應(yīng)了解的是在此對該特定具體實施例的敘述沒有意欲將本發(fā)明限制至所揭示的特別形式，但相反地，本發(fā)明想要涵蓋所有落在本發(fā)明的精神及范圍內(nèi)的修正、同等項、及另外的選擇，如由所附申請專利所界定者。
在下面敘述本發(fā)明的說明性具體實施例。為了明確的故，并非敘述在該規(guī)格中的一實際器具的所有部件。當(dāng)然應(yīng)了解任何此種實際具體實施例的發(fā)展中，必須作成極多器具-特別決定以達成該開發(fā)者的特定目標(biāo)，諸如順應(yīng)于與系統(tǒng)有關(guān)及商業(yè)有關(guān)的限制，這將由一器具變化至另一器具。再者，雖然如此，應(yīng)了解此一發(fā)展努力可為復(fù)雜及費時的，但對于那些普通熟諳此具有所揭示內(nèi)容利益的技藝者將系一例行任務(wù)。
有很多涉及半導(dǎo)體制造的個別過程。常常，工件(例如半導(dǎo)體晶圓105、半導(dǎo)體裝置等)系經(jīng)過多個生產(chǎn)過程工具進步實施。本發(fā)明的具體實施例用于一監(jiān)督系統(tǒng)，以取得除了制造數(shù)據(jù)以外于既定時距期間或?qū)τ|發(fā)事件作出響應(yīng)所取得的制造相關(guān)數(shù)據(jù)。在此所揭示的具體實施例提供用于一動態(tài)目標(biāo)設(shè)定系統(tǒng)該系統(tǒng)能夠施行一持久型式的監(jiān)督控制，以不斷地/動態(tài)地調(diào)整在半導(dǎo)體晶圓105所執(zhí)行的過程操作。除了取得度量衡數(shù)據(jù)及/或工具狀態(tài)數(shù)據(jù)以外，可在一連續(xù)不斷的基礎(chǔ)下取得電性測試數(shù)據(jù)及與該度量衡及/或工具狀態(tài)數(shù)據(jù)合并。因此，對該過程操作所作的修正可使用該電性測試數(shù)據(jù)隨同其它制造相關(guān)數(shù)據(jù)的分析動態(tài)地施行，以便調(diào)整控制操作。
一動態(tài)目標(biāo)設(shè)定系統(tǒng)可瞄準(zhǔn)有關(guān)欲動態(tài)地調(diào)整的已處理半導(dǎo)體晶圓105的一或多個處理規(guī)格(例如一沉積在半導(dǎo)體晶圓105上的薄膜厚度、半導(dǎo)體晶圓105上所形成結(jié)構(gòu)的一臨界尺寸、諸如閘結(jié)構(gòu)及類似結(jié)構(gòu))。由本發(fā)明的一些具體實施例所提供的動態(tài)目標(biāo)設(shè)定系統(tǒng)提供用于對過程操作施行連續(xù)的目標(biāo)設(shè)定調(diào)整，而不須等候既定時間間隔或觸發(fā)事件。于此具體實施例中，在該制造相關(guān)數(shù)據(jù)上所施行的深入分析及計算可不斷地進給至一動態(tài)目標(biāo)設(shè)定系統(tǒng)，而不須等候處理完成某一數(shù)量。當(dāng)在該制造相關(guān)數(shù)據(jù)上的一顯著數(shù)量的計算及/或分析系已施行時，過程操作可繼續(xù)，而該過程操作可動態(tài)地調(diào)整。
現(xiàn)在翻至第3圖，其說明一按照本發(fā)明具體實施例的系統(tǒng)300。該系統(tǒng)300中的一過程控制器310系能夠控制有關(guān)一處理工具810的各種操作。該系統(tǒng)300系能夠取得制造相關(guān)數(shù)據(jù)，諸如有關(guān)所處理半導(dǎo)體晶圓105的度量衡數(shù)據(jù)、工具狀態(tài)數(shù)據(jù)、及類似數(shù)據(jù)等。該系統(tǒng)300亦可包含一度量衡工具850，以取得有關(guān)該已處理半導(dǎo)體晶圓105的度量衡數(shù)據(jù)。由該處理工具810所施行的操作可大致上系借著一過程控制模塊360所控制。該過程控制模塊360可界定各種控制參數(shù)及施行其它管理該處理工具810的操作的控制功能。
該系統(tǒng)300亦可包含一數(shù)據(jù)庫單元340。該數(shù)據(jù)庫單元340系用于儲存多個數(shù)據(jù)的型式，諸如制造相關(guān)數(shù)據(jù)、有關(guān)該系統(tǒng)300的操作的數(shù)據(jù)(例如該處理工具810的狀態(tài)、半導(dǎo)體晶圓105的狀態(tài)等等)。該數(shù)據(jù)庫單元340可儲存有關(guān)借著該處理工具810所施行的多個過程運轉(zhuǎn)的工具狀態(tài)數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)庫單元340可包含一數(shù)據(jù)庫服務(wù)器342，用于將有關(guān)處理半導(dǎo)體晶圓105的工具狀態(tài)數(shù)據(jù)及/或其它制造數(shù)據(jù)儲存進入一數(shù)據(jù)庫儲存單元345。
該系統(tǒng)300亦可包含一用于取得工具狀態(tài)數(shù)據(jù)的工具狀態(tài)數(shù)據(jù)傳感器單元320。該工具狀態(tài)數(shù)據(jù)可包含壓力數(shù)據(jù)、溫度數(shù)據(jù)、濕度數(shù)據(jù)、氣流數(shù)據(jù)、各種電子數(shù)據(jù)、及類似數(shù)據(jù)等。用于一蝕刻工具的示范性工具狀態(tài)數(shù)據(jù)可包含氣流、室壓、室溫、電壓、反射功率、背面氦氣壓力、射頻調(diào)諧控制參數(shù)等等。該工具狀態(tài)數(shù)據(jù)亦可包含該處理工具810的外部數(shù)據(jù)，諸如周圍的溫度、濕度、壓力等等。該工具狀態(tài)數(shù)據(jù)傳感器單元320的一更詳細(xì)說明及敘述系提供于第4圖及以下所附敘述中。
該系統(tǒng)300包含一動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350，用以基于動態(tài)地目標(biāo)設(shè)定一或多個過程或過程規(guī)格的結(jié)果施行動態(tài)調(diào)整。動態(tài)目標(biāo)設(shè)定可包括不斷地調(diào)整有關(guān)所處理半導(dǎo)體晶圓105的目標(biāo)規(guī)格或特性，諸如形成在該半導(dǎo)體晶圓105上的各部件的目標(biāo)臨界尺寸、沉積在半導(dǎo)體晶圓105上的一特定層的目標(biāo)薄膜厚度等。該目標(biāo)特性亦可包含該已處理半導(dǎo)體晶圓105及/或由該已處理半導(dǎo)體晶圓105所制成裝置的產(chǎn)量、品質(zhì)、及/或性能。該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350系能夠分析來自該度量衡工具850的數(shù)據(jù)、由該工具狀態(tài)數(shù)據(jù)傳感器單元320所取得的數(shù)據(jù)、及/或借著該電測試單元330所取得的數(shù)據(jù)。再者，該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350系能夠在一實時基礎(chǔ)上合并/使產(chǎn)生因果關(guān)系及施行數(shù)據(jù)的分析。于一具體實施例中，在一實時基礎(chǔ)上施行分析包含施行有關(guān)于一批次/批量中的一或多塊已處理半導(dǎo)體晶圓105上的數(shù)據(jù)分析，同時正處理該批量中的其它半導(dǎo)體晶圓105。
該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350可對施行在該半導(dǎo)體晶圓105上的過程操作施行經(jīng)常不斷的調(diào)整，而不須等候于半導(dǎo)體晶圓105的處理期間的既定時距及/或觸發(fā)事件。于一具體實施例中，該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350控制調(diào)整該過程控制模塊360(例如反饋及/或前饋調(diào)整)，以控制施行在半導(dǎo)體晶圓105上的過程操作。該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350的一更詳細(xì)說明及敘述系提供于第6圖及以下所附的敘述中。
該過程控制器310、該過程控制模塊360、及/或該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350可為軟件、硬件、或韌體單元，它們系獨立的單元或可為整合入一與該系統(tǒng)300有關(guān)的計算機系統(tǒng)。再者，借著第3圖中所示各方塊所代表的各種零組件可經(jīng)由一系統(tǒng)通信線路315彼此相通。該系統(tǒng)通信線路315可能系一計算機總線連結(jié)線、一專用的硬件通信連結(jié)線、一電話系統(tǒng)通信連結(jié)線、一無線通信連結(jié)線、或其它通信連結(jié)線，而可為那些熟諳此具有本揭示內(nèi)容利益的技藝者所提供的工具。
現(xiàn)在翻至第4圖，其系第3圖所說明工具狀態(tài)數(shù)據(jù)傳感器單元320的一更詳細(xì)方塊圖描述。該工具狀態(tài)數(shù)據(jù)傳感器單元320可包含任何各種不同型式的傳感器，例如一壓力傳感器410、一溫度傳感器420、一濕度傳感器430、一氣體流速傳感器440、及一電傳感器450等等。該壓力傳感器410系能夠偵測出該處理工具810內(nèi)的壓力。該溫度傳感器420系能夠感測出該處理工具810的各種部份的溫度。該濕度傳感器430系能夠偵測出該處理工具810中各種部份、或其周圍環(huán)繞狀況的相對濕度。該氣體流速傳感器440可包含能夠偵測出半導(dǎo)體晶圓105的處理期間所利用的多個過程氣體的流速的多個流速傳感器。譬如，該氣體流速傳感器440可包含能偵測出氣體流速的傳感器，諸如NH3、SiH4、N2、N2O、及/或其它過程氣體。
于一具體實施例中，該電傳感器450系能夠偵測出多個電性參數(shù)，諸如提供至一用于微影蝕刻過程中的燈泡的電流。該工具狀態(tài)數(shù)據(jù)傳感器單元320亦可包含其它能夠偵測出熟諳此具有本揭示內(nèi)容利益的技藝者所已知的各種制造變量的傳感器。該工具狀態(tài)數(shù)據(jù)傳感器單元320亦可包含一工具狀態(tài)傳感器數(shù)據(jù)界面460。該工具狀態(tài)傳感器數(shù)據(jù)界面460可由各種傳感器接收傳感器數(shù)據(jù)及傳送該數(shù)據(jù)至該過程控制器310，該各種傳感器包含在該處理工具810及/或工具狀態(tài)數(shù)據(jù)傳感器單元320內(nèi)或與其有關(guān)。
現(xiàn)在翻至第5圖，其系該電測試單元330的更詳細(xì)方塊圖說明。該電測試單元330可包含一電測試控制器510，其可由該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350接收數(shù)據(jù)用于選擇一欲施行在所選擇半導(dǎo)體晶圓105上的特別型式的電性測試。譬如，該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350可決定沉積在半導(dǎo)體晶圓105上的某一薄膜的特定厚度系一欲監(jiān)視的主要參數(shù)。于另一選擇具體實施例中，該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350可決定有關(guān)形成在該半導(dǎo)體晶圓105上的閘結(jié)構(gòu)的臨界尺寸參數(shù)對于監(jiān)視及分析可為極重要。目標(biāo)設(shè)定這些該參數(shù)的結(jié)果是可借著該電測試單元330施行很多電性測試。
基于來自該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350的數(shù)據(jù)，該電測試控制器510可決定作動何種型式的傳感器，用于施行該電性測試。譬如，該電測試控制器510可運用該電壓電平傳感器520、或該電流傳感器530、或一電阻系數(shù)傳感器540。這些傳感器520，530，540可整合形成單一電測試單元330，或可為與該電測試單元330操作地連結(jié)的獨立單元。假如該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350決定該半導(dǎo)體晶圓105的一特定層的厚度系為極重要，可運用該電阻系數(shù)傳感器540，因為電阻系數(shù)測量大致上系受導(dǎo)電薄膜的薄膜厚度所影響。如同另一范例，假如該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350決定一形成在該半導(dǎo)體晶圓105上的閘結(jié)構(gòu)的特別臨界尺寸系為極重要，可運用該電流傳感器530，因為在該半導(dǎo)體晶圓105上所測量的一激勵電流可能與該半導(dǎo)體晶圓105上的一特別臨界尺寸有關(guān)。由這些傳感器520，530，540所取得的數(shù)據(jù)可經(jīng)由該電性傳感器數(shù)據(jù)接口550送至該系統(tǒng)300的各種零組件，這提供一用于使數(shù)據(jù)由這些傳感器520，530，540傳送至該系統(tǒng)300的各種其它零組件的路徑。
現(xiàn)在翻至第6圖，其說明該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350的一方塊圖描述。該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350可包含一監(jiān)督單元610、一電測試選擇單元620、一持續(xù)計算單元630、及一持續(xù)過程控制模塊調(diào)整單元640。該監(jiān)督單元610施行一動態(tài)監(jiān)督功能，其包含監(jiān)視由該系統(tǒng)300所施行的過程操作及調(diào)整影響該過程操作的控制參數(shù)。該監(jiān)督單元610可基于該度量衡數(shù)據(jù)、該工具狀態(tài)數(shù)據(jù)、及某種電性測試數(shù)據(jù)，并隨同密切地監(jiān)視來自該系統(tǒng)300的其它零組件的輸入(例如來自一操作員的輸入，指示欲測試何種參數(shù)，諸如厚度、臨界尺寸等等的輸入)選擇特定的動態(tài)目標(biāo)設(shè)定功能。該監(jiān)督單元610可決定有關(guān)該半導(dǎo)體晶圓105的特別感興趣的區(qū)域用于監(jiān)視、分析、及/或施行調(diào)整。譬如，該監(jiān)督單元610可決定在該半導(dǎo)體晶圓105上的特別結(jié)構(gòu)的厚度或臨界尺寸將系優(yōu)先給定用于監(jiān)視及分析?；谟稍摫O(jiān)督單元610有關(guān)某些參數(shù)、諸如厚度及/或臨界尺寸的重要性所作成的特別決定，該電測試選擇單元620提供數(shù)據(jù)至該電測試單元330，該數(shù)據(jù)有關(guān)欲施行在該半導(dǎo)體晶圓105上的電性測試的型式。
該持續(xù)的計算單元630將會在借著該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350所接收的數(shù)據(jù)上連續(xù)地施行合并、使其有相互關(guān)系、及/或分析功能。基于由該持續(xù)計算單元630所施行的計算，該持續(xù)過程控制模塊調(diào)整單元640可提供數(shù)據(jù)至該過程控制模塊360，指示可對在該半導(dǎo)體晶圓105上施行的過程操作履行的調(diào)整。該持續(xù)過程控制模塊調(diào)整單元640可產(chǎn)生瞄準(zhǔn)用于施行某些過程的最佳可能架構(gòu)；用于最佳化現(xiàn)存過程的最好架構(gòu)；及類似架構(gòu)等的數(shù)據(jù)。然后來自該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350的數(shù)據(jù)系用于動態(tài)地調(diào)整在該半導(dǎo)體晶圓105上所施行的處理操作。
現(xiàn)在翻至第7圖，其說明一流程圖，并描述有關(guān)該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350的數(shù)據(jù)流。度量衡數(shù)據(jù)、工具狀態(tài)數(shù)據(jù)、及/或電性測試數(shù)據(jù)系提供至該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350?；谏厦嫠峁⑹?，該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350可產(chǎn)生與欲對該半導(dǎo)體晶圓105上所施行的過程進行動態(tài)調(diào)整有關(guān)的數(shù)據(jù)。此所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)系借著該過程控制模塊360所接收，然后該過程控制模塊可履行過程控制調(diào)整。該過程控制模塊360提供過程控制數(shù)據(jù)至該處理工具810。該過程控制數(shù)據(jù)系由該處理工具810所使用，以基于動態(tài)目標(biāo)設(shè)定施行該半導(dǎo)體晶圓105上的過程。該過程控制數(shù)據(jù)可動態(tài)地提供及/或改變，以致可對該處理工具810的操作造成動態(tài)變化。
現(xiàn)在翻至第8圖，其說明本發(fā)明的一具體實施例說明該系統(tǒng)300的一更詳細(xì)方塊圖。半導(dǎo)體晶圓105系使用經(jīng)由一線路或網(wǎng)絡(luò)823所提供的多個控制輸入信號、或制造參數(shù)在處理工具810a，810b上處理。在該線路823上的控制輸入信號、或制造參數(shù)系由一計算機系統(tǒng)830經(jīng)由機器接口815a，815b送至該已處理工具810a，810b。該第一及第二機器接口815a，815b大致上系位在該處理工具810a，810b之外。于另一選擇具體實施例中，該第一及第二機器接口815a，815b系位于該處理工具810a，810b內(nèi)。該半導(dǎo)體晶圓105系提供至多個處理工具810及由該多個處理工具810所承載。于一具體實施例中，半導(dǎo)體晶圓105可手動地提供至處理工具810。于另一選擇具體實施例中，半導(dǎo)體晶圓105能以自動的方式(例如半導(dǎo)體晶圓105的機械手臂式移動)供載至處理工具810。于一具體實施例中，多個半導(dǎo)體晶圓105系成批地(例如堆棧在卡式匣中)運送至該處理工具810。
于一具體實施例中，該計算機系統(tǒng)830將在該線路823上的控制輸入信號、或制造參數(shù)送至該第一及第二機器接口815a，815b。該計算機系統(tǒng)830系能夠控制處理操作。于一具體實施例中，該計算機系統(tǒng)830系一過程控制器。該計算機系統(tǒng)830系耦合至一可包含多個軟件程序及數(shù)據(jù)集的計算機儲存單元832。該計算機系統(tǒng)830可包含一或多個能夠施行在此所述操作的處理器(未示出)。該計算機系統(tǒng)830采用制造模塊840，以在該線路823上產(chǎn)生控制輸入信號。于一具體實施例中，該制造模塊840包含一決定多個控制輸入?yún)?shù)的制造方法，該多個控制輸入?yún)?shù)系在該線路823上送至該處理工具810a，810b。
于一具體實施例中，該制造模塊840界定履行一特別生產(chǎn)過程的過程腳本及輸入控制。在該線路823上欲用于處理工具A810a的控制輸入信號(或控制輸入?yún)?shù))系借著該第一機器接口815a所接收及處理。在該線路823上欲用于處理工具B810b的控制輸入信號系借著該第二機器接口815b所接收及處理。用于半導(dǎo)體生產(chǎn)過程的處理工具810a，810b的范例系步進器、蝕刻過程工具、沉積工具、及該類似工具等。
借著該處理工具810a，810b所處理的一或多塊半導(dǎo)體晶圓105亦可送至一度量衡工具850，用于取得度量衡數(shù)據(jù)。該度量衡工具850可為一散射測量法數(shù)據(jù)取得工具、一覆疊-錯誤測量工具、一臨界尺寸測量工具、及類似工具等。于一具體實施例中，一度量衡工具850檢查一或多塊已處理的半導(dǎo)體晶圓105。該度量衡數(shù)據(jù)分析單元860可收集、組織、及分析來自該度量衡工具850的數(shù)據(jù)。該度量衡數(shù)據(jù)系針對形成橫越該半導(dǎo)體晶圓105的裝置的各種物理或電性特性。譬如，可能獲得關(guān)于線寬度測量尺寸、溝道深度、側(cè)壁角度、厚度、電阻、及類似性質(zhì)等的度量衡數(shù)據(jù)。度量衡數(shù)據(jù)可能用來決定可呈現(xiàn)橫越該已處理的半導(dǎo)體晶圓105的缺點，這可能用來以數(shù)量表示該處理工具810的性能。
如上面所述，來自該度量衡數(shù)據(jù)分析單元860的度量衡數(shù)據(jù)系隨同來自該電測試單元330的數(shù)據(jù)及/或來自該工具狀態(tài)數(shù)據(jù)傳感器單元320的數(shù)據(jù)提供至該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350。然后該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元350分析及提供動態(tài)目標(biāo)設(shè)定調(diào)整數(shù)據(jù)至該過程控制模塊360。然后該過程控制模塊360提供數(shù)據(jù)至該計算機系統(tǒng)830，用于調(diào)整隨后的過程。然后該計算機系統(tǒng)830可提供修正至該制造模塊840，然后該制造模塊動態(tài)地調(diào)整該處理工具810a，810b的操作。
現(xiàn)在翻至第9圖，其系一流程圖，用以描述按照本發(fā)明的具體實施例的方法。該系統(tǒng)300決定一用于調(diào)整或架構(gòu)有關(guān)半導(dǎo)體晶圓105的處理的最初目標(biāo)，及/或有關(guān)已處理的半導(dǎo)體晶圓105的最初目標(biāo)特性(方塊910)。該最初的目標(biāo)有關(guān)欲在該半導(dǎo)體晶圓105上施行的處理型式。該最初目標(biāo)亦有關(guān)該調(diào)整及/或該目標(biāo)，它們系有關(guān)該特別的測量尺寸，諸如臨界尺寸測量、薄膜厚度等等；有關(guān)可基于該最初目標(biāo)設(shè)定的結(jié)果所造成的已處理半導(dǎo)體晶圓105。該最初目標(biāo)亦可包含有關(guān)該已處理半導(dǎo)體晶圓105的產(chǎn)量、品質(zhì)、及性能的目標(biāo)特性，它們可基于該最初目標(biāo)設(shè)定所獲得的結(jié)果。使用該最初目標(biāo)設(shè)定，該系統(tǒng)300在該半導(dǎo)體晶圓105上施行過程操作(方塊920)。
然后該系統(tǒng)300大致上取得及分析有關(guān)該已處理半導(dǎo)體晶圓105的度量衡數(shù)據(jù)(方塊930)。該度量衡數(shù)據(jù)大致上系借著該度量衡工具850所取得。該系統(tǒng)300亦可取得及分析工具狀態(tài)數(shù)據(jù)，該工具狀態(tài)數(shù)據(jù)可借著該工具狀態(tài)數(shù)據(jù)傳感器單元320所取得(方塊940)?；谒治龅亩攘亢鈹?shù)據(jù)及所分析的工具狀態(tài)數(shù)據(jù)，該系統(tǒng)300可施行一動態(tài)目標(biāo)設(shè)定過程(方塊950)。于一些案例中，該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定過程用于動態(tài)調(diào)整，該動態(tài)調(diào)整可履行在該半導(dǎo)體晶圓105上所施行的處理步驟。更特別地，于一些案例中，該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定過程基于來自相同批量的第一工件的處理分析對一批量中的第二工件上所施行的過程以供實時調(diào)整。第9圖的方塊950中所指示用于施行該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定過程的更詳細(xì)說明及敘述，系于第10圖及以下所附的敘述中。
當(dāng)施行該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定處理時，動態(tài)調(diào)整控制參數(shù)系借著該系統(tǒng)300用于施行隨后的過程(方塊960)。因此，遍及借著該系統(tǒng)300所施行的處理程序系履行基于對有關(guān)處理及/或有關(guān)半導(dǎo)體晶圓105的部件目標(biāo)所做成動態(tài)修正的經(jīng)常不斷的調(diào)整。
現(xiàn)在翻至第10圖，其系第9圖的方塊950所指示用于施行該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定過程的一更詳細(xì)說明圖。該系統(tǒng)300決定至少一種型式的參數(shù)可為極重要，而應(yīng)該要分析(方塊1010)。譬如，該系統(tǒng)300可密切地監(jiān)視決定有關(guān)形成在該半導(dǎo)體晶圓105上的一閘極的特別臨界尺寸。該系統(tǒng)亦可基于特別參數(shù)決定目標(biāo)處理結(jié)果，諸如該已處理的半導(dǎo)體晶圓105的產(chǎn)量。然后該系統(tǒng)300可使用該選定的參數(shù)以決定將履行何種型式的電性測試(方塊1020)。譬如，基于欲監(jiān)視的二參數(shù)(例如某種半導(dǎo)體晶圓105的厚度及該半導(dǎo)體晶圓105上特別部件的臨界尺寸)的一項決定，選擇一或多種電性測試。于反應(yīng)下，激起該電測試單元330以在一與該閘極結(jié)構(gòu)的臨界尺寸有關(guān)的激勵電流及一與該半導(dǎo)體晶圓105上層厚度有關(guān)的電阻系數(shù)測量上以施行電性測試。因此，于此案例中，執(zhí)行所選定的電性測試、電阻系數(shù)及現(xiàn)行的電性測試/測量(方塊1030)。
然后該系統(tǒng)300可合并該電性測試數(shù)據(jù)與該對應(yīng)的制造相關(guān)數(shù)據(jù)(例如該度量衡數(shù)據(jù)及/或該工具狀態(tài)數(shù)據(jù))/使兩者有相互關(guān)系(方塊1040)。上述數(shù)據(jù)組的合并/使產(chǎn)生相互關(guān)系包含使某種電測試數(shù)據(jù)、譬如該激勵電流與借著該度量衡數(shù)據(jù)所測得的臨界尺寸測量有相互關(guān)系。再者，該有相互關(guān)系的電測試數(shù)據(jù)及該臨界尺寸數(shù)據(jù)可為與特別的工具狀態(tài)數(shù)據(jù)有關(guān)，諸如于該半導(dǎo)體晶圓105的處理期間的溫度或氣體流速。基于該數(shù)據(jù)的此相互關(guān)系，該系統(tǒng)300可為調(diào)整控制參數(shù)施行一持續(xù)計算功能(方塊1050)。換句話說，該已合并及/或該有相互關(guān)系的數(shù)據(jù)可用來對某種能以一反饋或一前饋方式履行的參數(shù)連續(xù)地計算修正用于調(diào)整過程操作的控制參數(shù)。然后該系統(tǒng)300提供有關(guān)調(diào)整參數(shù)的數(shù)據(jù)(例如反饋及/或前饋數(shù)據(jù))至該制流程控制模塊360，用于履行對該半導(dǎo)體晶圓105上所施行過程的調(diào)整。第10圖中所說明步驟的完成實質(zhì)上達成第9圖的方塊950中所指示用于施行該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定過程的過程。
利用本發(fā)明的具體實施例，會同度量衡數(shù)據(jù)及/或工具狀態(tài)數(shù)據(jù)的分析施行一動態(tài)測量、特別是電性測量，以對半導(dǎo)體晶圓105的處理施行一動態(tài)目標(biāo)設(shè)定調(diào)整。因此，可基于有關(guān)已處理半導(dǎo)體晶圓105的某種品質(zhì)的目標(biāo)設(shè)定的動態(tài)調(diào)整做成對該過程操作的調(diào)整。利用本發(fā)明的具體實施例，可達成一強固套組的已處理半導(dǎo)體晶圓105。
由本發(fā)明所教導(dǎo)的原理能履行于一進階過程控制(APC)機架中，諸如一由KLA Tencor公司所提供的觸媒(Catalyst)系統(tǒng)。
該觸媒(Catalyst)系統(tǒng)使用國際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(Semiconductor Equipment and Material International，簡稱SEMI)的計算機整合制造(Computer Integrated Manufacturing，簡稱CIM)框架順應(yīng)系統(tǒng)技術(shù)，及系基于該進階過程控制框架(APC)。CIM(用于CIM機架領(lǐng)域構(gòu)造的SEMI E81-0699-臨時規(guī)格)及APC(用于CIM框架先進過程控制零組件的SEMI E93-0999-臨時規(guī)格)規(guī)格系來自SEMI公然地可用者。該APC框架系一較佳平臺，可由此履行本發(fā)明所教導(dǎo)的控制策略。于一些具體實施例中，該APC框架可為一涵蓋全制造廠的軟件系統(tǒng)；因此，由本發(fā)明所教導(dǎo)的控制策略可實際上應(yīng)用至任何在該制造廠地板上的半導(dǎo)體制造工具。該APC框架亦允許用于遠程訪問及監(jiān)視該過程性能。再者，借著利用該APC框架，數(shù)據(jù)儲存可更方便、更有彈性、及比局部驅(qū)動器更便宜。該APC框架允許更復(fù)雜型式的控制，因為其于寫入該必要的軟件碼時提供一顯著數(shù)量的彈性。
由本發(fā)明所教導(dǎo)的控制策略于該APC框架上的發(fā)展可能需要許多軟件零組件。除了在該APC框架內(nèi)的零組件外，對于該控制系統(tǒng)所涉及的每一半導(dǎo)體制造工具寫入一計算機腳本。當(dāng)該控制系統(tǒng)中的一半導(dǎo)體制造工具系在該半導(dǎo)體制造裝配中開始時，其大致上要求一腳本以啟始該過程控制器所需要的作用，諸如該覆疊控制器。該控制方法大致上系界定及施行于這些腳本中。這些腳本的發(fā)展能包含一控制系統(tǒng)的發(fā)展的重大部份。由本發(fā)明所教導(dǎo)的原理能履行進入其它形式的制造框架。
上面所揭示的特別具體實施例系僅只供說明用，因能以對那些熟諳具有在此所教導(dǎo)利益的技藝者變得明顯不同、但同等方式修改及實現(xiàn)本發(fā)明。再者，對在此所示而異于如下面申請專利范圍中所敘述結(jié)構(gòu)或設(shè)計的細(xì)節(jié)無意欲有任何限制。其因此明顯的是可改變或修改上面所揭示的特別具體實施例，且所有此等變化系考慮落在本發(fā)明的范圍及精神內(nèi)。據(jù)此，在此所尋求的保護系如下面權(quán)利要求書所提出。
權(quán)利要求
1.一種方法，其包含于一批工件中的一工件上基于過程目標(biāo)設(shè)定施行一過程步驟，該過程目標(biāo)設(shè)定包含與該第一工件的目標(biāo)特性有關(guān)的至少一參數(shù)；取得與該第一工件處理有關(guān)的制造數(shù)據(jù)，該制造數(shù)據(jù)包含有關(guān)該已處理第一工件的度量衡數(shù)據(jù)及有關(guān)處理工具(810)的工具狀態(tài)的工具狀態(tài)數(shù)據(jù)的至少一項數(shù)據(jù)；在該批次的另一工件于過程控制的期間，于一時間期間至少局部取得有關(guān)該已處理工件的電子數(shù)據(jù)；及基于該電子數(shù)據(jù)及該制造數(shù)據(jù)的相互關(guān)系動態(tài)地調(diào)整該過程目標(biāo)設(shè)定。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中于該工件上施行該過程步驟還包括于半導(dǎo)體晶圓(105)上施行該過程步驟。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中基于該過程目標(biāo)設(shè)定在至少一工件上施行的過程步驟還包括基于一有關(guān)該半導(dǎo)體晶圓(105)上所形成部件的目標(biāo)臨界尺寸以在該半導(dǎo)體晶圓(105)上施行一過程步驟。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中基于該過程目標(biāo)設(shè)定在至少一工件上施行的過程步驟還包括基于一有關(guān)該半導(dǎo)體晶圓(105)上所形成一層的目標(biāo)厚度以在該半導(dǎo)體晶圓(105)上施行一過程步驟。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中取得有關(guān)該已處理工件的工具狀態(tài)數(shù)據(jù)還包括取得一溫度數(shù)據(jù)、一濕度數(shù)據(jù)、一壓力數(shù)據(jù)、及一氣體流速數(shù)據(jù)的至少一種數(shù)據(jù)。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中動態(tài)地取得有關(guān)該已處理工件的電子數(shù)據(jù)還包括取得一電壓電平數(shù)據(jù)、一電流電平數(shù)據(jù)、及一電阻系數(shù)數(shù)據(jù)的至少一種數(shù)據(jù)。
7.一種過程控制系統(tǒng)用的動態(tài)目標(biāo)設(shè)定系統(tǒng)，其包含一處理工具(810)，以處理一工件；及一過程控制器(310)，其運轉(zhuǎn)地耦合至該處理工具(810)，該過程控制器(310)施行一動態(tài)目標(biāo)設(shè)定分析，用于目標(biāo)設(shè)定一或多個有關(guān)處理該工件的參數(shù)，該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定分析包含基于一有關(guān)該已處理工件的電子數(shù)據(jù)及有關(guān)該已處理工件的度量衡數(shù)據(jù)的分析動態(tài)地調(diào)整有關(guān)該一或多個參數(shù)的過程目標(biāo)設(shè)定。
8.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，還包含一工具狀態(tài)數(shù)據(jù)傳感器單元(320)，其運轉(zhuǎn)地耦合至該過程控制器(310)及至該處理工具(810)，該工具狀態(tài)數(shù)據(jù)傳感器單元(320)取得有關(guān)該處理工具(810)所施行操作的工具狀態(tài)數(shù)據(jù)；一度量衡工具(850)，其運轉(zhuǎn)地耦合至該過程控制器(310)及至該處理工具(810)，該度量衡工具(850)取得有關(guān)該已處理工件的度量衡數(shù)據(jù)；一電測試單元(330)，其運轉(zhuǎn)地耦合至該過程控制器(310)，該電測試單元(330)動態(tài)地取得有關(guān)該已處理工件的電性測試數(shù)據(jù)；一動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元(350)，其運轉(zhuǎn)地耦合至該過程控制器(310)，該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元(350)分析該工具狀態(tài)數(shù)據(jù)、該度量衡數(shù)據(jù)、及該電子數(shù)據(jù)且對該目標(biāo)設(shè)定施行一動態(tài)調(diào)整；及一過程控制模塊(360)，其運轉(zhuǎn)地耦合該動態(tài)目標(biāo)設(shè)定單元至該過程控制器(310)，該過程控制模塊(360)對該目標(biāo)設(shè)定調(diào)整作出響應(yīng)修改在該工件上所施行的一過程。
9.一種以各種指令編碼的計算機可讀取程序儲存裝置，其當(dāng)計算機執(zhí)行時施行的一種方法，該方法包含于一批工件中的一工件上基于過程目標(biāo)設(shè)定施行一過程步驟，該過程目標(biāo)設(shè)定包含與該第一工件的目標(biāo)特性有關(guān)的至少一參數(shù)；取得與該第一工件處理有關(guān)的制造數(shù)據(jù)，該制造數(shù)據(jù)包含有關(guān)該已處理第一工件的度量衡數(shù)據(jù)及有關(guān)處理工具(810)的工具狀態(tài)的工具狀態(tài)數(shù)據(jù)的至少一項數(shù)據(jù)；在該批次的另一工件于過程控制的期間，于一時間期間至少局部取得有關(guān)該已處理工件的電子數(shù)據(jù)；及基于該電子數(shù)據(jù)及該制造數(shù)據(jù)的相互關(guān)系動態(tài)地調(diào)整該過程目標(biāo)設(shè)定。
10.如權(quán)利要求9所述的以各種指令編碼的計算機可讀取程序儲存裝置，其當(dāng)計算機執(zhí)行時施行如權(quán)利要求9所述的方法，其中基于該過程目標(biāo)設(shè)定在至少一工件上施行一過程步驟還包括基于一有關(guān)該半導(dǎo)體晶圓(105)上所形成部件的目標(biāo)臨界尺寸在該半導(dǎo)體晶圓上施行一過程步驟。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種過程控制系統(tǒng)用的動態(tài)目標(biāo)設(shè)定方法及裝置。于一批工件中的第一工件上基于一過程目標(biāo)設(shè)定施行一過程步驟。該過程目標(biāo)設(shè)定包含與該第一工件的目標(biāo)特性有關(guān)的至少一參數(shù)。取得與該第一工件的處理有關(guān)的制造數(shù)據(jù)。該制造數(shù)據(jù)包含有關(guān)該已處理第一工件的度量衡數(shù)據(jù)及有關(guān)處理工具(810)的工具狀態(tài)的工具狀態(tài)數(shù)據(jù)的至少一數(shù)據(jù)。在處理該批次中的第二工件期間，至少局部取得有關(guān)該已處理第一工件的電子數(shù)據(jù)?；谠撾娮訑?shù)據(jù)及該制造數(shù)據(jù)的相互關(guān)系動態(tài)地調(diào)整該過程目標(biāo)設(shè)定。
文檔編號G05B19/418GK1672253SQ03818137
公開日2005年9月21日 申請日期2003年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月29日
發(fā)明者A·J·帕薩丁, T·J·桑德曼, J·王 申請人:先進微裝置公司