一種ct探測(cè)裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及采用X射線進(jìn)行安全檢查技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種CT探測(cè)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有技術(shù)中針對(duì)爆炸物的檢測(cè)，X射線技術(shù)由于其自身特有的優(yōu)勢(shì)是目前應(yīng)用最為廣泛的安全檢查技術(shù)。X射線安全檢查技術(shù)主要包括單能透視技術(shù)、雙能透視技術(shù)、多視角技術(shù)、背散射技術(shù)、CT技術(shù)等。通常X射線CT技術(shù)又可分為單能譜CT技術(shù)和多能譜CT技術(shù)，單能譜CT技術(shù)可以獲取物質(zhì)的衰減系數(shù)信息(通過(guò)轉(zhuǎn)化相當(dāng)于物質(zhì)的密度)，該技術(shù)只能獲取物質(zhì)的密度信息，因此仍然具有一定的局限性。而多能譜CT技術(shù)中的X射線雙能CT技術(shù)由于能夠同時(shí)獲得物質(zhì)的原子序數(shù)和密度信息，在X射線安全檢查技術(shù)中具有最高的探測(cè)精度，因此在安全檢查中得到了越來(lái)越多的應(yīng)用。通常能采用以下幾種模式實(shí)現(xiàn)雙能CT成像，一是通過(guò)射線源的高壓切換得到兩個(gè)高壓下的投影數(shù)據(jù)，這種方式通常要對(duì)物體掃描兩次。二是采用兩個(gè)射線源，兩個(gè)探測(cè)器，兩個(gè)射線源設(shè)置不同的管電壓，采用這種探測(cè)方法設(shè)備成本很高。三是通過(guò)射線源的快速切換，采用這種方法對(duì)射線源的要求比較高。上述三種情況均為真雙能成像。四是采用雙層探測(cè)器，即偽雙能成像，探測(cè)器的成本相對(duì)較高。五是采用光子計(jì)數(shù)探測(cè)器，進(jìn)行能譜成像，然而該技術(shù)當(dāng)前還處于實(shí)驗(yàn)室研宄階段，探測(cè)器的成本還非常高。針對(duì)行李檢測(cè)的雙能CT系統(tǒng)通常需要采用雙層探測(cè)器，即采用偽雙能成像模式。在這種成像模式下，探測(cè)器成本相對(duì)較高。
[0003]為了降低探測(cè)裝置成本，中國(guó)ZL:專利:201220496589.5公開(kāi)了一種CT系統(tǒng)和用于CT系統(tǒng)的探測(cè)裝置，該探測(cè)裝置包括:低能探測(cè)器組件；以及設(shè)置在所述低能探測(cè)器組件之下的高能探測(cè)器組件，其中所述高能探測(cè)器組件包括；多排高能探測(cè)器，所述高能探測(cè)器之間具有預(yù)定間距。該探測(cè)裝置減少了探測(cè)器和數(shù)據(jù)采集單元，既獲得了高分辨率的三維CT圖像，又實(shí)現(xiàn)了高準(zhǔn)確度的危險(xiǎn)品報(bào)警。在保證高的系統(tǒng)性能下，降低了系統(tǒng)的制造成本。該裝置只將高能探測(cè)器排之間設(shè)置了預(yù)定間距。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型目的在于，克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種對(duì)物品探測(cè)效果好，成本低廉的CT探測(cè)裝置。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:提供一種CT探測(cè)裝置，所述探測(cè)裝置包括高能探測(cè)層和低能探測(cè)層，在高能探測(cè)層與低能探測(cè)層之間設(shè)有金屬過(guò)濾片，在高能探測(cè)層與低能探測(cè)層上分別設(shè)置有若干個(gè)高能探測(cè)器與低能探測(cè)器，在高能探測(cè)層與低能探測(cè)層上若干個(gè)高能探測(cè)器與低能探測(cè)器分別排列成若干排，且高能探測(cè)器排與排之間的間距與低能探測(cè)器排與排之間的間距不等；在每排的高能探測(cè)器與每排的低能探測(cè)器中分別設(shè)有若干個(gè)高能探測(cè)器與低能探測(cè)器，且每排高能探測(cè)器中每個(gè)高能探測(cè)器之間的間距與每排低能探測(cè)器中每個(gè)低能探測(cè)器之間的間距不等；若干個(gè)高能探測(cè)器分別與高能PCB電路板連接，若干個(gè)低能探測(cè)器分別與低能PCB電路板連接，高能PCB電路板與低能PCB電路板與控制電路連接。
[0006]優(yōu)選的技術(shù)方案有，所述若干排高能探測(cè)器排與排之間的間距大于若干排低能探測(cè)器排與排之間的間距。
[0007]進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案還有，所述若干排低能探測(cè)器排與排之間的間距大于若干排高能探測(cè)器排與排之間的間距。
[0008]進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案還有，所述每排尚能探測(cè)器中每個(gè)尚能探測(cè)器之間的間距大于每排低能探測(cè)器中每個(gè)低能探測(cè)器之間的間距。
[0009]進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案還有，所述每排高能探測(cè)器中每個(gè)高能探測(cè)器之間的間距大于每排低能探測(cè)器中每個(gè)低能探測(cè)器之間的間距。
[0010]優(yōu)選的技術(shù)方案還有，所述金屬過(guò)濾片、高能PCB電路板和低能PCB電路板的排布呈相互平行的平面，或呈相互平行的曲面。
[0011]優(yōu)選的技術(shù)方案還有，所述若干高能探測(cè)器和若干低能探測(cè)器層可以共用一個(gè)PCB 板。
[0012]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)及有益效果是，采用本實(shí)用新型所述的一種CT探測(cè)裝置及其數(shù)據(jù)處理方法可以大幅降低探測(cè)器的成本，以高能稀疏為例，預(yù)計(jì)降幅在30%以上。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為本實(shí)用新型CT探測(cè)裝置實(shí)施例1的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2為本實(shí)用新型CT探測(cè)裝置實(shí)施例2的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖3為本實(shí)用新型CT探測(cè)裝置實(shí)施例3的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖4為本實(shí)用新型CT探測(cè)裝置實(shí)施例4的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖5為圖1、圖2的俯視圖；
[0018]圖6為圖3的俯視圖；
[0019]圖7為圖4的俯視圖；
[0020]圖8為圖2的側(cè)視圖；
[0021]圖9為圖4的側(cè)視圖；
[0022]圖10為圖1、圖2另一側(cè)的側(cè)視圖；
[0023]圖11為圖3、圖4另一側(cè)的側(cè)視圖；
[0024]圖12為本實(shí)用新型CT探測(cè)裝置的平面探測(cè)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖13為本實(shí)用新型CT探測(cè)裝置的弧面探測(cè)結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖中:1-控制電路，2-低能探測(cè)器，3-表示低能探測(cè)器的排列方向，4-低能PCB電路板，5-金屬過(guò)濾片，6-高能探測(cè)器，7-高能PCB電路板，8-表示高能探測(cè)器在每排內(nèi)的排列方向。
【具體實(shí)施方式】
[0027]本實(shí)用新型一種CT探測(cè)裝置，所述探測(cè)裝置包括高能探測(cè)層和低能探測(cè)層，在高能探測(cè)層與低能探測(cè)層之間設(shè)有金屬過(guò)濾片5，在高能探測(cè)層與低能探測(cè)層上分別設(shè)置有若干個(gè)高能探測(cè)器6與低能探測(cè)器2，在高能探測(cè)層與低能探測(cè)層上若干個(gè)高能探測(cè)器6與低能探測(cè)器2分別排列成若干排，且高能探測(cè)器6排與排之間的間距與低能探測(cè)器2排與排之間的間距不等；在每排的高能探測(cè)器6與每排的低能探測(cè)器2中分別設(shè)有若干個(gè)高能探測(cè)器6與低能探測(cè)器2，且每排高能探測(cè)器6中每個(gè)高能探測(cè)器6之間的間距與每排低能探測(cè)器2中每個(gè)低能探測(cè)器2之間的間距不等；若干個(gè)高能探測(cè)器6分別與高能PCB電路板7連接，若干個(gè)低能探測(cè)器2分別與低能PCB電路板4連接，高能PCB電路板7與低能PCB電路板4與控制電路I連接。