一種晶體探測器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及晶體的技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種晶體探測器。
【背景技術(shù)】
[0002]正電子發(fā)射斷層掃描儀(PET)是一種非侵入的成像技術(shù)，可反映分子代謝的顯像，當(dāng)疾病早期處于分子水平變化階段時(shí)，疾病區(qū)的型態(tài)結(jié)構(gòu)尚未呈現(xiàn)異常，正電子發(fā)射斷層掃描儀即可發(fā)現(xiàn)病灶所在，并可獲得三維影像進(jìn)行定量分析，達(dá)到早期診斷早期治療的效果。
[0003]而造影成像探測器的設(shè)計(jì)則是PET系統(tǒng)開發(fā)中一個(gè)極重要的環(huán)節(jié)，造影成像探測器其模塊主要包含兩個(gè)部分，即光電轉(zhuǎn)換器件和閃爍晶體陣列。但是，現(xiàn)有技術(shù)中的閃爍晶體陣列的反射率及光收集率性能不佳，容易導(dǎo)致成像位置難以分辨。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問題是提供一種晶體探測器，反射層分別設(shè)置在除晶體塊與SiPM傳感器連接面外的其他五個(gè)外表面上，得到較佳的反射率及光收集率，同時(shí)SiPM傳感器安裝連接在晶體塊的任一外表面，可提高晶體探測器的能量分辨率和探測效率。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供了一種晶體探測器，包括晶體塊、反射層以及SiPM傳感器，所述的晶體塊為矩形結(jié)構(gòu)，所述的SiPM傳感器安裝連接在晶體塊的任一外表面，所述的反射層分別設(shè)置在除晶體塊與SiPM傳感器連接面外的其他五個(gè)外表面。
[0006]在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述的晶體塊由單個(gè)或多個(gè)閃爍晶體晶條組成。
[0007]在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述的閃爍晶體晶條的外表面均鍍上或包覆全反射膜。
[0008]在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述的晶體塊與SiPM傳感器之間通過高透光粘結(jié)劑相連接。
[0009]在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述的高透光粘結(jié)劑采用光學(xué)膠。
[0010]本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型的晶體探測器，反射層分別設(shè)置在除晶體塊與SiPM傳感器連接面外的其他五個(gè)外表面上，得到較佳的反射率及光收集率，同時(shí)SiPM傳感器安裝連接在晶體塊的任一外表面，可提高晶體探測器的能量分辨率和探測效率。
【附圖說明】
[0011]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖，其中:
[0012]圖1是本實(shí)用新型晶體探測器的一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]附圖標(biāo)記如下:1、晶體塊，2、反射層，3、SiPM傳感器。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面將對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0015]如圖1所示，本實(shí)用新型實(shí)施例包括:
[0016]一種晶體探測器，包括晶體塊1、反射層2以及SiPM傳感器3，所述的晶體塊I為矩形結(jié)構(gòu)，所述的SiPM傳感器3安裝連接在晶體塊I的任一外表面，所述的反射層2分別設(shè)置在除晶體塊I與SiPM傳感器3連接面外的其他五個(gè)外表面。
[0017]上述中，所述的晶體塊I可由單個(gè)或多個(gè)閃爍晶體晶條組成。其中，所述的閃爍晶體晶條的外表面均鍍上或包覆全反射膜(圖未示)。
[0018]進(jìn)一步的，所述的晶體塊I與SiPM傳感器3之間通過高透光粘結(jié)劑相連接。其中，所述的高透光粘結(jié)劑采用光學(xué)膠等。本實(shí)施例中，使用高透光粘結(jié)劑為晶體塊I和SiPM傳感器3之間的涂層，可得到較佳的反射率及光收集率，其晶體塊I可獲得較高的光輸出及較低的光串?dāng)_，并得到較佳的位置分辨。
[0019]綜上所述，本實(shí)用新型的晶體探測器，反射層2分別設(shè)置在除晶體塊I與SiPM傳感器3連接面外的其他五個(gè)外表面上，得到較佳的反射率及光收集率，同時(shí)SiPM傳感器3安裝連接在晶體塊I的任一外表面，可提高晶體探測器的能量分辨率和探測效率。
[0020]以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶體探測器，其特征在于，包括晶體塊、反射層以及SiPM傳感器，所述的晶體塊為矩形結(jié)構(gòu)，所述的SiPM傳感器安裝連接在晶體塊的任一外表面，所述的反射層分別設(shè)置在除晶體塊與SiPM傳感器連接面外的其他五個(gè)外表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體探測器，其特征在于，所述的晶體塊由單個(gè)或多個(gè)閃爍晶體晶條組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體探測器，其特征在于，所述的閃爍晶體晶條的外表面均鍍上或包覆全反射膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體探測器，其特征在于，所述的晶體塊與SiPM傳感器之間通過高透光粘結(jié)劑相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體探測器，其特征在于，所述的高透光粘結(jié)劑采用光學(xué)膠。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種晶體探測器，包括晶體塊、反射層以及SiPM傳感器，所述的晶體塊為矩形結(jié)構(gòu)，所述的SiPM傳感器安裝連接在晶體塊的任一外表面，所述的反射層分別設(shè)置在除晶體塊與SiPM傳感器連接面外的其他五個(gè)外表面。通過上述方式，本實(shí)用新型提供的晶體探測器，反射層分別設(shè)置在除晶體塊與SiPM傳感器連接面外的其他五個(gè)外表面上，得到較佳的反射率及光收集率，同時(shí)SiPM傳感器安裝連接在晶體塊的任一外表面，可提高晶體探測器的能量分辨率和探測效率。
【IPC分類】G01T1-202
【公開號】CN204389696
【申請?zhí)枴緾N201420854950
【發(fā)明人】陳遠(yuǎn)帆, 陳冠廷, 彭志豪
【申請人】蘇州晶特晶體科技有限公司
【公開日】2015年6月10日
【申請日】2014年12月30日