一種基于雙端探測器的晶體分辨圖計算方法和裝置的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明屬于醫(yī)療設備技術領域，尤其涉及一種基于雙端探測器的晶體分辨圖計算 方法和裝置。
【背景技術】
[0002] 正電子發(fā)射型計算機斷層顯像(Positron Emission Computed Tomography，PET) 是核醫(yī)學領域比較先進的臨床檢查影像技術，能夠將含有放射性核素的藥物在體內的分布 形成圖像，該圖形可以反映人體代謝、組織功能和結構形態(tài)。
[0003] 在核醫(yī)學PET設備中，最為核心的部件為探測器，也可以稱為PET探測器，該部件用 于檢測引入病患體內的放射性核素所發(fā)出的射線，例如伽馬射線。常用的探測器包括多個 晶體和光電轉換器件。其中，晶體用于檢測病患體內釋放出的射線光子(例如伽馬光子)并 將其轉換成可見光，光電轉換器件用于將可見光轉換成電信號。
[0004] 晶體分辨圖是通過對探測器不同晶體位置發(fā)射的可見光的坐標進行直方圖統(tǒng)計 得到的晶體單元分布圖，是表征探測器本征空間分辨率的有效方法，也是衡量探測器系統(tǒng) 空間分辨性能的主要指標?，F有的晶體分辨圖計算方法，是簡單地將探測器的單端晶體的 位置坐標進行平均，得到雙端晶體的位置坐標，沒有考慮相互作用深度和低能噪聲事件的 影響，降低了晶體分辨圖計算方法的可靠性，不能很好的表征探測器的空間分辨性能。
[0005] 故，有必要提出一種新的技術方案，以解決上述技術問題。

【發(fā)明內容】

[0006] 鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種基于雙端探測器的晶體分辨圖計算方法和裝置， 以提高晶體分辨圖計算方法的可靠性，更好地表征雙端探測器的空間分辨性能。
[0007] 本發(fā)明實施例的第一方面，提供一種基于雙端探測器的晶體分辨圖計算方法，所 述方法包括：
[0008] 根據預設能量閾值，去除雙端探測器采集到的所有事件信息中低于所述預設能量 閾值的事件信息；
[0009] 獲取去除低于所述預設能量閾值的事件信息后的所述雙端探測器的單端晶體位 置坐標；
[0010] 根據所述雙端探測器的單端晶體位置坐標，計算所述雙端探測器的雙端晶體位置 坐標，以獲得所述雙端探測器的晶體分辨圖。
[0011] 本發(fā)明實施例的第二方面，提供一種基于雙端探測器的晶體分辨圖計算裝置，所 述裝置包括：
[0012] 去除模塊、獲取模塊以及計算模塊；
[0013] 所述去除模塊，用于根據預設能量閾值，去除雙端探測器采集到的所有事件信息 中低于所述預設能量閾值的事件信息；
[0014] 所述獲取模塊，用于獲取去除低于所述預設能量閾值的事件信息后的所述雙端探 測器的單端晶體位置坐標；
[0015] 所述計算模塊，用于根據所述雙端探測器的單端晶體位置坐標，計算所述雙端探 測器的雙端晶體位置坐標，以獲得所述雙端探測器的晶體分辨圖。
[0016] 本發(fā)明實施例與現有技術相比存在的有益效果是:本發(fā)明實施例根據所有事件信 息中去除低于預設能量閾值的事件信息后的事件信息獲取雙端探測器的單端晶體位置坐 標，根據所述雙端探測器的單端晶體位置坐標，計算所述雙端探測器的雙端晶體位置坐標， 去除了低于預設能量閾值的事件信息對所述雙端探測器的雙端晶體位置坐標的影響，進而 也去除了低于預設能量閾值的事件信息對根據所述雙端探測器的雙端晶體位置坐標獲得 的所述雙端探測器的晶體分辨圖的影響，從而提高了晶體分辨圖計算方法的可靠性，更好 地表征了雙端探測器的空間分辨性能。
【附圖說明】
[0017] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述 中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些 實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據這些 附圖獲得其他的附圖。
[0018] 圖1是本發(fā)明實施例一提供的基于雙端探測器的晶體分辨圖計算方法的實現流程 圖；
[0019] 圖2是本發(fā)明實施例一提供的十六個電信號通過電子學加權轉換為四個電信號的 示例圖；
[0020] 圖3是本發(fā)明實施例一提供的一個硅光電倍增管模塊的四個電信號輸出位置示例 圖；
[0021] 圖4是本發(fā)明實施例二提供的基于雙端探測器的晶體分辨圖計算裝置的組成示意 圖。
【具體實施方式】
[0022]為了使本發(fā)明的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對 本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并 不用于限定本發(fā)明。
[0023] 實施例一:
[0024] 圖1示出了本發(fā)明實施例一提供的基于雙端探測器的晶體分辨圖計算方法的實現 流程，所述實現流程詳述如下：
[0025] 在步驟S101中，根據預設能量閾值，去除雙端探測器采集到的所有事件信息中低 于所述預設能量閾值的事件信息；
[0026] 在本發(fā)明實施例中，通過采集卡讀取所述雙端探測器采集到的所有事件信息，所 述采集卡為高速模擬信號采集卡。
[0027] 較佳的，所述雙端探測器的光電轉換器件為硅光電倍增管，采用硅光電倍增管的 雙端探測器能夠有效測量相互作用深度，同時具備很好的磁場兼容特性。
[0028] 在本發(fā)明實施例中，一個可見光由娃光電倍增管轉換為一個電信號稱為一個事件 信息，所述低于所述預設能量閾值的事件信息為低能噪聲事件信息。
[0029] 在本發(fā)明實施例中，所述雙端探測器包括兩個單端探測器，分別為第一探測器和 第二探測器，第一探測器和第二探測器為對向放置，第一探測器和第二探測器分別包括一 個硅光電倍增管模塊，一個硅光電倍增管模塊由4X4個硅光電倍增管陣列構成，將十六個 電信號通過電子學加權轉換為四個電信號，即第一探測器和第二探測器分別由四個通道存 儲電信號。如圖2是十六個電信號通過電子學加權轉換為四個電信號的示例圖，A、B、C、D為 四個電信號，電阻Ri = 500Q，R〇 = 300Q，如圖3是一個硅光電倍增管模塊的四個電信號輸 出位置示例圖，A、B、C、D為四個電信號。
[0030] 在本發(fā)明實施例中，在所述雙端探測器的八個通道中存儲所有事件信息，并將所 述雙端探測器的八個通道的能量輸出值進行累加，累加后的值作為所述雙端探測器的雙端 總能量，根據所述雙端探測器的雙端總能量，繪制能譜圖，計算能譜峰值對應的能量值，將 所述能譜峰值對應的能量值的
作為預設能量閾值。
[0031] 在步驟S102中，獲取去除低于所述預設能量閾值的事件信息后的所述雙端探測器 的單端晶體位置坐標；
[0032] 進一步的，所述獲取去除低于所述預設能量閾值的事件信息后的所述雙端探測器 的單端晶體位置坐標，具體包括：
[0033] 根據所述所有事件信息中去除低于所述預設能量閾值的事件信息后的事件信息， 獲取所述雙端探測器的八個通道的能量輸出值；
[0034] 根據所述雙端探測器的八個通道的能量輸出值，計算所述雙端探測器的單端晶體 位置坐標。
[0035] 進一步的，所述根據所述雙端探測器的八個通道的能量輸出值，計算所述雙端探 測器的單端晶體位置坐標，具體包括：
[0036] 根據所述雙端探測器的第一探測器的四個通道的能量輸出值Μ ^^^^^計算所 述雙端探測器的第一探測器的單端晶體位置坐標
，其中，第一探 測器的單端能量值EFAdBi+Q+Di;
[0037] 根據所述雙端探測器的第二探測器的四個通道的能量輸出值如32、(：2、02，計算所 述雙端探測器的第二探測器的單端晶體位置坐標
·，其中，第二探 測器的單端能量值E2 = A2+B2+C2+D2。
[0038] 在步驟S103中，根據所述雙端探測器的單端晶體位置坐標，計算所述雙端探測器 的雙端晶體位置坐標，以獲得所述雙端探測器的晶體分辨圖。
[0039] 在本發(fā)明實施例中，根據所述雙端探測器的雙端晶體位置坐標，可以通過三維直 方圖統(tǒng)計得到所述雙端探測器的晶體分辨圖。
[0040]進一步的，所述根據所述雙端探測器的單端晶體位置坐標，計算所述雙端探測器 的雙端晶體位置坐標，具體包括：
[0041 ]根據所述第一探測器的單端晶體位置坐標
和第二探測 器的單端晶體位置坐標
，計算所述雙端探測器的雙端晶體位置
，其中，所述雙端探測器的雙端總能量Ε = Ει+
E2o
[0042]在本發(fā)明實施例中， 分別為第一探測器和第二探測器的相互作用深度加 權因子。
[0043]需要說明的是，本發(fā)明實施例的第一探測器是指某一探測器，"第一"在此僅為表 述和指代的方便，并不意味著在本發(fā)明的具體實現方式中一定會有與之對應的第一探測 器。類似地，第二探測器中的"第二"也僅僅是為了表述和指代的方便，并不意味著在本發(fā)明 的具體實現方式中一定會有與之對應的第二探測器。
[0044]本發(fā)明實施例根據所有事件信息中去除低于預設能量閾值的事件信息后