專利名稱：一種固態(tài)成像探測器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種固態(tài)成像探測器件，尤其是基于CMOS工藝制造的非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)的固態(tài)成像探測器件，可應(yīng)用于攝像機、數(shù)碼相機、掌上電腦、手機、PDA等產(chǎn)品中作為圖像傳感器。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在廣泛運用的固態(tài)成像器件主要有兩類電荷耦合器件(CXD)和CMOS有源像素傳感器(APS)。雖然CCD傳感器在靈敏度、分辨率、噪聲控制等方面都優(yōu)于CMOS傳感器，但存在成本高、集成度低、功耗大且需要多種電源的缺點；而CMOS傳感器則具有低成本、低功耗、以及高整合度的優(yōu)點，但也存在靈敏度不高和噪聲較大的問題。由此可見CCD和CMOSAPS成像器件都各有優(yōu)缺點。除了 C⑶和CMOS APS以外，基于非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)的固態(tài)成像器件也已經(jīng)被提出。該器件的工作原理是在利用MOSFET結(jié)構(gòu)的存儲器的溝道區(qū)域形 成光電轉(zhuǎn)換區(qū)，當光照射到光電轉(zhuǎn)換區(qū)產(chǎn)生光生電子和空穴對，產(chǎn)生的光電子在柵極電場的作用下注入到存儲器的存儲層中并存儲起來，使存儲型成像器件的閾值電壓發(fā)生變化，最后通過讀出器件的電流大小判定光照的大小。與CCD和CMOS-APS相比，存儲器結(jié)構(gòu)的成像器件兼具CCD和CMOS-APS的優(yōu)點，但又克服了它們的很多弱點，其特點和優(yōu)越性包括器件面積?。簧a(chǎn)工藝與CMOS工藝兼容，成本低；漏電流低，成像速度比CXD快；對工藝缺陷不敏感；動態(tài)范圍大；支持多次讀出。然而提出的這些存儲器結(jié)構(gòu)的成像器件主要都是利用柵極下方的源、漏極之間的溝道區(qū)域作為光電子的產(chǎn)生和收集區(qū)。當入射光子的能量很大比如在紫外光波段，器件存儲層上的電荷可能會獲得足夠的能量而從存儲層中逃逸，或者器件襯底或柵極的電子會直接進入存儲層，改變存儲層中的電荷量和電荷分布，從而影響了探測精度。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本發(fā)明提出一種基于MOSFET存儲器結(jié)構(gòu)的固態(tài)成像探測器，尤其是利用MOSFET存儲器的源區(qū)作為光電轉(zhuǎn)換區(qū)，并將產(chǎn)生的光電子轉(zhuǎn)移到柵極下方的溝道區(qū)域，并進一步將轉(zhuǎn)移來的光電子注入到存儲器的存儲層中而改變器件的閾值電壓，最后讀出探測器的漏極電流來確定所探測到的光的強度。技術(shù)方案本發(fā)明的固態(tài)成像探測器是一種共用源區(qū)的雙MOSFET存儲器結(jié)構(gòu)的成像探測器，探測器單元的構(gòu)成是在基底P型半導(dǎo)體硅材料上方的兩側(cè)設(shè)有重摻雜的N型半導(dǎo)體區(qū)域，分別構(gòu)成探測器的兩個漏區(qū)，基底P型半導(dǎo)體硅材料上方的中央設(shè)有重摻雜的N型半導(dǎo)體區(qū)域，構(gòu)成探測器的源區(qū)，上述兩個漏區(qū)和共用的源區(qū)之間基底的正上方依次分別設(shè)有隧穿氧化層、光電子存儲層、阻擋絕緣介質(zhì)層和控制柵極，控制柵極的上方覆蓋有光阻擋層；探測器的源區(qū)和漏區(qū)的大小不對稱，漏區(qū)面積相對源區(qū)較小，且漏區(qū)表面被金屬硅化物所覆蓋，防止光照入漏區(qū)；探測器的源區(qū)面積較大，為探測器的光電轉(zhuǎn)換區(qū)；探測器的源區(qū)采用N+注入形成的埋層構(gòu)成，源區(qū)半導(dǎo)體表面沒有被金屬硅化物所覆蓋；探測器的兩個漏區(qū)和共用的源區(qū)之間分別形成兩個MOSFET結(jié)構(gòu)的存儲管；從控制柵極往下到基底層沒有對探測光波透明的或半透明的窗口，而在源區(qū)的上方設(shè)有對光波透明的或半透明的窗口。探測器的光電子存儲層是多晶硅、Si3N4 ;隧穿氧化層是Si02、Al2O3，等效SiO2的厚度為4 7nm ;阻擋絕緣介質(zhì)層是Si02、Si02/ Si3N4/Si02復(fù)合層、Al2O3，等效SiO2的厚度為8 20nm ;控制柵極是多晶娃、金屬。所述探測器單元采用多個，以典型的NOR型存儲陣列架構(gòu)構(gòu)成大規(guī)模成像陣列，一個NOR陣列上相鄰的兩個存儲管單元共用一個源區(qū)，構(gòu)成一個探測器單元；源區(qū)面積較大，由N+注入的埋層構(gòu)成，源區(qū)作為每個探測器單元的光電轉(zhuǎn)換區(qū)。工作過程依次為光電子產(chǎn)生和收集，光電子轉(zhuǎn)移、注入和存儲，光電子讀出和復(fù)位操作。在光電子產(chǎn)生和收集階段，探測器的兩個控制柵極上同時施加一個電壓為5 10V， 時間為10 IOOms的正脈沖，襯底接地，源極和漏極浮空，則源區(qū)和襯底之間的PN結(jié)處于反偏，形成耗盡層。當光照射到源區(qū)耗盡層上，有光生電子和空穴對產(chǎn)生。產(chǎn)生的光電子存儲在源區(qū)與襯底構(gòu)成的光電二極管內(nèi)，產(chǎn)生的空穴流向襯底。在光電子轉(zhuǎn)移、注入和存儲階段，一個電壓為10 20V,時間為5 20us的正脈沖施加在探測器的兩個柵極和襯底之間，而源極和漏極浮空，則源區(qū)光電二極管耗盡區(qū)內(nèi)產(chǎn)生和收集的光電子轉(zhuǎn)移到源區(qū)左右兩邊柵極下的溝道耗盡區(qū)勢阱內(nèi)。隨著兩個控制柵極下襯底耗盡區(qū)內(nèi)轉(zhuǎn)移來的光電子增多，襯底耗盡區(qū)勢阱內(nèi)的電勢逐漸降低，導(dǎo)致探測器隧穿氧化層中的電場強度進一步增大。當器件隧穿氧化層中的電場強度足夠大時，從源區(qū)轉(zhuǎn)移到兩個存儲管耗盡區(qū)內(nèi)的光電子通過FN隧穿效應(yīng)穿過隧穿氧化層到達兩個存儲管的電荷存儲層，使兩個存儲管的閾值電壓同時增高。在光電子讀出階段，探測器的兩個控制柵極同時接一個正偏電壓3 6V，漏極接一個正偏電壓O. I O. 5V，源極和襯底接地，調(diào)節(jié)漏極電壓使探測器單元的兩個存儲管工作在線性區(qū)或亞閾區(qū)，對組成探測器單元的兩個存儲管分別讀出漏極電流，并與無光探測讀出時的漏極電流進行比較，確定兩個存儲管所存儲的光電子數(shù)目。最后對每個探測器單元包含的兩個存儲管所存儲的光電子數(shù)目相加得到每個探測單元所探測到的總的光電子數(shù)目。在復(fù)位階段，探測器單元的兩個控制柵極和襯底之間施加一個-10 -20V脈沖，將存儲層上存儲的電荷抽回襯底，使探測器單元兩個存儲管的閾值電壓恢復(fù)到初始狀態(tài)，為下一次工作做準備。需要說明的是
(一)所述探測器的光電子存儲層是多晶硅、Si3N4或其它電子導(dǎo)體或半導(dǎo)體；隧穿氧化層是Si02、Al2O3或其他高k絕緣介質(zhì)層，等效SiO2的厚度為4 7nm ;阻擋絕緣介質(zhì)層是Si02、SiO2/ Si3N4/ SiO2復(fù)合層、Al2O3或其他高k絕緣介質(zhì)層，等效SiO2的厚度為8 20nm ;控制柵極是多晶硅、金屬或其他導(dǎo)電電極。所述探測器的典型結(jié)構(gòu)是基于Metal-SiO2-Si3N4-SiO2-Si (MNOS)、Polysilicon-SiO2-Si3N4-SiO2-Si (SONOS)或者浮柵存儲器結(jié)構(gòu)。(二)所述多個探測器單管能以NOR存儲陣列架構(gòu)形成大規(guī)模成像陣列。一個NOR陣列上相鄰的兩個存儲器單元共用一個源區(qū)，構(gòu)成一個探測器單元。源區(qū)面積較大，由N+注入的埋層構(gòu)成，無需接觸孔，源區(qū)表面沒有被金屬硅化物覆蓋，源區(qū)作為每個探測器單元的光電轉(zhuǎn)換區(qū)。
(三)所述探測器是按照以下機制進行工作的。(I)光電子產(chǎn)生和收集。探測器的源區(qū)與襯底之間形成光電二極管，作為光電轉(zhuǎn)換區(qū)。當探測器的兩個柵極同時施加一個正偏電壓，襯底接地，源極和漏極浮空時，由于源區(qū)電容和柵極電容的耦合作用，源區(qū)和襯底之間的PN結(jié)處于反偏，形成耗盡層。當光照射到源區(qū)的耗盡層上，有光生電子和空穴對產(chǎn)生。產(chǎn)生的空穴流向襯底，而產(chǎn)生的光電子存儲在源區(qū)構(gòu)成的光電二極管耗盡層內(nèi)。(2)光電子轉(zhuǎn)移、注入和存儲。當光電子產(chǎn)生和收集后，一個更高的正電壓脈沖同時施加在探測器的兩個控制柵極和襯底之間，兩個存儲管控制柵極正下方的溝道表面被深耗盡并形成勢阱，于是源區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的光電子通過戽鏈器件(BBD)工作模式轉(zhuǎn)移到左、右兩個存儲管柵極正下方溝道的耗盡層內(nèi)。電荷的轉(zhuǎn)移會一致持續(xù)，直到源區(qū)的電勢和溝道表面耗盡層的電勢達到平衡。當柵極下方耗盡層內(nèi)轉(zhuǎn)移得到的光電子逐漸增多，電勢也隨之降低，導(dǎo)致探測器隧穿氧化層中的電場強度進一步增大。當探測器隧穿氧化層中的電場強度足夠大時，從源區(qū)轉(zhuǎn)移到兩個存儲管耗盡區(qū)內(nèi)的光電子通過FN隧穿效應(yīng)穿過隧穿氧化層到達兩個存儲管的電荷存儲層，使兩個存儲管的閾值電壓同時增高?！?3)光電子讀出。當探測器的柵極同時接一個正偏電壓，漏極接一個正偏電壓，源極和襯底接地，使探測器的兩個存儲管工作在線性區(qū)或亞閾區(qū)，對探測器的兩個存儲管分別讀出漏極電流并確定光電子數(shù)目。然后進行相加最后得到每個探測器單元所探測到的總的光電子數(shù)目。(4)復(fù)位。在探測器的兩個控制柵和襯底之間或者兩個控制柵和源極之間施加一個負偏壓脈沖，將存儲層上存儲的電荷抽回襯底或源極上，使探測器兩個存儲管的閾值電壓恢復(fù)到初始狀態(tài)。有益效果本發(fā)明的工藝完全和浮柵型存儲器、SONOS存儲器等CMOS非揮發(fā)性存儲器的制造工藝兼容，無需修改工藝，制造工藝成熟，成本低，容易實現(xiàn)；探測器利用MOSFET存儲器的源區(qū)作為光電轉(zhuǎn)換區(qū)使光電轉(zhuǎn)換區(qū)面積大，產(chǎn)生的光電子數(shù)目多，且不會隨著存儲器件柵極尺寸的縮小而導(dǎo)致收集的電子急劇減小的問題；探測器的柵極上方設(shè)有光阻擋層，不會使探測器存儲層中的電荷受紫外光的照射發(fā)生流失而影響探測精度。


圖I是本發(fā)明探測器的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是基于SONOS存儲器結(jié)構(gòu)的探測器實施例。圖3是基于浮柵存儲器結(jié)構(gòu)的探測器實施例。圖4是本發(fā)明探測器單管組成陣列時的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖5a、圖5b、圖5c、圖5d、圖5e是本發(fā)明探測器工作原理示意圖。
具體實施例方式(一)探測器結(jié)構(gòu)
所發(fā)明探測器結(jié)構(gòu)的剖面示意圖如圖I所示。由兩個共用一個源區(qū)的MOSFET結(jié)構(gòu)存儲管構(gòu)成一個探測器單元。在基底P型半導(dǎo)體硅材料I上方的兩側(cè)設(shè)有重摻雜的N型半導(dǎo)體區(qū)域，分別構(gòu)成探測器的兩個漏區(qū)2，基底P型半導(dǎo)體硅材料上方的中央設(shè)有重摻雜的N型半導(dǎo)體區(qū)域，構(gòu)成探測器的源區(qū)3。兩個漏區(qū)和共用的源區(qū)之間基底的正上方依次分別設(shè)有隧穿氧化層4、光電子存儲層5、阻擋絕緣介質(zhì)層6和控制柵極7，控制柵極的正上方覆蓋有光阻擋層8。探測器的源區(qū)和漏區(qū)的大小不對稱，漏區(qū)2面積較小，且漏區(qū)表面被金屬硅化物9所覆蓋，防止光照入漏區(qū)。探測器的源區(qū)3面積較大，為探測器的光電轉(zhuǎn)換區(qū)。探測器的源區(qū)采用N+注入形成的埋層構(gòu)成，源區(qū)半導(dǎo)體表面沒有被金屬硅化物所覆蓋。探測器的兩個漏區(qū)和共用的源區(qū)之間分別形成兩個MOSFET結(jié)構(gòu)的存儲管MTl和MT2。從控制柵往下到基底層沒有對探測光波透明的或半透明的窗口，而在源區(qū)的上方設(shè)有對光波透明的或半透明的窗口。所述探測器的光電子存儲層5是多晶硅、Si3N4或其它電子導(dǎo)體或半導(dǎo)體；隧穿氧化層4是SiO2、Al2O3或其他高k絕緣介質(zhì)層，等效SiO2的厚度為4 7nm ;阻擋絕緣介質(zhì)層6是Si02、SiO2/ Si3N4/Si02復(fù)合層、Al2O3或其他高k絕緣介質(zhì)層，等效SiO2的厚度為8 20nm ;控制柵極7是多晶娃、金屬或其他導(dǎo)電電極。
所述探測器結(jié)構(gòu)的一個典型的實施例是共用源區(qū)的雙SONOS存儲器結(jié)構(gòu)，如圖2所示。它的隧穿氧化層4是SiO2，光電子存儲層5是Si3N4,阻擋絕緣介質(zhì)層6是SiO2，控制柵極7是多晶硅，控制柵極正上方是對光不透明的光阻擋層8。漏區(qū)2面積較小，且漏區(qū)表面被金屬硅化物所覆蓋9，防止光照入漏區(qū)。源區(qū)3面積較大，為探測器的光電轉(zhuǎn)換區(qū)。探測器的源區(qū)采用N+注入形成的埋層構(gòu)成，源區(qū)半導(dǎo)體表面沒有被金屬硅化物所覆蓋。從控制柵極往下到基底層沒有對探測光波透明的或半透明的窗口，而在源區(qū)的上方設(shè)有對光波透明的或半透明的窗口。所述探測器結(jié)構(gòu)的另一個典型的實施例是共用源區(qū)的雙浮柵存儲器結(jié)構(gòu)，如圖3所示。它的隧穿氧化層4是SiO2，光電子存儲層5是多晶硅，阻擋絕緣介質(zhì)層6是SiO2/Si3N4/Si02復(fù)合層，控制柵極7是多晶硅，控制柵極的正上方是對光不透明的光阻擋層8。漏區(qū)2面積較小，且漏區(qū)表面被金屬硅化物所覆蓋9，防止光照入漏區(qū)。源區(qū)3面積較大，為探測器的光電轉(zhuǎn)換區(qū)。探測器的源區(qū)采用N+注入形成的埋層構(gòu)成，源區(qū)半導(dǎo)體表面沒有被金屬硅化物所覆蓋。從控制柵極往下到基底層沒有對探測光波透明的或半透明的窗口，而在源區(qū)的上方設(shè)有對光波透明的或半透明的窗口。(二)探測器單元組成的成像陣列
所述眾多相同的探測器單管能以典型的NOR型存儲陣列架構(gòu)成大規(guī)模成像陣列，如圖4所示。一個陣列上相鄰的兩個存儲管共用一個公共的源區(qū)，一個源區(qū)(Common source)和它兩邊的兩個漏區(qū)(Bit line，位線)組成的兩個存儲單元構(gòu)成一個探測器單元。同時該探測器單元的漏區(qū)又是下一個相鄰探測器單元的漏區(qū)，Word line (字線)為探測器單元的控制柵極。因此所述的探測器單元具有很高的陣列密度。探測器單元的源區(qū)面積較大，由N+注入的埋層構(gòu)成，源區(qū)上無需接觸孔，源區(qū)表面沒有被金屬硅化物覆蓋，源區(qū)的上方設(shè)有對光波透明的或半透明的窗口，源區(qū)作為每個探測器單元的光電轉(zhuǎn)換區(qū)。探測器單元的漏區(qū)面積較小，且漏區(qū)表面被金屬硅化物所覆蓋，防止光照入漏區(qū)。探測器單元的控制柵極上方設(shè)有光阻擋層，從控制柵極往下到基底層沒有對探測光波透明的或半透明的窗口。(三)探測器工作原理和過程
I)光電子產(chǎn)生和收集
當探測器的兩個控制柵極上同時施加一個電壓為5 10V,時間為10 IOOms的正脈沖，襯底接地，源極和漏極浮空，由于源區(qū)電容和控制柵極電容的耦合作用，源區(qū)和襯底之間的PN結(jié)處于反偏，形成耗盡層。當光照射到源區(qū)耗盡層上，有光生電子和空穴對產(chǎn)生。在電荷積分時間內(nèi)，產(chǎn)生的光電子數(shù)目與光照積分時間成正比，產(chǎn)生的光電子存儲在源區(qū)與襯底構(gòu)成的光電二極管的耗盡區(qū)內(nèi)，產(chǎn)生的空穴流向襯底。具體操作示意如圖5(a)所示。2)光電子轉(zhuǎn)移
當光電子產(chǎn)生控制和收集后，一個電壓為10 20V，時間為5 20US的正脈沖施加在探測器的兩個柵極和襯底之間，源極和漏極浮空，探測器兩個柵極下面的襯底表面溝道區(qū)被深耗盡，于是源區(qū)光電二極管內(nèi)產(chǎn)生和收集的光電子通過BBD模式轉(zhuǎn)移到源區(qū)左右兩邊柵極下的溝道耗盡區(qū)勢阱內(nèi)。電荷的轉(zhuǎn)移會一致持續(xù)，直到源區(qū)光電二極管內(nèi)的電勢和柵極下襯底耗盡區(qū)勢阱表面的電勢達到平衡。具體操作示意如圖5(b)所示。3)光電子注入和存儲
隨著兩個控制柵極下襯底耗盡區(qū)內(nèi)轉(zhuǎn)移來的光電子數(shù)目增多，襯底耗盡區(qū)勢阱內(nèi)的電 勢逐漸降低，導(dǎo)致探測器隧穿氧化層中的電場強度進一步增大。當器件隧穿氧化層中的電場強度足夠大時，從源區(qū)轉(zhuǎn)移到兩個存儲管耗盡區(qū)內(nèi)的光電子通過FN隧穿效應(yīng)穿過隧穿氧化層到達兩個存儲管的電荷存儲層，使兩個存儲管的閾值電壓同時增高。具體操作示意圖如圖5(c)所示。3)光電子讀出
當探測器的兩個控制柵極同時接一個正偏電壓3 6V，漏極接一個正偏電壓O. I
O.5V，源極和襯底接地，調(diào)節(jié)漏極電壓使探測器單元的兩個存儲管工作在線性區(qū)或亞閾區(qū)，對組成探測器單元的兩個存儲管分別讀出漏極電流，并與無光探測讀出時的漏極電流進行比較，確定兩個存儲管所存儲的光電子數(shù)目。最后對每個探測器單元包含的兩個存儲管所存儲的光電子相加得到每個探測單元所探測到的總的光電子數(shù)目。具體操作如圖示意圖5(d)所示。

4)復(fù)位
在探測器單元的兩個控制柵極和襯底之間施加一個-10 -20V脈沖，將存儲層上存儲的電荷抽回襯底，使探測器單元兩個存儲管的閾值電壓恢復(fù)到初始狀態(tài)，為下一次工作做準備。具體操作如圖示意圖5(e)所示。也可在兩個控制柵極和源極之間施加一個-10 -20V脈沖，將存儲層上存儲的電荷抽回源區(qū)，使探測器的閾值電壓恢復(fù)到初始狀態(tài)。
權(quán)利要求
1.一種固態(tài)成像探測器，其特征是該探測器是一種共用源區(qū)的雙MOSFET存儲器結(jié)構(gòu)的成像探測器，探測器單元的構(gòu)成是在基底P型半導(dǎo)體硅材料(I)上方的兩側(cè)設(shè)有重摻雜的N型半導(dǎo)體區(qū)域，分別構(gòu)成探測器的兩個漏區(qū)(2)，基底P型半導(dǎo)體硅材料(I)上方的中央設(shè)有重摻雜的N型半導(dǎo)體區(qū)域，構(gòu)成探測器的源區(qū)(3)，上述兩個漏區(qū)和共用的源區(qū)之間基底的正上方依次分別設(shè)有隧穿氧化層(4)、光電子存儲層(5)、阻擋絕緣介質(zhì)層(6)和控制柵極(7)，控制柵極的上方覆蓋有光阻擋層(8);探測器的源區(qū)和漏區(qū)的大小不對稱，漏區(qū)(2)面積相對源區(qū)較小，且漏區(qū)表面被金屬硅化物所覆蓋(9)，防止光照入漏區(qū)；探測器的源區(qū)(3)面積較大，為探測器的光電轉(zhuǎn)換區(qū)；探測器的源區(qū)采用N+注入形成的埋層構(gòu)成，源區(qū)半導(dǎo)體表面沒有被金屬硅化物所覆蓋；探測器的兩個漏區(qū)和共用的源區(qū)之間分別形成兩個MOSFET結(jié)構(gòu)的存儲管；從控制柵極往下到基底層沒有對探測光波透明的或半透明的窗口，而在源區(qū)的上方設(shè)有對光波透明的或半透明的窗口。
2.如權(quán)利要求I所述的固態(tài)成像探測器，其特征是探測器的光電子存儲層(5)是多晶硅、Si3N4 ;隧穿氧化層(4)是Si02、Al2O3，等效SiO2的厚度為4 7nm;阻擋絕緣介質(zhì)層(6)是Si02、SiO2/ Si3N4/Si02復(fù)合層、Al2O3,等效SiO2的厚度為8 20nm ;控制柵極(7)是多晶硅或金屬。
3.如權(quán)利要求I所述的固態(tài)成像探測器，其特征是所述探測器單元采用多個，以典型的NOR型存儲陣列架構(gòu)構(gòu)成大規(guī)模成像陣列，一個NOR陣列上相鄰的兩個存儲管單元共用一個源區(qū)，構(gòu)成一個探測器單元；源區(qū)面積較大，由N+注入的埋層構(gòu)成，源區(qū)作為每個探測器單元的光電轉(zhuǎn)換區(qū)。
全文摘要
一種固態(tài)成像探測器，探測器每個單元的構(gòu)成是在基底P型半導(dǎo)體硅材料1上方的兩側(cè)設(shè)有重摻雜的N型半導(dǎo)體區(qū)域，分別構(gòu)成探測器的兩個漏區(qū)2，在基底P型半導(dǎo)體硅材料上方的中央設(shè)有重摻雜的N型半導(dǎo)體區(qū)域，構(gòu)成探測器的源區(qū)3。兩個漏區(qū)和共用源區(qū)之間基底的正上方依次分別設(shè)有隧穿氧化層4、光電子存儲層5、阻擋絕緣介質(zhì)層6和控制柵極7，控制柵極的上方覆蓋有光阻擋層8。探測器的兩個漏區(qū)和共用的源區(qū)之間分別形成兩個MOSFET結(jié)構(gòu)的存儲管。探測器的源區(qū)和漏區(qū)的大小不對稱，漏區(qū)2面積較小，且漏區(qū)表面被金屬硅化物所覆蓋9，防止光照入漏區(qū)。探測器的源區(qū)3面積較大，為探測器的光電轉(zhuǎn)換區(qū)。探測器的源區(qū)采用N+注入形成的埋層構(gòu)成，源區(qū)半導(dǎo)體表面沒有被金屬硅化物所覆蓋。從控制柵極往下到基底層沒有對探測光波透明的或半透明的窗口，而在源區(qū)的上方設(shè)有對光波透明的或半透明的窗口。
文檔編號H01L27/146GK102916025SQ20121038433
公開日2013年2月6日 申請日期2012年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月12日
發(fā)明者徐躍, 趙菲菲, 岳恒 申請人:南京郵電大學(xué)