面33、第四分光面34和第五分光面35的出射光的 光強(qiáng)分別為激光器36原始光強(qiáng)的20%、20%、20. 4%、19. 8%和19. 8%，由于20%= 20% ~20. 4%~19. 8%~19. 8%，因此，可以認(rèn)為經(jīng)過本發(fā)明實施例提供的多路激光發(fā)射裝置 透射、反射得到的五路出射光的光強(qiáng)相等，均為激光器36原始光強(qiáng)的20%。在此種情況下， 該五路出射光的光強(qiáng)的影響因子可以認(rèn)為是只有激光器36的原始光強(qiáng)，而不是像申請?zhí)?為201410189094. 1的發(fā)明專利申請涉及的實時快速檢測晶片基底二維形貌的裝置，需要 同時調(diào)節(jié)各激光器，因此，本發(fā)明實施例提供的多路激光發(fā)射裝置便于對出射光的光強(qiáng)進(jìn) 行控制，并且調(diào)節(jié)更加方便。
[0047] 其中，多個分光面的上、下表面分別設(shè)有增透模，增透膜與激光器發(fā)射的激光波長 相配合。根據(jù)本發(fā)明實施例提供的多路激光發(fā)射裝置，即該裝置中分光面包括五個，出射光 分別是經(jīng)過各分光面反射、折射得到的，其中，經(jīng)過第一分光面31的出射光是經(jīng)過該第一 分光面31透射得到的，經(jīng)過第二分光面32的出射光是經(jīng)過第一分光面31反射和第二分光 面32反射得到的，經(jīng)過第三分光面33的出射光是經(jīng)過第一分光面31反射、第二分光面32 透射和第三分光面33反射得到的，經(jīng)過第四分光面34的出射光是經(jīng)過第一分光面31反 射、第二分光面32透射、第三分光面33透射和第四分光面34反射得到的，經(jīng)過第五分光面 35的出射光是經(jīng)過第一分光面31反射、第二分光面32透射、第三分光面33透射、第四分光 面34透射和第五分光面35反射后得到的。這就需要光線在經(jīng)過第一~第五分光面時由于 分光面本身造成的光強(qiáng)衰減盡可能低，因此，在分光面的上、下表面設(shè)置與激光器36的發(fā) 光波長相配合的增透?？梢员M可能降低由于分光面本身造成的光強(qiáng)衰減，從而保證該五路 出射光的光強(qiáng)相等。
[0048] 其中，多個分光面兩兩之間的間距相等，根據(jù)幾何關(guān)系，當(dāng)多個分光面兩兩之間的 間距相等時，多路出射光之間的間距也兩兩之間相等，此時，便于根據(jù)各路出射光的位置對 各PSD的位置進(jìn)行布置。
[0049] 以上所述的【具體實施方式】，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步 詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的【具體實施方式】而已，并不用于限制本發(fā) 明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明 的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，包括N個PSD，N束激光、與所述N束激 光一一對應(yīng)的N個第一分光片、與所述N束激光一一對應(yīng)的N個第二分光片，所述N束激光 沿直線排布，其中，所述N為3以上的自然數(shù)，所述N個PSD與N束激光一一對應(yīng)，所述N個 PSD分別布置在所述N束激光的左右兩側(cè)，包括左側(cè)PSD和右側(cè)PSD， 每束激光經(jīng)過第一分光片后入射到第二分光片，通過第二分光片后入射到晶片樣品表 面，晶片樣品表面反射的N束反射光束包括第一方向光束和第二方向光束，第一方向光束 通過第二分光片后，入射到第一分光片，經(jīng)過所述第一分光片后，入射到所述右側(cè)PSD上； 所述第二方向光束通過第二分光片后入射到所述左側(cè)PSD上； 所述N個第一分光片和N個第二分光片上分別設(shè)有鍍膜區(qū)域，其中，對應(yīng)于所述第一方 向光束的區(qū)域，所述第一分光片能同時反射和透射所述激光；對應(yīng)于所述第二方向光束的 區(qū)域，所述第二分光片能同時反射和透射所述激光。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于， 所述N個第一分光片集成為一片， 和/或， 所述N個第二分光片集成為一片。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，對應(yīng)于所述第 一方向光束的區(qū)域，所述第一分光片的鍍膜使其在（λ-lOnm，λ+lOnm)的波長范圍內(nèi)的反 射率為50%，對應(yīng)于所述第二方向光束的區(qū)域，所述第二分光片的鍍膜使其在（λ-lOnm， λ+lOnm)的波長范圍內(nèi)的反射率為50%，其中，λ為所述N束激光的中心波長。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，對應(yīng)于所述 第二方向光束的區(qū)域，所述第一分光片的鍍膜使其在（λ-10nm，λ+l〇 nm)的波長范圍內(nèi) 的反射率為大于90%，對應(yīng)于所述第一方向光束的區(qū)域，所述第二分光片的鍍膜使其在 (λ-ΙΟ·，λ+lOnm)的波長范圍內(nèi)的反射率為大于90%，其中，λ為所述N束激光的中心 波長。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，對應(yīng)于所述 第一方向光束的區(qū)域，所述第一分光片的鍍膜使其在（λη?η，λ-lOnm)以及（λ+lOnm， λ max)的波長范圍內(nèi)的透射率小于20%，所述第二分光片的鍍膜使其在（λ min，λ-l〇nm) 以及（λ+lOnm，Amax)的波長范圍內(nèi)的透射率大于85%，對應(yīng)于所述第二方向光束的區(qū) 域，所述第二分光片的鍍膜使其在（λη?η，λ-lOnm)以及（λ+lOnm，λη?η)的波長范圍內(nèi) 的透射率小于20%，其中，λ為所述Ν束激光的中心波長，λ min和λ max分別為所述PSD 的最小響應(yīng)波長和最大響應(yīng)波長。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，所述第一分光 片和所述第二分光片的內(nèi)表面鍍有波長為λ的增透膜。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，還包括第三分 光片，所述第二方向光束通過所述第二分光片后，入射到所述第三分光片上，經(jīng)過所述第三 分光片反射后，入射到所述左側(cè)PSD上；所述第三分光片為全介質(zhì)二向色分光片，所述第三 分光片的鍍膜使其在（Xmin，λ-lOnm)以及（λ+lOnm，Amax)的波長范圍內(nèi)反射率大于 95%，在（λη?η，λ-lOnm)以及（λ+lOnm，Amax)的波長范圍內(nèi)的透射率大于85%。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，所述第一分光 片分別對應(yīng)于所述第一方向光束和所述第二方向光束的鍍膜區(qū)域間隔設(shè)置；所述第二分光 片分別對應(yīng)于所述第一方向光束和所述第二方向光束的鍍膜區(qū)域間隔設(shè)置。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，所述N束激光由 一個多路激光發(fā)射裝置發(fā)出，所述多路激光發(fā)射裝置包括多路分光棱鏡和激光器，所述多 路分光棱鏡包括多個分光面，所述多個分光面之間平行，所述多個分光面與水平方向的夾 角分別為45°，所述多個分光面的中心處在同一直線上，所述激光器發(fā)射的激光沿著與所 述直線的垂直方向射向其中一處于最外側(cè)的分光面，通過給所述多個分光面賦予差異化的 反射率和透射率，使得經(jīng)過所述多個分光面透射或者反射的多路出射光光強(qiáng)相同。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，所述激光器內(nèi) 部增設(shè)反饋電路。11. 根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，所述分光 面為5個，依次為第一分光面，第二分光面，第三分光面、第四分光面和第五分光面； 所述激光器發(fā)射的激光沿著與所述直線垂直的方向射向所述第一分光面， 所述第一分光面的反射率為80 %，透射率為20% ; 所述第二分光面的反射率為25 %，透射率為75% ; 所述第三分光面的反射率為34%，透射率為66% ; 所述第四分光面的反射率為50 %，透射率為50% ; 所述第五分光面的反射率為100%，透射率為0。12. 根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，所述多個 分光面的上、下表面分別設(shè)有鍍模，所述鍍膜與所述激光器發(fā)射的激光波長相配合。
【專利摘要】本發(fā)明提供的檢測晶片基底二維形貌的裝置，屬于半導(dǎo)體材料無損檢測技術(shù)領(lǐng)域。該檢測晶片基底二維形貌的裝置包括具有與N束激光一一對應(yīng)N個第一分光片和與N束激光一一對應(yīng)的N個第二分光片，N個第一分光片和N個第二分光片上分別設(shè)有鍍膜區(qū)域，鍍膜區(qū)域使各分光片形成不同的反射率和透過率，從而通過第一分光片和第二分光片可以入射到樣品上后返回的N束光分成兩個方向，分別進(jìn)行探測，鍍膜區(qū)域反射和透射的性質(zhì)則根據(jù)個第一種反射光束的傳播方向決定，而通過在分光片的不同區(qū)域鍍不同性質(zhì)的鍍膜滿足檢測晶片基底二維形貌的裝置對光路傳播的要求，由于鍍膜精度極高，因此，能夠保證不同傳播方向PSD接收到的光的一致性。
【IPC分類】G01B11/245
【公開號】CN105698705
【申請?zhí)枴緾N201410692862
【發(fā)明人】劉健鵬, 黃文勇, 張瑭, 張立芳
【申請人】北京智朗芯光科技有限公司
【公開日】2016年6月22日
【申請日】2014年11月26日