] 應注意到，除了或替換圖la示出的光源和傳感器，圖la的設備100可以包括圖4的 設備400的光源和傳感器中的一個或多個。
[0119] 本說明書公開或圖示的每個特征都可以通過與本文中公開或圖示的任意其它特 征任意適當組合或單獨的方式并入本文中公開的設備或方法中。
[0120] 以與設備100和圖2公開相類似的方式操作設備400。在寶石404位于測量位置402 處時，每個對應的一對光源和傳感器被操作以進行寶石404參數(shù)的測量。
[0121] 使用設備400,可以同時地執(zhí)行吸收測量、拉曼測量和光致發(fā)光測量中的兩個或更 多個。具體地，可以同時地執(zhí)行吸收測量和拉曼測量。進一步地，可以同時地執(zhí)行拉曼測量 和光致發(fā)光測量?？梢皂樞虻貓?zhí)行吸收測量和光致發(fā)光測量。當技術上不可能制造理想的 光學濾波器以用于控制由光源發(fā)出或由傳感器收集的波長范圍或制造成本較高時，可能需 要順序地進行吸收測量和光致發(fā)光測量。
[0122] 如上所述，當前的設備，諸如De Beer's AMS設備，例如使用具有在從300nm到 508nm的范圍中的波長的光進行吸收測量，并且例如使用具有在從700nm到800nm的范圍中 的波長的光進行分離的光致發(fā)光測量。在這些分離的測量之后，根據(jù)兩個測量結(jié)果，石頭可 以分配到五個箱中的一個。在測量之后，放置在'通過'箱中的石頭不需要其他測試，然而放 置在'進送類型II'箱中的石頭需要其他測試。
[0123] 其他測試通常地涉及從設備移除石頭并且通過另一設備進行光致發(fā)光測量。發(fā)明 者已經(jīng)認識到，由于設備的整體通過速度可以被改進并且石頭到另一儀器的移動可以被避 免，所以有利的是在單個設備中進行這些額外測量。并且，可以不導致另一篩選儀器的額外 成本。
[0124]為減少成本和復雜度，已經(jīng)研發(fā)了利用單個光譜儀和相對便宜UV LED光源的方法 和設備。
[0125] 圖5示出了包括UVLED511的設備500的示意圖。圖5的設備具有在拋光鉆石上進行 吸收測量、光致發(fā)光測量和熒光測量的能力。
[0126] 第一光源506和第一光譜儀510用于進行吸收測量。UVLED光源511和第一光譜儀 510用于進行熒光測量，并且激光器509和第二光譜儀513用于進行拉曼測量/光致發(fā)光測 量。應注意到激光器509和第二光譜儀513的包含是可選擇的。
[0127] 由于第一光譜儀510用于吸收和熒光，因而圖5的設備不要求額外的光譜儀以測量 吸收和熒光。因為激勵照射在高處由UVLED光源511引入而非通過光纖電纜傳送，因而額外 的光纖電纜也不需要。使用UVLED光源511而非更昂貴的激光源。
[0128] 在示例性方法和設備中，第一光譜儀510可以利用電荷耦合裝置(CXD)探測器。在 特定的示例性方法和設備中，第一光譜儀510可以是包括CCD探測器的'微型'光譜儀。在該 裝置中，光入射到狹縫上，然后從反射衍射光柵分散到較長的CCD探測器(通常地為2048x14 像素)上。
[0129] 通常地，在已知的解決方案中，通過分離的專用光譜儀進行光致發(fā)光測量和熒光 測量，并且通過使用長波通過濾波器(長通濾波器)防止激勵光進入光譜儀中。長通濾波器 通常地裝配在光譜儀的入口狹縫后方并且拒絕限定波長以下的光。例如，如果激勵波長是 365nm，則長通濾波器將通常透射在390nm和之上的光。圖6給出典型的長通濾波器的透射光 譜。
[0130]在沒有長通濾波器的情況下，激勵光可以進入光譜儀中并且導致CCD探測器的飽 和，阻止熒光或光致發(fā)光被檢測到。熒光或光致發(fā)光強度通常比入射激勵光強度小許多，并 且因此非常難以檢測到，即使CCD探測器不在飽和狀態(tài)。
[0131]使用長通濾波器的缺點是，不存在具有長通濾波器拒絕帶中的波長的光可以被光 譜儀檢測到。因此，在該區(qū)域中的吸收測量是不可能的。
[0132] -個解決方案是具有可機械移動的長通濾波器，但是這增加了復雜度并且可能意 味著對光譜儀主體的修改。長通濾波器可以被添加在光纖線路中，并且可機械地移除，但是 破壞該線路并且在濾波器大致導致約40%的光損耗之后，重新組合。
[0133] 本文中公開的設備和方法允許在不需要長通濾波器的情況下，使用同一光譜儀在 從300nm到508nm的范圍中的吸收測量，和在從400nm到508nm的范圍中的熒光測量。
[0134] 參見圖7,示出了第一光譜儀510的示意圖。光譜儀510包括狹縫700、衍射光柵702、 掩模704和CCD陣列708。光束708入射在狹縫700上，并且光傳輸通過狹縫，并且通過衍射光 柵702被分散。分散光然后經(jīng)由掩模704入射在CCD陣列706上。掩模包括遮蔽區(qū)域710,遮蔽 區(qū)域710與具有在從350nm到400nm的范圍中的波長的光對應，使得光被阻擋并且不到達CCD 陣列706,這通過CCD陣列706上的區(qū)域712被示出。掩模阻擋在特定波長范圍中入射到光譜 儀CCD的探測器上的所有光，所述光在示例性方法和設備中包括在365nm處的UVLED光。因 此，在CCD探測器沒有飽和的情況下可以測量從400nm到508nm的熒光光譜。圖7示出的衍射 光柵是透射光柵，但是也可以使用反射光柵。
[0135] 也可以用從300nm到350nm和400nm到508nm的范圍進行吸收測量。包含在被遮蔽的 350nm到400nm區(qū)域中的信息不與篩選鉆石相關并且不用于確定鉆石是否是自然的或人造 的。
[0136] 掩模到第一光譜儀CCD探測器706的施加允許光譜儀用于鉆石上的熒光測量和吸 收測量。
[0137] 圖8示出掩模704和CCD陣列706的等距視圖。遮蔽區(qū)域706可以被看到并且被構(gòu)造 成用于阻擋光。遮蔽區(qū)域710的兩側(cè)是光可以傳輸通過的開口。
[0138] 可以順序地與任意其它測量一起執(zhí)行熒光測量。
[0139] 計算機程序可以被構(gòu)造成用于提供上述方法中的任一方法。計算機程序可以被提 供在計算機可讀介質(zhì)上。計算機程序可以是計算機程序產(chǎn)品。產(chǎn)品可以包括非暫時性計算 機可用存儲介質(zhì)。計算機程序產(chǎn)品可以具有位于被構(gòu)造成用于執(zhí)行所述方法的介質(zhì)中的計 算機可讀程序代碼。計算機程序產(chǎn)品可以被構(gòu)造成用于促使至少一個處理器以執(zhí)行方法中 的一些或所有。
[0140] 在本文中參照計算機執(zhí)行方法的方框示意圖或流程示意圖、設備（系統(tǒng)和/或裝 置)和/或計算機程序產(chǎn)品以描述多個方法和設備。應該理解，方框示意圖和/或流程示意圖 的方框，以及方框示意圖和/或流程示意圖中的方框的組合，可以通過由一個或多個計算機 電路執(zhí)行的計算機程序指令被執(zhí)行。這些計算機程序指令可以被提供到通用計算機電路的 處理器電路、專用計算機電路和/或其它的可編程數(shù)據(jù)處理電路以產(chǎn)生一個機器，使得經(jīng)由 計算機的處理器和/或其它可編程數(shù)據(jù)處理設備執(zhí)行的指令轉(zhuǎn)換并控制晶體管、存儲在存 儲器位置中的值和該電路中的其它硬件構(gòu)件，以執(zhí)行方框示意圖和/或流程圖方框或多個 流程圖方框中規(guī)定的功能/作用，并且從而產(chǎn)生用于執(zhí)行方框示意圖和/或流程圖方框中規(guī) 定的功能/作用的裝置(功能性)和/或結(jié)構(gòu)。
[0141] 計算機程序指令也可以存儲在計算機可讀介質(zhì)中，所述計算機可讀介質(zhì)可以引導 計算機或其它的可編程數(shù)據(jù)處理設備以特定方式起作用，使得存儲在計算機可讀介質(zhì)中的 指令產(chǎn)生包括指令的制品，所述指令執(zhí)行在方框示意圖和/或流程圖方框或多個流程圖方 框中規(guī)定的功能/作用。
[0142] 有形的非暫時性計算機可讀介質(zhì)可以包括電子的、磁性的、光學的、電磁的或半導 體的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)、設備或裝置。計算機可讀介質(zhì)的更多特定示例可以包括如下各項:便攜 式計算機軟盤、隨機存取存儲器(RAM)電路、只讀存儲器(ROM)電路、可擦除編程只讀存儲器 (EPROM或閃存存儲器）電路、便攜式光盤只讀存儲器(CD-ROM)和便攜式數(shù)字視頻光盤只讀 存儲器(DVD/藍光）。
[0143] 計算機程序指令還可以加載到計算機和/或其它的可編程數(shù)據(jù)處理設備上，以促 使一系列操作步驟在計算機和/或其它的可編程設備上被執(zhí)行以產(chǎn)生計算機執(zhí)行過程，使 得在計算機或其它可編程設備上執(zhí)行的指令提供用于執(zhí)行方框示意圖和/或流程圖方框或 多個流程圖方框中規(guī)定的功能/作用的步驟。
[0144] 因此，本發(fā)明可以體現(xiàn)在在處理器上運行的硬件和/或軟件(包括固件、常駐軟件、 微代碼等）中，所述硬件和/或軟件可以共同地稱為"電路"、"模塊"或其變化例。
[0145] 還應該注意，在一些可替換實現(xiàn)方式中，方框中示出的功能/作用可以以流程圖示 出的順序外的順序發(fā)生。例如，根據(jù)涉及的功能/作用，連續(xù)示出的兩個方框?qū)嶋H上可以大 致地被同時執(zhí)行或方框有時可以以相反的順序被執(zhí)行。此外，流程圖和/或方框示意圖的給 定方框的功能可以分離成多個方框，和/或流程圖和/或方框示意圖的兩個或多個方框的功 能可以至少部分地合成。最后，其它方框可以添加/插入在圖示的方框之間。
[0146] 技術人員將能夠在沒有脫離隨附權(quán)利要求的范圍的情況下設想其它的實施例。
【主權(quán)項】
1. 一種用于在切割寶石定位在單個測量位置處時測量所述切割寶石的多個參數(shù)的設 備，所述設備包括： 多個光源，所述多個光源中的每個都被構(gòu)造成發(fā)射處于多個發(fā)射波長或波長范圍中不 同的一個發(fā)射波長或波長范圍的光，使得發(fā)出的光照射測量位置的至少一部分;和 傳感器組件，所述傳感器組件被構(gòu)造成感測處于多個感測波長或波長范圍的光，以用 于測量所述多個參數(shù)，由于對定位在測量位置處的切割寶石的照射，來自測量位置的被感 測的光在傳感器組件處被接收。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設備，進一步包括:支撐組件，所述支撐組件用于將切割寶石 保持在測量位置處以便于光透射到切割寶石的切面內(nèi)和切面外。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設備，其中：所述多個光源包括寬帶光源，所述寬帶光源被構(gòu) 造成發(fā)射用于測量切割寶石的吸收的光。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的設備，其中：寬帶光源被構(gòu)造成用于發(fā)射具有在從約300nm到 約520nm的范圍內(nèi)的波長的光。5. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的設備，其中所述多個光源包括一個或多個激光源。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的設備，其中：所述一個或多個激光源包括被構(gòu)造成發(fā)射具有下 述波長的光的激光源，所述波長適合于從切割寶石激勵具有可檢測波長的拉曼發(fā)射光譜。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的設備，其中:激光源被構(gòu)造成發(fā)射約660nm的光。8. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的設備，其中所述一個或多個激光源包括至少一個激光 源，所述至少一個激光源被構(gòu)造成發(fā)射具有適合于在切割寶石中激勵光致發(fā)光的波長的 光。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的設備，其中：被構(gòu)造成發(fā)射具有