[0046]圖1是表示第I實(shí)施方式所涉及的放射線圖像變換面板的結(jié)構(gòu)的概略側(cè)截面圖。如圖1所示，放射線圖像變換面板10是用于將入射的X射線等的放射線R變換為光并檢測(cè)的面板，例如呈矩形板形狀。放射線圖像變換面板10的長(zhǎng)度為10mm左右，寬度為10mm左右，厚度為0.4_左右。放射線圖像變換面板10例如可以作為牙科用的成像板來使用。另外，放射線圖像變換面板10可以通過組合未圖示的HeNe激光和PMT(PhotomultiplierTube ;光電倍增管)等來作為放射線圖像傳感器使用。該放射線圖像變換面板10具有支撐體1、輝盡性熒光體層2、第I保護(hù)膜3和第2保護(hù)膜4。
[0047]支撐體I是具有可撓性的基材，例如呈矩形形狀。支撐體I例如由聚酰亞胺、PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)、PEEK(聚醚醚酮)、PEN(聚萘二甲酸)、LCP(液晶聚合物)、PA (聚酰胺)、PES (聚醚砜)、PPS (聚苯硫醚)、PBT (聚對(duì)苯二甲酸)、厚度200 μ m以下的薄板玻璃、厚度10ym以下的SUS箔構(gòu)成。支撐體I的厚度例如為1ym以上且例如為500 μm以下。該支撐體I只要具有一定的可撓性即可，優(yōu)選樹脂薄膜。
[0048]輝盡性熒光體層2是吸收并蓄積入射的放射線R，并將與通過被照射有激勵(lì)光而蓄積的放射線R的能量對(duì)應(yīng)的光L放出的層。輝盡性熒光體層2設(shè)置在支撐體I的表面Ia (主面)上，其厚度例如為80 μ m以上且例如為600 μ m以下。該輝盡性熒光體層2例如由摻雜了 Eu(銪)的CsBH溴化銫)(以下稱為“CsBr:EU”)構(gòu)成，具有多個(gè)柱狀結(jié)晶25 (也稱為針狀結(jié)晶)林立的構(gòu)造。此外，CsBr = Eu的吸濕性高，在露出的狀態(tài)下會(huì)吸收空氣中的水蒸汽潮解。另外，照射于輝盡性熒光體層2的激勵(lì)光的波長(zhǎng)范圍為550?SOOnm左右，由輝盡性熒光體層2放出的光L的波長(zhǎng)范圍為350?500nm左右。
[0049]第I保護(hù)膜3是耐濕性的保護(hù)膜，是用于抑制輝盡性熒光體層2吸收空氣中的水蒸汽的防濕膜。第I保護(hù)膜3以覆蓋輝盡性熒光體層2的上面2a和側(cè)面2c且填埋輝盡性熒光體層2的多個(gè)柱狀結(jié)晶25的間隙的方式設(shè)置。在第I實(shí)施方式中，第I保護(hù)膜3以覆蓋支撐體I和輝盡性熒光體層2的整體的方式設(shè)置。換言之，第I保護(hù)膜3設(shè)置在支撐體I的表面la、背面Ib和側(cè)面Ic上以及輝盡性熒光體層2的上面2a和側(cè)面2c上，包圍著支撐體I和輝盡性熒光體層2的整體。第I保護(hù)膜3的厚度例如為2 μπι以上且例如為20μπι以下。另外，第I保護(hù)膜3的以舊JIS Κ5400為基準(zhǔn)的鉛筆硬度(以下僅稱為“鉛筆硬度”)為2Η左右。該第I保護(hù)膜3例如由聚對(duì)二甲苯和聚脲等有機(jī)膜或者在上述有機(jī)膜上層疊氮化膜(例如SiN，S1N)和碳化膜(例如SiC)等而成的有機(jī)膜與無機(jī)膜的混合膜構(gòu)成。通過在有機(jī)膜上形成無機(jī)膜，能夠進(jìn)一步提高耐濕性。
[0050]第2保護(hù)膜4是耐擦傷性的保護(hù)膜，是用于防止處理和利用掃描裝置的讀取時(shí)受到的損傷的保護(hù)膜。第2保護(hù)膜4設(shè)置在第I保護(hù)膜3上。第I實(shí)施方式中，第2保護(hù)膜4以覆蓋第I保護(hù)膜3的整體的方式設(shè)置。換言之，第2保護(hù)膜4設(shè)置在支撐體I的表面la、背面Ib和側(cè)面Ic上，并包圍著支撐體1、輝盡性熒光體層2和第I保護(hù)膜3的整體。第2保護(hù)膜4的厚度例如為2 μπι以上且例如為20 μπι以下。另外，第2保護(hù)膜4的鉛筆硬度在第I保護(hù)膜3的鉛筆硬度以下，例如為2Η以下。該第2保護(hù)膜4例如由聚氨酯丙烯酸類樹脂構(gòu)成，耐擦傷性和可撓性優(yōu)異。作為第2保護(hù)膜4，例如可以使用伊薩姆涂料株式會(huì)社的Accelerator Spica clear-T 以及關(guān)西涂料株式會(huì)社的 Super Diamond clear-Q 等。
[0051]在如以上所述構(gòu)成的放射線圖像變換面板10中，當(dāng)放射線R(放射線圖像)經(jīng)由第2保護(hù)膜4和第I保護(hù)膜3入射時(shí)，入射的放射線R被輝盡性熒光體層2吸收并蓄積。其后，將紅色激光等照射于輝盡性熒光體層2作為激勵(lì)光時(shí)，與被輝盡性熒光體層2蓄積的放射線R的能量對(duì)應(yīng)的光L被導(dǎo)光至柱狀結(jié)晶25，從前端放出。然后，從輝盡性熒光體層2放出的光L依次透過第I保護(hù)膜3和第2保護(hù)膜4而射出。
[0052]在此，說明放射線圖像變換面板10的制造方法的一個(gè)例子。首先，在支撐體I的表面la，通過真空蒸鍍法等氣相沉積法使CsBr = Eu的柱狀結(jié)晶25生長(zhǎng)，形成輝盡性熒光體層2。輝盡性熒光體層2不通過涂布而通過氣相沉積法形成，從而成為具有多個(gè)柱狀結(jié)晶25的構(gòu)造。接著，通過CVD (Chemical Vapor Deposit1n ;化學(xué)氣相沉積)法等氣相沉積法，以覆蓋輝盡性熒光體層2的上面2a和側(cè)面2c的方式形成第I保護(hù)膜3。即，將形成有輝盡性熒光體層2的支撐體I收納于CVD裝置，使第I保護(hù)膜3成膜10 μ m左右的厚度。此時(shí)，由于第I保護(hù)膜3不通過涂布而通過氣相沉積法形成，因此也形成在輝盡性熒光體層2的多個(gè)柱狀結(jié)晶25的間隙。其后，通過使用涂布機(jī)在第I保護(hù)膜3上涂布例如丙烯酸聚氨酯類的樹脂，并使涂布后的樹脂固化，從而形成第2保護(hù)膜4。通過以上這樣做，制作出放射線圖像變換面板10。
[0053]圖2 (a)是表示放射線圖像變換面板10彎曲的狀態(tài)的圖，圖2 (b)是表示比較例的放射線圖像變換面板100彎曲的狀態(tài)的圖。放射線圖像變換面板100與放射線圖像變換面板10不同點(diǎn)在于，是具備支撐體101和具有多個(gè)柱狀結(jié)晶的輝盡性熒光體層102的放射線圖像變換面板，不具有第I保護(hù)層和第2保護(hù)層。輝盡性熒光體層2和輝盡性熒光體層102均由多個(gè)柱狀結(jié)晶構(gòu)成，在該多個(gè)柱狀結(jié)晶之間具有間隙。
[0054]由于放射線圖像變換面板100不具有保護(hù)層，因此在向支撐體101的背面?zhèn)葟澢鷷r(shí)輝盡性熒光體層102的柱狀結(jié)晶分開，以柱狀結(jié)晶間的間隙為起點(diǎn)，在輝盡性熒光體層102產(chǎn)生裂紋。另一方面，在放射線圖像變換面板10中，由于在輝盡性熒光體層2的柱狀結(jié)晶25的間隙設(shè)置有第I保護(hù)膜3，因此即使在向支撐體I的背面Ib側(cè)彎曲的情況下也能夠抑制柱狀結(jié)晶25的分開，能夠抑制輝盡性熒光體層2產(chǎn)生裂紋。
[0055]圖3是表示掃描通過試驗(yàn)和彎曲試驗(yàn)的試驗(yàn)結(jié)果的圖。掃描通過試驗(yàn)是使用掃描裝置使各試樣通過100次，確認(rèn)是否產(chǎn)生第2保護(hù)膜4的裂縫的試驗(yàn)。彎曲試驗(yàn)是通過使各試樣以曲率半徑15mm彎曲延伸，確認(rèn)是否產(chǎn)生第2保護(hù)膜4的裂縫的試驗(yàn)。圖中的“〇”表示不產(chǎn)生第2保護(hù)膜4的裂縫，“ X ”表示產(chǎn)生第2保護(hù)膜4的裂縫。
[0056]試樣A?試樣D均是放射線圖像變換面板，僅第2保護(hù)膜4不同。試樣A是通過熱固化形成，并使用了鉛筆硬度為HB的第2保護(hù)膜4 (關(guān)西涂料株式會(huì)社的Super Diamondclear-Q)的放射線圖像變換面板。試樣B是通過熱固化形成，并使用了鉛筆硬度為2H的第2保護(hù)膜4(JUJ0 AP墨水)的放射線圖像變換面板。試樣C是通過UV固化形成，并使用了鉛筆硬度為3H的第2保護(hù)膜4 (出光興產(chǎn)株式會(huì)社X-AHC-010UV固化品)的放射線圖像變換面板。試樣D是通過濕氣固化形成，并使用了鉛筆硬度為7H的第2保護(hù)膜4 (NittoboSSG涂層)的放射線圖像變換面板。其中，試樣A?試樣D的支撐體I由聚酰亞胺形成，其厚度為125 μπι。試樣A?試樣D的輝盡性熒光體層2由CsBr = Eu構(gòu)成，其厚度為180 μm。試樣A?試樣D的第I保護(hù)膜3由聚對(duì)二甲苯構(gòu)成，鉛筆硬度為2H，厚度為15 μπι。
[0057]如圖3所示，在試樣C和試樣D中，掃描通過試驗(yàn)和彎曲試驗(yàn)的結(jié)果，在第2保護(hù)膜4產(chǎn)生了裂縫。如此，在使用鉛筆硬度高的膜作為第2保護(hù)膜4的情況下，由于可撓性受損，因此第2保護(hù)膜4破裂的可能性變高。
[0058]另一方面，在試樣A和試樣B中，掃描通過試驗(yàn)和彎曲試驗(yàn)的結(jié)果，在第2保護(hù)膜4不產(chǎn)生裂縫。由于試樣A和試樣B的第2保護(hù)膜4的鉛筆硬度在第I保護(hù)膜3的鉛筆硬度以下，因此第2保護(hù)膜4的可撓性(伸展率)在第I保護(hù)膜3的可撓性(伸展率)以上，第2保護(hù)膜4可以跟隨于第I保護(hù)膜3的彎曲。因此，在使試樣A和試樣B多次通過掃描裝置并將試樣A和試樣B以曲率半徑為15_彎曲伸展的情況下，也能夠抑制第2保護(hù)膜4的破裂。
[0059]如以上說明所述，放射線圖像變換面板10具備具有可撓性的支撐體1、設(shè)置在支撐體I的表面Ia上并由多個(gè)柱狀結(jié)晶25構(gòu)成的輝盡性熒光體層2、以及以覆蓋輝盡性熒光體層2的上面2a和側(cè)面2c并填埋柱狀結(jié)晶25的間隙的方式設(shè)置的第I保護(hù)膜3。由此，由于通過第I保護(hù)膜3填埋多個(gè)柱狀結(jié)晶25間的間隙，因此在放射線圖像變換面板10彎曲時(shí)，也能夠消除破裂的起點(diǎn)。另外，通過多個(gè)柱狀結(jié)晶25經(jīng)由第I保護(hù)膜3—體化，從而使得輝盡性熒光體層2能夠跟隨于支撐體I的彎曲。另外，通過利用第I保護(hù)膜3覆蓋輝盡性熒光體層2的上面2a和側(cè)面2c，從而能夠提高耐濕性，能夠防止輝盡性熒光體層2潮解。
[0060]此外，放射線圖像變換面板10具備設(shè)置在第I保護(hù)膜3上的第2保護(hù)膜4。由此，能夠減少因使用所致的損傷。另外，第2保護(hù)膜4的鉛筆硬度在第I保護(hù)膜3的鉛筆硬度以下。在該情況下，第2保護(hù)膜4的可撓性(伸展率)為第I保護(hù)膜3的可撓性(伸展率)以上，第2保護(hù)膜4可以跟隨第I保護(hù)膜3的彎曲。因此，在使放射線圖像變換面板10彎曲至曲率半徑為15mm來使用的情況下，也能夠抑制第2保護(hù)膜4破裂。在放射線圖像變換面板10例如作為牙科用成像板來使用的情