下變頻通路模塊及多通道變頻接收設備的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及通信領域，尤其涉及一種用于北斗衛(wèi)星導航系統(tǒng)的下變頻通路模塊及多通道變頻接收設備。
【背景技術】
[0002]抗干擾技術是信息戰(zhàn)與電子對抗研宄的一個重要方面。北斗衛(wèi)星導航系統(tǒng)的衛(wèi)星離地球很遠，衛(wèi)星信號非常微弱，存在易受干擾的缺點?，F(xiàn)有的抗干擾天線多是將獨立的衛(wèi)星天線、低噪聲放大器和射頻通道用電纜連接以實現(xiàn)抗干擾的作用，這樣會存在安裝復雜、整機體積較大的問題；而且由于連接的電纜的長度以及損耗難以完全一致，會存在通道間相位、幅度難以完全一致的缺點。
【發(fā)明內容】
[0003]本發(fā)明的目的是，提供一種下變頻通路模塊，以改善現(xiàn)有下變頻通道模塊結構復雜的問題。
[0004]本發(fā)明的另一個目的是，提供一種用于北斗衛(wèi)星導航系統(tǒng)的多通道變頻接收設備，以改善現(xiàn)有多路射頻通道間相位不一致的問題。
[0005]本發(fā)明公開了一種下變頻通路模塊，上述下變頻通路模塊由依次串聯(lián)連接的乘法器、表面波帶通濾波器及電調移相器，以及與上述乘法器依次串聯(lián)連接的壓控振蕩器、溫度補償晶體振蕩器組成。
[0006]本發(fā)明還公開了一種多通道變頻接收設備，包括依次連接的天線單元、多路S下變頻單元及鎖相環(huán)單元；上述接收設備還包括與上述調相電壓控制單元連接的調相電壓控制單元；
[0007]上述多路S下變頻單元包括2個以上并聯(lián)連接的下變頻通路模塊；
[0008]上述調相電壓控制單元用于根據(jù)上述多路S下變頻單元的工作頻點及各下變頻通路模塊中電調移相器的移相電壓值，生成對應的調相電壓V，并輸出給相應的電調移相器。
[0009]優(yōu)選地，上述調相電壓控制單元通過如下公式生成調相電壓V:
[0010]V = VtS-Fi
[0011]其中，Vts為電調移相器的移相電壓值，F(xiàn)i是上述多路S下變頻單元的工作頻點。
[0012]優(yōu)選地，上述調相電壓控制單元采用STM8S003芯片。
[0013]本發(fā)明所述下變頻通路模塊結構簡單，成本低；所述多通道變頻接收設備采用本發(fā)明所述的下變頻通路模塊組成多路S下變頻單元，并通過單片機調節(jié)各通道的相位，使得多條通道的相位可完全一致，即使在焊接裝配完成后，也可以根據(jù)需要調節(jié)各通道的相位，且功耗低、增益高、噪聲低、多路射頻通道間相位一致性好。
【附圖說明】
[0014]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構成對本發(fā)明的不當限定。在附圖中:
[0015]圖1是本發(fā)明所述下變頻通路模塊電路原理圖；
[0016]圖2是本發(fā)明所述多通道變頻接收設備原理框圖；
[0017]圖3是本發(fā)明所述多通道變頻接收設備具有兩個通道時的原理框圖。
【具體實施方式】
[0018]為了使本發(fā)明所要解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚、明白，以下結合附圖和實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0019]如圖1所示，是本發(fā)明所述下變頻通路模塊電路原理圖；1為乘法器、2為表面波帶通濾波器、3為電調移相器、4為壓控振蕩器、5為溫度補償晶體振蕩器；乘法器I的一個輸出端與表面波帶通濾波器2及電調移相器3依次串聯(lián)連接，乘法器I的另一個輸出端與壓控振蕩器4及溫度補償晶體振蕩器5依次串聯(lián)連接。
[0020]如圖2所示，是本發(fā)明所述多通道變頻接收設備優(yōu)選實施例原理框圖；圖中，10為天線單元、20為多路S下變頻單元、30為鎖相環(huán)單元，40為調相電壓控制單元；天線單元10、鎖相環(huán)單元30以及調相電壓控制單元40均與多路S下變頻單元20連接，其中，
[0021]天線單元10，用于接收衛(wèi)星信號，為多路S下變頻單元20的各通路提供輸入信號;
[0022]多路S下變頻單元20，用于將輸入信號的頻率降低成下游單元需要的頻率，包括2個以上并聯(lián)連接的如圖1所示的下變頻通路模塊；
[0023]鎖相環(huán)單元30，分別與多路S下變頻單元20的各下變頻通路模塊的輸入端及輸出端連接，為每條通道提供鎖相；
[0024]調相電壓控制單元40，分別與多路S下變頻單元20的各下變頻通路模塊的電調移相器3連接，在需要對各下變頻通路模塊進行調相時，根據(jù)多路S下變頻單元20的工作頻點及各下變頻通路模塊中電調移相器的移相電壓值，生成對應的調相電壓V = Vts-Fi，并輸出給相應的電調移相器；其中，Vts為電調移相器的移相電壓值，F(xiàn)i是多路S下變頻單元20的工作頻點。
[0025]如圖3所示，是本發(fā)明所述多通道變頻接收設備具有兩個通道時的原理框圖；圖中，10為天線單元、21為多路S下變頻單元第I下變頻通路模塊，22為多路S下變頻單元第2下變頻通路模塊，30為鎖相環(huán)單元，40為調相電壓控制單元；其中，第I下變頻通路模塊21及第2下變頻通路模塊22具體結構如圖1所述，這里不再復述；天線單元10的輸出端分別與第I下變頻通路模塊21及第2下變頻通路模塊22的輸入端連接；鎖相環(huán)單元30的一端分別與第I下變頻通路模塊21及第2下變頻通路模塊22的輸入端連接，另一端分別與第I下變頻通路模塊21及第2下變頻通路模塊22的輸出端連接；調相電壓控制單元40的輸出端分別與第I下變頻通路模塊21及第2下變頻通路模塊22的電調移相器連接；
[0026]當多路S下變頻單元工作在頻點Fl時，調相電壓控制單元40輸出調相電壓Vtsl-Fl，對第I下變頻通路模塊21所在的通道I通路移相，其中，Vtsl為第I下變頻通路模塊21中的電調移相器的移相電壓值，該電壓值為該模塊的固有參數(shù)，在出廠時已校準并確定；同時輸出調相電壓Vts2-Fl，對第2下變頻通路模塊21所在的通道2通路進行移相，其中，Vts2為第2下變頻通路模塊21中的電調移相器的移相電壓值，該電壓值為該模塊的固有參數(shù)，在出廠時已校準并確定；這樣可保證S通道兩個通路工作在頻點Fl時相位完全一致。
[0027]當多路S下變頻單元工作在頻點F2時，調相電壓控制單元40輸出調相電壓Vtsl-F2，對第I下變頻通路模塊21所在的通道I通路移相；同時輸出調相電壓Vts2-F2，對第2下變頻通路模塊21所在的通道2通路進行移相，這樣可保證S通道的兩個通路工作在頻點F2時相位完全一致；
[0028]在其他具有3個以上通道的實施例中，依此類推，即可實現(xiàn)多通道相位的完全一致。
[0029]上述說明示出并描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但如前所述，應當理解本發(fā)明并非局限于本文所披露的形式，不應看作是對其他實施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述發(fā)明構想范圍內，通過上述教導或相關領域的技術或知識進行改動。而本領域人員所進行的改動和變化不脫離本發(fā)明的精神和范圍，則都應在本發(fā)明所附權利要求的保護范圍內。
【主權項】
1.一種下變頻通路模塊，其特征在于，所述下變頻通路模塊由依次串聯(lián)連接的乘法器、表面波帶通濾波器及電調移相器，以及與所述乘法器依次串聯(lián)連接的壓控振蕩器、溫度補償晶體振蕩器組成。
2.一種多通道變頻接收設備，包括依次連接的天線單元、多路S下變頻單元及鎖相環(huán)單元；其特征在于，所述接收設備還包括與所述調相電壓控制單元連接的調相電壓控制單元; 所述多路S下變頻單元包括2個以上并聯(lián)連接的權利要求1所述的下變頻通路模塊； 所述調相電壓控制單元用于根據(jù)所述多路S下變頻單元的工作頻點及各下變頻通路模塊中電調移相器的移相電壓值，生成對應的調相電壓V，并輸出給相應的電調移相器。
3.如權利要求2所述的多通道變頻接收設備，其特征在于，所述調相電壓控制單元通過如下公式生成調相電壓V:V = Vts-Fi 其中，Vts為電調移相器的移相電壓值，F(xiàn)i是所述多路S下變頻單元的工作頻點。
4.如權利要求2或3所述的多通道變頻接收設備，其特征在于，所述調相電壓控制單元采用STM8S003芯片。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種下變頻通路模塊及多通道變頻接收設備，上述多通道變頻接收設備包括依次連接的天線單元、多路S下變頻單元及鎖相環(huán)單元；上述接收設備還包括與上述調相電壓控制單元連接的調相電壓控制單元；上述多路S下變頻單元包括2個以上并聯(lián)連接的下變頻通路模塊。本發(fā)明結構簡單、功耗低、增益高、噪聲低、多路射頻通道間相位一致性好。
【IPC分類】G01S19-36, G01S19-35
【公開號】CN104597468
【申請?zhí)枴緾N201410827379
【發(fā)明人】王春華, 衛(wèi)波
【申請人】深圳市華信天線技術有限公司
【公開日】2015年5月6日
【申請日】2014年12月25日