芯片2設(shè)于第一容納空間52的對稱中心，即，磁芯片2的對稱中心與兩個(gè)調(diào)制臂53的對稱中心重合，同時(shí)第一磁調(diào)制部件5的對稱中心與永磁體3的對稱中心重合。換言之，磁芯片2對稱地布設(shè)于第一容納空間52。磁芯片2處于第一磁調(diào)制部件5和永磁體3的對稱位置，可以進(jìn)一步提高磁傳感器的靈敏度、抗噪聲能力以及一致性。
[0030]需說明的是，第一容納空間52并不局限于凹槽，第一容納空間52也可以是凹坑。當(dāng)?shù)谝蝗菁{空間52為凹坑時(shí)，在第一容納空間52均有調(diào)制臂53，借助調(diào)制臂53同樣能夠達(dá)到提高磁傳感器的靈敏度、抗噪聲能力以及一致性的能力。
[0031 ] 如圖2和圖4所示，第二磁調(diào)制部件6包括導(dǎo)磁材料制作的第二本體61，在第二本體61上設(shè)有第二容納空間62。第二容納空間62可以為凹槽或凹坑，本實(shí)施例以凹槽為例進(jìn)行說明。在第二容納空間62的兩側(cè)形成調(diào)制臂63，調(diào)制臂63可以改變永磁體3的磁場分布情況，即減少第二容納空間62中永磁體3的磁場的水平分量，從而提高磁傳感器的靈敏度；以及屏蔽外界磁場進(jìn)入第二容納空間62，從而提高磁傳感器的抗噪聲能力以及提高多通道之間的一致性。另外，第二調(diào)節(jié)部件6還可用于支撐和定位永磁體3和第一調(diào)制部件5，提高裝配效率以及裝配精度。
[0032]優(yōu)選地，將磁芯片2、永磁體3和第一磁調(diào)制部件5對稱地布設(shè)于第二容納空間62，這樣可以進(jìn)一步提高磁傳感器的靈敏度、抗噪聲能力以及一致性。
[0033]在本實(shí)施例中，在第一磁調(diào)制部件5和第二磁調(diào)制部件6上分別設(shè)置第一容納空間52和第二容納空間62，在第一容納空間52和第二容納空間62的兩側(cè)或四周分別形成調(diào)制臂53和調(diào)制臂63，利用調(diào)制臂53和調(diào)制臂63可以改變永磁體3的磁場分布情況，減少了第一容納空間52內(nèi)永磁體3的磁場的水平分量，從而提高磁傳感器的靈敏度，以及屏蔽外界磁場進(jìn)入第一容納空間52，從而提高提高磁傳感器的抗噪聲能力以及提高多通道之間的一致性。
[0034]需要說明的是，制作第一磁調(diào)制部件5和第二磁調(diào)制部件6的導(dǎo)磁材料可以為坡莫合金、硅鋼片或鐵氧體材料。
[0035]在本實(shí)施例中，外殼I可以采用導(dǎo)磁材料制作，如坡莫合金、硅鋼片或鐵氧體材料；也可以采用非導(dǎo)磁材料制作，如鋁、銅等金屬以及塑料、環(huán)氧樹脂等非金屬。當(dāng)外殼I采用導(dǎo)磁材料制作時(shí)，在外殼I上需設(shè)置開口，固定于外殼I內(nèi)的磁芯片2與開口相對,磁芯片2通過開口感應(yīng)媒介中的磁標(biāo)識,即媒介中的磁標(biāo)識的磁場通過開口進(jìn)入外殼I內(nèi)，并被磁芯片2感應(yīng)。當(dāng)外殼I采用非導(dǎo)磁材料制作時(shí)，在外殼I上不設(shè)置開口，磁芯片2緊靠外殼I的內(nèi)側(cè)設(shè)置，以使磁芯片2盡可能地接近媒介，以提高磁傳感器的靈敏度。
[0036]如圖4所不,線路板4的一部分設(shè)于第一容納空間52,以與磁芯片2的輸入輸出端對應(yīng)電連接，另一端與焊針7對應(yīng)電連接。焊針7的一端插入外殼I內(nèi)，另一端自外殼I內(nèi)伸出。
[0037]本實(shí)施例提供的磁傳感器將磁芯片設(shè)于第一磁調(diào)制部件的第一容納空間,第一磁調(diào)制部件可以減少第一容納空間中永磁體的磁場的水平分量，從而減少永磁體對磁芯片的影響，進(jìn)而提高磁傳感器的靈敏度；同時(shí)，第一容納空間周圍的調(diào)制臂可以有效地屏蔽外界磁場進(jìn)入第一容納空間，從而提高磁傳感器的抗噪聲能力以及提高多通道之間的一致性。第二磁調(diào)制部件可以改變永磁體的磁場分布情況，即減少第二容納空間中永磁體的磁場的水平分量，從而提高磁傳感器的靈敏度；以及屏蔽外界磁場進(jìn)入第二容納空間，從而提高磁傳感器的抗噪聲能力以及提高多通道之間的一致性。換言之，磁傳感器借助第一磁調(diào)制部件和第二磁調(diào)制部件可以減少永磁體對磁芯片的影響，從而提高磁傳感器的靈敏度；以及屏蔽外界磁場，從而提高磁傳感器的抗噪聲能力以及提高多通道之間的一致性。
[0038]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種磁傳感器，包括磁芯片、永磁體、線路板以及焊針，其特征在于，還包括第一磁調(diào)制部件和第二磁調(diào)制部件，所述第一磁調(diào)制部件設(shè)有第一容納空間，所述磁芯片設(shè)于所述第一容納空間；所述第二磁調(diào)制部件設(shè)有第二容納空間，所述磁芯片、所述永磁體和所述第一磁調(diào)制部件設(shè)于所述第二容納空間，且所述第一磁調(diào)制部件位于所述磁芯片與所述永磁體之間；所述線路板用于將所述磁芯片的輸入輸出端與所述焊針對應(yīng)電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，所述磁芯片對稱地布設(shè)于所述第一容納空間，所述磁芯片、所述永磁體和所述第一磁調(diào)制部件對稱地布設(shè)于所述第二容納空間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，所述第一磁調(diào)制部件采用導(dǎo)磁材料制作，第一容納空間為凹槽或凹坑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，所述第二磁調(diào)制部件采用導(dǎo)磁材料制作，第二容納空間為凹槽或凹坑。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的磁傳感器,其特征在于，所述導(dǎo)磁材料包括坡莫合金、娃鋼片或鐵氧體材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，所述磁芯片包括磁感應(yīng)膜，所述磁感應(yīng)膜連接成至少一個(gè)惠斯通電橋，每一惠斯通電橋?qū)?yīng)一個(gè)通道。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁傳感器，其特征在于，所述磁感應(yīng)膜為巨磁阻薄膜、各向異性磁阻薄膜、隧穿效應(yīng)磁阻薄膜、巨磁阻抗效應(yīng)薄膜、霍爾效應(yīng)薄膜或巨霍爾效應(yīng)薄膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，所述線路板為硬質(zhì)線路板或柔性線路板。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，還包括外殼，所述磁芯片、所述永磁體、所述線路板、所述第一磁調(diào)制部件和所述第二磁調(diào)制部件置于所述外殼內(nèi)，所述焊針的一端自所述外殼內(nèi)伸出。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁傳感器，其特征在于，所述外殼采用坡莫合金、鐵氧體或硅鋼片制作，在所述外殼上設(shè)有開口，所述磁芯片與所述開口相對。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁傳感器，其特征在于，所述外殼采用非導(dǎo)磁的金屬或非金屬制作，所述磁芯片靠近所述外殼的內(nèi)側(cè)。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種磁傳感器，包括磁芯片、永磁體、線路板以及焊針，還包括第一磁調(diào)制部件和第二磁調(diào)制部件，所述第一磁調(diào)制部件設(shè)有第一容納空間，所述磁芯片設(shè)于所述第一容納空間；所述第二磁調(diào)制部件設(shè)有第二容納空間，所述磁芯片、所述永磁體和所述第一磁調(diào)制部件設(shè)于所述第二容納空間，且所述第一磁調(diào)制部件位于所述磁芯片與所述永磁體之間；所述線路板用于將所述磁芯片的輸入輸出端與所述焊針對應(yīng)電連接。該磁傳感器靈敏度高，抗噪聲能力強(qiáng)，多通道之間的一致性好。
【IPC分類】G01R33-07, G01R33-09
【公開號】CN104569869
【申請?zhí)枴緾N201310495316
【發(fā)明人】姚明高, 時(shí)啟猛, 劉樂杰
【申請人】北京嘉岳同樂極電子有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2013年10月21日