范圍內(nèi)，則確定所述測試點不存在缺陷；如果所述測試點對應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號位于預(yù)設(shè)電壓偏差范圍夕卜，則確定所述測試點存在缺陷?？梢酝ㄟ^遍歷每個測試點，從而確定存在缺陷的各測試點，也可以在得到各個測試點對應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號之后，進(jìn)行并行判斷，也即并行判斷各測試點對應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號是否位于預(yù)設(shè)電壓偏差范圍內(nèi)，從而確定存在缺陷的各測試點。
[0043]在步驟140之前，還包括:在垂直于參考復(fù)合絕緣子軸線的平面與所述參考復(fù)合絕緣子相交的第三預(yù)設(shè)數(shù)量的圓周上，統(tǒng)計各圓周上第四設(shè)定數(shù)量的等分點對應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號，得到所述預(yù)設(shè)電壓偏差范圍。
[0044]其中，參考復(fù)合絕緣子為無缺陷的復(fù)合絕緣子。
[0045]本實施例的技術(shù)方案，將微波源產(chǎn)生的高頻微波傳導(dǎo)至待測試復(fù)合絕緣子表面的測試點，高頻微波在待測試復(fù)合絕緣子表面的測試點處發(fā)生折射和反射，通過判斷測試點的反射波對應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號是否位于預(yù)設(shè)電壓偏差范圍內(nèi)，可以檢測測試點是否存在缺陷。由于復(fù)合絕緣子采用非金屬材料，而高頻微波在非金屬材料中穿透能力強(qiáng)，不需要表面接觸、不需要耦合劑，基于反射波即可實現(xiàn)復(fù)合絕緣子內(nèi)部缺陷的無損檢測，提高了檢測的便捷性和應(yīng)用范圍；由于測量結(jié)果不依賴于外界環(huán)境的溫度、濕度和日照情況，提高了檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性。
[0046]進(jìn)一步優(yōu)選地，在根據(jù)所述反射波，得到所述測試點對應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號之后，所述方法還可以包括:
[0047]對所述測試點對應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號進(jìn)行低頻放大處理；
[0048]相應(yīng)地，判斷所述測試點對應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號是否位于預(yù)設(shè)電壓偏差范圍內(nèi)，并根據(jù)判斷結(jié)果確定所述測試點是否存在缺陷，具體為:
[0049]判斷經(jīng)低頻放大處理后的所述測試點對應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號是否位于預(yù)設(shè)電壓偏差范圍內(nèi)，并根據(jù)判斷結(jié)果確定所述測試點是否存在缺陷。
[0050]低頻放大器的放大倍數(shù)可以為50至100倍，放大前的信號是幾十毫伏的數(shù)量級，容易受到雜散信號的干擾，一定程度上影響了反射波的電壓強(qiáng)度信號的提取，而通過低頻放大器放大后，減小了雜散信號的干擾，有利于提取反射波的電壓強(qiáng)度信號。
[0051 ] 下面通過實例進(jìn)行說明。
[0052]首先，在無缺陷的參考復(fù)合絕緣子表面選取測試點，測試點分布在該參考復(fù)合絕緣子表面無傘裙位置的5個圓周上，具體為在垂直于參考復(fù)合絕緣子軸線的平面與所述參考復(fù)合絕緣子相交的5個圓周上，并在每個圓周上選取24個等分點作為測試點，從而得到120個測試點。
[0053]通過直流電源為微波源提供6V直流電壓，控制微波源產(chǎn)生頻率為24GHz的高頻微波，通過依次將探頭接觸到各圓周上的24個測試點，將產(chǎn)生的高頻微波傳導(dǎo)至參考復(fù)合絕緣子表面的相應(yīng)測試點，分別統(tǒng)計每個圓周上24個測試點對應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號，得到預(yù)設(shè)電壓偏差范圍。
[0054]請參閱圖lb，橫坐標(biāo)為5個測試圓周，縱坐標(biāo)為每個圓周上24個測試點對應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號的讀數(shù)值，單位為伏，可以得到，每個圓周上24個測試點對應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號的讀數(shù)值極差分布在0.9V范圍內(nèi)，根據(jù)實際需要，可以對該極差范圍留出一定的裕度，例如將極差范圍調(diào)整為IV，將無缺陷位置對應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號的平均值作為參考值原點，從而得到預(yù)設(shè)電壓偏差范圍為該平均值±0.5V，換言之，預(yù)設(shè)電壓偏差范圍就是在無缺陷位置對應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號的平均值附近的±0.5V的范圍內(nèi)波動，波動偏差可以設(shè)定為100%，即某個測試點對應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號的讀數(shù)值相對于平均值偏移IV以上時可以判定該測試點處或?qū)?yīng)的內(nèi)部有缺陷存在。
[0055]實例I
[0056]本實例中，待測試復(fù)合絕緣子內(nèi)人為制造了一系列直徑為Imm的氣孔缺陷，沿該待測試復(fù)合絕緣子一個圓周表面檢測了 24個測試點，控制微波源產(chǎn)生頻率為24GHz的高頻微波，并將產(chǎn)生的高頻微波傳導(dǎo)至該待測試復(fù)合絕緣子表面的24個測試點；獲取各測試點的反射波，得到各測試點對應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號，如圖1c所示，其中，橫坐標(biāo)為測試點位置，縱坐標(biāo)為各測試點對應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號，可知，無缺陷位置的反射波的電壓強(qiáng)度信號分布在4.0V±0.6V的范圍內(nèi)，無缺陷位置的反射波的電壓強(qiáng)度信號的平均值為4.0V,預(yù)設(shè)電壓偏差范圍為4.0V±0.6V，波動偏差設(shè)定為100%，即測試點對應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號的讀數(shù)值相對于平均值偏移1.2V以上時可以判定內(nèi)部有缺陷存在，本實例中，有缺陷的位置的反射波的電壓強(qiáng)度信號相對于平均值超出了大約1.8V，大于1.2V，所以判定有缺陷，實際也的確存在缺陷。
[0057]其中，有內(nèi)部缺陷的情況，測試點的反射波的電壓強(qiáng)度信息與平均值的偏移越大，則缺陷越大。
[0058]實例2
[0059]本實例中，待測試復(fù)合絕緣子為取自嶺深乙線N46塔中的復(fù)合絕緣子，沿該待測試復(fù)合絕緣子一個圓周表面檢測了 24個測試點，控制微波源產(chǎn)生頻率為24GHz的高頻微波，并將產(chǎn)生的高頻微波傳導(dǎo)至該待測試復(fù)合絕緣子表面的24個測試點；獲取各測試點的反射波，得到各測試點對應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號，如圖1d所示，其中，橫坐標(biāo)為測試點位置，縱坐標(biāo)為各測試點對應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號，可知，大部分位置的反射波的電壓強(qiáng)度信號分布在6.9V±0.5V的范圍內(nèi)，因此無缺陷位置的反射波的電壓強(qiáng)度信號的平均值為6.9V，預(yù)設(shè)電壓偏差范圍為6.9V±0.5V，波動偏差設(shè)定為100%，即測試點對應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號的讀數(shù)值相對于平均值偏移1.0V以上時可以判定內(nèi)部有缺陷存在，本實例中，在測試點17和測試點18的位置，反射波的電壓強(qiáng)度信號有一個明顯的尖峰，其讀數(shù)偏離平均值1.1V，超過了 1.0V，檢測結(jié)果為測試點17和測試點18位置處有缺陷。圖1e為本發(fā)明實施例一提供的實例2中待測試復(fù)合絕緣子沿測試圓周解剖形成的解剖截面圖，可以看到芯棒左下角的位置(對應(yīng)于測試點17和測試點18)有一個電流燒蝕形成的界面損傷，經(jīng)過測量，其深度大約為0.4_，也即測試點17和測試點18的位置確實存在缺陷。
[0060]需要說明的是，由于不同型號的復(fù)合絕緣子對應(yīng)不同尺寸的護(hù)套厚度和芯棒直徑，但是不同型號的復(fù)合絕緣子對應(yīng)的護(hù)套厚度和芯棒直徑的差異不會特別大，而且不同廠家生產(chǎn)的復(fù)合絕緣子的配方成分不完全一樣，所以本發(fā)明實施例提供的復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測方法中平均值和平均值附近的波動范圍不能脫離具體復(fù)合絕緣子而確定，需要在型號相同的同一批絕緣子上測試多次才能確定。不過從大量實驗來看，預(yù)設(shè)電壓偏差范圍為大致都是在無缺陷位置的反射波的電壓強(qiáng)度信號的平均值的±0.5或±0.6V以內(nèi)，沒有波動太大的。
[0061]實施例二
[0062]請參閱圖2，為本發(fā)明實施例二提供的一種復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0063]該檢測設(shè)備包括:供電電源210、微波源220、波導(dǎo)管230、定向耦合器240、微波檢測器250和數(shù)據(jù)采集卡260。
[0064]其中，供電電源210用于為微波源220提供直流工作電壓；微波源220與所述供電電源210連接，用于根據(jù)所述供電電源210提供的直流工作電壓，產(chǎn)生高頻微波；波導(dǎo)管230用于將所述微波源220產(chǎn)生的高頻微波傳導(dǎo)至待測試復(fù)合絕緣子表面的測試點，還用于傳導(dǎo)所述測試點的反射波；定向耦合器240設(shè)置在所述波導(dǎo)管230中，用于分離提取所述波導(dǎo)管中的所述反射波，并將分離提取的反射波發(fā)送至微波檢測器250 ;微波檢測器250與所述定向耦合器240連接，用于從所述定向耦合器240接收分離提取的所述反射波，轉(zhuǎn)換為所述測試點對應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號；數(shù)據(jù)采集卡260與所述微波檢測器250連接，用于從所述微波檢測器250采集所述測試點對應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號，并將所述測試點對應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號發(fā)送至處理器，以使處理器判斷所述測試點對應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號是否位于預(yù)設(shè)電壓偏差范圍