復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測(cè)方法、設(shè)備和系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明實(shí)施例涉及電力技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測(cè)方法、設(shè)備和系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]復(fù)合絕緣子因其體積小、重量輕、憎水性和憎水迀移性優(yōu)良、內(nèi)絕緣性能好、機(jī)械強(qiáng)度高以及電暈小和電磁干擾小等優(yōu)點(diǎn)被越來越廣泛地應(yīng)用于電力系統(tǒng)中，但是仍然有少量復(fù)合絕緣子存在缺陷并導(dǎo)致事故的產(chǎn)生，所以有必要檢測(cè)復(fù)合絕緣子的缺陷，因此，復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測(cè)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。
[0003]復(fù)合絕緣子存在缺陷處會(huì)產(chǎn)生泄露電流，并在交變電場(chǎng)下的作用下，產(chǎn)生異常溫升。現(xiàn)有的紅外檢測(cè)法一般是通過紅外熱像儀檢測(cè)復(fù)合絕緣子的異常溫升點(diǎn)或異常溫升區(qū)域，并將與所述異常溫升點(diǎn)或異常溫升區(qū)域?qū)?yīng)的復(fù)合絕緣子的位置確定為存在缺陷，從而達(dá)到檢測(cè)復(fù)合絕緣子的缺陷的目的。
[0004]上述紅外檢測(cè)法存在的缺陷在于:由于外界環(huán)境的溫度、濕度、日照情況，復(fù)合絕緣子表面的污閃、雨閃、鳥糞閃絡(luò)和泄露電流等因素都會(huì)造成復(fù)合絕緣子的溫度的變化，因此影響檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性。目前已有大量實(shí)例是復(fù)合絕緣子有異常溫升但是解剖并沒有發(fā)現(xiàn)相應(yīng)位置存在缺陷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供一種復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測(cè)方法、設(shè)備和系統(tǒng)，以提高復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性。
[0006]第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測(cè)方法，包括:
[0007]控制微波源產(chǎn)生高頻微波，并將產(chǎn)生的高頻微波傳導(dǎo)至待測(cè)試復(fù)合絕緣子表面的測(cè)試點(diǎn)；
[0008]獲取所述測(cè)試點(diǎn)的反射波；
[0009]根據(jù)所述反射波，得到所述測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)；
[0010]判斷所述測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)是否位于預(yù)設(shè)電壓偏差范圍內(nèi)，并根據(jù)判斷結(jié)果確定所述測(cè)試點(diǎn)是否存在缺陷。
[0011]第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測(cè)設(shè)備，包括:
[0012]供電電源，用于為下述微波源提供直流工作電壓；
[0013]微波源，與所述供電電源連接，用于根據(jù)所述供電電源提供的直流工作電壓，產(chǎn)生高頻微波；
[0014]波導(dǎo)管，用于將所述微波源產(chǎn)生的高頻微波傳導(dǎo)至待測(cè)試復(fù)合絕緣子表面的測(cè)試點(diǎn)；還用于傳導(dǎo)所述測(cè)試點(diǎn)的反射波；
[0015]定向耦合器，設(shè)置在所述波導(dǎo)管中，用于分離提取所述波導(dǎo)管中的所述反射波，并將分離提取的反射波發(fā)送至下述微波檢測(cè)器；
[0016]微波檢測(cè)器，與所述定向耦合器連接，用于從所述定向耦合器接收分離提取的所述反射波，轉(zhuǎn)換為所述測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)；
[0017]數(shù)據(jù)采集卡，與所述微波檢測(cè)器連接，用于從所述微波檢測(cè)器采集所述測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)，并將所述測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)發(fā)送至處理器，以使處理器判斷所述測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)是否位于預(yù)設(shè)電壓偏差范圍內(nèi)，并根據(jù)判斷結(jié)果確定所述測(cè)試點(diǎn)是否存在缺陷。
[0018]第三方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測(cè)系統(tǒng)，包括:
[0019]本發(fā)明任意實(shí)施例提供的復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測(cè)設(shè)備，用于獲取待測(cè)試復(fù)合絕緣子表面的測(cè)試點(diǎn)的反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)，并將所述測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)發(fā)送至下述處理器；
[0020]處理器，與所述復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測(cè)設(shè)備連接，用于判斷所述測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)是否位于預(yù)設(shè)電壓偏差范圍內(nèi)，并根據(jù)判斷結(jié)果確定所述測(cè)試點(diǎn)是否存在缺陷。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測(cè)方法、設(shè)備和系統(tǒng)，將微波源產(chǎn)生的高頻微波傳導(dǎo)至待測(cè)試復(fù)合絕緣子表面的測(cè)試點(diǎn)，高頻微波在待測(cè)試復(fù)合絕緣子表面的測(cè)試點(diǎn)處發(fā)生折射和反射，通過判斷測(cè)試點(diǎn)的反射波對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)是否位于預(yù)設(shè)電壓偏差范圍內(nèi)，可以檢測(cè)測(cè)試點(diǎn)是否存在缺陷。由于復(fù)合絕緣子采用非金屬材料，而高頻微波在非金屬材料中穿透能力強(qiáng)，不需要表面接觸、不需要耦合劑，基于反射波即可實(shí)現(xiàn)復(fù)合絕緣子內(nèi)部缺陷的無損檢測(cè)，提高了檢測(cè)的便捷性和應(yīng)用范圍；由于測(cè)量結(jié)果不依賴于外界環(huán)境的溫度、濕度和日照情況，提高了檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性。
【附圖說明】
[0022]為了更清楚地說明本發(fā)明，下面將對(duì)本發(fā)明中所需要使用的附圖做一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0023]圖1a為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測(cè)方法的流程圖；
[0024]圖1b為本發(fā)明實(shí)施例一中實(shí)例I和實(shí)例2適用的參考復(fù)合絕緣子表面各測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的反射波的電壓強(qiáng)度信號(hào)的讀數(shù)值極差分布圖；
[0025]圖1c為本發(fā)明實(shí)施例一提供的實(shí)例I中待測(cè)試復(fù)合絕緣子表面各測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)分布圖；
[0026]圖1d為本發(fā)明實(shí)施例一提供的實(shí)例2中待測(cè)試復(fù)合絕緣子表面各測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)分布圖；
[0027]圖1e為本發(fā)明實(shí)施例一提供的實(shí)例2中待測(cè)試復(fù)合絕緣子沿測(cè)試圓周解剖形成的解剖截面圖；
[0028]圖2為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測(cè)設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖3為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測(cè)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案作進(jìn)一步詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定，基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部?jī)?nèi)容。
[0031]實(shí)施例一
[0032]請(qǐng)參閱圖la，為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測(cè)方法的流程圖。
[0033]該方法包括:步驟110?步驟140。
[0034]步驟110、控制微波源產(chǎn)生高頻微波，并將產(chǎn)生的高頻微波傳導(dǎo)至待測(cè)試復(fù)合絕緣子表面的測(cè)試點(diǎn)。
[0035]本步驟中，所述微波源產(chǎn)生的高頻微波的頻率可以為1GHz以上。復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測(cè)精度與微波源出射的高頻微波的頻率正相關(guān)，也即，微波源出射的高頻微波的頻率越高，復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測(cè)精度越高；微波源出射的高頻微波的頻率越低，復(fù)合絕緣子的缺陷的檢測(cè)精度越低。
[0036]本步驟中，可以通過波導(dǎo)管將微波源產(chǎn)生的高頻微波傳導(dǎo)至待測(cè)試復(fù)合絕緣子表面的測(cè)試點(diǎn)。波導(dǎo)管內(nèi)徑的大小因所傳輸高頻微波的波長(zhǎng)而異，因此可以根據(jù)所傳輸?shù)母哳l微波的頻率選用合適內(nèi)徑的波導(dǎo)管。
[0037]其中，在步驟110之前，可以預(yù)先選定待測(cè)試復(fù)合絕緣子表面的測(cè)試點(diǎn)。優(yōu)選是在垂直于復(fù)合絕緣子軸線的平面與所述復(fù)合絕緣子相交的第一預(yù)設(shè)數(shù)量的圓周上，選取各圓周上第二設(shè)定數(shù)量的等分點(diǎn)作為所述測(cè)試點(diǎn)。
[0038]步驟120、獲取所述測(cè)試點(diǎn)的反射波。
[0039]本步驟中，高頻微波通過波導(dǎo)管傳導(dǎo)至待測(cè)試復(fù)合絕緣子表面的測(cè)試點(diǎn)，會(huì)在待測(cè)試復(fù)合絕緣子表面發(fā)生折射和反射，反射波的一部分傳輸至波導(dǎo)管中，具體可以通過波導(dǎo)管中設(shè)置的定向耦合器將負(fù)向傳播的波即反射波分離提取出來。
[0040]步驟130、根據(jù)所述反射波，得到所述測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)。
[0041]步驟140、判斷所述測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)是否位于預(yù)設(shè)電壓偏差范圍內(nèi)，并根據(jù)判斷結(jié)果確定所述測(cè)試點(diǎn)是否存在缺陷。
[0042]本步驟具體是如果所述測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓強(qiáng)度信號(hào)位于預(yù)設(shè)電壓偏差