專利名稱:Tft陣列基板d斷線的判斷方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種TFT陣列基板D斷線的判斷方法。
背景技術：
使用奧寶公司的AOI檢查裝置檢查TFT(薄膜晶體管)陣列基板的D斷線是目前液晶制造行業(yè)中普遍采用的技術。
在使用奧寶公司的AOI檢查裝置檢查TFT陣列基板的D斷線時，現(xiàn)有的VCS分類的類型有d_open、dust、metal、dust_s、s-d short等，其中的d_open從照片上看有好幾種不同的特征，比如有些是半斷，有些斷線的斷線寬度較窄(其中有些d_open明視野照片相似，但暗視野照片中斷線處輪廓有些為暗顯示有些為亮顯示)，有些斷線長度較長，有些是D線的局部變薄，有些是由于異物導致的斷線，等等。這樣如此多不同特征的d_open與其他非d_open的缺陷類型由于特征上相似而導致的誤判。
現(xiàn)有技術把如此多特征的斷線只用一種類型d_open分類，這樣就很難提高d_open檢出的準確率和抓取率。從而導致后期處理的難度。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是根據(jù)后期處理技術，通過建立新的分類標準，對斷線情況進行細分，降低后期處理的難度，增加可操作性。
本發(fā)明的目的是通過以下技術方案實現(xiàn)的一種判斷TFT陣列基板D斷線的方法，將d_open斷線類型分為五個子類。
該五個子類是d_lack，指的是半斷狀態(tài)；d_open1，指的是由于異物導致斷線的狀態(tài)；d_open2，指的是斷線長度較長的狀態(tài)；d_open3，指的是D線中具有局部變薄區(qū)域的狀態(tài)；d_open4，指的是D線中具有局部變薄區(qū)域的狀態(tài)。
本發(fā)明的積極進步效果在于可以方便的改善現(xiàn)有VCS分類的對應處理方法，減少了不同特征的d_open與其他非d_open的缺陷類型由于特征上相似而導致的誤判，提高了d_open檢出的準確率和抓取率。
圖1為本發(fā)明中五個子類的明、暗視野顯微照片。
具體實施方式下面給出本發(fā)明較佳實施例，以詳細說明本發(fā)明的技術方案。
在VCS分類時實際的D斷和非D斷因為照片的質量稍差和缺陷特征相似的原因，比如斷線處較窄的D斷和D線上有灰塵的缺陷就很容易混淆，導致再分類時對于D斷檢出的準確率和D斷的抓取率較低，我們把d_open細分為d_lack、d_open1、d_open2、d_open3、d_open4。d_lack，指的是半斷狀態(tài)；d_open1，指的是由于異物導致斷線的狀態(tài)；d_open2，指的是斷線長度較長的狀態(tài)；d_open3，指的是D線中具有局部變薄區(qū)域的狀態(tài)；d_open4，指的是D線中具有局部變薄區(qū)域的狀態(tài)。這樣可以把實際D斷的特征整理歸類。它們的明、暗視野的顯微照片如圖1所示。
權利要求
1.一種判斷TFT陣列基板D斷線的方法，其特征在于，將d_open斷線類型分為五個子類。
2.根據(jù)權利要求
1所述的判斷TFT陣列基板D斷線的方法，其特征在于，該五個子類是d_lack，指的是半斷狀態(tài)；d_open1，指的是由于異物導致斷線的狀態(tài)；d_open2，指的是斷線長度較長的狀態(tài)；d_open3，指的是D線中具有局部變薄區(qū)域的狀態(tài)；d_open4，指的是D線中具有局部變薄區(qū)域的狀態(tài)。
專利摘要
本發(fā)明公開了一種提高TFT陣列基板生產(chǎn)過程中，提高漏線(D線)斷線檢查準確率和抓取率的方法，在現(xiàn)有VCS分類中，將其中的d_open斷線類型，根據(jù)新的標準，再細分為d_lack、d_open1、d_open2、d_open3、d_open4五種特殊類型。由于給出了這五種具有不同特征的D斷與其他非D斷類型之間的差異，減少了不同特征的d_open與其他非d_open的缺陷類型由于特征上相似而導致的誤判，可以方便的改善現(xiàn)有的對應處理方法，提高了d_open檢出的準確率和抓取率。
文檔編號G01M11/00GK1996440SQ200510112253
公開日2007年7月11日 申請日期2005年12月28日
發(fā)明者張俊峰 申請人:上海廣電Nec液晶顯示器有限公司導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan