專(zhuān)利名稱:PA－SiN的化學(xué)氣相沉積法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種TFT-LCD ARRAY(薄膜晶體管液晶顯示屏陣列)工藝，尤其涉及一種PA-SiN的化學(xué)氣相沉積法。
背景技術(shù)：
TFT-LCD ARRAY(薄膜晶體管液晶顯示屏陣列)工藝為液晶顯示模塊的前道工序，用來(lái)在玻璃基板上形成可控制光線是否通過(guò)的電學(xué)開(kāi)關(guān)，其基本工藝結(jié)構(gòu)近似于半導(dǎo)體工藝。化學(xué)氣相沉積成膜工藝是TFT-LCD ARRAY工藝的組成部分，用來(lái)進(jìn)行非金屬膜的沉積。
現(xiàn)有技術(shù)中的PA-SiN的化學(xué)氣相沉積法的步驟為1)加熱基板；2)在PA-SiN成膜前，填充H2或N2；3)在PA-SiN成膜開(kāi)始后，將硅烷流量加大到4500毫升/平方米，將電源功率降低到2000瓦/平方米，通過(guò)該方法得到的G端子部照片如圖1所示。
由于現(xiàn)有技術(shù)中TFT-LCD ARRAY工藝中PA-SiN與G-SiN層之間由于存在界面問(wèn)題，導(dǎo)致G-SiN之上的PA-SiN表面性質(zhì)較差，在液晶顯示模塊的G線端子部做蝕刻時(shí)可能導(dǎo)致蝕刻形狀不良，端子部電阻過(guò)高(如圖1所示)。
因此，有必要開(kāi)發(fā)出新的TFT-LCD ARRAY工藝來(lái)改變界面問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是針對(duì)TFT-LCD ARRAY(薄膜晶體管液晶顯示屏陣列)工藝中PA-SiN(絕緣氮化硅)與G-SiN(柵極氮化硅)層之間由于存在界面問(wèn)題，導(dǎo)致G-SiN之上的PA-SiN表面性質(zhì)較差，在液晶顯示模塊的G線端子部形成接觸不良而做的改進(jìn)，提供一種PA-SiN的化學(xué)氣相沉積法。
本發(fā)明的上述目的是通過(guò)下列技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明的PA-SiN的化學(xué)氣相沉積法為1)加熱基板；2)在PA-SiN成膜前，在氫氣等離子增強(qiáng)氣相沉積過(guò)程中，將電源功率加大到500瓦/平方米；3)在PA-SiN成膜開(kāi)始后，A)將硅烷流量加大到8400毫升/平方米，將電源功率降低到1000瓦/平方米，并持續(xù)10秒鐘；B)將硅烷流量通過(guò)多次降低至4500毫升/平方米，電源功率通過(guò)多次提高至2000瓦/平方米。
在本發(fā)明的PA-SiN的化學(xué)氣相沉積法的較佳實(shí)施例中，在步驟B)中，硅烷流量是通過(guò)2～5次降低至4500sccm/平方米；電源功率通過(guò)3～5次提高至2000瓦/平方米。
本發(fā)明的PA-SiN的化學(xué)氣相沉積法應(yīng)用于TFT-LCD ARRAY工藝中，也適用于LTPS-LCD的相關(guān)工藝中。
本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于本發(fā)明的PA-SiN的化學(xué)氣相沉積法可有效地降低在液晶顯示模塊的G線端子部做蝕刻時(shí)導(dǎo)致的蝕刻形狀不良，從而有效降低端子部電阻。
圖1為使用現(xiàn)有技術(shù)中的PA-SiN的化學(xué)氣相沉積法的G端子部照片；圖2為使用本發(fā)明的PA-SiN的化學(xué)氣相沉積法的G端子部照片。
具體實(shí)施方式實(shí)施例1首先加熱基板。接著在PA-SiN成膜前，在氫氣等離子增強(qiáng)氣相沉積過(guò)程中，將電源功率加大到500瓦/平方米。在PA-SiN成膜開(kāi)始后，將硅烷流量加大到8400毫升/平方米，將電源功率降低到1000瓦/平方米，并持續(xù)10秒鐘；第一次將硅烷流量降低至7500毫升/平方米，電源功率提高至1200瓦/平方米；第二次將硅烷流量降低至6500毫升/平方米，電源功率提高至1500瓦/平方米；第三次將硅烷流量降低至4500毫升/平方米，電源功率提高至2000瓦/平方米。
結(jié)果表明使用本發(fā)明的PA-SiN的化學(xué)氣相沉積法后，G端子部(見(jiàn)圖2所示)的蝕刻形狀非常好；而現(xiàn)有技術(shù)的化學(xué)氣相沉積法得到的G端子部的蝕刻形狀比較差(如圖1所示)。
權(quán)利要求
1.一種PA-SiN的化學(xué)氣相沉積法，該方法為1)加熱基板；2)在PA-SiN成膜前，在氫氣等離子增強(qiáng)氣相沉積過(guò)程中，將電源功率加大到500瓦/平方米；3)在PA-SiN成膜開(kāi)始后，A)將硅烷流量加大到8400毫升/平方米，將電源功率降低到1000瓦/平方米，并持續(xù)10秒鐘；B)將硅烷流量通過(guò)多次降低至4500毫升/平方米，電源功率通過(guò)多次提高至2000瓦/平方米。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的PA-SiN的化學(xué)氣相沉積法，其特征在于步驟B)中，硅烷流量通過(guò)2～5次降低至4500毫升/平方米；電源功率通過(guò)3～5次提高至2000瓦/平方米。
專(zhuān)利摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種PA－SiN的化學(xué)氣相沉積法，該方法為1)加熱基板；2)在PA－SiN成膜前，在氫氣等離子增強(qiáng)氣相沉積過(guò)程中，將電源功率加大到500瓦/平方米；3)在PA－SiN成膜開(kāi)始后，A)將硅烷流量加大到8400毫升/平方米，將電源功率降低到1000瓦/平方米，并持續(xù)10秒鐘；B)將硅烷流量通過(guò)多次降低至4500毫升/平方米，電源功率通過(guò)多次提高至2000瓦/平方米。本發(fā)明的方法可有效地降低在液晶顯示模塊的G線端子部做蝕刻時(shí)導(dǎo)致的蝕刻形狀不良，從而有效降低端子部電阻。
文檔編號(hào)C23C16/52GK1995452SQ200510112254
公開(kāi)日2007年7月11日 申請(qǐng)日期2005年12月28日
發(fā)明者吳賓賓 申請(qǐng)人:上海廣電Nec液晶顯示器有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan