本發(fā)明涉及聲學(xué)成像測(cè)量,具體是一種不均勻?qū)恿鲌?chǎng)干擾下的結(jié)構(gòu)形狀聲學(xué)成像測(cè)量方法、裝置。
背景技術(shù):
1、大型電力設(shè)備均存在封閉的金屬外殼中,設(shè)備關(guān)鍵部件均密封在金屬外殼中,其結(jié)構(gòu)和形狀多樣,長(zhǎng)期運(yùn)行過(guò)程中易存在結(jié)構(gòu)偏移、下沉、變形甚至部件松脫,造成設(shè)備巨大安全隱患。
2、現(xiàn)有超聲手段可以通過(guò)金屬外殼實(shí)現(xiàn)內(nèi)部結(jié)構(gòu)和形狀成像,但在運(yùn)行過(guò)程中存在的不均勻?qū)恿鲌?chǎng)會(huì)極大影響超聲波傳播速度,造成結(jié)構(gòu)形狀成像信號(hào)強(qiáng)度不一致,且位置信息有誤差,影響測(cè)量完整度和準(zhǔn)確度。
3、公布號(hào)為cn?114518470?a的專利文獻(xiàn)公開了一種變壓器內(nèi)部絕緣油不均勻流速場(chǎng)聲學(xué)成像檢測(cè)方法,利用分布式陣列聲學(xué)傳感器探測(cè)變壓器不同聲學(xué)路徑上的聲信號(hào)頻率偏移值,并對(duì)參量數(shù)據(jù)進(jìn)行逆向求解,獲得變壓器測(cè)量截面上不同區(qū)域的頻率變化值,得出絕緣油流速的差異,通過(guò)變壓器不同位置上對(duì)應(yīng)的流速值擴(kuò)展繪制出流速圖。該發(fā)明利用超聲波多普勒頻率偏移效應(yīng),通過(guò)多點(diǎn)、多角度掃查,以及以頻率偏移為參量的超聲層析技術(shù)應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)變壓器內(nèi)部不均勻流體場(chǎng)流速探測(cè),提出變壓器內(nèi)部不同位置絕緣油油道流速的測(cè)量和評(píng)估,提升設(shè)備精益化運(yùn)維檢修水平。但是,該發(fā)明不能對(duì)金屬外殼內(nèi)部處于不均勻?qū)恿鲌?chǎng)的電力設(shè)備進(jìn)行結(jié)構(gòu)形狀的測(cè)量,不能解決上述技術(shù)問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、有鑒于此,本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供的一種不均勻?qū)恿鲌?chǎng)干擾下的結(jié)構(gòu)形狀聲學(xué)成像測(cè)量方法。
2、為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是:一種不均勻?qū)恿鲌?chǎng)干擾下的結(jié)構(gòu)形狀聲學(xué)成像測(cè)量方法,包括以下步驟:對(duì)電力設(shè)備外的金屬外殼采用聲學(xué)掃查系統(tǒng),發(fā)射相控陣列信號(hào),并獲得金屬外殼內(nèi)部電力設(shè)備反射的一段曲線的扇形反射圖像,沿著金屬外殼表面等距變換聲學(xué)掃查系統(tǒng)的位置,獲得一系列變換位置下的同一曲線扇形反射圖像;
3、通過(guò)對(duì)一系列聲學(xué)路徑變換位置下的同一曲線扇形反射圖像進(jìn)行不均勻聲學(xué)路徑逆向解調(diào),獲得結(jié)構(gòu)的實(shí)際形狀和結(jié)構(gòu)圖像。
4、進(jìn)一步地,所述不均勻聲學(xué)路徑逆向解調(diào)的方法為:利用線段到表面的實(shí)際物理距離不變特性,先將掃查范圍內(nèi)換分成恒聲速基本單元,測(cè)量不同路徑上聲速的與預(yù)設(shè)聲速的總偏差,聲速總偏差即為單元聲速偏差的共同作用結(jié)果,通過(guò)開展導(dǎo)數(shù)反投影求解,獲得相關(guān)單元聲速實(shí)際值,通過(guò)實(shí)際值與聲傳播時(shí)間,得到目標(biāo)點(diǎn)與探頭間的實(shí)際距離,逐點(diǎn)計(jì)算,得到一段曲線的實(shí)際形狀和位置,從而實(shí)現(xiàn)不均勻流體場(chǎng)內(nèi)結(jié)構(gòu)形狀和尺寸的測(cè)量。
5、進(jìn)一步地,所述聲速總偏差即為單元聲速偏差的共同作用結(jié)果的測(cè)量方法為:采用陣列成像的相控陣技術(shù),設(shè)定聲速為v0,采用扇形掃查模式,扇形圖像一次覆蓋m也可以表征為段內(nèi)圓弧線,測(cè)出每個(gè)弧段到傳感器的測(cè)讀距離ld,通過(guò)幾何計(jì)算,可知實(shí)際距離ls,得到平均聲速vp,即通過(guò)的w個(gè)單元內(nèi),每個(gè)單元內(nèi)穿過(guò)的距離不同,vp=(l1/ls)v1+(l2/ls)v2+(l3/ls)v3+...+(lw/ls)vw,一次成像可以得到m條路線上的平均聲速,得到m組方程,沿著外部逐點(diǎn)掃查,得到m×n個(gè)方程,且m大于w。
6、進(jìn)一步地,所述通過(guò)開展導(dǎo)數(shù)反投影求解的方法為:通過(guò)希爾伯特變換,將扇形反射成像數(shù)據(jù)重排成平行投影數(shù)據(jù),具體步驟如下:
7、為了描述重排公式,引入一個(gè)和真實(shí)結(jié)構(gòu)位置平行的虛擬結(jié)構(gòu)位置,用p1(β,m,n)表示虛擬結(jié)構(gòu)上的數(shù)據(jù),(m,n)表示在虛擬結(jié)構(gòu)上的坐標(biāo);r和β分別表示掃查半徑和旋轉(zhuǎn)角度;
8、為了描述重排后的平行投影數(shù)據(jù),引入另一個(gè)虛擬結(jié)構(gòu)位置,其上投影數(shù)據(jù)用p(θ,t,s)表示;p1(β,m,n)和p(θ,t,s)有如下關(guān)系:
9、
10、p1(β,m,n)被重排成平行數(shù)據(jù)p(θ,t,s),且重排公式如下:
11、
12、用來(lái)表示反射成像數(shù)據(jù)導(dǎo)數(shù)的圖像,表示pi線上任意一點(diǎn),pi線為圖形重建算法中的常規(guī)定義,表示連接螺旋掃描軌跡上兩信號(hào)源之間的線段;如果pi線在中心平面(s=0),則有
13、
14、其中,
15、對(duì)于一個(gè)任意投影p(θ,t,s)(s≠0),
16、通過(guò)逐點(diǎn)掃查所有數(shù)據(jù)求和,得到:
17、
18、其中,
19、用表示被重建單元的聲強(qiáng)度函數(shù),得到:
20、
21、其中,x’c是pi線上點(diǎn)的一種表示方法,xc1和xc2表示這條pi線的兩個(gè)端點(diǎn);c為一個(gè)常數(shù),表示希爾伯特變換。
22、進(jìn)一步地,采用相控陣線對(duì)目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行掃查,形成檢測(cè)對(duì)象的直讀圖像,因?yàn)闄z測(cè)對(duì)象在不同橫截面的物理狀態(tài)分布規(guī)律相同,將聲速變化疊加到直讀數(shù)據(jù)中,實(shí)現(xiàn)直讀圖像的修正。
23、進(jìn)一步地,所述聲學(xué)掃查系統(tǒng)為2軸聲學(xué)掃查系統(tǒng),所述2軸聲學(xué)掃查系統(tǒng)采用雙蝸桿軌道,在金屬外殼筒體外壁上進(jìn)行軸向和周向做矩形掃查,通過(guò)夾持裝置帶動(dòng)相控陣傳感器在工件表面運(yùn)動(dòng)和檢測(cè)。
24、進(jìn)一步地,所述相控陣傳感器檢測(cè)頻率范圍2-5mhz,32-64個(gè)陣列晶片,晶片尺寸為10.0mm×1.0mm,晶片間距為1.0mm。
25、本發(fā)明的另一個(gè)目的:提供一種不均勻?qū)恿鲌?chǎng)干擾下的結(jié)構(gòu)形狀聲學(xué)成像測(cè)量裝置,包括:
26、聲學(xué)掃查系統(tǒng),配置為對(duì)電力設(shè)備外的金屬外殼發(fā)射相控陣列信號(hào),并獲得金屬外殼內(nèi)部電力設(shè)備反射的一段曲線的扇形反射圖像,沿著金屬外殼表面等距變換聲學(xué)掃查系統(tǒng)的位置,獲得一系列聲學(xué)路徑變換位置下的同一曲線扇形反射圖像;
27、逆向解調(diào)模塊,配置為對(duì)一系列聲學(xué)路徑變換位置下的同一曲線扇形反射圖像進(jìn)行不均勻聲學(xué)路徑逆向解調(diào),獲得結(jié)構(gòu)的實(shí)際形狀和結(jié)構(gòu)圖像。
28、進(jìn)一步地,所述聲學(xué)掃查系統(tǒng)為2軸聲學(xué)掃查系統(tǒng),所述2軸聲學(xué)掃查系統(tǒng)采用雙蝸桿軌道,在金屬外殼筒體外壁上進(jìn)行軸向和周向做矩形掃查,通過(guò)夾持裝置帶動(dòng)相控陣傳感器在工件表面運(yùn)動(dòng)和檢測(cè)。
29、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果如下:
30、本發(fā)明通過(guò)采用聲學(xué)掃查系統(tǒng)對(duì)電力設(shè)備的金屬外殼發(fā)射相控陣列信號(hào),獲得電力設(shè)備反射的一段曲線的扇形掃查圖像,然后沿著表面等距變換位置,在一系列聲學(xué)路徑下進(jìn)行同一曲線反射圖像測(cè)量,通過(guò)不均勻聲學(xué)路徑逆向解調(diào),獲得結(jié)構(gòu)的實(shí)際形狀和結(jié)構(gòu)圖像,實(shí)現(xiàn)了金屬外殼內(nèi)處于不均勻?qū)恿鲌?chǎng)的電力設(shè)備的結(jié)構(gòu)形狀聲學(xué)成像測(cè)量,全面性、準(zhǔn)確性高。
31、本發(fā)明采用相控陣線對(duì)目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行掃查,形成檢測(cè)對(duì)象的直讀圖像,并將聲速變化疊加到直讀數(shù)據(jù)中實(shí)現(xiàn)直讀圖像的修正,提高測(cè)量準(zhǔn)確性,保證電力設(shè)備安全運(yùn)行。
32、另外,在開展導(dǎo)數(shù)反投影求解時(shí)采用希爾伯特變換,能夠快速獲得目標(biāo)點(diǎn)與探頭間的實(shí)際距離,逐點(diǎn)計(jì)算,可以得到一段曲線的實(shí)際形狀和位置,從而實(shí)現(xiàn)不均勻流體場(chǎng)內(nèi)結(jié)構(gòu)形狀和尺寸的測(cè)量。
1.一種不均勻?qū)恿鲌?chǎng)干擾下的結(jié)構(gòu)形狀聲學(xué)成像測(cè)量方法,其特征在于,包括以下步驟:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述不均勻?qū)恿鲌?chǎng)干擾下的結(jié)構(gòu)形狀聲學(xué)成像測(cè)量方法,其特征在于,所述不均勻聲學(xué)路徑逆向解調(diào)的方法為:利用線段到表面的實(shí)際物理距離不變特性,先將掃查范圍內(nèi)換分成恒聲速基本單元,測(cè)量不同路徑上聲速的與預(yù)設(shè)聲速的總偏差,聲速總偏差即為單元聲速偏差的共同作用結(jié)果,通過(guò)開展導(dǎo)數(shù)反投影求解,獲得相關(guān)單元聲速實(shí)際值,通過(guò)實(shí)際值與聲傳播時(shí)間,得到目標(biāo)點(diǎn)與探頭間的實(shí)際距離,逐點(diǎn)計(jì)算,得到一段曲線的實(shí)際形狀和位置,從而實(shí)現(xiàn)不均勻流體場(chǎng)內(nèi)結(jié)構(gòu)形狀和尺寸的測(cè)量。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述不均勻?qū)恿鲌?chǎng)干擾下的結(jié)構(gòu)形狀聲學(xué)成像測(cè)量方法,其特征在于,所述聲速總偏差即為單元聲速偏差的共同作用結(jié)果的測(cè)量方法為:采用陣列成像的相控陣技術(shù),設(shè)定聲速為v0,采用扇形掃查模式,扇形圖像一次覆蓋m也可以表征為段內(nèi)圓弧線,測(cè)出每個(gè)弧段到傳感器的測(cè)讀距離ld,通過(guò)幾何計(jì)算,可知實(shí)際距離ls,得到平均聲速vp,即通過(guò)的w個(gè)單元內(nèi),每個(gè)單元內(nèi)穿過(guò)的距離不同,vp=(l1/ls)v1+(l2/ls)v2+(l3/ls)v3+...+(lw/ls)vw,一次成像可以得到m條路線上的平均聲速,得到m組方程,沿著外部逐點(diǎn)掃查,得到m×n個(gè)方程,且m大于w。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述不均勻?qū)恿鲌?chǎng)干擾下的結(jié)構(gòu)形狀聲學(xué)成像測(cè)量方法,其特征在于,所述通過(guò)開展導(dǎo)數(shù)反投影求解的方法為:通過(guò)希爾伯特變換,將扇形反射成像數(shù)據(jù)重排成平行投影數(shù)據(jù),具體步驟如下:
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述不均勻?qū)恿鲌?chǎng)干擾下的結(jié)構(gòu)形狀聲學(xué)成像測(cè)量方法,其特征在于:采用相控陣線對(duì)目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行掃查,形成檢測(cè)對(duì)象的直讀圖像,將聲速變化疊加到直讀數(shù)據(jù)中,實(shí)現(xiàn)直讀圖像的修正。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述不均勻?qū)恿鲌?chǎng)干擾下的結(jié)構(gòu)形狀聲學(xué)成像測(cè)量方法,其特征在于:所述聲學(xué)掃查系統(tǒng)為2軸聲學(xué)掃查系統(tǒng),所述2軸聲學(xué)掃查系統(tǒng)采用雙蝸桿軌道,在金屬外殼筒體外壁上進(jìn)行軸向和周向做矩形掃查,通過(guò)夾持裝置帶動(dòng)相控陣傳感器在工件表面運(yùn)動(dòng)和檢測(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述不均勻?qū)恿鲌?chǎng)干擾下的結(jié)構(gòu)形狀聲學(xué)成像測(cè)量方法,其特征在于:所述相控陣傳感器檢測(cè)頻率范圍2-5mhz,32-64個(gè)陣列晶片,晶片尺寸為10.0mm×1.0mm,晶片間距為1.0mm。
8.一種不均勻?qū)恿鲌?chǎng)干擾下的結(jié)構(gòu)形狀聲學(xué)成像測(cè)量裝置,其特征在于,包括:
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述不均勻?qū)恿鲌?chǎng)干擾下的結(jié)構(gòu)形狀聲學(xué)成像測(cè)量裝置,其特征在于:所述聲學(xué)掃查系統(tǒng)為2軸聲學(xué)掃查系統(tǒng),所述2軸聲學(xué)掃查系統(tǒng)采用雙蝸桿軌道,在金屬外殼筒體外壁上進(jìn)行軸向和周向做矩形掃查,通過(guò)夾持裝置帶動(dòng)相控陣傳感器在工件表面運(yùn)動(dòng)和檢測(cè)。