本技術(shù)涉及油氣勘探開發(fā),具體涉及一種致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜校正方法及裝置。
背景技術(shù):
1、在相關(guān)領(lǐng)域內(nèi),致密儲(chǔ)層是一個(gè)相對(duì)概念,不具有固定的標(biāo)準(zhǔn)和界限,其通常指基質(zhì)滲透率小于0.1md,油氣運(yùn)移距離較短,需進(jìn)行大規(guī)模儲(chǔ)層壓裂改造才能開采的儲(chǔ)層。隨著勘探技術(shù)在石油工業(yè)領(lǐng)域的不斷發(fā)展,致密儲(chǔ)層越來(lái)越受到重視,已成為油氣勘探的重點(diǎn)目標(biāo)。
2、核磁共振測(cè)井主要探測(cè)的是儲(chǔ)層孔隙中的流體信號(hào),其廣泛應(yīng)用于儲(chǔ)層巖石物理參數(shù)和孔隙結(jié)構(gòu)的評(píng)價(jià)。但儲(chǔ)層中含有鐵和錳等順磁性礦物時(shí),會(huì)導(dǎo)致巖石孔隙內(nèi)部磁場(chǎng)梯度變大,孔隙流體擴(kuò)散弛豫作用增強(qiáng),此時(shí),基于t2譜的巖石物理參數(shù)評(píng)價(jià)可靠性降低。目前,以致密儲(chǔ)層核磁共振孔隙度校正研究為主,其只注重消除內(nèi)部磁場(chǎng)梯度對(duì)t2譜形態(tài)的影響,未考慮長(zhǎng)回波間隔測(cè)量時(shí)短弛豫信號(hào)丟失的現(xiàn)象,而研究致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜形態(tài)校正較少,一些核磁共振測(cè)井儀最短回波間隔為0.6ms,此時(shí),部分短弛豫信號(hào)會(huì)丟失,導(dǎo)致測(cè)量得到的t2譜無(wú)法準(zhǔn)確用于儲(chǔ)層評(píng)價(jià)。目前所使用的致密儲(chǔ)層核磁共振孔隙度校正方法無(wú)法同時(shí)降低內(nèi)部磁場(chǎng)梯度的影響以及長(zhǎng)回波間隔下短弛豫信號(hào)丟失的影響,無(wú)法準(zhǔn)確評(píng)價(jià)儲(chǔ)層參數(shù)和孔隙結(jié)構(gòu)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、有鑒于此,本技術(shù)提供一種致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜校正方法及裝置,能夠同時(shí)降低內(nèi)部磁場(chǎng)梯度的影響以及長(zhǎng)回波間隔下短弛豫信號(hào)丟失的影響,以準(zhǔn)確評(píng)價(jià)儲(chǔ)層參數(shù)和孔隙結(jié)構(gòu)。
2、為解決上述問(wèn)題,本技術(shù)提供的技術(shù)方案如下:
3、第一方面,本技術(shù)實(shí)施例提供一種致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜校正方法,所述校正方法包括:
4、獲取巖石樣本的內(nèi)部磁場(chǎng)梯度;
5、測(cè)量所述巖石樣本處于短回波間隔條件下的標(biāo)準(zhǔn)致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜和長(zhǎng)回波間隔條件下的待校正致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜,其中,所述標(biāo)準(zhǔn)致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜用于構(gòu)建預(yù)設(shè)的區(qū)間孔隙度-振幅關(guān)系模型;
6、基于所述內(nèi)部磁場(chǎng)梯度、預(yù)設(shè)的區(qū)間孔隙度-振幅關(guān)系模型以及預(yù)設(shè)的t2截止值對(duì)所述待校正致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜進(jìn)行校正,得到校正后的致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜。
7、在一種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,所述基于所述內(nèi)部磁場(chǎng)梯度、預(yù)設(shè)的區(qū)間孔隙度-振幅關(guān)系模型以及預(yù)設(shè)的t2截止值對(duì)所述待校正致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜進(jìn)行校正,得到校正后的致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜,包括:
8、基于所述預(yù)設(shè)的t2截止值將所述待校正致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜劃分為待校正t2譜長(zhǎng)弛豫部分和待校正t2譜短弛豫部分;
9、基于所述內(nèi)部磁場(chǎng)梯度對(duì)所述待校正t2譜長(zhǎng)弛豫部分進(jìn)行校正,得到校正后的t2譜長(zhǎng)弛豫部分;
10、基于所述預(yù)設(shè)的區(qū)間孔隙度-振幅關(guān)系模型對(duì)所述待校正t2譜短弛豫部分進(jìn)行校正,得到校正后的t2譜短弛豫部分;
11、組合所述校正后的t2譜短弛豫部分和所述校正后的t2譜長(zhǎng)弛豫部分,得到所述校正后的致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜。
12、在一種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,所述基于所述內(nèi)部磁場(chǎng)梯度對(duì)所述待校正t2譜長(zhǎng)弛豫部分進(jìn)行校正,得到校正后的t2譜長(zhǎng)弛豫部分,包括:
13、基于所述內(nèi)部磁場(chǎng)梯度計(jì)算擴(kuò)散弛豫率;
14、通過(guò)所述長(zhǎng)回波間隔條件下的待校正致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜,獲取所述巖石樣本的橫向弛豫率;
15、從所述橫向弛豫率中移除所述擴(kuò)散弛豫率,得到無(wú)內(nèi)部磁場(chǎng)梯度影響的目標(biāo)橫向弛豫率;
16、利用所述目標(biāo)橫向弛豫率正演得到回波數(shù)據(jù);
17、利用所述回波數(shù)據(jù)反演得到所述校正后的t2譜長(zhǎng)弛豫部分。
18、在一種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,所述基于所述預(yù)設(shè)的區(qū)間孔隙度-振幅關(guān)系模型對(duì)所述待校正t2譜短弛豫部分進(jìn)行校正,得到校正后的t2譜短弛豫部分,包括:
19、基于所述預(yù)設(shè)的區(qū)間孔隙度-振幅關(guān)系模型獲取待校正致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜各弛豫分量處對(duì)應(yīng)短回波間隔條件下的振幅,所述振幅用于表征信號(hào)強(qiáng)度;
20、通過(guò)預(yù)先獲取的信號(hào)強(qiáng)度交會(huì)圖確定短回波間隔的短弛豫峰和長(zhǎng)回波間隔的短弛豫峰對(duì)應(yīng)的信號(hào)強(qiáng)度之間的校正關(guān)系;
21、基于所述校正關(guān)系刻度短回波間隔條件下待校正致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜的振幅,完成對(duì)所述待校正t2譜短弛豫部分的校正,得到校正后的t2譜短弛豫部分。
22、在一種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,所述區(qū)間孔隙度-振幅關(guān)系模型是通過(guò)如下方式建立的:
23、將所述標(biāo)準(zhǔn)致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜和所述待校正致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜的峰值歸一化;
24、采用多參數(shù)優(yōu)化法建立峰值歸一化后巖石樣本在長(zhǎng)回波間隔條件下的待校正致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜的區(qū)間孔隙度與短回波間隔條件下的標(biāo)準(zhǔn)致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜的振幅之間的所述區(qū)間孔隙度-振幅關(guān)系模型。
25、在一種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,所述獲取巖石樣本的內(nèi)部磁場(chǎng)梯度,包括:
26、測(cè)量所述巖石樣本在標(biāo)準(zhǔn)條件下的t2-g譜,所述標(biāo)準(zhǔn)條件為測(cè)量環(huán)境常溫常壓無(wú)噪聲;
27、從所述t2-g譜中提取巖石樣本的內(nèi)部磁場(chǎng)梯度。
28、第二方面,本技術(shù)實(shí)施例提供一種致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜校正裝置,所述校正裝置包括:
29、獲取模塊,用于獲取巖石樣本的內(nèi)部磁場(chǎng)梯度;
30、測(cè)量模塊,用于測(cè)量所述巖石樣本處于短回波間隔條件下的標(biāo)準(zhǔn)致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜和長(zhǎng)回波間隔條件下的待校正致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜,其中,所述標(biāo)準(zhǔn)致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜用于構(gòu)建預(yù)設(shè)的區(qū)間孔隙度-振幅關(guān)系模型;
31、校正模塊,用于基于所述內(nèi)部磁場(chǎng)梯度、預(yù)設(shè)的區(qū)間孔隙度-振幅關(guān)系模型以及預(yù)設(shè)的t2截止值對(duì)所述待校正致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜進(jìn)行校正,得到校正后的致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜。
32、在一種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,所述校正模塊包括劃分子模塊、第一校正子模塊、第二校正子模塊以及組合子模塊:
33、所述劃分子模塊,用于基于所述預(yù)設(shè)的t2截止值將所述待校正致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜劃分為待校正t2譜長(zhǎng)弛豫部分和待校正t2譜短弛豫部分;
34、所述第一校正子模塊,用于基于所述內(nèi)部磁場(chǎng)梯度對(duì)所述待校正t2譜長(zhǎng)弛豫部分進(jìn)行校正,得到校正后的t2譜長(zhǎng)弛豫部分;
35、所述第二校正子模塊,用于基于所述預(yù)設(shè)的區(qū)間孔隙度-振幅關(guān)系模型對(duì)所述待校正t2譜短弛豫部分進(jìn)行校正,得到校正后的t2譜短弛豫部分;
36、所述組合子模塊,用于組合所述校正后的t2譜短弛豫部分和所述校正后的t2譜長(zhǎng)弛豫部分,得到所述校正后的致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜。
37、在一種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,所述第一校正子模塊,具體用于:
38、基于所述內(nèi)部磁場(chǎng)梯度計(jì)算擴(kuò)散弛豫率;通過(guò)所述長(zhǎng)回波間隔條件下的待校正致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜,獲取所述巖石樣本的橫向弛豫率;從所述橫向弛豫率中移除所述擴(kuò)散弛豫率,得到無(wú)內(nèi)部磁場(chǎng)梯度影響的目標(biāo)橫向弛豫率;利用所述目標(biāo)橫向弛豫率正演得到回波數(shù)據(jù);利用所述回波數(shù)據(jù)反演得到所述校正后的t2譜長(zhǎng)弛豫部分。
39、在一種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,所述第二校正子模塊,具體用于:
40、基于所述預(yù)設(shè)的區(qū)間孔隙度-振幅關(guān)系模型獲取待校正致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜各弛豫分量處對(duì)應(yīng)短回波間隔條件下的振幅,所述振幅用于表征信號(hào)強(qiáng)度;通過(guò)預(yù)先獲取的信號(hào)強(qiáng)度交會(huì)圖確定短回波間隔的短弛豫峰和長(zhǎng)回波間隔的短弛豫峰對(duì)應(yīng)的信號(hào)強(qiáng)度之間的校正關(guān)系;基于所述校正關(guān)系刻度短回波間隔條件下待校正致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜的振幅,完成對(duì)所述待校正t2譜短弛豫部分的校正,得到校正后的t2譜短弛豫部分。
41、在一種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,所述校正裝置還包括關(guān)系模型建立模塊,
42、所述關(guān)系模型建立模塊,具體用于:
43、將所述標(biāo)準(zhǔn)致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜和所述待校正致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜的峰值歸一化;采用多參數(shù)優(yōu)化法建立峰值歸一化后巖石樣本在長(zhǎng)回波間隔條件下的待校正致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜的區(qū)間孔隙度與短回波間隔條件下的標(biāo)準(zhǔn)致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜的振幅之間的所述區(qū)間孔隙度-振幅關(guān)系模型。
44、在一種可能實(shí)現(xiàn)的方式中,所述獲取模塊,具體用于:
45、測(cè)量所述巖石樣本在標(biāo)準(zhǔn)條件下的t2-g譜,所述標(biāo)準(zhǔn)條件為測(cè)量環(huán)境常溫常壓無(wú)噪聲;從所述t2-g譜中提取巖石樣本的內(nèi)部磁場(chǎng)梯度。
46、第三方面,本技術(shù)提供一種業(yè)務(wù)服務(wù)設(shè)備,所述設(shè)備包括:處理器、存儲(chǔ)器、系統(tǒng)總線;
47、所述處理器以及所述存儲(chǔ)器通過(guò)所述系統(tǒng)總線相連;
48、所述存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)一個(gè)或多個(gè)程序,所述一個(gè)或多個(gè)程序包括指令,所述指令當(dāng)被所述處理器執(zhí)行時(shí)使所述處理器執(zhí)行上述第一方面所述的致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜校正方法。
49、第四方面,本技術(shù)提供一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)指令,當(dāng)所述指令在設(shè)備上運(yùn)行時(shí),使得所述設(shè)備執(zhí)行上述第一方面所述的致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜校正方法。
50、由此可見,本技術(shù)具有如下有益效果:
51、本技術(shù)實(shí)施例提供一種致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜校正方法,首先獲取巖石樣本的內(nèi)部磁場(chǎng)梯度;其次測(cè)量巖石樣本處于短回波間隔條件下的標(biāo)準(zhǔn)致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜和長(zhǎng)回波間隔條件下的待校正致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜,其中,所述標(biāo)準(zhǔn)致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜用于構(gòu)建預(yù)設(shè)的區(qū)間孔隙度-振幅關(guān)系模型;然后基于內(nèi)部磁場(chǎng)梯度、預(yù)設(shè)的區(qū)間孔隙度-振幅關(guān)系模型以及預(yù)設(shè)的t2截止值對(duì)待校正致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜進(jìn)行校正,得到校正后的致密儲(chǔ)層核磁共振t2譜。如此,獲取到巖石樣本的內(nèi)部磁場(chǎng)梯度后,基于該內(nèi)部磁場(chǎng)梯度以及預(yù)設(shè)的區(qū)間孔隙度-振幅關(guān)系模型、預(yù)設(shè)的t2截止值進(jìn)行校正,能夠同時(shí)降低內(nèi)部磁場(chǎng)梯度的影響以及長(zhǎng)回波間隔下短弛豫信號(hào)丟失的影響,以準(zhǔn)確評(píng)價(jià)儲(chǔ)層參數(shù)和孔隙結(jié)構(gòu)。
52、本技術(shù)實(shí)施例還提供了與上述方法相對(duì)應(yīng)的裝置,具有與上述方法相同的有益效果。