本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體測(cè)試,特別是涉及一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù):
1、在半導(dǎo)體無功測(cè)試時(shí)通常需要設(shè)置冷卻結(jié)構(gòu)以滿足降溫需求,現(xiàn)有常用單面水冷和雙面水冷兩種方式。
2、其中,就雙面水冷而言,由于會(huì)在功率半導(dǎo)體的上方和下方均需要設(shè)置水道板,導(dǎo)致功率半導(dǎo)體的上方用于放置測(cè)試電路板的空間會(huì)縮小,甚至沒有空間用于放置測(cè)試電路板,導(dǎo)致功率半導(dǎo)體檢測(cè)較困難。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、基于此,有必要提供一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu),為測(cè)試電路板的穩(wěn)定放置提供充足的空間,確保功率半導(dǎo)體的檢測(cè)正常進(jìn)行,并可以滿足散熱降溫需求。
2、一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu),包括壓接軟銅排、壓接硬銅排和轉(zhuǎn)接銅排,
3、所述壓接硬銅排連接于所述壓接軟銅排與所述轉(zhuǎn)接銅排之間,且所述壓接軟銅排背離所述壓接硬銅排的一端用于連接功率半導(dǎo)體,所述轉(zhuǎn)接銅排背離所述壓接硬銅排的一端用于連接線纜;
4、所述半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括支撐座和冷卻板,所述支撐座支撐于所述壓接硬銅排,所述冷卻板安裝于所述支撐座,并位于所述壓接硬銅排的上方,所述冷卻板用于對(duì)所述壓接硬銅排進(jìn)行散熱。
5、可以理解的是,利用壓接硬銅排的設(shè)置,以連接于壓接軟銅排和轉(zhuǎn)接銅排之間,延長(zhǎng)了壓接軟銅排至轉(zhuǎn)接銅排之間的安裝長(zhǎng)度,以便將轉(zhuǎn)接銅排布置在其他位置。因此,當(dāng)為了滿足壓接硬銅排穩(wěn)定裝配時(shí),也就相當(dāng)于預(yù)留出較多的裝配空間,以用于放置測(cè)試電路板。在這個(gè)過程中,利用支撐座的設(shè)置確保壓接硬銅排裝配穩(wěn)定,不會(huì)輕易產(chǎn)生偏移或者波動(dòng)而影響測(cè)試效果或者增加雜感,并可以確保測(cè)試電路板穩(wěn)定放置;且,利用冷卻板的裝配可以及時(shí)并有效的對(duì)壓接硬銅排進(jìn)行散熱降溫,避免過熱而影響測(cè)試結(jié)果。
6、在其中一些實(shí)施例中,沿豎直方向,所述轉(zhuǎn)接銅排位于所述壓接軟銅排的上方,所述壓接硬銅排朝向所述轉(zhuǎn)接銅排的一端具有第一彎折段,所述第一彎折段沿豎直方向向上延伸,所述第一彎折段的延伸末端連接于所述轉(zhuǎn)接銅排。
7、在其中一些實(shí)施例中,所述壓接硬銅排還具有第二彎折段和連接段,所述連接段連接于所述第二彎折段和所述第一彎折段之間;
8、其中,所述連接段、所述第一彎折段和所述第二彎折段,兩兩成角度設(shè)置,且所述第二彎折段沿所述壓接軟銅排的長(zhǎng)度方向延伸,所述第二彎折段的延伸末端連接于對(duì)應(yīng)的所述壓接軟銅排。
9、在其中一些實(shí)施例中,所述連接段和所述第二彎折段位于第一平面內(nèi)。
10、在其中一些實(shí)施例中,所述支撐座包括支撐底板和連接于所述支撐底板的支撐豎板,所述支撐豎板與所述支撐底板成角度設(shè)置,所述支撐底板支撐于所述連接段和所述第二彎折段,所述支撐豎板支撐于所述第一彎折段;其中,至少所述支撐底板連接有所述冷卻板。
11、在其中一些實(shí)施例中,所述支撐底板和/或所述支撐豎板均凹設(shè)有裝配槽,所述壓接硬銅排安裝于所述裝配槽,且所述裝配槽的形狀與所述壓接硬銅排的形狀相適配;其中,所述壓接硬銅排的厚度小于所述裝配槽的凹陷深度。
12、在其中一些實(shí)施例中,所述壓接軟銅排的數(shù)量為多個(gè),且多個(gè)所述壓接軟銅排沿第一方向間隔布置,所述第一方向?yàn)樗鰤航榆涖~排的寬度方向;每個(gè)所述壓接軟銅排對(duì)應(yīng)連接一個(gè)所述壓接硬銅排和一個(gè)所述轉(zhuǎn)接銅排,且各個(gè)所述壓接硬銅排和各個(gè)所述轉(zhuǎn)接銅排均間隔布置;其中,以全部所述壓接軟銅排為壓接組,以全部的所述轉(zhuǎn)接銅排為轉(zhuǎn)接組,所述轉(zhuǎn)接組設(shè)置于所述壓接組沿第一方向的一側(cè);多個(gè)所述壓接軟銅排中,靠近所述轉(zhuǎn)接組的所述壓接軟銅排對(duì)應(yīng)的所述壓接硬銅排的長(zhǎng)度,小于遠(yuǎn)離所述轉(zhuǎn)接組的所述壓接軟銅排對(duì)應(yīng)的所述壓接硬銅排的長(zhǎng)度。
13、在其中一些實(shí)施例中,多個(gè)所述壓接硬銅排中,長(zhǎng)度較大的所述壓接硬銅排位于長(zhǎng)度較小的所述壓接硬銅排的外側(cè)。
14、其中一些實(shí)施例中,所述冷卻板構(gòu)造有送氣氣道以及連通于所述送氣氣道的進(jìn)氣口和多個(gè)吹氣孔,多個(gè)所述吹氣孔位于所述冷卻板朝向所述壓接硬銅排的一側(cè),所述送氣氣道的延伸形狀與所述壓接硬銅排的延伸形狀相適應(yīng),且多個(gè)所述吹氣孔沿所述送氣氣道的延伸方向間隔布置;和/或,所述支撐底板構(gòu)造有多個(gè)沿自身厚度方向貫穿的散熱孔,且多個(gè)所述散熱孔沿所述壓接硬銅排的延伸方向相適應(yīng)間隔布置。
15、在其中一些實(shí)施例中,所述半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括:
16、探針固定板,覆蓋于部分所述壓接硬銅排背離所述支撐座的一側(cè),所述探針固定板連接于所述支撐座,所述探針固定板構(gòu)造有穿設(shè)孔,且所述探針固定板構(gòu)造有用于避讓所述壓接軟銅排的避讓孔;
17、測(cè)試電路板,安裝于所述探針固定板背離所述壓接硬銅排的一側(cè),所述測(cè)試電路板的電路板針腳穿過所述穿設(shè)孔延伸至所述探針固定板的下方。
1.一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu),其特征在于,所述半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)(100)包括壓接軟銅排(10)、壓接硬銅排(20)和轉(zhuǎn)接銅排(30);
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu),其特征在于,沿豎直方向,所述轉(zhuǎn)接銅排(30)位于所述壓接軟銅排(10)的上方,所述壓接硬銅排(20)朝向所述轉(zhuǎn)接銅排(30)的一端具有第一彎折段(21),所述第一彎折段(21)沿豎直方向向上延伸,所述第一彎折段(21)的延伸末端連接于所述轉(zhuǎn)接銅排(30)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu),其特征在于,所述壓接硬銅排(20)還具有第二彎折段(22)和連接段(23),所述連接段(23)連接于所述第二彎折段(22)和所述第一彎折段(21)之間;
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu),其特征在于,所述連接段(23)和所述第二彎折段(22)位于第一平面內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu),其特征在于,所述支撐座(40)包括支撐底板(41)和連接于所述支撐底板(41)的支撐豎板(42),所述支撐豎板(42)與所述支撐底板(41)成角度設(shè)置,所述支撐底板(41)支撐于所述連接段(23)和所述第二彎折段(22),所述支撐豎板(42)支撐于所述第一彎折段(21);
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu),其特征在于,所述支撐底板(41)和/或所述支撐豎板(42)均凹設(shè)有裝配槽(401),所述壓接硬銅排(20)安裝于所述裝配槽(401),且所述裝配槽(401)的形狀與所述壓接硬銅排(20)的形狀相適配;
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu),其特征在于,所述壓接軟銅排(10)的數(shù)量為多個(gè),且多個(gè)所述壓接軟銅排(10)沿第一方向間隔布置,所述第一方向?yàn)樗鰤航榆涖~排(10)的寬度方向;
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu),其特征在于,多個(gè)所述壓接硬銅排(20)中,長(zhǎng)度較大的所述壓接硬銅排(20)位于長(zhǎng)度較小的所述壓接硬銅排(20)的外側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu),其特征在于,所述冷卻板(50)構(gòu)造有送氣氣道(503)以及連通于所述送氣氣道(503)的進(jìn)氣口(501)和多個(gè)吹氣孔(502),多個(gè)所述吹氣孔(502)位于所述冷卻板(50)朝向所述壓接硬銅排(20)的一側(cè),所述送氣氣道(503)的延伸形狀與所述壓接硬銅排(20)的延伸形狀相適應(yīng),且多個(gè)所述吹氣孔(502)沿所述送氣氣道(503)的延伸方向間隔布置;和/或,
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu),其特征在于,所述半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)(100)還包括: