本實(shí)用新型涉及一種測(cè)試探針，尤其是涉及一種4G信號(hào)測(cè)試探針。

背景技術(shù)：

隨著芯片信號(hào)傳遞速度越來越快。因此對(duì)芯片封裝要求也越來越高。芯片上的焊盤采用了鎳鈀合金。它的硬度高，因此對(duì)測(cè)試用的探針要求很高。傳統(tǒng)的探針材質(zhì)很軟，經(jīng)不起長時(shí)的測(cè)試。當(dāng)測(cè)試50K左右的產(chǎn)品后，上探針頭就出現(xiàn)磨損。探針就不能與芯片很好的接觸。從而導(dǎo)致芯片測(cè)試異常，也不能滿足更高頻率的傳輸要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是解決上述提出的問題，提供一種結(jié)構(gòu)簡單、提高探針強(qiáng)度，且保證探針與芯片接觸的一種4G信號(hào)測(cè)試探針。

本實(shí)用新型的目的是以如下方式實(shí)現(xiàn)的：一種4G信號(hào)測(cè)試探針，具有筒狀針保持體、上探針頭和下探針頭，所述下探針頭通過擠壓方式固定在筒狀針保持體上，位于所述上探針頭和下探針頭之間設(shè)有彈簧。

上述的一種4G信號(hào)測(cè)試探針，所述筒狀針保持體的材質(zhì)為磷青銅。

上述的一種4G信號(hào)測(cè)試探針，所述上探針頭的材質(zhì)為鈀合金。

上述的一種4G信號(hào)測(cè)試探針，所述下探針頭的材質(zhì)為鈹青銅。

上述的一種4G信號(hào)測(cè)試探針，所述彈簧的材質(zhì)為不銹鋼絲。

本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)：本實(shí)用新型由于這種新型探針采用鈀合金經(jīng)特殊熱處理工藝后制作而成，因此整個(gè)探針頭部硬度很高，里面的分子結(jié)構(gòu)很致密，耐磨損；適合鎳鈀金材質(zhì)的芯片測(cè)試；有效的保證了測(cè)試阻值的穩(wěn)定性，解決了現(xiàn)有技術(shù)中探針對(duì)鎳鈀金材質(zhì)芯片的測(cè)試?yán)щy的問題，滿足的測(cè)試的功能以及滿足了半導(dǎo)體高硬度探針的要求。

附圖說明

為了使本實(shí)用新型的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式：

見圖1所示，一種4G信號(hào)測(cè)試探針，具有筒狀針保持體1、上探針頭2和下探針頭3，所述下探針頭3通過擠壓方式固定在筒狀針保持體1上，位于所述上探針頭2和下探針頭3之間設(shè)有彈簧4。所述筒狀針保持體1的材質(zhì)為磷青銅。所述上探針頭2的材質(zhì)為鈀合金。所述下探針頭3的材質(zhì)為鈹青銅。所述彈簧4的材質(zhì)為不銹鋼絲。

本實(shí)用新型4G信號(hào)測(cè)試探針是一種采用鈀合金作為上探針頭2的基材，并采用特殊的熱處理工藝，使其硬度達(dá)到750維氏硬度。從而能與鎳鈀金材質(zhì)的芯片有很好的接觸，并不易磨損。保證接觸的可靠性。

以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。