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用于IGBT的飽和壓降檢測(cè)電路的制作方法

文檔序號(hào):11351419閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種用于IGBT的飽和壓降檢測(cè)電路,其特征在于,包括第一端口及第二端口,所述第一端口及第二端口分別與被控IGBT的集電極、射極連接,用于檢測(cè)被控IGBT的集電極與射極之間的極間電壓;

還包括,第一二極管D1、第二二極管D2、第一穩(wěn)壓二極管ZD1、第二穩(wěn)壓二極管ZD2、第三電阻R3、第四電阻R4及第一電容C1;

所述第一二極管D1的負(fù)極與第一端口、第二端口連接,正極與第一穩(wěn)壓二極管ZD1的正極連接,第一穩(wěn)壓二極管ZD1的負(fù)極與第三電阻R3的第一端連接;

所述第三電阻R3的第二端通過(guò)第四電阻R4與IGBT驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接;同時(shí),所述第三電阻R3還通過(guò)并接的第一電容C1、第二二極管D2、第二穩(wěn)壓二極管ZD2接地;

其中,第一電容C1與第三電阻R3連接的一端為檢測(cè)電路的輸出端口。

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