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用于IGBT的飽和壓降檢測電路的制作方法

文檔序號(hào):11351419閱讀:2023來源:國知局

本實(shí)用新型涉及電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域,特別涉及一種用于IGBT的飽和壓降檢測電路。



背景技術(shù):

現(xiàn)有技術(shù)中,IGBT是伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中必不可少的開關(guān)器件,但是由于IGBT的固有特性,如果對IGBT采用硬關(guān)斷方式,在關(guān)斷瞬間其C極、E極極間電壓會(huì)出現(xiàn)飆高至額定值以上數(shù)倍,這對器件安全造成了極大的危害,由此通常需要有專門的壓降檢測電路對IGBT的CE極間電壓進(jìn)行檢測,同時(shí),由于極短時(shí)間內(nèi)的極間電壓飆高是可以忍受的,因此需要對電壓飆高時(shí)間進(jìn)行評估,只有超出時(shí)間閾值的電壓飆高才需要控制器件做出反應(yīng)。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型的目的在于可以檢測IGBT在關(guān)斷時(shí)CE極間電壓值,且可具有報(bào)警時(shí)間設(shè)定功能的飽和壓降檢測電路。

為了實(shí)現(xiàn)上述實(shí)用新型目的,本實(shí)用新型提供了以下技術(shù)方案:

一種IGBT飽和壓降檢測電路,包括第一端口及第二端口,所述第一端口及第二端口分別與被控IGBT的集電極、射極連接,用于檢測被控IGBT的集電極與射極之間的極間電壓;

還包括,第一二極管D1、第二二極管D2、第一穩(wěn)壓二極管ZD1、第二穩(wěn)壓二極管ZD2、第三電阻R3、第四電阻R4及第一電容C1;

所述第一二極管D1的負(fù)極與第一端口、第二端口連接,正極與第一穩(wěn)壓二極管ZD1的正極連接,第一穩(wěn)壓二極管ZD1的負(fù)極與第三電阻R3的第一端連接;

所述第三電阻R3的第二端通過第四電阻R4與IGBT驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接;同時(shí),所述第三電阻R3還通過并接的第一電容C1、第二二極管D2、第二穩(wěn)壓二極管ZD2接地;

其中,第一電容C1與第三電阻R3連接的一端為檢測電路的輸出端口。

本電路中,第一二極管D1和第一穩(wěn)壓二極管ZD1共同決定IGBT的CE極間電壓報(bào)警閾值,而第四電阻R4、第一電容C1共同決定報(bào)警時(shí)間。

與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的有益效果:本實(shí)用新型提供的IGBT飽和壓降檢測電路可通過設(shè)置第一二極管D1和第一穩(wěn)壓二極管ZD1值決定報(bào)警電壓閾值,同時(shí)通過第四電阻R4和第一電容C1調(diào)整報(bào)警時(shí)間,只有超過閾值的極間電壓存在時(shí)間超過報(bào)警時(shí)間,本電路的輸出端口才會(huì)輸出報(bào)警信號(hào)至控制器(如驅(qū)動(dòng)光耦)。

附圖說明:

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例中飽和壓降檢測電路電路圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。但不應(yīng)將此理解為本實(shí)用新型上述主題的范圍僅限于以下的實(shí)施例,凡基于本實(shí)用新型內(nèi)容所實(shí)現(xiàn)的技術(shù)均屬于本實(shí)用新型的范圍。

實(shí)施例1:如圖1所示,本實(shí)施例提供一種IGBT飽和壓降檢測電路,包括第一端口及第二端口,所述第一端口及第二端口分別與被控IGBT的集電極、射極連接,用于檢測被控IGBT的集電極與射極之間的極間電壓;

還包括,第一二極管D1、第二二極管D2、第一穩(wěn)壓二極管ZD1、第二穩(wěn)壓二極管ZD2、第三電阻R3、第四電阻R4及第一電容C1;所述第一二極管D1的負(fù)極與第一端口、第二端口連接,正極與第一穩(wěn)壓二極管ZD1的正極連接,第一穩(wěn)壓二極管ZD1的負(fù)極與第三電阻R3的第一端連接;所述第三電阻R3的第二端通過第四電阻R4與IGBT驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接;同時(shí),所述第三電阻R3還通過并接的第一電容C1、第二二極管D2、第二穩(wěn)壓二極管ZD2接地;其中,第一電容C1與第三電阻R3連接的一端為檢測電路的輸出端口。本電路中,第一二極管D1和第一穩(wěn)壓二極管ZD1共同決定IGBT的CE極間電壓報(bào)警閾值,而第四電阻R4、第一電容C1共同決定報(bào)警時(shí)間。

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