本發(fā)明涉及的是電磁輻射試驗領域，尤其是一種開口腔體結(jié)構(gòu)內(nèi)部電子產(chǎn)品的寬頻帶電磁輻射試驗方法。
背景技術：
對于電子產(chǎn)品電磁輻射試驗方法目前通用的主要是gjb151a、gjb151b以及gjb7073等，國內(nèi)關于該類標準中電磁環(huán)境產(chǎn)生的設備較為健全，可以直接在實驗室利用設備產(chǎn)生電磁環(huán)境開展輻照試驗，但其產(chǎn)生的電磁環(huán)境場強均未超過200v/m，即標準中的方法只適用于場強不超過200v/m的電磁輻射試驗。對于電磁環(huán)境場強大于200v/m，如gjb1389a對電磁輻射環(huán)境的要求所述，在400mhz-40ghz范圍內(nèi)，場強大小都有上千甚至上萬量級。目前，對于上千甚至上萬量級要求的電磁輻射項目尚無健全設備完全覆蓋，許多試驗項目無法開展。
技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的，就是針對現(xiàn)有技術所存在的不足，而提供一種開口腔體結(jié)構(gòu)內(nèi)部電子產(chǎn)品的寬頻帶電磁輻射試驗方法，該方案采用首先對電子產(chǎn)品外部腔體結(jié)構(gòu)進行給定的外部電磁頻率范圍的屏蔽效能測試試驗，然后將電子產(chǎn)品的外部電磁環(huán)境場強峰值與屏蔽效能測試的屏蔽結(jié)果進行相減，根據(jù)計算所得的屏蔽后的電子產(chǎn)品的電磁環(huán)境等級，進行電子產(chǎn)品的小功率電磁輻射的試驗測試，即完成了在無設備滿足外部電磁環(huán)境條件下開展電子產(chǎn)品的電磁輻射試驗。
本方案是通過如下技術措施來實現(xiàn)的：
一種開口腔體結(jié)構(gòu)內(nèi)部電子產(chǎn)品的寬頻帶電磁輻射試驗方法，包括有以下步驟：
a、確定需要開展試驗的電磁環(huán)境等級a；
b、將測電子產(chǎn)品外部腔體進行屏蔽處理；
c、對屏蔽處理后的電子產(chǎn)品腔體在擬開展的電磁環(huán)境頻段進行屏蔽效能測試，獲得屏蔽量b；
d、計算屏蔽后的電子產(chǎn)品的電磁環(huán)境等級c，c=a-b；
e、以屏蔽后的電子產(chǎn)品的電磁環(huán)境等級c為基礎，進行裸露電子產(chǎn)品的電磁輻射試驗。
作為本方案的優(yōu)選：步驟a中，要開展的電磁環(huán)境等級a為電子產(chǎn)品的外部電磁環(huán)境場強峰值。
作為本方案的優(yōu)選：步驟b中，電子產(chǎn)品的外部腔體的屏蔽處理方法為，對電子產(chǎn)品腔體開口端采用與腔體連接結(jié)構(gòu)相似的屏蔽材料進行封口屏蔽處理。
作為本方案的優(yōu)選：步驟c中，屏蔽效能測試試驗每隔0.5ghz設置一個屏蔽測試點。
作為本方案的優(yōu)選：步驟d中，屏蔽后電子產(chǎn)品的電磁環(huán)境等級為計算得到的最大峰值場強。
作為本方案的優(yōu)選：屏蔽處理后的電子產(chǎn)品腔體為一端開口的圓柱形腔體，開口端固定有具有電磁屏蔽功能的擋板。
本方案的有益效果可根據(jù)對上述方案的敘述得知，由于在該方案中采用對電子產(chǎn)品外部腔體結(jié)構(gòu)進行給定的外部電磁頻率范圍的屏蔽效能測試試驗，然后將電子產(chǎn)品的外部電磁環(huán)境場強峰值與屏蔽效能測試的屏蔽結(jié)果進行相減，根據(jù)計算所得的屏蔽后的電子產(chǎn)品的電磁環(huán)境等級，進行電子產(chǎn)品的小功率電磁輻射的試驗測試，即完成了在無設備滿足外部電磁環(huán)境條件下開展電子產(chǎn)品的電磁輻射試驗的方法，能夠滿足在無設備能夠提供高強度電磁環(huán)境的情況下采用的等效小功率試驗方法，從而進行電子產(chǎn)品的等效試驗。
由此可見，本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比，具有實質(zhì)性特點和進步，其實施的有益效果也是顯而易見的。
具體實施方式
為能清楚說明本方案的技術特點，下面通過一個具體實施方式，對本方案進行闡述。
本方案的實施例：
首先，確定需要開展試驗的電磁環(huán)境等級a，然后對電子產(chǎn)品外部腔體進行屏蔽處理。電子產(chǎn)品的外部腔體的屏蔽處理方法為：對電子產(chǎn)品腔體開口端采用與腔體連接結(jié)構(gòu)相似的屏蔽材料進行封口屏蔽處理。
然后，對屏蔽后的腔體進行屏蔽效能測試，試驗按照gjb5185-2003《小屏蔽體屏蔽效能測量方法》進行，每隔0.5ghz設置一個屏蔽測試點，得到屏蔽量b。
通過計算獲得屏蔽后的電子產(chǎn)品的等效電磁環(huán)境等級c，c=a-b。
然后，取出電子產(chǎn)品，使其在裸露的狀態(tài)下，處于電磁環(huán)境等級c的環(huán)境下進行試驗，試驗按照gjb151a-1986《軍用設備和分系統(tǒng)電磁發(fā)射和敏感度要求》或者gjb151b-2013《軍用設備和分系統(tǒng)電磁發(fā)射和敏感度要求與測試》進行。
本方案的優(yōu)勢在于：在無設備能直接產(chǎn)生電磁輻射試驗所需要的電磁環(huán)境情況下，提供一種能夠測試在開口腔體結(jié)構(gòu)內(nèi)電子產(chǎn)品的寬頻帶電磁輻射試驗方法。能夠顯著提高現(xiàn)有試驗設備的實驗范圍，對于上千甚至上萬量級要求的電磁輻射項目能夠進行許多實驗項目的開展。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。