本技術(shù)發(fā)明是一種針對(duì)射頻類產(chǎn)品在使用ate(自動(dòng)測(cè)試設(shè)備)進(jìn)行cp測(cè)試時(shí)，對(duì)其進(jìn)行校準(zhǔn)的一種方法。

背景技術(shù)：

眾所周知，射頻信號(hào)傳輸時(shí)需要傳輸線路能完好地阻抗匹配，這樣才能減少信號(hào)的反射。但ate在對(duì)cp射頻產(chǎn)品進(jìn)行測(cè)試時(shí)，由測(cè)試機(jī)發(fā)送的射頻信號(hào)會(huì)經(jīng)過測(cè)試轉(zhuǎn)接板、探針卡傳輸?shù)叫酒斎攵?，在此過程中，測(cè)試機(jī)內(nèi)部的信號(hào)源到信號(hào)輸出端口、轉(zhuǎn)接板以及探針卡上的走線阻抗匹配不理想、轉(zhuǎn)接板與測(cè)試機(jī)信號(hào)輸出端口的連接、轉(zhuǎn)接板與探針卡的連接，探針與芯片引腳(pad)的接觸均存在寄生的電容電感，這些必然造成射頻信號(hào)不能完好的阻抗匹配，信號(hào)在傳輸過程中發(fā)生反射，最終到達(dá)芯片引腳的信號(hào)存在功率上的損耗，以及時(shí)序上的延遲等。同樣，射頻芯片輸出的信號(hào)也需經(jīng)過探針卡以及轉(zhuǎn)接板才能送到測(cè)試機(jī)進(jìn)行分析，傳輸線路的阻抗不匹配也會(huì)造成我們得不到真實(shí)的輸出結(jié)果。這種阻抗不匹配給我們的測(cè)試帶來誤差，但產(chǎn)品測(cè)試硬件結(jié)構(gòu)一旦固定，這種誤差就是可預(yù)示和可重復(fù)出現(xiàn)的，從而可以定量的描述，可在測(cè)試過程中通過校準(zhǔn)消除。

本發(fā)明提出了一種先對(duì)標(biāo)準(zhǔn)件進(jìn)行測(cè)試，記錄測(cè)量系統(tǒng)誤差項(xiàng)的具體值，然后通過計(jì)算對(duì)被測(cè)芯片測(cè)試結(jié)果進(jìn)行修正處理的方法。此方法可消除射頻產(chǎn)品cp測(cè)試中的誤差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題而采用的技術(shù)方案是提供一種基于ate射頻cp測(cè)試的校準(zhǔn)方法，其中，具體技術(shù)方案是：

本發(fā)明提出了一種在量產(chǎn)測(cè)試中對(duì)測(cè)試系統(tǒng)阻抗不匹配造成的影響進(jìn)行校準(zhǔn)的方法，步驟包括：

在射頻芯片流片時(shí)，在圓片上制作輔助去嵌結(jié)構(gòu)作為標(biāo)準(zhǔn)件。輔助去嵌結(jié)構(gòu)包含三種結(jié)構(gòu)：開路(open)，短路(short)，傳輸線(thru)。去嵌結(jié)構(gòu)要求對(duì)應(yīng)于被測(cè)器件的射頻管腳的位置。

進(jìn)一步的，利用ate測(cè)試資源通道對(duì)標(biāo)準(zhǔn)件在被測(cè)器件工作的頻帶內(nèi)進(jìn)行s參數(shù)的測(cè)試。

進(jìn)一步的，記錄通過對(duì)標(biāo)準(zhǔn)件測(cè)試得到的測(cè)試系統(tǒng)誤差的具體數(shù)值，并將數(shù)據(jù)文件存儲(chǔ)于測(cè)試系統(tǒng)內(nèi)部。

進(jìn)一步的，調(diào)用之前存儲(chǔ)的標(biāo)準(zhǔn)件測(cè)試數(shù)據(jù)，通過一定的算法對(duì)被測(cè)器件的ate測(cè)試系統(tǒng)的結(jié)果進(jìn)行修正處理，消除其中誤差成分，得到被測(cè)器件真實(shí)值。

本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)具有如下有益效果：本發(fā)明提出了一種校準(zhǔn)技術(shù)，通過輔助去嵌結(jié)構(gòu)，使得在射頻產(chǎn)品的cp測(cè)試過程中消除測(cè)試系統(tǒng)阻抗不匹配帶來的測(cè)試誤差。從而能夠獲得更準(zhǔn)確的測(cè)試結(jié)果，最終提高測(cè)試良率，節(jié)約測(cè)試成本。

附圖說明

圖1為輔助去嵌結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖2為輔助去嵌結(jié)果的示意圖。

圖3為傳輸線s參數(shù)的示意圖。

圖4為短路s參數(shù)的示意圖。

圖5為開路s參數(shù)的示意圖。

圖6為5nh_900mhz電感s參數(shù)的示意圖。

圖7為5nh_900mhz電感去嵌后s參數(shù)的示意圖。

具體實(shí)施方式

cp測(cè)試：晶圓測(cè)試；

ate：自動(dòng)測(cè)試設(shè)備，由測(cè)試機(jī)和計(jì)算機(jī)組合而成的測(cè)試系統(tǒng)。

現(xiàn)有成品(ft)射頻產(chǎn)品測(cè)試時(shí)通常需要使用到網(wǎng)絡(luò)分析儀，網(wǎng)絡(luò)分析儀使用前也需進(jìn)行相應(yīng)的校準(zhǔn)，來補(bǔ)償測(cè)試儀內(nèi)部、線纜及轉(zhuǎn)接頭帶來的系統(tǒng)誤差，目前已有相應(yīng)成熟的校準(zhǔn)件和校準(zhǔn)方法。但對(duì)于圓片級(jí)的射頻產(chǎn)品的測(cè)試，網(wǎng)絡(luò)分析儀沒有支持到針卡探針部分的校準(zhǔn)的方案。且網(wǎng)絡(luò)分析儀一般用于工程測(cè)試，并不適合量產(chǎn)使用。

ate測(cè)試設(shè)備測(cè)試cp射頻產(chǎn)品時(shí)，測(cè)試機(jī)臺(tái)也能對(duì)射頻資源進(jìn)行校準(zhǔn)，但也只能校準(zhǔn)到測(cè)試機(jī)信號(hào)輸出端口，對(duì)于輸出端口之后到芯片管腳的傳輸線路則不能進(jìn)行校準(zhǔn)。對(duì)于這部分帶來的誤差，現(xiàn)有測(cè)試中，我們往往就不作處理，或者采用以ft測(cè)試的結(jié)果作為參考，直接給補(bǔ)償值，但這種補(bǔ)償并不準(zhǔn)確，且射頻產(chǎn)品均有頻響特性，即在不同的頻率下，其損耗的表現(xiàn)也不一樣，這樣也帶來了復(fù)雜的補(bǔ)償工作。

目前已成熟的網(wǎng)絡(luò)分析儀的校準(zhǔn)其原理是基于對(duì)標(biāo)準(zhǔn)件的s參數(shù)的測(cè)量記錄保存，測(cè)試時(shí)再對(duì)誤差項(xiàng)進(jìn)行補(bǔ)償。而現(xiàn)有射頻測(cè)試機(jī)臺(tái)也支持s參數(shù)的測(cè)試。

本發(fā)明提出了一種在量產(chǎn)測(cè)試中對(duì)測(cè)試系統(tǒng)阻抗不匹配造成的影響進(jìn)行校準(zhǔn)的方法，步驟包括：

在射頻芯片流片時(shí)，在圓片上制作輔助去嵌結(jié)構(gòu)作為標(biāo)準(zhǔn)件。輔助去嵌結(jié)構(gòu)包含三種結(jié)構(gòu)：開路(open)，短路(short)，傳輸線(thru)，去嵌結(jié)構(gòu)要求對(duì)應(yīng)于被測(cè)器件的射頻管腳的位置。

進(jìn)一步的，利用ate測(cè)試資源通道對(duì)標(biāo)準(zhǔn)件在被測(cè)器件工作的頻帶內(nèi)進(jìn)行s參數(shù)的測(cè)試。

進(jìn)一步的，記錄通過對(duì)標(biāo)準(zhǔn)件測(cè)試得到的測(cè)試系統(tǒng)誤差的具體數(shù)值，并將數(shù)據(jù)文件存儲(chǔ)于測(cè)試系統(tǒng)內(nèi)部。

進(jìn)一步的，調(diào)用之前存儲(chǔ)的標(biāo)準(zhǔn)件測(cè)試數(shù)據(jù)，通過一定的算法對(duì)被測(cè)器件的ate測(cè)試系統(tǒng)的結(jié)果進(jìn)行修正處理，消除其中誤差成分，得到被測(cè)器件真實(shí)值。

現(xiàn)舉實(shí)施例詳細(xì)說明本發(fā)明所述在一款芯片量產(chǎn)測(cè)試中的應(yīng)用：

實(shí)施例一：

本例是實(shí)施在對(duì)電感的測(cè)試中，通過對(duì)電感s參數(shù)的測(cè)試，經(jīng)過運(yùn)算可測(cè)量電感的感值以及q值。

1)該片晶圓上包含9種電感，圖中的標(biāo)注分別指出了其電感值和工作頻率，以5nh_900mhz為例，表示電感的設(shè)計(jì)電感值為5nh，工作頻率為900mhz。在晶圓制作中，我們制作與電感位置相對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)件作為輔助去嵌結(jié)果：傳輸線，短路，開路。

2)測(cè)試系統(tǒng)在對(duì)電感測(cè)試前，探針卡先扎在標(biāo)準(zhǔn)件上，分別測(cè)量出輔助去嵌結(jié)構(gòu)傳輸線、開路、短路的s參數(shù)，并保存測(cè)試數(shù)據(jù)文件。

3)測(cè)試系統(tǒng)分別測(cè)試這9種電感的s參數(shù)。如下圖以5nh_900mhz電感為例。

4)調(diào)用之前標(biāo)準(zhǔn)件的測(cè)試數(shù)據(jù)文件，通過計(jì)算得到去嵌入后的電感的s參數(shù)。如下以5nh_900mhz電感為例。

5)通過對(duì)s參數(shù)的提取計(jì)算，得到電感的感值及q值。

從測(cè)試結(jié)果可以看出：流片時(shí)在晶圓上制作標(biāo)準(zhǔn)件作為輔助去嵌結(jié)構(gòu)，通過去嵌處理，可以準(zhǔn)確測(cè)量出電感的特性參數(shù)。

針對(duì)cp射頻產(chǎn)品測(cè)試時(shí)，ate測(cè)試系統(tǒng)測(cè)量線路的阻抗不匹配造成測(cè)試結(jié)果不準(zhǔn)確，導(dǎo)致測(cè)試失效。本發(fā)明提出的一種能消除ate測(cè)量線路系統(tǒng)誤差的校準(zhǔn)技術(shù)，從而能得到更準(zhǔn)確更可靠的測(cè)試結(jié)果。

雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于ATE射頻CP測(cè)試的校準(zhǔn)方法，在射頻芯片流片時(shí)，在圓片上制作輔助去嵌結(jié)構(gòu)作為標(biāo)準(zhǔn)件。輔助去嵌結(jié)構(gòu)包含三種結(jié)構(gòu)：開路(open)，短路(short)，傳輸線(thru)。去嵌結(jié)構(gòu)要求對(duì)應(yīng)于被測(cè)器件的射頻管腳的位置；本發(fā)明提供的基于ATE射頻CP測(cè)試的校準(zhǔn)技術(shù)，通過輔助去嵌結(jié)構(gòu)，使得在射頻產(chǎn)品的CP測(cè)試過程中消除測(cè)試系統(tǒng)阻抗不匹配帶來的測(cè)試誤差。從而能夠獲得更準(zhǔn)確的測(cè)試結(jié)果，最終提高測(cè)試良率，節(jié)約測(cè)試成本。

技術(shù)研發(fā)人員：鄧維維;張志勇;王華;鈄曉鷗;羅斌
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華嶺集成電路技術(shù)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.12
技術(shù)公布日：2017.10.13