技術(shù)總結(jié)
一種通過將分析物富集到金屬納米錐陣列的尖端上提高分析物解吸電離效率的表面輔助激光解吸電離質(zhì)譜分析方法，屬于檢測技術(shù)領(lǐng)域。通過在硅納米錐陣列表面蒸鍍金膜，使其產(chǎn)生表面等離子體基元傳導，從而使光子能量聚集在尖端位置，形成光子庫。通過在表面修飾全氟取代的烷基硫醇，使基底具有大的接觸角和小的滾動角，從而使水滴在基底上的摩擦力很小，使水溶液中的分析物分子優(yōu)先濃縮在尖端上，進一步提高激光能量的利用率。因此利用這種全氟取代的烷基硫醇修飾的金膜覆蓋的硅納米錐陣列作為基底檢測分析物分子時，激光能量能夠被充分地吸收，并被有效地利用，進而提高解吸電離分析物分子的效率，適用于各種類型的分子。

技術(shù)研發(fā)人員：呂男;李寧;竇樹珍;滕飛;杜娟
受保護的技術(shù)使用者：吉林大學
文檔號碼：201710286238
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.27
技術(shù)公布日：2017.06.23