技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及用于測(cè)量晶片堆疊的層厚度和晶格缺陷的測(cè)量裝置和方法，其中相對(duì)于該晶片堆疊可移動(dòng)的發(fā)送器，其用于發(fā)送電磁波或超聲波形式的信號(hào)，與該發(fā)送器一起相對(duì)于該晶片堆疊可移動(dòng)的接收器，其用于接收由該發(fā)送器所發(fā)送的并在該晶片堆疊處所反射的信號(hào)，以及用于分析由該接收器所接收的信號(hào)的分析單元，其中由該分析單元能區(qū)分由該晶片堆疊的層之間的至少兩個(gè)過(guò)渡所反射的信號(hào)，并能確定其相互之間的和/或到參考平面的間距，并且其中能夠檢測(cè)該晶片堆疊和/或該測(cè)量裝置平行于該參考平面的移動(dòng)，并從而能夠檢測(cè)沿該參考平面的每個(gè)測(cè)量位置的位置。

技術(shù)研發(fā)人員：M.溫普林格
受保護(hù)的技術(shù)使用者：EV集團(tuán)E·索爾納有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：2010.11.12
技術(shù)公布日：2017.08.01