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一種硅差壓芯片及內置該硅差壓芯片的微差壓傳感器的制作方法

文檔序號:12655630閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種硅差壓芯片,其特征在于:包括下止擋層(14)、上止擋層(15)以及位于下止擋層(14)和上止擋層(15)中間的可移動的測量隔膜(12),所述下止擋層(14)和測量薄膜(12)之間及上止擋層(15)和測量薄膜(12)之間均采用硅硅鍵合連接;

所述上止擋層(15)內側設置有上止擋層凸起(15.1),下止擋層(14)內側設置有下止擋層凸起(14.1),上止擋層凸起(15.1)與測量隔膜(12)之間設置有間隙a,下止擋層凸起(14.1)與測量薄膜(12)之間設置有間隙b。

2.根據(jù)權利要求1所述一種硅差壓芯片,其特征在于:所述上止擋層(15)和下止擋層(14)上下位置對稱分布。

3.根據(jù)權利要求1或2所述一種硅差壓芯片,其特征在于:所述上止擋層凸起(15.1)和下止擋層凸起(14.1)上下位置對稱分布。

4.根據(jù)權利要求1所述一種硅差壓芯片,其特征在于:所述間隙a和間隙b大小一致。

5.一種帶有該硅差壓芯片的微差壓傳感器,其特征在于:包括差壓基座(3),所述差壓基座(3)的兩端分別為差壓基座正向端(3.1)和差壓基座負向端(3.2),所述差壓基座正向端(3.1)設置有可傳遞差壓的正腔隔離膜片(1),差壓基座負向端(3.2)設置有可傳遞差壓的負腔隔離膜片(4),所述正腔隔離膜片(1)與差壓基座(3)內部的正腔介質通道(2)連接,負腔隔離膜片(4)與差壓基座(3)內部的負腔介質通道(7)連接,所述正腔介質通道(2)和負腔介質通道(7)中間設置有硅差壓芯片(5),差壓基座(3)內部還設置有帶負腔橫孔介質通道(8)的芯片管座(6),所述硅差壓芯片(5)置于芯片管座(6)內。

6.根據(jù)權利要求5所述一種微差壓傳感器,其特征在于:所述正腔介質通道(2)內置正腔介質(13),所述正腔介質(13)與正腔隔離膜片(1)導通。

7.根據(jù)權利要求5所述一種微差壓傳感器,其特征在于:所述負腔介質通道(7)內置負腔介質(11),所述負腔介質(11)與負腔隔離膜片(4)導通。

8.根據(jù)權利要求6或7所述一種微差壓傳感器,其特征在于:所述正腔介質(13)和負腔介質(11)可以為硅油,氟油,植物油,白油中的任意一種。

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