1.一種變形測定裝置，其特征在于，包括一個以上的變形測定元件，所述變形測定元件包括：
基材，由具有脆性材料特性的彈性體材料組成；
敏感柵，固定結合于所述基材表面并形成一體化結構，所述敏感柵根據(jù)變形按比例輸出檢測值。
2.如權利要求1所述的變形測定裝置，其特征在于：所述敏感柵的材料比所述基材的材料具有更高的彈性極限。
3.如權利要求1或2所述的變形測定裝置，其特征在于：所述基材呈立體結構，所述敏感柵設置在所述基材立體六面中的一面或多面。
4.如權利要求1或2所述的變形測定裝置，其特征在于：變形測定裝置還包括金屬彈性體，所述變形測定元件設置在所述金屬彈性體上，所述基材的材料彈性極限小于所述金屬彈性體的彈性極限，所述基材和所述金屬彈性體的表面結合，所述基材位于所述金屬彈性體和所述敏感柵之間。
5.如權利要求4所述的變形測定裝置，其特征在于：所述彈性體材料和所述基材是同一部件。
6.如權利要求5所述的變形測定裝置，其特征在于：所述變形測定裝置和承重結構體構成秤，所述承重結構體、所述彈性體和所述基材是同一部件。
7.如權利要求6所述的變形測定裝置，其特征在于：所述承重結構體、所述彈性體和所述基材為平板結構，用于加載外部載荷。
8.如權利要求1或2或3所述的變形測定裝置，其特征在于：所述變形測定元件為薄膜變形測定元件，所述敏感柵的材料為薄膜結構并通過薄膜工藝形成于所述基材的表面。
9.如權利要求8所述的變形測定裝置，其特征在于：所述基材的材料為玻璃。
10.如權利要求9所述的變形測定裝置，其特征在于：所述基材的玻璃的厚度為0.1mm以上。
11.如權利要求8所述的變形測定裝置，其特征在于：所述基材的材料為陶瓷。
12.如權利要求11所述的變形測定裝置，其特征在于：所述基材的陶瓷的厚度為0.01mm以上。
13.如權利要求8所述的變形測定裝置，其特征在于：所述敏感柵的材料為金屬電阻體薄膜。
14.如權利要求13所述的變形測定裝置，其特征在于：所述敏感柵的金屬電阻體薄膜的厚度為10nm以上5μm以下。
15.如權利要求1或2或3所述的變形測定裝置，其特征在于：所述變形測定裝置包括多層重疊的所述變形測定元件，各所述變形測定元件組成多軸測試結構。
16.如權利要求1或2或3所述的變形測定裝置，其特征在于：所述變形測定裝置包括多個排列于同一平面內的所述變形測定元件，各所述變形測定元件組成多軸測試結構。
17.如權利要求1或2或3所述的變形測定裝置，其特征在于：所述變形測定元件還包括由設置在所述基材表面的具備特性補償功能的材料組成的補償元件。
18.如權利要求8所述的變形測定裝置，其特征在于：所述敏感柵的材料的薄膜結構對應的薄膜工藝包括物理成膜工藝和化學成膜工藝。
19.如權利要求18所述的變形測定裝置，其特征在于：所述物理成膜工藝包括MBE或濺射；所述化學成膜工藝包括電鍍和CVD。
20.如權利要求1或2或3所述的變形測定裝置，其特征在于：在所述基材和所述敏感柵之間插入有緩沖層，用于增強所述基材和所述敏感柵的結合強度。
21.如權利要求8所述的變形測定裝置，其特征在于：所述敏感柵的材料為半導體薄膜。