1.一種局部放電帶電檢測裝置的校驗設(shè)備，其特征在于，包括：
脈沖發(fā)生器，用于發(fā)射標定信號；
耦合裝置，所述脈沖發(fā)生器通過所述耦合裝置與被測局部放電帶電檢測裝置中局部傳感器連接，其中，所述局部傳感器用于采集所述脈沖發(fā)生器發(fā)射的所述標定信號；以及
局部檢測儀主機，與所述局部傳感器連接，用于檢測脈沖響應(yīng)信號，其中，所述脈沖信號與所述標定信號的對比結(jié)果用于指示所述局部放電帶電檢測裝置的測試性能。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校驗設(shè)備，其特征在于，所述耦合裝置為同軸RF電纜的變型式，所述局部傳感器卡套在所述耦合裝置的芯線上，其中，所述耦合裝置的芯線與所述脈沖發(fā)生器連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的校驗設(shè)備，其特征在于，所述耦合裝置呈左右對稱結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的校驗設(shè)備，其特征在于，所述耦合裝置的阻抗總和為50歐姆。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校驗設(shè)備，其特征在于，所述耦合裝置通過同軸RF電纜與一阻抗匹配的金屬板相連，所述局部傳感器貼在所述金屬板預(yù)定位置處，其中，所述耦合裝置的芯線分別與所述脈沖發(fā)生器以及所述金屬板連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校驗設(shè)備，其特征在于，所述耦合裝置通過同軸RF電纜與一校核平臺相連，所述局部傳感器貼在所述校核平臺預(yù)定位置處，其中，所述耦合裝置的芯線分別與所述脈沖發(fā)生器以及所述校核平臺連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的校驗設(shè)備，其特征在于，所述校核平臺包括上平臺和下平臺，其中，所述局部傳感器位于所述上平臺和所述下平臺之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的校驗設(shè)備，其特征在于，所述上平臺與所述耦合裝置的芯線連接，所述下平臺與超聲檢測儀主機連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校驗設(shè)備，其特征在于，所述脈沖發(fā)生器的輸出電壓在5V至200V之間，包括10V、20V、50V、100V、150V、200V檔位，輸入脈沖波形的上升沿小于等于600ps，脈沖寬度在4ns至100ns之間，輸出幅度的穩(wěn)定度高于95％。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校驗設(shè)備，其特征在于，所述脈沖發(fā)生器為手持式。