本實(shí)用新型屬于氣體絕緣組合開關(guān)設(shè)備（GIS）、變壓器等高壓電力設(shè)備局部放電在線監(jiān)測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種模擬變電站典型電磁干擾進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)局部放電監(jiān)測(cè)的局部放電典型干擾模擬裝置，用于對(duì)高壓電力設(shè)備的抗干擾性能進(jìn)行科學(xué)量化的考核。

背景技術(shù)：

局部放電在線檢測(cè)和帶電檢測(cè)是GIS等高壓電力設(shè)備實(shí)施狀態(tài)檢修、保障其安全可靠性運(yùn)行的重要技術(shù)手段，如今已經(jīng)在我國(guó)電網(wǎng)大量推廣應(yīng)用。隨著局放在線監(jiān)測(cè)和帶電檢測(cè)裝置在變電站運(yùn)行現(xiàn)場(chǎng)的應(yīng)用，一些關(guān)鍵技術(shù)問題也逐漸顯現(xiàn)。誤報(bào)、漏報(bào)是已有局放監(jiān)測(cè)系統(tǒng)普遍暴露的嚴(yán)重問題，權(quán)威統(tǒng)計(jì)發(fā)現(xiàn)90%以上的報(bào)警為誤報(bào)，究其根源即在于當(dāng)前局部放電檢測(cè)裝置的干擾辨識(shí)能力和抗干擾水平，遠(yuǎn)不能適應(yīng)變電現(xiàn)場(chǎng)復(fù)雜的電磁干擾環(huán)境。

眾所周知，變電站屬于強(qiáng)電磁干擾環(huán)境，各類無線電通訊、雷達(dá)脈沖、電力電子設(shè)備整流換向脈沖、母線上的電暈、各類高壓設(shè)備出線套管端部及表面的各類放電、設(shè)備接地網(wǎng)上的各類干擾脈沖等等，均對(duì)局放在線監(jiān)測(cè)和帶電檢測(cè)裝置的可靠運(yùn)行和正確診斷造成了不利影響。電磁干擾問題已成為長(zhǎng)期困擾局部放電狀態(tài)檢測(cè)技術(shù)推廣應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，現(xiàn)場(chǎng)運(yùn)行經(jīng)驗(yàn)表明當(dāng)前局部放電檢測(cè)裝置的干擾辨識(shí)能力和抗干擾水平，遠(yuǎn)不能適應(yīng)變電現(xiàn)場(chǎng)復(fù)雜的電磁干擾環(huán)境。

抗干擾長(zhǎng)期以來一直是局部放電檢測(cè)特別是在線監(jiān)測(cè)技術(shù)的核心，自上世紀(jì)80年代以來，國(guó)內(nèi)外學(xué)者在局放抗干擾方面做了很多研究，發(fā)展了軟硬件濾波技術(shù)、極性鑒別和差動(dòng)平衡檢測(cè)回路、相位開窗技術(shù)、小波分析和自適應(yīng)濾波技術(shù)、脈沖聚類分離技術(shù)及噪聲傳感器等多種技術(shù)手段。國(guó)內(nèi)外針對(duì)局放檢測(cè)抗干擾技術(shù)的研究較多，但針對(duì)變電站現(xiàn)場(chǎng)電磁干擾信號(hào)的來源、特征，變電站環(huán)境及運(yùn)行工況對(duì)電磁干擾信號(hào)的影響等方面系統(tǒng)化研究工作未見報(bào)道，針對(duì)局部放電監(jiān)測(cè)裝置的抗電磁干擾性能開展標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試，是從根本上提高局放檢測(cè)產(chǎn)品質(zhì)量的措施，也是局部放電狀態(tài)監(jiān)測(cè)技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展完善的必然需求。

隨著國(guó)家經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，電力可靠性越來越受到全社會(huì)的重視，迫切需要開展電力設(shè)備局部放電狀態(tài)檢測(cè)關(guān)鍵技術(shù)的研究，在局部放電檢測(cè)的靈敏度、抗干擾技術(shù)及故障診斷方面取得突破性的進(jìn)展，真正使得局部放電現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用技術(shù)完善起來。對(duì)局部放電狀態(tài)檢測(cè)裝置進(jìn)行抗干擾性能評(píng)價(jià)，可用于局放監(jiān)測(cè)裝置的型式試驗(yàn)及入網(wǎng)監(jiān)測(cè)，能夠從根本上提升局放檢測(cè)產(chǎn)品的入網(wǎng)質(zhì)量，保障局放狀態(tài)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的誤報(bào)、漏報(bào)率，提升電網(wǎng)可靠性水平，由此帶來的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益十分顯著，具有重要的理論和工程價(jià)值。目前國(guó)內(nèi)外的研究中，關(guān)于變電站局部放電檢測(cè)中電磁干擾的系統(tǒng)化研究還處于空白階段，而評(píng)價(jià)帶電檢測(cè)設(shè)備和在線監(jiān)測(cè)設(shè)備的干擾辨識(shí)能力和抗干擾水平的干擾模擬裝置、系統(tǒng)也無人涉足，已經(jīng)成為一項(xiàng)亟待解決的關(guān)鍵技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題：針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述問題，提供一種將窄帶的通訊類干擾和寬帶的脈沖型干擾分開真實(shí)模擬變電站現(xiàn)場(chǎng)電磁環(huán)境，能夠提高高壓電力設(shè)備的抗干擾性能的科學(xué)量化的準(zhǔn)確度，典型干擾模擬結(jié)果準(zhǔn)確可靠、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本較低的局部放電典型干擾模擬裝置。

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為：

一種局部放電典型干擾模擬裝置，包括控制單元、信號(hào)發(fā)生單元和信號(hào)發(fā)射單元，所述信號(hào)發(fā)生單元包括雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊、手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊和可控信號(hào)發(fā)生模塊，所述雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊、手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊和可控信號(hào)發(fā)生模塊的控制端分別與控制單元相連，所述雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊、手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊和可控信號(hào)發(fā)生模塊的信號(hào)輸出端分別與信號(hào)發(fā)射單元相連。

優(yōu)選地，所述信號(hào)發(fā)射單元包括分路器和輻射天線，所述雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊、手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊和可控信號(hào)發(fā)生模塊的信號(hào)輸出端分別通過分路器與輻射天線相連。

優(yōu)選地，所述雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊包括第一電源模塊、第一通訊模塊、第一微處理器、雷達(dá)信號(hào)芯片、第一D/A轉(zhuǎn)換電路、第一運(yùn)算放大器、第一接口電路、第一內(nèi)存模塊和晶振，所述第一電源模塊的輸出端分別與第一通訊模塊、第一微處理器、雷達(dá)信號(hào)芯片、第一D/A轉(zhuǎn)換電路、第一運(yùn)算放大器、第一接口電路、第一內(nèi)存模塊、晶振相連，所述第一微處理器通過第一通訊模塊和控制單元相連，所述第一微處理器的信號(hào)輸出端依次和雷達(dá)信號(hào)芯片、第一D/A轉(zhuǎn)換電路、第一運(yùn)算放大器、第一接口電路相連，所述第一接口電路的輸出端和信號(hào)發(fā)射單元相連，所述第一內(nèi)存模塊、晶振與第一微處理器相連。

優(yōu)選地，所述第一通訊模塊為光電轉(zhuǎn)換器。

優(yōu)選地，所述第一接口電路為N型接口電路。

優(yōu)選地，所述手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊包括第二電源模塊、第二通訊模塊、手機(jī)核心電路板、第二D/A轉(zhuǎn)換電路和第二接口電路，所述第二電源模塊分別與第二通訊模塊、手機(jī)核心電路板、第二D/A轉(zhuǎn)換電路、第二接口電路相連，所述手機(jī)核心電路板通過第二通訊模塊和控制單元相連，所述手機(jī)核心電路板的信號(hào)輸出端依次和第二D/A轉(zhuǎn)換電路、第二接口電路相連，所述第二接口電路的輸出端和信號(hào)發(fā)射單元相連。

優(yōu)選地，所述可控信號(hào)發(fā)生模塊包括可控信號(hào)發(fā)生器和功率放大器，所述可控信號(hào)發(fā)生器的控制端和控制單元相連，所述可控信號(hào)發(fā)生器的信號(hào)輸出端和功率放大器相連，所述功率放大器的輸出端和信號(hào)發(fā)射單元相連。

優(yōu)選地，所述可控信號(hào)發(fā)生器包括第三通訊模塊、第二微處理器、第三D/A轉(zhuǎn)換電路、第二運(yùn)算放大器、混頻器、第三運(yùn)算放大器、第三電源模塊和外圍電路，所述第二微處理器通過第三通訊模塊和控制單元相連，所述第二微處理器的信號(hào)輸出端通過第三D/A轉(zhuǎn)換電路分別和第二運(yùn)算放大器、混頻器的一個(gè)輸入端相連，所述混頻器的另一個(gè)輸入端為調(diào)制頻率輸入端，所述混頻器的輸出端和第三運(yùn)算放大器相連，所述第二運(yùn)算放大器、第三運(yùn)算放大器的輸出端分別和信號(hào)發(fā)射單元相連，所述外圍電路和第二微處理器相連，所述第三電源模塊分別與第三通訊模塊、第二微處理器、第三D/A轉(zhuǎn)換電路、第二運(yùn)算放大器、混頻器、第三運(yùn)算放大器、外圍電路相連。

優(yōu)選地，所述外圍電路包括只讀存儲(chǔ)器模塊、時(shí)鐘模塊、顯示模塊、按鍵電路、擴(kuò)展存儲(chǔ)卡模塊和第二內(nèi)存模塊，所述只讀存儲(chǔ)器模塊、時(shí)鐘模塊、顯示模塊、按鍵電路、擴(kuò)展存儲(chǔ)卡模塊、第二內(nèi)存模塊分別和第二微處理器相連。

本實(shí)用新型具有下述優(yōu)點(diǎn)：本實(shí)用新型局部放電典型干擾模擬裝置的結(jié)構(gòu)主要分為兩大部分，一是控制單元、信號(hào)發(fā)生單元，二是信號(hào)發(fā)射單元，信號(hào)發(fā)生單元包括雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊、手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊和可控信號(hào)發(fā)生模塊，雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊、手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊和可控信號(hào)發(fā)生模塊的控制端分別與控制單元相連，雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊、手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊和可控信號(hào)發(fā)生模塊的信號(hào)輸出端分別與信號(hào)發(fā)射單元相連，能夠模擬變電站局部放電檢測(cè)中存在的典型電磁干擾信號(hào)：移動(dòng)通訊信號(hào)、雷達(dá)信號(hào)、典型缺陷放電干擾信號(hào)，通過變電站現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試獲取了各種干擾信號(hào)的數(shù)據(jù)，經(jīng)分析能得到信號(hào)的時(shí)域、頻域、統(tǒng)計(jì)特征，如上升沿、下降沿、頻譜分布、幅值、均值、各種統(tǒng)計(jì)譜圖等，結(jié)合特征信息，通過控制單元和信號(hào)發(fā)生單元實(shí)現(xiàn)干擾信號(hào)的模擬，并通過信號(hào)發(fā)射單元將信號(hào)發(fā)射出去，將窄帶的通訊類干擾和寬帶的脈沖型干擾分開真實(shí)模擬變電站現(xiàn)場(chǎng)電磁環(huán)境，能夠提高高壓電力設(shè)備的抗干擾性能的科學(xué)量化的準(zhǔn)確度，具有典型干擾模擬結(jié)果準(zhǔn)確可靠、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本較低的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的框架結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的原理結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例中雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊的原理結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例中手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊的原理結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例中可控信號(hào)發(fā)生模塊的原理結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例中可控信號(hào)發(fā)生器的原理結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例的工作流程示意圖。

圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例得到的通訊干擾信號(hào)波形示意圖。

圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例得到的沿面類放電干擾信號(hào)波形示意圖。

圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例得到的電暈類放電干擾信號(hào)波形示意圖。

圖11為本實(shí)用新型實(shí)施例得到的懸浮類放電干擾信號(hào)波形示意圖。

圖12為本實(shí)用新型實(shí)施例得到的照明電源干擾信號(hào)波形示意圖。

圖13為本實(shí)用新型實(shí)施例得到的整流脈沖干擾信號(hào)波形示意圖。

圖例說明：1、控制單元；2、信號(hào)發(fā)生單元；21、雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊；211、第一電源模塊；212、第一通訊模塊；213、第一微處理器；214、雷達(dá)信號(hào)芯片；215、第一D/A轉(zhuǎn)換電路；216、第一運(yùn)算放大器；217、第一接口電路；218、第一內(nèi)存模塊；219、晶振；22、手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊；221、第二電源模塊；222、第二通訊模塊；223、手機(jī)核心電路板；224、第二D/A轉(zhuǎn)換電路；225、第二接口電路；23、可控信號(hào)發(fā)生模塊；231、可控信號(hào)發(fā)生器；232、功率放大器；233、第三通訊模塊；234、第二微處理器；235、第三D/A轉(zhuǎn)換電路；236、第二運(yùn)算放大器；237、混頻器；238、第三運(yùn)算放大器；239、第三電源模塊；3、信號(hào)發(fā)射單元；31、分路器；32、輻射天線。

具體實(shí)施方式

如圖1和圖2所示，本實(shí)施例的局部放電典型干擾模擬裝置包括控制單元1、信號(hào)發(fā)生單元2和信號(hào)發(fā)射單元3，信號(hào)發(fā)生單元2包括雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊21、手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊22和可控信號(hào)發(fā)生模塊23，雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊21、手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊22和可控信號(hào)發(fā)生模塊23的控制端分別與控制單元1相連，雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊21、手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊22和可控信號(hào)發(fā)生模塊23的信號(hào)輸出端分別與信號(hào)發(fā)射單元3相連。本實(shí)施例的局部放電典型干擾模擬裝置的結(jié)構(gòu)主要分為兩大部分，一是控制單元1、信號(hào)發(fā)生單元2，二是信號(hào)發(fā)射單元3，信號(hào)發(fā)生單元2包括雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊21、手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊22和可控信號(hào)發(fā)生模塊23，雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊21、手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊22和可控信號(hào)發(fā)生模塊23的控制端分別與控制單元1相連，雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊21、手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊22和可控信號(hào)發(fā)生模塊23的信號(hào)輸出端分別與信號(hào)發(fā)射單元3相連，能夠模擬變電站局部放電檢測(cè)中存在的典型電磁干擾信號(hào)：移動(dòng)通訊信號(hào)、雷達(dá)信號(hào)、典型缺陷放電干擾信號(hào)，通過變電站現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試獲取了各種干擾信號(hào)的數(shù)據(jù)，經(jīng)分析能得到信號(hào)的時(shí)域、頻域、統(tǒng)計(jì)特征，如上升沿、下降沿、頻譜分布、幅值、均值、各種統(tǒng)計(jì)譜圖等，結(jié)合特征信息，通過控制單元1和信號(hào)發(fā)生單元2實(shí)現(xiàn)干擾信號(hào)的模擬，并通過信號(hào)發(fā)射單元3將信號(hào)發(fā)射出去，將窄帶的通訊類干擾和寬帶的脈沖型干擾分開真實(shí)模擬變電站現(xiàn)場(chǎng)電磁環(huán)境，能夠提高高壓電力設(shè)備的抗干擾性能的科學(xué)量化的準(zhǔn)確度，具有典型干擾模擬結(jié)果準(zhǔn)確可靠、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本較低的優(yōu)點(diǎn)。參見圖2，本實(shí)施例的局部放電典型干擾模擬裝置在使用時(shí)需要置于屏蔽室內(nèi)，以防止外部干擾信號(hào)對(duì)局部放電典型干擾模擬的結(jié)果產(chǎn)生影響。

本實(shí)施例中，控制單元1具體采用PC電腦實(shí)現(xiàn)，通過圖形化編程軟件Labview開發(fā)出相應(yīng)的控制程序，PC電腦通過以太網(wǎng)通訊控制雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊21、手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊22和可控信號(hào)發(fā)生模塊23三個(gè)信號(hào)發(fā)生裝置，之后三個(gè)信號(hào)發(fā)生裝置通過射頻電纜接入到信號(hào)發(fā)射單元3將信號(hào)發(fā)射出去，實(shí)現(xiàn)信號(hào)的模擬?？刂茊卧?是整個(gè)局部放電典型干擾模擬裝置的中樞，通過網(wǎng)口或串口與雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊21、手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊22和可控信號(hào)發(fā)生模塊23三個(gè)信號(hào)發(fā)生裝置實(shí)現(xiàn)通信，控制整個(gè)局部放電典型干擾模擬裝置的工作。本實(shí)施例中，控制單元1通過現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試的各種典型電磁干擾的數(shù)據(jù)，建立起干擾信號(hào)庫。上位機(jī)程序能夠調(diào)用干擾庫中的包括單脈沖和序列脈沖的數(shù)據(jù)，分析得到信號(hào)的相應(yīng)特征如幅值、頻率、頻譜、各類統(tǒng)計(jì)譜圖等，發(fā)出相應(yīng)的控制指令調(diào)節(jié)信號(hào)發(fā)生單元信號(hào)的生成。

如圖3所示，雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊21包括第一電源模塊211、第一通訊模塊212、第一微處理器213、雷達(dá)信號(hào)芯片214、第一D/A轉(zhuǎn)換電路215、第一運(yùn)算放大器216、第一接口電路217、第一內(nèi)存模塊218（DDRAM）和晶振219，第一電源模塊211的輸出端分別與第一通訊模塊212、第一微處理器213、雷達(dá)信號(hào)芯片214、第一D/A轉(zhuǎn)換電路215、第一運(yùn)算放大器216、第一接口電路217、第一內(nèi)存模塊218、晶振219相連，第一微處理器213通過第一通訊模塊212和控制單元1相連，第一微處理器213的信號(hào)輸出端依次和雷達(dá)信號(hào)芯片214、第一D/A轉(zhuǎn)換電路215、第一運(yùn)算放大器216、第一接口電路217相連，第一接口電路217的輸出端和信號(hào)發(fā)射單元3相連，第一內(nèi)存模塊218、晶振219與第一微處理器213相連。雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊21采用電子電路的方式，以第一微處理器213、能夠產(chǎn)生雷達(dá)信號(hào)的雷達(dá)信號(hào)芯片214作為主體部分，其外圍電路有第一D/A轉(zhuǎn)換電路215、第一接口電路217實(shí)現(xiàn)與控制單元1聯(lián)系的第一通訊模塊212、第一內(nèi)存模塊218和晶振219，以及給各個(gè)模塊、芯片供電的第一電源模塊211，將各個(gè)組件焊接在一塊電路板上并加以封裝成一小型雷達(dá)發(fā)射機(jī)，該發(fā)射機(jī)能夠產(chǎn)生UHF檢測(cè)頻帶內(nèi)的雷達(dá)信號(hào)，幅值可調(diào)。本實(shí)施例中，第一通訊模塊212為光電轉(zhuǎn)換器；本實(shí)施例中，第一接口電路217為N型接口電路。

如圖4所示，手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊22包括第二電源模塊221、第二通訊模塊222、手機(jī)核心電路板223、第二D/A轉(zhuǎn)換電路224和第二接口電路225，第二電源模塊221分別與第二通訊模塊222、手機(jī)核心電路板223、第二D/A轉(zhuǎn)換電路224、第二接口電路225相連，手機(jī)核心電路板223通過第二通訊模塊222和控制單元1相連，手機(jī)核心電路板223的信號(hào)輸出端依次和第二D/A轉(zhuǎn)換電路224、第二接口電路225相連，第二接口電路225的輸出端和信號(hào)發(fā)射單元3相連。通訊信號(hào)主要來自于手機(jī)通訊基站的輻射，分為不同廠家的2G、3G、4G不同通訊制式。手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊22能夠通過更換不同制式手機(jī)卡的方式產(chǎn)生我國(guó)手機(jī)通訊頻帶內(nèi)的所有通訊信號(hào)，根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試統(tǒng)計(jì)的變電站通訊信號(hào)的幅值范圍設(shè)置通訊信號(hào)的最大量程，對(duì)于手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊22，本實(shí)施例采用了手機(jī)核心電路板223，在手機(jī)核心電路板223的外部放置所需的外圍電路，除手機(jī)核心電路板223外其他外圍電路部件和雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊21基本相同。

變電站中高壓導(dǎo)體上的電暈放電、各類高壓設(shè)備出線套管端部及表面的各類放電、設(shè)備接地網(wǎng)上的各類干擾脈沖等等都是與局部放電信號(hào)極為相似的脈沖型信號(hào)，最難識(shí)別，對(duì)局放檢測(cè)干擾也最大，是考核現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)測(cè)設(shè)備正常工作與否最重要的部分。如圖5所示，可控信號(hào)發(fā)生模塊23包括可控信號(hào)發(fā)生器231和功率放大器232，可控信號(hào)發(fā)生器231的控制端和控制單元1相連，可控信號(hào)發(fā)生器231的信號(hào)輸出端和功率放大器232相連，功率放大器232的輸出端和信號(hào)發(fā)射單元3相連。本實(shí)施例采用可控信號(hào)發(fā)生器231和功率放大器232的方式來實(shí)現(xiàn)，具體的實(shí)現(xiàn)方式為：通過控制單元1讀取現(xiàn)場(chǎng)采集回來的幾種典型干擾的單脈沖和序列脈沖數(shù)據(jù)，分析得到信號(hào)的上升沿、脈寬、下降沿、脈沖時(shí)間間隔、幅值等特征并送入到可控信號(hào)發(fā)生器231，調(diào)節(jié)控制相應(yīng)信號(hào)的輸出，再經(jīng)過功率放大器232輸出。

如圖6所示，可控信號(hào)發(fā)生器231包括第三通訊模塊233、第二微處理器234、第三D/A轉(zhuǎn)換電路235、第二運(yùn)算放大器236、混頻器237、第三運(yùn)算放大器238、第三電源模塊239和外圍電路，第二微處理器234通過第三通訊模塊233和控制單元1相連，第二微處理器234的信號(hào)輸出端通過第三D/A轉(zhuǎn)換電路235分別和第二運(yùn)算放大器236、混頻器237的一個(gè)輸入端相連，混頻器237的另一個(gè)輸入端為調(diào)制頻率輸入端，混頻器237的輸出端和第三運(yùn)算放大器238相連，第二運(yùn)算放大器236、第三運(yùn)算放大器238的輸出端分別和信號(hào)發(fā)射單元3相連，外圍電路和第二微處理器234相連，第三電源模塊239分別與第三通訊模塊233、第二微處理器234、第三D/A轉(zhuǎn)換電路235、第二運(yùn)算放大器236、混頻器237、第三運(yùn)算放大器238、外圍電路相連?？煽匦盘?hào)發(fā)生器231含波形編輯生成功能，根據(jù)控制單元1傳輸?shù)男盘?hào)的各種特征和實(shí)際的波形數(shù)據(jù)運(yùn)算得到我們所需要的任意波形，內(nèi)置一定數(shù)量的非易失性存儲(chǔ)器（擴(kuò)展存儲(chǔ)卡模塊），隨機(jī)存取編輯波形，有利于參考對(duì)比，通過隨機(jī)接口通訊傳輸?shù)接?jì)算機(jī)作更進(jìn)一步分析與處理，同時(shí)還具有調(diào)制和掃描能力。

本實(shí)施例中，外圍電路包括只讀存儲(chǔ)器模塊（ROM）、時(shí)鐘模塊、顯示模塊、按鍵電路、擴(kuò)展存儲(chǔ)卡模塊（SD卡存儲(chǔ)模塊）和第二內(nèi)存模塊（DDRAM），只讀存儲(chǔ)器模塊、時(shí)鐘模塊、顯示模塊、按鍵電路、擴(kuò)展存儲(chǔ)卡模塊、第二內(nèi)存模塊分別和第二微處理器234相連。

本實(shí)施例中，功率放大器232在給定信號(hào)失真率的條件下，確保了以最大功率輸出信號(hào)，輸入阻抗在15000Ω，抗干擾能力強(qiáng)；失真度在0.05%以下；信噪比SNR≥5。

本實(shí)施例中，信號(hào)發(fā)射單元3包括分路器31和輻射天線32，雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊21、手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊22和可控信號(hào)發(fā)生模塊23的信號(hào)輸出端分別通過分路器31與輻射天線32相連。輻射天線32為頻帶在0～3GHz的輻射天線，頻帶內(nèi)的幅頻響應(yīng)曲線接近理想，駐波比≤1.2，標(biāo)稱阻抗50Ω，能夠很好地將信號(hào)輻射出去。

如圖7所示，本實(shí)施例局部放電典型干擾模擬裝置的工作過程如下：

1）控制單元1通過首先建立與雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊21、手機(jī)通訊信號(hào)發(fā)生模塊22和可控信號(hào)發(fā)生模塊23三個(gè)信號(hào)發(fā)生裝置的通訊，檢查通訊是否正常，如果正常則執(zhí)行下一步；

2）對(duì)于雷達(dá)和手機(jī)通訊信號(hào)的模擬，通過控制單元1運(yùn)算得到響應(yīng)雷達(dá)信號(hào)的特征，然后發(fā)出雷達(dá)通訊信號(hào)控制雷達(dá)信號(hào)發(fā)生模塊21信號(hào)發(fā)生的強(qiáng)度、發(fā)生頻度；對(duì)于脈沖型干擾的模擬，控制單元1讀取現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試到的時(shí)域數(shù)據(jù)（包括單脈沖數(shù)據(jù)和序列脈沖數(shù)據(jù)）、相應(yīng)的圖譜，進(jìn)行相關(guān)的運(yùn)算處理，得到相應(yīng)特征和波形、圖譜，并將相應(yīng)特征和波形、圖譜送入到可控信號(hào)發(fā)生器231的擴(kuò)展存儲(chǔ)卡模塊，通過控制單元1的上位機(jī)軟件控制信號(hào)發(fā)生器讀取數(shù)據(jù)到第二內(nèi)存模塊中運(yùn)算后將信號(hào)送出去。最終，通過本實(shí)施例局部放電典型干擾模擬裝置模擬得到的通訊干擾信號(hào)波形如圖8所示，沿面類放電干擾信號(hào)波形如圖9所示，電暈類放電干擾信號(hào)波形如圖10所示，懸浮類放電干擾信號(hào)波形如圖11所示，照明電源干擾信號(hào)波形如圖12所示，整流脈沖干擾信號(hào)波形如圖13所示，能實(shí)現(xiàn)局部放電典型干擾的模擬。

以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不僅局限于上述實(shí)施例，凡屬于本實(shí)用新型思路下的技術(shù)方案均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理前提下的若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。