本實(shí)用新型涉及電路信號處理，尤其涉及一種閉環(huán)電壓檢測系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

在應(yīng)用于OTG負(fù)載的充電器設(shè)備中，需要具有雙向?qū)üδ艿呢?fù)載開關(guān)電路，既能夠滿足電源對主機(jī)設(shè)備進(jìn)行充電，也要能夠?qū)崿F(xiàn)接入OTG負(fù)載時主機(jī)設(shè)備對OTG負(fù)載的充電實(shí)施,當(dāng)系統(tǒng)判斷傳輸線連接狀態(tài)是OTG負(fù)載亦或是電源適配器時，需要一個能夠感應(yīng)接入信號的穩(wěn)定安全的檢測電平，來對雙向?qū)ㄘ?fù)載開關(guān)進(jìn)行選通控制；

在USB接口插入時，暴露在外部環(huán)境中的芯片引腳很大可能會引入超過芯片能夠承受住的高壓脈沖甚至是浪涌電平,在這種情況下，對超過安全閾值的電平信號需要進(jìn)行鉗位，使主機(jī)系統(tǒng)只接收到處于安全閾值內(nèi)，且是穩(wěn)定的、安全的檢測電平。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是提供一種閉環(huán)電壓檢測系統(tǒng)，實(shí)時檢測USB端口接入負(fù)載時的電平信號，判斷該電平信號是否有效，同時對高于安全閾值的電平信號進(jìn)行鉗位，得到處于安全閾值內(nèi)的穩(wěn)定的、安全的檢測電平。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種閉環(huán)電壓檢測系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括：

電平傳輸電路，用于接收輸入電平，并根據(jù)過壓檢測信號，輸出處于安全閾值內(nèi)的檢測電平；

過壓比較電路，用于判斷所述輸入電平與安全閾值的大小，且當(dāng)所述輸入電平超出安全閾值時，所述過壓比較電路產(chǎn)生過壓檢測信號并輸出給電平 傳輸電路。

優(yōu)選的，所述電平傳輸電路輸出中間電壓，所述過壓比較電路通過比較所述中間電壓與基準(zhǔn)電壓，判斷所述輸入電平是否超出安全閾值。

優(yōu)選的，所述過壓比較電路將所述中間電壓進(jìn)行分壓，并選擇所需的分壓與所述基準(zhǔn)電壓比較；

當(dāng)所選分壓大于所述基準(zhǔn)電壓時，過壓比較電路產(chǎn)生過壓檢測信號，輸出控制所述電平傳輸電路對所述中間電壓進(jìn)行電荷泄放；

當(dāng)所選分壓小于所述基準(zhǔn)電壓時，所述過壓檢測信號翻轉(zhuǎn)，所述電平傳輸電路停止電荷泄放。

優(yōu)選的，其特征在于，所述過壓比較電路根據(jù)時序邏輯控制信號的組合，選擇所需的分壓與所述基準(zhǔn)電壓比較。

優(yōu)選的，所述過壓比較電路包括：

分壓模塊，用于將所述中間電壓進(jìn)行分壓；

選通模塊，用于根據(jù)時序邏輯控制信號選擇所需要的分壓；

運(yùn)算放大器，用于將所選分壓與基準(zhǔn)電壓比較，并根據(jù)比較結(jié)果輸出所述過壓檢測信號。

優(yōu)選的，其特征在于，

所述分壓模塊包括第二電阻、第三電阻、第四電阻；第二電阻的一端接入中間電壓，另一端連接第三電阻的一端，第三電阻的另一端連接第四電阻的一端，第四電阻的一端接地；

所述選通模塊包括第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管；第四MOS管的源極連接第五MOS管的源極、第六MOS管的漏極，第六MOS管的漏極用于輸出選通的電壓，第六MOS管的源極接地；第四MOS管的漏極與第二電阻、第三電阻之間的節(jié)點(diǎn)連接；第五MOS管的漏極與第二電阻、第三電阻之間的節(jié)點(diǎn)連接；第四MOS管的柵極、第五MOS管的柵極和第六MOS管的柵極用于接收時序邏輯控制信號。

優(yōu)選的，其特征在于，各分壓通過以下公式：

Vcon＝δ×VMID計(jì)算，其中，Vcon為分壓的值，VMID為所述中間電壓的值，δ為轉(zhuǎn)換因子，所述轉(zhuǎn)換因子由時序邏輯控制信號和分壓電阻決定；

所述中間電壓的安全閾值為：其中Vref為基準(zhǔn)電壓的值。

優(yōu)選的，所述電平傳輸電路包括：

傳輸模塊，用于接收所述輸入電平，并輸出所述中間電壓，并在開啟電壓的控制下導(dǎo)通，輸出檢測電平；

電荷泄放模塊，用于接收所述過壓檢測信號，控制電荷泄放。

優(yōu)選的，其特征在于，

所述傳輸模塊包括第一MOS管、第二MOS管；所述第一MOS管源極連接所述第二MOS管的源極，所述第一MOS管柵極連接所述第二MOS管的柵極，所述第一MOS管的漏極用于接收輸入電平，所述第二MOS管的漏極用于輸出檢測電平，所述第一MOS管的源極和所述第二MOS管的源極之間的節(jié)點(diǎn)用于輸出中間電壓，所述第一MOS管的柵極和所述第二MOS管的柵極之間的節(jié)點(diǎn)用于接收開啟電壓；

所述泄放模塊包括第三MOS管、第一電阻；所述第一電阻的一端連接所述第三MOS管的漏極，所述第三MOS管的源極接地，第一電阻的另一端用于連接所述傳輸模塊中第一MOS管的柵極和第二MOS管的柵極，所述第三MOS管的柵極用于接收過壓檢測信號；

所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管均選用低導(dǎo)通阻抗器件。

優(yōu)選的，所述的閉環(huán)電壓檢測系統(tǒng)，還包括時序邏輯控制電路，用于產(chǎn)生并輸出時序邏輯控制信號，控制所述選通模塊選通所需分壓。

本實(shí)用新型提供的閉環(huán)電壓監(jiān)測系統(tǒng)，為了得到穩(wěn)定且安全的檢測電平，本法實(shí)用新型在設(shè)計(jì)電平傳輸電路時，將電平的傳輸和鉗位通過采用傳輸模塊和泄放模塊來實(shí)現(xiàn)，其中傳輸模塊負(fù)責(zé)電平的傳輸，泄放模塊負(fù)責(zé)電荷的 泄放，即電平的鉗位，當(dāng)輸入電平處于安全閾值內(nèi)時，傳輸模塊直接將其以超低損耗輸出，當(dāng)輸入電平超出安全閾值時，泄放模塊將中間電壓鉗位至安全閾值后，并作為檢測電平，經(jīng)傳輸模塊以超低損耗輸出，之所以能實(shí)現(xiàn)超低損耗傳輸，原因在于本方案的電平傳輸電路所使用的MOS管均為低導(dǎo)通阻抗器件，例如可優(yōu)選NDMOS管，實(shí)現(xiàn)輸入電平的超低損耗傳輸，確保檢測電平跟隨輸入電平的變化；

另一方面，為了實(shí)現(xiàn)對輸入電平的實(shí)時檢測，本實(shí)用新型在設(shè)計(jì)過壓比較電路時，采用負(fù)反饋的方式實(shí)現(xiàn)對輸入電平進(jìn)行實(shí)時檢測，在檢測時，通過將電平傳輸電路輸出的中間電壓進(jìn)行分壓，并與基準(zhǔn)電壓的比較，進(jìn)而判斷中間電平和安全閾值的大小，從而實(shí)現(xiàn)判斷輸入電平和安全閾值大小的目的；在實(shí)現(xiàn)判斷輸入電平和安全閾值大小的目的同時，通過選通模塊根據(jù)時序邏輯控制信號的組合，任意選擇所需要比較的分壓，從而能實(shí)現(xiàn)按各種需要的鉗位閾值將中間電壓鉗位在相應(yīng)的安全閾值上，最終保證輸出的檢測電平為安全的、穩(wěn)定的，工作在安全閾值內(nèi)的電平。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種閉環(huán)電壓檢測系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是電平傳輸電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是過壓比較電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是開啟電壓產(chǎn)生電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是圖3中開啟電壓產(chǎn)生電路改進(jìn)后的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面通過附圖和實(shí)施例，對本實(shí)用新型的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種閉環(huán)電壓檢測系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，閉環(huán)電壓檢測系統(tǒng)包括電平傳輸電路101、過壓比較電路102、 開啟電壓產(chǎn)生電路103。

電平傳輸電路101接收輸入電平USBIN，并輸出中間電壓VMID，當(dāng)輸入電平USBIN處于安全閾值內(nèi)時，將輸入電平USBIN作為檢測電平USB_SNS直接輸出，當(dāng)輸入電平USBIN超出安全閾值時，電平傳輸電路101在過壓檢測信號OVP的控制下，將中間電壓VMID鉗位至安全閾值后，輸出等于安全閾值的檢測電平USB_SNS；過壓比較電路102將中間電壓VMID進(jìn)行分壓，并在時序邏輯控制信號的控制下，選通所需的分壓與基準(zhǔn)電壓Vref比較，當(dāng)所選分壓超出基準(zhǔn)電壓Vref時，過壓比較電路102產(chǎn)生過壓檢測信號OVP，并輸出給電平傳輸電路101；開啟電壓產(chǎn)生電路103產(chǎn)生并輸出開啟電壓VON，控制電平傳輸電路101導(dǎo)通；時序邏輯控制電路104產(chǎn)生并輸出時序邏輯控制信號，控制過壓比較電路102選通所需的分壓。

當(dāng)電平傳輸電路101接收到輸入電平USBIN后，分別向過壓比較電路102和開啟電壓產(chǎn)生電路103輸出中間電壓VMID；開啟電壓產(chǎn)生電路103接收中間電壓VMID后，在差分時鐘信號clkn和clkp的驅(qū)動下，產(chǎn)生并輸出開啟電壓VON，控制電平傳輸電路101導(dǎo)通；過壓比較電路102將接收到的中間電壓VMID進(jìn)行分壓，并在時序邏輯控制電路104的控制下，選通需要輸入的分壓與基準(zhǔn)電壓Vref比較，當(dāng)所選的分壓大于基準(zhǔn)電壓Vref時，則可判斷中間電壓VMID已超出安全閾值，此時過壓比較電路102產(chǎn)生并輸出過壓檢測信號OVP，控制電平傳輸電路101對中間電壓VMID進(jìn)行電荷泄放，當(dāng)所選的分壓小于基準(zhǔn)電壓Vref時，則可判斷中間電壓VMID已低于安全閾值，此時過壓檢測信號OVP翻轉(zhuǎn)，電平傳輸電路101停止電荷泄放，從而將中間電壓VMID鉗位至安全閾值范圍，輸出等于安全閾值的檢測電平USB_SNS。

圖2是電平傳輸電路101的電路結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，電平傳輸電路101包括傳輸模塊和泄放模塊。

傳輸模塊包括MOS管MN1、MOS管MN2。MOS管MN1源極連接MOS管MN2的源極，MOS管MN1柵極連接MOS管MN2的柵極，MOS管MN1的漏極用于接收 輸入電平USBIN，MOS管MN2的漏極用于輸出檢測電平USB_SNS，MOS管MN1的柵極和MOS管MN2的柵極之間取節(jié)點(diǎn)用于接收開啟電壓VON，MOS管MN1的源極和MOS管MN2的源極之間取節(jié)點(diǎn)用于輸出中間電壓VMID。

泄放模塊包括MOS管MN3、電阻R1。電阻R1的一端連接MOS管MN3的漏極，MOS管MN3的源極接地，電阻R1的另一端連接傳輸模塊中MOS管MN1的柵極和MOS管MN2的柵極，MOS管MN3的柵極用于接收過壓檢測信號OVP。

其中，MOS管MN1、MOS管MN2和MOS管MN3均選用低導(dǎo)通阻抗器件，本實(shí)施例優(yōu)選NDMOS管，實(shí)現(xiàn)輸入電平USBIN的超低損耗傳輸，確保檢測電平USB_SNS跟隨輸入電平USBIN的變化。

電平傳輸電路101的傳輸模塊接收輸入電平USBIN后，輸出中間電壓VMID，并在開啟電壓VON的控制下導(dǎo)通，，由于本實(shí)施例中，MOS管MN1為開關(guān)管，因此，在USBIN處于安全閾值內(nèi)時,中間電壓VMID等于輸入電平USBIN，傳輸模塊將中間電壓VMID作為檢測電平USB_SNS直接輸出；當(dāng)輸入電平USBIN超出安全閾值時，電平傳輸電路101接收到過壓檢測信號OVP，并在過壓檢測信號OVP的控制下，開啟泄放模塊，泄放電荷，直至過壓檢測信號OVP翻轉(zhuǎn)，才關(guān)閉泄放模塊，從而將中間電壓VMID鉗位至安全閾值，經(jīng)鉗位調(diào)整后的中間電壓VMID作為檢測電平USB_SNS，經(jīng)傳輸模塊，以超低損耗輸出。

圖3是過壓比較電路102的電路結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，過壓比較電路102包括分壓模塊、選通模塊和運(yùn)算放大器AMP。

分壓模塊包括電阻R2、電阻R3、電阻R4。電阻R2的一端接入中間電壓VMID，另一端連接第三電阻R3的一端，電阻R3的另一端連接電阻R4的一端，電阻R4的一端接地。

選通模塊包括MOS管MN4、MOS管MN5、MOS管MN6。MOS管MN4的源極連接MOS管MN5的源極、MOS管MN6的漏極，MOS管MN6的源極接地；MOS管MN4的漏極與電阻R2、電阻R3之間的節(jié)點(diǎn)連接；MOS管MN5的漏極與電阻R3、電阻R4之間的節(jié)點(diǎn)連接；MOS管MN4的柵極用于接收開關(guān)信號SEL_N，MOS管 MN5的柵極用于接收開關(guān)信號SEL、MOS管MN6的柵極用于接收或開關(guān)信號ENB。

運(yùn)算放大器AMP的正輸入端與MOS管MN6的漏極連接，運(yùn)算放大器AMP的負(fù)輸入端用于接收基準(zhǔn)電壓Vref，運(yùn)算放大器AMP的輸出端用于輸出過壓檢測信號OVP。

分壓模塊將中間電壓VMID進(jìn)行分壓，各分壓的計(jì)算如下：

首先，各分壓均可通過公式：Vcon＝δ×VMID計(jì)算，其中，Vcon為分壓的值，VMID為中間電壓VMID的值，δ為轉(zhuǎn)換因子，所述轉(zhuǎn)換因子選通模塊各MOS管的閉合情況和分壓模塊的電阻決定；而選通模塊各MOS管的閉合情況由時序邏輯控制電路104的開關(guān)信號SEL_N、開關(guān)信號SEL、開關(guān)信號ENB的高低電平組合來控制，例如：

當(dāng)開關(guān)信號SEL_N為低電平、開關(guān)信號SEL為高電平、開關(guān)信號ENB為低電平時，MOS管MN4關(guān)閉、MOS管MN5導(dǎo)通、MOS管MN6關(guān)閉，此時，即

當(dāng)開關(guān)信號SEL_N為高電平、開關(guān)信號SEL為低電平、開關(guān)信號ENB為低電平時，MOS管MN4導(dǎo)通、MOS管MN5關(guān)閉、MOS管MN6關(guān)閉時，此時，即

當(dāng)開關(guān)信號SEL_N為高電平、開關(guān)信號SEL為高電平、開關(guān)信號ENB為低電平時，MOS管MN4導(dǎo)通、MOS管MN5導(dǎo)通、MOS管MN6關(guān)閉時，此時， 即

由公式Vcon＝δ×VMID可知，選通某分壓與基準(zhǔn)電壓Vref比較,如果所述分壓大于基準(zhǔn)電壓Vref,則中間電壓VMID大于即為中間電壓VMID的安全閾值，由于中間電壓VMID等于輸入電平USBIN，因此也為輸入電平USBIN的安全閾值，又因?yàn)闄z測電平USB_SNS為處于安全閾值范圍內(nèi)的輸 入電平USBIN或者是經(jīng)鉗位至安全閾值的中間電壓VMID，因此也為檢測電平USB_SNS的安全閾值，由于Vref為基準(zhǔn)電壓Vref的值，因此可根據(jù)需要設(shè)定基準(zhǔn)電壓Vref的值和分壓模塊的電阻值和時序邏輯控制信號的高低電平序列來選定所需的安全閾值，也就是所需要的鉗位閾值。

由于在實(shí)際電路中，在USBIN處于安全閾值內(nèi)時，中間電壓VMID等于輸入電壓USBIN，過壓比較電路102不會發(fā)生作用，因此直接輸出等于輸入電壓USBIN的檢測電平USB_SNS，實(shí)現(xiàn)超低損耗傳輸；而當(dāng)輸入電壓USBIN超出安全閾值時，中間電壓VMID一旦達(dá)到安全閾值，會馬上觸發(fā)過壓比較電路102將中間電壓VMID進(jìn)行分壓，并根據(jù)時序邏輯控制信號的組合選擇，選通所需分壓，運(yùn)算放大器AMP將所選分壓與選定的基準(zhǔn)電壓Vref比較，即可判斷中間電平VMID相對于安全閾值的大小，進(jìn)而輸出等于安全閾值的檢測電平USB_SNS，以下是運(yùn)算放大器AMP對分壓和基準(zhǔn)電壓Vref的比較過程：

當(dāng)所選分壓大于基準(zhǔn)電壓Vref時，運(yùn)算放大器AMP以負(fù)反饋的形式輸出過壓檢測信號OVP，開啟電平傳輸電路101中的MOS管MN3，泄放電荷，此時電平傳輸電路101中的傳輸模塊輸出等于輸入電壓USBIN的檢測電平USB_SNS；

當(dāng)所選分壓Vcon小于基準(zhǔn)電壓Vref時，過壓檢測信號OVP翻轉(zhuǎn)，關(guān)閉電平傳輸電路101中的MOS管MN3，停止泄放電荷，此時電平傳輸電路101中的傳輸模塊輸出等于安全閾值的檢測電平USB_SNS；

通過運(yùn)算放大器AMP的負(fù)反饋動態(tài)調(diào)整，使得當(dāng)輸入電平USBIN超出安全閾值時，能夠保證將中間電平VMID鉗位在安全閾值上，從而保證電平傳輸電路101輸出的是處在正常工作范圍內(nèi)的檢測電平USB_SNS。

本實(shí)施例中通過電阻R2、電阻R3、電阻R4串聯(lián)而成的分壓電路對中間電壓VMID進(jìn)行分壓，在實(shí)際應(yīng)用情況中，可根據(jù)不同需求，采用多個的電阻串聯(lián)，將中間電壓VMID分壓，并結(jié)合相應(yīng)的時序邏輯控制信號，實(shí)現(xiàn)當(dāng)輸入電平USBIN超出安全閾值時，按所需的鉗位閾值，將檢測電平USB_SNS鉗位 在安全閾值上。

圖4是開啟電壓產(chǎn)生電路103的電路結(jié)構(gòu)示意圖。由于電平傳輸電路101中的傳輸模塊采用NDMOS作為導(dǎo)通開關(guān)，需要柵極的電位高于源極電壓，而輸入電平USBIN是外部提供的最高電壓，為了使電平傳輸電路101中的傳輸模塊導(dǎo)通，MOS管MN1和MOS管MN2的柵極需得到更高的電壓，例如：USBIN＝10V時，則MOS管MN1和MOS管MN2需要的柵極接15V的電壓才能驅(qū)動，因此本實(shí)施例的開啟電壓產(chǎn)生電路103需采用電荷泵的結(jié)構(gòu)方式。

如圖4所示，開啟電壓產(chǎn)生電路103包括MOS管MN7、MOS管MN8、MOS管MP1、MOS管MP2、電容C1、電容C2，其中MOS管MN7、MOS管MN8均為NMOS管，MOS管MP1、MOS管MP2均為NMOS管。

電容C1的一端用于接收時鐘信號clkn，電容C1的另一端連接MOS管MN7的漏極、MOS管MP1的漏極、MOS管MN8的柵極和MOS管MP2的柵極，MOS管MN7的源極和MOS管MN8的源極之間取節(jié)點(diǎn)用于接收中間電壓VMID，電容C2的一端用于接收時鐘信號clkp，電容C2的另一端連接MOS管MN8的漏極、MOS管MP2的漏極、MOS管MN7的柵極和MOS管MP1的柵極，MOS管MN7的源極連接MOS管MN8的源極，MOS管MP1的源極連接MOS管MP2的源極；MOS管MP1的源極和MOS管MP2的源極之間取節(jié)點(diǎn)用于輸出開啟電壓VON。

開啟電壓產(chǎn)生電路103接收到中間電壓VMID后，在差分時鐘信號clkn和clkp驅(qū)動下工作。

clkn和clkp為相位相反的兩個時鐘信號。當(dāng)clkn為低電平，clkp為高時，MOS管MN7和MOS管MP2導(dǎo)通，MOS管MN7漏極電壓等于VMID，對電容C1充電(直至正端變?yōu)閂MID)，同時MOS管MP2的漏極電壓等于VON(即輸出)。當(dāng)clkn高電平，clkp為低時，MOS管MN8和MOS管MP1導(dǎo)通，同時MN8的漏極(即MP2的漏極)電壓等于VMID，對電容C2充電(直至正端變?yōu)閂MID)，同時MP1漏極(即MN7漏極)電壓等于VON(即輸出)。

因此，當(dāng)clkn從低電平變?yōu)楦唠娖綍r(即clkp從高電平變?yōu)榈碗娖綍r)， MOS管MN8導(dǎo)通，電容C1正端的電壓從VMID升高到VMID+VCLK，此時，MOS管MP1導(dǎo)通，隨之開啟電壓VON也從VMID升高到VMID+VCLK；

當(dāng)clkp從低電平變?yōu)楦唠娖綍r(即clkn從高電平變?yōu)榈碗娖綍r)，MOS管MN7導(dǎo)通，電容C2正端的電壓從VMID升高到VMID+VCLK，此時，MOS管MP2導(dǎo)通，隨之開啟電壓VON也從VMID升高到VMID+VCLK。

通過以上過程，時鐘信號clkn和clkp的高低電平往復(fù)切換，使開啟電壓產(chǎn)生電路103產(chǎn)生穩(wěn)定的、高于輸入電平USBIN的開啟電壓VON，用于控制電平傳輸電路101導(dǎo)通。

為便于實(shí)現(xiàn)多種鉗位閾值的選擇，圖1中所示的時序邏輯控制電路104，可根據(jù)過壓比較電路102中選通模塊的需求，產(chǎn)生相應(yīng)時序邏輯控制信號，本實(shí)施例中，時序邏輯控制電路104產(chǎn)生時序邏輯控制信號包括開關(guān)信號SEL_N、開關(guān)信號SEL、開關(guān)信號ENB。

其中，開關(guān)信號SEL_N，用于控制MOS管MN4的通斷；開關(guān)信號SEL，用于控制MOS管MN5的通斷；開關(guān)信號ENB，用于控制MOS管MN6的通斷。

在實(shí)際應(yīng)用中，時序邏輯控制電路104可根據(jù)分壓電路的分壓電阻數(shù)量，產(chǎn)生多個開關(guān)信號，通過編程組合輸出時序邏輯控制序列信號，選通所需的鉗位閾值。

圖5是開啟電壓產(chǎn)生電路103經(jīng)改進(jìn)后的電路結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，在開啟電壓產(chǎn)生電路103結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，通過在各個高壓路徑接入保護(hù)電阻，得到的具有高壓節(jié)點(diǎn)保護(hù)作用、和高使用壽命更長和可靠性更高的開啟電壓產(chǎn)生電路。

所述串聯(lián)保護(hù)電阻包括電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8、電阻R9、電阻R10、電阻R11和電阻R12。

其中，MOS管MN7的漏極和MOS管MP1的漏極之間串聯(lián)電阻R6、電阻R7，電阻R6和電阻R7之間的節(jié)點(diǎn)與電容C1之間串聯(lián)電阻R5，MOS管MN8的漏極和MOS管MP2的漏極之間串聯(lián)電阻R9、電阻R10，電阻R9和電阻R10之間的 節(jié)點(diǎn)與電容C2之間串聯(lián)電阻R12，電阻R8的一端連接MOS管MN7的源極和MOS管MN8的源極，電阻R8的另一端用于接收中間電壓VMID，電阻R11的一端連接MOS管MP1的源極和MOS管MP2的源極，電阻R11的另一端用于輸出中間電壓Von。

以上所述的具體實(shí)施方式，對本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式而已，并不用于限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。