本實用新型涉及低溫恒溫器的技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種用于超導(dǎo)納米線單光子探測的低溫恒溫器的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù):
超導(dǎo)納米線單光子探測(簡稱SSPD或SNSPD)是量子通信研究的一個熱點領(lǐng)域,由于其具有高探測效率、低暗計數(shù)和高時間分辨率等優(yōu)點,近年來關(guān)于超導(dǎo)納米線單光子探測器的研究呈現(xiàn)“井噴式”發(fā)展。然而由于該類探測器需要在2.5K以下的溫區(qū)內(nèi)進(jìn)行工作,并且對溫度的穩(wěn)定性要求較高,以往的低溫恒溫器都存在溫度較高、溫度波動大、穩(wěn)定性較差等缺點,無法滿足單光子探測器正常工作時對環(huán)境溫度的要求。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本實用新型的目的是提供一種用于超導(dǎo)納米線單光子探測的低溫恒溫器,可為超導(dǎo)納米線單光子探測器提供一個溫度低于2.5K且溫度波動小于±5mK的低溫環(huán)境,保證單光子探測器能夠正常工作,有效提高了單光子探測器的探測效率。
為實現(xiàn)上述目的,本實用新型采用的技術(shù)方案如下。
一種用于超導(dǎo)納米線單光子探測的低溫恒溫器,包括真空罩、進(jìn)出線筒身、GM制冷機(jī),所述真空罩、進(jìn)出線筒身、GM制冷機(jī)自上而下依次連接,所述真空罩內(nèi)部依次設(shè)置一級冷屏、二級冷屏,所述一級冷屏固定在一級冷臺上,一級冷臺固定在GM制冷機(jī)的一級冷頭上,所述二級冷屏固定在樣品臺上,樣品臺固定在GM制冷機(jī)的二級冷頭上,所述樣品臺上設(shè)置樣品托,所述樣品臺與GM制冷機(jī)的二級冷頭之間設(shè)置金屬墊塊,所述一級冷臺上設(shè)置若干個一級導(dǎo)冷片、一級同軸電纜壓板,所述GM制冷機(jī)的二級冷頭上設(shè)置若干個二級導(dǎo)冷片、二級同軸電纜壓板。
所述真空罩內(nèi)部壓力低于1×10Pa。
所述一級冷屏、二級冷屏、樣品臺表面鍍金、鍍銀或鍍鎳。
所述GM制冷機(jī)的最低溫度可達(dá)2.1K。
所述金屬墊塊為在2.5K左右低溫環(huán)境下比熱容較大的導(dǎo)熱材料。
本實用新型工作時,首先將真空罩內(nèi)部抽真空,當(dāng)壓力達(dá)到1×10Pa時,開啟GM制冷機(jī)進(jìn)行降溫,一級冷屏被GM制冷機(jī)的一級冷頭冷卻,二級冷屏被GM制冷機(jī)的二級冷頭冷卻,固定在GM制冷機(jī)的二級冷頭上的樣品臺、樣品臺上的樣品托也同步被冷卻,當(dāng)樣品臺的溫度達(dá)到2.5K時,固定在樣品托上的單光子探測器處于超導(dǎo)狀態(tài),開始正常工作。
一級冷屏、二級冷屏、樣品臺表面進(jìn)行表面處理,降低表面發(fā)射率,減少真空罩內(nèi)部的輻射漏熱。
與單光子探測器相連接的同軸電纜通過一級導(dǎo)冷片、一級同軸電纜壓板固定在GM制冷機(jī)的一級冷頭上預(yù)冷,減少了同軸電纜對制冷機(jī)的二級冷頭的導(dǎo)熱漏熱;通過二級導(dǎo)冷片、二級同軸電纜壓板固定在GM制冷機(jī)的二級冷頭上預(yù)冷,減少了同軸電纜線對樣品托的導(dǎo)熱漏熱。
GM制冷機(jī)的二級冷頭與樣品臺之間設(shè)置在2.5K左右低溫環(huán)境下比熱容較大的金屬墊塊,減小了樣品臺的溫度波動。
本實用新型采用最低溫度可達(dá)2.1K的GM制冷機(jī)作為冷量來源,可將樣品臺溫度降至2.5K以下,通過真空罩內(nèi)部抽真空,減少了對流漏熱;通過對一級冷屏、二級冷屏、樣品臺進(jìn)行表面處理,減小了輻射漏熱;通過GM制冷機(jī)的一級冷頭、二級冷頭冷卻同軸電纜,減小導(dǎo)熱漏熱,同時在樣品臺與GM制冷機(jī)二級冷頭之間設(shè)置比熱容較大的金屬墊塊,不僅可以對樣品臺進(jìn)行快速降溫,而且保證了樣品臺的溫度波動維持在較低的水平,本實用新型可為單光子探測器提供溫度低于2.5K且溫度波動小于±5mK的低溫環(huán)境,有效提高了單光子探測器的探測效率。
附圖說明
圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實用新型的剖視圖。
其中:1. GM制冷機(jī);2.真空罩;3. 一級冷屏;4. 二級冷屏;5. 樣品臺;6. 二級冷頭;7.同軸電纜;8. 一級冷頭; 10. 進(jìn)出線筒身;11. 一級冷臺;12. 一級導(dǎo)冷片;13. 一級同軸電纜壓板;14. 二級同軸電纜壓板;15. 二級導(dǎo)冷片;16. 金屬墊塊;17. 樣品托。
具體實施方式
如圖1、圖2所示,一種用于超導(dǎo)納米線單光子探測的低溫恒溫器,包括真空罩2、進(jìn)出線筒身10、GM制冷機(jī)1,所述真空罩2、進(jìn)出線筒身10、GM制冷機(jī)1自上而下依次連接,真空罩2內(nèi)部依次設(shè)置一級冷屏3、二級冷屏4,一級冷屏3固定在一級冷臺11上,一級冷臺11固定在GM制冷機(jī)的一級冷頭8上,二級冷屏4固定在樣品臺5上,樣品臺5固定在GM制冷機(jī)的二級冷頭6上,樣品臺5上設(shè)置樣品托17,本實用新型采用最低溫度可達(dá)2.1K的GM制冷機(jī)1作為冷量來源,超導(dǎo)單光子探測器固定樣品托17上。
本實用新型工作時,首先將真空罩2內(nèi)部抽真空,當(dāng)真空度達(dá)到1×10Pa時,開啟GM制冷機(jī)1進(jìn)行降溫,一級冷屏3被GM制冷機(jī)1的一級冷頭8冷卻至40K,二級冷屏4被GM制冷機(jī)1的二級冷頭6冷卻至2.5K,固定在GM制冷機(jī)1的二級冷頭6上的樣品臺5、樣品托17也被同步冷卻,當(dāng)樣品臺5的溫度達(dá)到2.5K時,固定在樣品托17上的單光子探測器處于超導(dǎo)狀態(tài),開始正常工作。
本實用新型的一級冷屏3、二級冷屏4、樣品臺5表面進(jìn)行鍍金處理,降低了表面發(fā)射率,減少了真空罩2內(nèi)部的輻射漏熱。
與單光子探測器相連接的同軸電纜7首先通過一級導(dǎo)冷片12、一級同軸電纜壓板13固定在GM制冷機(jī)1的一級冷臺11上預(yù)冷,減少同軸電纜7對二級冷頭6的導(dǎo)熱漏熱;接著通過二級導(dǎo)冷片15、二級同軸電纜壓板14固定在GM制冷機(jī)二級冷頭上預(yù)冷,減少了同軸電纜7對樣品托17的導(dǎo)熱漏熱。
GM制冷機(jī)1的二級冷頭6與樣品臺5之間設(shè)置在2.5K左右的低溫環(huán)境下比熱容較大的金屬墊塊16,減小了樣品臺5的溫度波動。
本實用新型采用最低溫度可達(dá)2.1K的GM制冷機(jī)1作為冷量來源,將樣品臺5溫度降至2.5K以下,通過真空罩2內(nèi)部抽真空,減少了對流漏熱;通過對一級冷屏3、二級冷屏4、樣品臺5進(jìn)行表面處理,減小了輻射漏熱;通過GM制冷機(jī)1的一級冷頭8、二級冷頭6冷卻同軸電纜7,減小導(dǎo)熱漏熱,同時在樣品臺5與GM制冷機(jī)1的二級冷頭6之間設(shè)置比熱容大的金屬墊塊16,不僅可以對樣品臺5進(jìn)行快速降溫,而且保證了樣品臺5的溫度波動維持在較低的水平,為單光子探測器提供了一個溫度低于2.5K且溫度波動小于±5mK的低溫環(huán)境,有效提高了單光子探測器的探測效率。