本實(shí)用新型涉及電容測(cè)試夾具，具體涉及一種芯片電容溫度特性測(cè)試夾具。

背景技術(shù)：

在芯片電容研發(fā)生產(chǎn)過(guò)程中，根據(jù)國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn)GJB2442-1995:有可靠性指標(biāo)的單層片式瓷介電容器總規(guī)范條款要求，芯片電容需要進(jìn)行溫度特性測(cè)試，以驗(yàn)證產(chǎn)品所用材料的可靠性、適用性、穩(wěn)定性及一致性；每批次芯片電容都需要進(jìn)行此項(xiàng)目測(cè)試；現(xiàn)有條件下，用簡(jiǎn)易兩線測(cè)試夾具進(jìn)行測(cè)試，存在多方面問(wèn)題，測(cè)試不精確，容值測(cè)試精度只能達(dá)到10％；且在高低溫測(cè)試過(guò)程易發(fā)生測(cè)量失效，短路或斷路現(xiàn)象都有發(fā)生，無(wú)法測(cè)試到容值，不易安放電容且易損傷電容的金層電極，影響測(cè)試的可靠性及結(jié)果；同時(shí)高低溫測(cè)試過(guò)程中彈簧針的頂端與電容容易發(fā)生接觸不良，導(dǎo)致測(cè)量失效，從而無(wú)法準(zhǔn)確測(cè)試其容值變化趨勢(shì)。每次測(cè)試失效，需要重復(fù)進(jìn)行，影響了測(cè)試效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

實(shí)用新型目的：針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種效率高，成本低、易于操作的芯片電容溫度特性測(cè)試夾具。

技術(shù)方案：一種芯片電容溫度特性測(cè)試夾具，包括測(cè)試盒，所述測(cè)試盒上側(cè)設(shè)有若干個(gè)接口，該接口橫向有四個(gè)，豎向有多個(gè)；所述任意一排橫向四個(gè)接口上每個(gè)接口連接一根BNC線；所述測(cè)試盒一側(cè)設(shè)有多個(gè)高溫接頭，該高溫接頭上設(shè)有高溫屏蔽線。

具體地，所述接口豎向設(shè)有十排。

具體地，所述高溫接頭有兩個(gè)；所述高溫屏蔽線有兩個(gè)。

具體地，所述測(cè)試盒為方形。

有益效果：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：該夾具為一種開(kāi)爾文四線測(cè)試夾具，代替原先的兩線測(cè)試夾具，其分離電流和電壓的電極，消除了引線電阻和接觸電阻的阻抗；可以精確地測(cè)量芯片電容的溫度特性，測(cè)得滿足各項(xiàng)要求的測(cè)試結(jié)果，且更易于操作，提高了效率；同時(shí)可以重復(fù)使用；縮短研發(fā)周期，節(jié)約芯片電容的生產(chǎn)成本。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式，進(jìn)一步闡明本實(shí)用新型。

如圖1所示，一種芯片電容溫度特性測(cè)試夾具，包括測(cè)試盒1、接口2、BNC線3、高溫接頭4和高溫屏蔽線5，測(cè)試盒1為方形，在測(cè)試盒1頂面上設(shè)有多個(gè)接口2，該接口2的分布為橫向四個(gè)，豎向十個(gè)；該接口2為凸起的圓柱體，內(nèi)部中空；BNC線3有四條，連接任意一排橫向設(shè)置的接口2，橫向接口2為四個(gè)，每個(gè)接口2上連接一根BNC線3；在測(cè)試盒1側(cè)面設(shè)有兩個(gè)高溫接頭4，該高溫接頭4上設(shè)有高溫屏蔽線5。

該夾具采用開(kāi)爾文四線測(cè)試模式，適用于芯片電容各種規(guī)格的測(cè)試，產(chǎn)品不易損傷電極，測(cè)試效率高，新夾具的容值測(cè)試精度達(dá)到2％。