1.一種紅外窄帶輻射源，其工作波長覆蓋短波1.1～3μm、中波3～6μm及長波6～15μm紅外波段；輻射發(fā)射率ε可高達(dá)100％；其結(jié)構(gòu)包括介質(zhì)布拉格反射鏡(1)、介質(zhì)腔層(2)、金屬層(3)和襯底(4)；介質(zhì)腔層(2)和金屬層(3)之間可以選擇生長匹配層；介質(zhì)布拉格反射鏡(1)上可選擇加蓋保護(hù)層，其特征在于：
所述的金屬層(3)采用金、銀、銅、鋁、鎢、鉭、錸金屬材料中的一種，金屬層膜厚遠(yuǎn)大于輻射源向金屬內(nèi)傳播的穿透深度；
所述的介質(zhì)腔層(2)材料為鍺、硅、硫化鋅、錫化鋅或一氧化硅在輻射波段具有弱吸收性質(zhì)的半導(dǎo)體或化合物材料；
所述的介質(zhì)布拉格反射鏡(1)由輻射波段弱吸收的高折射率和低折射率材料交替生長形成，高折射率和低折射率材料采用鍺、硅與硫化鋅、錫化鋅、一氧化硅、氧化鉿之間任意一組搭配組合；
用于實(shí)現(xiàn)介質(zhì)腔層(2)和金屬層(3)之間應(yīng)力匹配，增強(qiáng)粘附性的所述的匹配層為鉻、鈦或鎳金屬層；
用于保護(hù)易氧化的介質(zhì)腔層(2)和介質(zhì)布拉格反射鏡(1)使其不易氧化變性，并可實(shí)現(xiàn)減反增透效果的所述的保護(hù)層材料是氮化硅或二氧化硅耐腐蝕抗氧化材料。
2.一種制備如權(quán)利要求1所述的一種紅外窄帶輻射源的方法，其特征在于包括以下步驟：
1)膜系設(shè)計(jì)，利用膜系設(shè)計(jì)工具Coating Designer(CODE)或Thin film Calculator(TFC)設(shè)計(jì)膜系，膜系自上而下依次是介質(zhì)布拉格反射鏡(1)、介質(zhì)腔層(2)、金屬層(3)和襯底(4)，為了使得膜系透過率為0，金屬層膜厚遠(yuǎn)大于輻射源向金屬內(nèi)傳播的穿透深度，其中金屬層和介質(zhì)布拉格反射鏡之間可以插入匹配層，使得它們應(yīng)力匹配，而介質(zhì)布拉格反射鏡上可以選擇覆蓋保護(hù)層；通過調(diào)節(jié)介質(zhì)腔層(2)和介質(zhì)布拉格反射鏡(1)光學(xué)厚度來調(diào)整窄帶輻射峰峰位；
2)通過蒸發(fā)或者濺射的方法制備金屬薄膜，可以采用磁控濺射、電子束蒸發(fā)、雙離子束濺射等方法的一種來制備金屬薄膜；為了使得膜系透過率為零，金屬層膜厚大于輻射源向金屬內(nèi)傳播的穿透深度，金屬薄膜應(yīng)當(dāng)具有紅外寬帶高反效果；
3)根據(jù)步驟1)膜系設(shè)計(jì)的結(jié)果，選擇在金屬薄膜上制備匹配層，如鉻或鈦或鎳，可以采用磁控濺射、電子束蒸發(fā)、雙離子束濺射等方法制備鉻或鈦或鎳薄膜，其厚度在1～20nm之間，優(yōu)選5～8nm，既可以保證原有金屬薄膜高反特性，又可大大增加介質(zhì)層與金屬層之間粘附性；
4)根據(jù)步驟1)膜系設(shè)計(jì)的結(jié)果，通過蒸發(fā)或者濺射的方法制備介質(zhì)腔層和介質(zhì)布拉格反射鏡；通過磁控濺射、雙離子束濺射、電子束蒸發(fā)來制備介質(zhì)腔層和介質(zhì)布拉格反射鏡，通過晶控或者光控來控制各層介質(zhì)薄膜的厚度；通過調(diào)整布拉格反射鏡或介質(zhì)腔層的厚度可以調(diào)整輻射峰的波長、；
5)根據(jù)步驟1)膜系設(shè)計(jì)的結(jié)果，選擇在膜系上制備保護(hù)層，如氮化硅、二氧化硅；
6)上述窄帶紅外輻射光源襯底選硅、鍺、或者二氧化硅常規(guī)材料或根據(jù)不同的需求選擇不同的襯底，選取聚四氟乙烯具有柔性特質(zhì)的材料作為襯底，制備的樣品可彎曲，實(shí)現(xiàn)曲面輻射光源。