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一種多端口網(wǎng)絡的S參數(shù)去嵌入方法與流程

文檔序號:12455468閱讀:2747來源:國知局
一種多端口網(wǎng)絡的S參數(shù)去嵌入方法與流程

本發(fā)明涉及測試技術領域,特別涉及一種多端口網(wǎng)絡的S參數(shù)去嵌入方法。



背景技術:

現(xiàn)在多端口器件、連接器日益增多,測試需求也增多。面對各種不同的器件、連接器,需要制作專門的夾具以便連接到矢量網(wǎng)絡儀端口上。在測試中需要去除夾具的影響,就需要兩種解決方案,第一種為去嵌入,第二種為校準。

第一種去嵌入的方式:采用電磁仿真計算出夾具參數(shù),但是由于夾具實際加工、制造等原因,與仿真參數(shù)差別較大,造成最終測試結果差別較大。

第二種校準的方式:作專門的校準件,但是由于定制的校準件制作難度大,校準過程復雜,使得測試困難。



技術實現(xiàn)要素:

為解決上述現(xiàn)有技術中的不足,本發(fā)明提出一種多端口網(wǎng)絡的S參數(shù)去嵌入方法。

本發(fā)明的技術方案是這樣實現(xiàn)的:

一種多端口網(wǎng)絡的S參數(shù)去嵌入方法,首先獲取多端口夾具S參數(shù),得到整體夾具的S參數(shù)之后,然后采用矩陣運算將夾具S參數(shù)去除,在進行去嵌入處理時,使用入射波/反射波的方式進行公示推導。

可選地,獲取多端口夾具S參數(shù)的步驟,具體包括:

對于多端口夾具,將夾具每個端口進行對稱拼接,形成對稱雙端口夾具結構,進而計算得到夾具參數(shù),然后將夾具各個端口的S參數(shù)進行拼接,得到整體夾具的S參數(shù),具體計算過程如下:

步驟(a),校準之后,直接測量得到整體夾具的S參數(shù):S11、S21、S12、S22;

步驟(b),將S11時域變換得到T11,其最大峰值處的時間記為t1;

步驟(c),將S21時域變換得到T21,其最大峰值處的時間記為t2;

步驟(d),以t1為中心,2(t2-t1)為寬度設置門,將S11截取,得到S11A;

步驟(e),同理,可得到S11B

由S參數(shù)關系得到

其中,S11、S21、S12、S22為網(wǎng)絡儀測量到的整體夾具S參數(shù);S11A、S21A、S12A、S22A為夾具A的S參數(shù);S11B、S21B、S12B、S22B為夾具B的S參數(shù);

進而得到:

由于是對稱夾具,所以S21A=S12A=S21B=S12B,S21=S12,所以:

將夾具各個端口的S參數(shù)進行拼接,得到整體夾具的S參數(shù)。

可選地,所述采用矩陣運算將夾具S參數(shù)去除的步驟,具體包括:

對于N端口被測件網(wǎng)絡:

對于X端口網(wǎng)絡,其S參數(shù)如下:

對于Y端口網(wǎng)絡,其S參數(shù)如下:

對于網(wǎng)絡儀測試到的總體網(wǎng)絡,其S參數(shù)如下:

根據(jù)入射波與反射波的關系,建立如下矩陣:

其中,ai為各網(wǎng)絡的入射波,bi為各網(wǎng)絡的反射波;

且對于被測件兩側的入射波與反射波有如下關系:

其中:

聯(lián)立上述方程,消除

得到:

[S]=[C(TS-A)-qB+D]-1 (13)

至此,完成N端口網(wǎng)絡的S參數(shù)去嵌入操作。

本發(fā)明的有益效果是:

(1)相比于現(xiàn)有的采用電磁仿真計算出夾具參數(shù)的去嵌入方法,本發(fā)明的精度更高;

(2)相比于TRL校準,本發(fā)明的校準簡便、校準件容易制作。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明的對稱雙端口夾具信號模型示意圖;

圖2為本發(fā)明的多端口網(wǎng)絡S參數(shù)去嵌入方法的原理示意圖;

圖3為本發(fā)明的多端口網(wǎng)絡S參數(shù)去嵌入方法的一個具體實施例的原理示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。

隨著電子信息技術的發(fā)展,多端口器件日益增多,而且器件的封裝形式、接口類型也日益增多,使用網(wǎng)絡分析儀測試此類器件就需要面對多端口夾具去嵌入的問題。

本發(fā)明提出一種多端口網(wǎng)絡的S參數(shù)去嵌入方法,首先采用時域方式進行多端口夾具參數(shù)的獲取,然后采用矩陣運算將夾具S參數(shù)去除。

多端口夾具參數(shù)的獲取步驟中,對于多端口夾具,將夾具每個端口進行對稱拼接,形成如圖1所示的對稱雙端口夾具結構,進而計算得到夾具參數(shù),然后將夾具各個端口的S參數(shù)進行拼接,得到整體夾具的S參數(shù),具體計算過程如下:

步驟(a),校準之后,直接測量到夾具整體的S參數(shù):S11、S21、S12、S22;

步驟(b),將S11時域變換得到T11,其最大峰值處的時間記為t1;

步驟(c),將S21時域變換得到T21,其最大峰值處的時間記為t2

步驟(d),以t1為中心,2(t2-t1)為寬度設置門,將S11截取,得到S11A;

步驟(e),同理,可得到S11B。

由圖1信號流圖中S參數(shù)關系得到

其中,S11、S21、S12、S22為網(wǎng)絡儀測量到的整體S參數(shù);S11A、S21A、S12A、S22A為夾具A的S參數(shù);S11B、S21B、S12B、S22B為夾具B的S參數(shù)。

進而得到:

由于是對稱夾具,所以S21A=S12A=S21B=S12B,S21=S12,所以:

將夾具各個端口的S參數(shù)進行拼接,得到整體夾具的S參數(shù)。

得到整體夾具的S參數(shù)之后,接下來,采用矩陣運算將夾具S參數(shù)去除,在進行去嵌入處理時,使用入射波/反射波的方式進行公示推導。

如圖2所示,對于N端口被測件網(wǎng)絡:

對于X端口網(wǎng)絡,其S參數(shù)如下:

對于Y端口網(wǎng)絡,其S參數(shù)如下:

對于網(wǎng)絡儀測試到的總體網(wǎng)絡,其S參數(shù)如下:

根據(jù)入射波與反射波的關系,建立如下矩陣:

其中,ai為各網(wǎng)絡的入射波,bi為各網(wǎng)絡的反射波;

且對于被測件兩側的入射波與反射波有如下關系:

其中:

聯(lián)立上述方程,消除

得到:

[S]=[C(TS-A)-1B+D]-1 (13)

至此,完成N端口網(wǎng)絡的S參數(shù)去嵌入操作,去除多端口夾具的影響,得到被測件的真實參數(shù)。

下面給出一個具體實施例對本發(fā)明的多端口的S參數(shù)去嵌入步驟進行說明,如圖3所示,該實施例以三端口被測件去嵌四端口和雙端口網(wǎng)絡為例進行公式推導。

四端口網(wǎng)絡、雙端口網(wǎng)絡及整體網(wǎng)絡的S參數(shù)如下:

其中,S1S為四端口網(wǎng)絡的S參數(shù),S2S為雙端口網(wǎng)絡的S參數(shù),TS為四端口網(wǎng)絡、被測件、雙端口網(wǎng)絡級聯(lián)的S參數(shù),S為被測件的網(wǎng)絡參數(shù),S11、S21、S12、S22為網(wǎng)絡儀測量到的整體S參數(shù)。

利用反射波與入射波的關系,構建整體的關系矩陣:

其中,b1、...、b9為各網(wǎng)絡的反射波,a1、...、a9為各網(wǎng)絡的入射波,其他參數(shù)為網(wǎng)絡的S參數(shù),A、B、C、D為拆分后的矩陣,S為被測件的S參數(shù)矩陣。

此外由圖3中入射波和反射波,還可以構建如下關系:

聯(lián)立方程(16)、(17)、(18),消除得到

[S]=[C(TS-A)-1B+D]-1 (19)

至此,由上述公式可去除多端口夾具的影響,得到被測件的真實參數(shù)。

相比于現(xiàn)有的采用電磁仿真計算出夾具參數(shù)的去嵌入方法,本發(fā)明的精度更高;相比于TRL校準,本發(fā)明的校準簡便、校準件容易制作。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內,所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。

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