技術(shù)特征：
1.一種多抗霉素B在人參上的殘留分析方法，包括以下步驟：1)樣品中多抗霉素B用甲酸水溶液提取：⑴鮮人參：稱取鮮人參樣品5.0g，加入0.3％甲酸水溶液20mL，調(diào)節(jié)pH范圍2-5，勻漿約2min，在鋪有助濾劑的布氏漏斗中減壓抽濾，將濾液全部收集后，吸取部分濾液12000rpm離心5min，過(guò)0.22μm濾膜，待液相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用儀檢測(cè)；⑵人參干粉：稱取人參干粉樣品5.0g，加入0.3％甲酸水溶液20mL，調(diào)節(jié)pH范圍2-5，振蕩提取1h，在鋪有助濾劑的布氏漏斗中減壓抽濾，將濾液全部收集后，吸取部分濾液12000rpm離心5min，過(guò)0.22μm濾膜，待液相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用儀檢測(cè)；2)分析測(cè)試：⑴儀器條件：色譜柱：AgilentZorbaxRRHDEclipsePlusC183.0×100mm1.8μm；流動(dòng)相：乙酸銨2.5mmol/L+0.05％甲酸水溶液∶甲醇梯度洗脫；梯度洗脫程序：流速：0.3mL/min；柱溫：30℃；進(jìn)樣量：10μl；⑵質(zhì)譜分析條件：電離源模式：電噴霧離子化；電離源極性：正離子模式(ESI+)；掃描方式：多反應(yīng)監(jiān)測(cè)(MRM)；霧化氣：氮?dú)?；霧化氣壓力：45psi；毛細(xì)管電壓：4000V；干燥氣溫度：400℃；干燥氣流速：12L/min；多抗霉素B：定量離子：508.1/490.1；定性離子：508.1/366；源內(nèi)碎裂電壓：120V；碰撞氣能量：508.1/490.1為10V；508.1/366為20V；3)用基質(zhì)建立標(biāo)準(zhǔn)曲線，外標(biāo)法定量多抗霉素B；⑴標(biāo)準(zhǔn)曲線的建立：準(zhǔn)確稱取多抗霉素B標(biāo)準(zhǔn)品0.0345...