技術總結
一種功率MOS器件溫升和熱阻構成測試裝置和方法屬于功率MOS器件可靠性設計和測試領域。本發(fā)明設計了被測功率MOS器件漏?源電壓和柵?源電壓信號控制的快速切換開關；漏?源大電流工作的快速切換開關；采用FPGA設計了漏?源電壓、柵?源電壓和漏?源電流的采集和設定功能。測試中，首先得到溫敏參數(shù)曲線；然后，給器件施加工作電流，使得器件升溫，待器件輸出功率達到穩(wěn)態(tài)后，斷開工作電流，接通測試電流，采集功率MOS器件源?漏寄生二極管的結電壓，對應得到器件結溫曲線，再使用結構函數(shù)法處理分析，就可得到功率MOS器件的熱阻構成。本發(fā)明解決測試儀器價格高昂，測量技術操作復雜，測量周期長的問題。

技術研發(fā)人員：馮士維;石幫兵;史冬;何鑫;張亞民
受保護的技術使用者：北京工業(yè)大學
文檔號碼：201610900251
技術研發(fā)日：2016.10.16
技術公布日：2017.02.22