技術(shù)特征：

1.一種金屬氧化物避雷器泄漏電流去噪系統(tǒng)，其特征在于：包括保護(hù)模塊、數(shù)據(jù)采集模塊、主控芯片以及人機(jī)交互模塊；保護(hù)模塊分別與金屬氧化物避雷器和數(shù)據(jù)采集模塊相連接，數(shù)據(jù)采集模塊以及人機(jī)交互模塊分別連于主控芯片；保護(hù)模塊用于保護(hù)數(shù)據(jù)采集模塊免受暫態(tài)過電壓的破壞；數(shù)據(jù)采集模塊采集MOA中的泄漏電流信號(hào)并將采集到的信號(hào)傳送至主控芯片；主控芯片用于將接收的泄漏電流信號(hào)進(jìn)行去噪處理，并將處理后的泄漏電流信號(hào)發(fā)送至人機(jī)交互模塊；人機(jī)交互模塊用于發(fā)送、存儲(chǔ)以及顯示處理結(jié)果。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金屬氧化物避雷器泄漏電流去噪系統(tǒng)，其特征在于：數(shù)據(jù)采集模塊包括電流測(cè)量模塊、AD轉(zhuǎn)換模塊；其中電流測(cè)量快用于測(cè)量MOA的泄漏電流，AD轉(zhuǎn)化模塊用于對(duì)所測(cè)得的泄漏電流信號(hào)進(jìn)行AD轉(zhuǎn)換。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金屬氧化物避雷器泄漏電流去噪系統(tǒng)，其特征在于：所述人機(jī)交互模塊包括GPRS模塊、顯示模塊以及PC機(jī)。

4.一種金屬氧化物避雷器泄漏電流去噪方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)獲取初始泄漏電流信號(hào)x(n)；

(2)產(chǎn)生I個(gè)與初始泄漏電流信號(hào)x(n)等長(zhǎng)得白噪聲，并將I個(gè)白噪聲進(jìn)行EMD分解，取每個(gè)白噪聲分解后的第i個(gè)IMF分量作為新的白噪聲分別加入原始泄漏電流信號(hào)中，得到I個(gè)新的加噪后的信號(hào)，

x_i(n)＝x(n)+β_i-1E_i(wⁱ(n))，i＝1,2,3…I (2)

其中，x_i(n)為第i次加入噪聲后的泄漏電流信號(hào)；wⁱ(n)為產(chǎn)生的與初始泄漏電流信號(hào)等長(zhǎng)的第i個(gè)白噪聲；E_i(wⁱ(n))為將i個(gè)白噪聲進(jìn)行EMD分解后得到的所有白噪聲的IMF分量；β_i-1為與剩余分量r_k(n)的標(biāo)準(zhǔn)差相關(guān)的數(shù)值；

(3)求加噪后的信號(hào)x_i(n)的所有局部極值點(diǎn)，用三次樣條插值函數(shù)分別連接局部極大值和極小值點(diǎn)，得到加噪后信號(hào)的上下包絡(luò)線，計(jì)算各加噪后信號(hào)的上下包絡(luò)線平均值并將I個(gè)平均包絡(luò)線值做平均處理，得到第一個(gè)剩余分量為：

$r_1\left(n\right)=\underset{1}{\overset{I}{\mathrm{\Σ}}}M\left(x_i\right(n\left)\right)/I,i=1,2,\mathrm{3...}I---\left(3\right)$

其中，M(x_i(n))表示第i個(gè)包絡(luò)線平均值；

(4)計(jì)算此時(shí)的第一個(gè)IMF分量c₁(n)：c₁(n)＝x(n)-r₁(n) (4)；

(5)在計(jì)算原始泄漏電流的第二個(gè)IMF分量時(shí)，將所得剩余分量r₁(n)作為新的泄漏電流信號(hào)，將I個(gè)白噪聲分解后得到的第二個(gè)IMF分量分別加入到剩余分量r₁(n)中，即x₂(n)＝r₁(n)+β₁E₂(wⁱ(n))，β₁為與為與噪聲的第二個(gè)IMF分量的標(biāo)準(zhǔn)差相關(guān)的數(shù)值；根據(jù)步驟(2)所示的方法求得泄漏電流的第二個(gè)IMF，

$c_2\left(n\right)=r_1\left(n\right)-\underset{1}{\overset{I}{\mathrm{\Σ}}}M\left(r_1\right(n)+{\mathrm{\β}}_1{E}_2(w^i\left(n\right)\left)\right)/I,i=1,2,\mathrm{3...}I---\left(5\right)$

其中，M(r₁(n)+β₁E₂(wⁱ(n)))表示求r₁(n)+β₁E₂(wⁱ(n))的包絡(luò)線平均值；

(6)根據(jù)步驟(3)～(5)的方法分別得到第3、4…k個(gè)剩余分量r_k(n)，

$r_k\left(n\right)=\underset{1}{\overset{I}{\mathrm{\Σ}}}M\left(r_{k-1}\right(n)+{\mathrm{\β}}_{k-1}{E}_k(w^i\left(n\right)\left)\right)/I---\left(6\right)$

(7)根據(jù)所得到的剩余分量進(jìn)一步計(jì)算得到第k個(gè)IMF，

c_k＝r_k-1(n)-r_k(n) (7)

(8)分別計(jì)算每階IMF的自相關(guān)函數(shù)值；對(duì)經(jīng)分解后得到的IMF分量進(jìn)行自相關(guān)函數(shù)分析，第i個(gè)IMF分量的自相關(guān)函數(shù)表示為：

f_i(t₁,t₂)＝E[c_i(t₁)c_i(t₂)] (8)

其中，E[c_i(t₁)c_i(t₂)]表示計(jì)算c_i(t)函數(shù)t₁、t₂時(shí)刻的自相關(guān)函數(shù)值，記為f_i(t₁,t₂)；

采用歸一化函數(shù)對(duì)自相關(guān)函數(shù)進(jìn)行歸一化處理，表示為：

ρ_i(τ)＝f_i(τ)/f_i(o) (9)

其中，f_i(τ)、f_i(o)分別為所計(jì)算函數(shù)的τ、0時(shí)刻的自相關(guān)函數(shù)值，ρ_i(τ)為τ時(shí)刻自相關(guān)函數(shù)值歸一化后的數(shù)值；

(9)求各階IMF的歸一化自相關(guān)函數(shù)方差，判斷各IMF分量的噪聲含量，方差小于某閾值為含噪高的低階IMF，反之則為含噪低的高階IMF分量，進(jìn)而判斷分界的IMF分量的位置，得到含噪分量：c_i(n)；

(10)對(duì)含噪的IMF進(jìn)行SG濾波，得到去噪后的IMF分量，c′_i(n)；

(11)將濾波后的固有模態(tài)函數(shù)與剩下的未進(jìn)行濾波的IMF分量以及初始泄漏電流信號(hào)最后分解得到的剩余分量R(n)進(jìn)行重構(gòu)得到消噪后的泄漏電流；

$x^{\′}\left(n\right)=\underset{k=1}{\overset{i}{\mathrm{\Σ}}}{c}_k^{\′}\left(n\right)+\underset{k=i}{\overset{I}{\mathrm{\Σ}}}{c}_k\left(n\right)+R\left(n\right)---\left(10\right)$

其中，x'(n)為消噪后的泄漏電流。