技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種金屬層間介質(zhì)擊穿電壓測(cè)試結(jié)構(gòu)，通過(guò)于測(cè)試結(jié)構(gòu)中設(shè)置與若干待測(cè)結(jié)構(gòu)分別串聯(lián)連接的電阻結(jié)構(gòu)，從而使用常規(guī)探針卡即可實(shí)現(xiàn)IMD?Vramp（金屬層間電介質(zhì)擊穿電壓）等測(cè)試，同時(shí)避免測(cè)試結(jié)構(gòu)發(fā)生嚴(yán)重?zé)齻默F(xiàn)象；由于該測(cè)試結(jié)構(gòu)統(tǒng)一了探針卡的規(guī)格，從而降低了測(cè)試成本，使原來(lái)需用不同規(guī)格探針卡測(cè)試的項(xiàng)目能夠同時(shí)測(cè)試，提高了測(cè)試效率；進(jìn)而解決了測(cè)試鍵連線熔斷而導(dǎo)致后續(xù)測(cè)試結(jié)構(gòu)受影響的問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：陳曉;韓坤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢新芯集成電路制造有限公司
文檔號(hào)碼：201610830800
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.19
技術(shù)公布日：2016.11.16