本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種金屬層間介質(zhì)擊穿電壓測(cè)試結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)中，金屬層間電介質(zhì)(Inter Metal Dielectric， IMD)是指金屬層內(nèi)或?qū)娱g的絕緣層，一般由二氧化硅等電介質(zhì)組成，其作用是使金屬線之間相互隔離。金屬層間電介質(zhì)的性質(zhì)對(duì)于半導(dǎo)體器件的性能是至關(guān)重要的，通常要求其具有良好的抗擊穿性能。

在進(jìn)行金屬層間電介質(zhì)擊穿電壓（IMD Vramp）的可靠性測(cè)試時(shí)，由于電壓比較高，在擊穿瞬間電流很大，可能把測(cè)試探針卡或者測(cè)試結(jié)構(gòu)的金屬連線燒毀。而目前的做法是采用定制的帶電阻的探針卡（probe card）進(jìn)行金屬層間電介質(zhì)擊穿電壓測(cè)試。如圖1和圖2所示的結(jié)構(gòu)，其中100為內(nèi)層電介質(zhì)斜坡電壓的測(cè)試結(jié)構(gòu)；但由于需要額外定制探針卡，從而增加了測(cè)試成本；且不能和常規(guī)卡測(cè)試項(xiàng)目一起測(cè)，從而影響測(cè)試效率，這些都是本領(lǐng)域技術(shù)人員所不期望見(jiàn)到的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述存在的問(wèn)題，本發(fā)明公開(kāi)了一種測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括若干待測(cè)結(jié)構(gòu)和電阻結(jié)構(gòu)；

其中，所述若干待測(cè)結(jié)構(gòu)分別與所述電阻結(jié)構(gòu)串聯(lián)連接。

上述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括若干排探針焊盤(pán)，每排所述探針焊盤(pán)均包括若干探針焊盤(pán)；

所述若干待測(cè)結(jié)構(gòu)和所述電阻結(jié)構(gòu)均連接到同一排所述探針焊盤(pán)上。

上述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中，所述若干待測(cè)結(jié)構(gòu)包括金屬層間電介質(zhì)擊穿電壓的測(cè)試結(jié)構(gòu)。

上述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中，所述金屬層間電介質(zhì)擊穿電壓的測(cè)試結(jié)構(gòu)包括：

兩組金屬線，所述兩組金屬線位于同一層，且兩組金屬線之間通過(guò)層間電介質(zhì)隔離；

其中，每組所述金屬線與一所述探針焊盤(pán)相連接。

上述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中，所述金屬層間電介質(zhì)擊穿電壓的測(cè)試結(jié)構(gòu)包括：

兩組金屬層，且所述兩組金屬層之間通過(guò)層間電介質(zhì)隔離；

其中，每組所述金屬層與一所述探針焊盤(pán)相連接。

上述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中，所述電阻結(jié)構(gòu)為一個(gè)電阻。

上述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中，所述電阻結(jié)構(gòu)包括串聯(lián)在一起的若干電阻。

上述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中，所述電阻結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為多晶硅或金屬。

上述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中，所述電阻結(jié)構(gòu)的阻值為100 ~ 10000Ω。

上述發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)或者有益效果：

本發(fā)明公開(kāi)了一種測(cè)試結(jié)構(gòu)，通過(guò)于測(cè)試結(jié)構(gòu)中設(shè)置與若干待測(cè)結(jié)構(gòu)分別串聯(lián)連接的電阻結(jié)構(gòu)，從而使用常規(guī)探針卡即可實(shí)現(xiàn)金屬層間電介質(zhì)擊穿電壓等測(cè)試，同時(shí)避免測(cè)試結(jié)構(gòu)發(fā)生嚴(yán)重?zé)齻╞urn out）的現(xiàn)象；由于該測(cè)試結(jié)構(gòu)統(tǒng)一了探針卡的規(guī)格，從而降低了測(cè)試成本，使原來(lái)需用不同規(guī)格探針卡測(cè)試的項(xiàng)目能夠同時(shí)測(cè)試，提高了測(cè)試效率；進(jìn)而解決了測(cè)試鍵連線熔斷而導(dǎo)致后續(xù)測(cè)試結(jié)構(gòu)受影響的問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明及其特征、外形和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分。并未可以按照比例繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。

圖1是本發(fā)明背景技術(shù)中帶電阻的探針卡的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明背景技術(shù)中利用帶電阻的探針卡對(duì)待測(cè)結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試的測(cè)試等效電路圖；

圖3本發(fā)明實(shí)施例中測(cè)試結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明公開(kāi)了一種測(cè)試結(jié)構(gòu)，該測(cè)試結(jié)構(gòu)可應(yīng)用但不限于金屬層間電介質(zhì)擊穿電壓可靠性測(cè)試中（也可以是其它類似擊穿實(shí)驗(yàn)的可靠性測(cè)試中），具體的，該測(cè)試結(jié)構(gòu)包括若干待測(cè)結(jié)構(gòu)和電阻結(jié)構(gòu)； 其中，若干待測(cè)結(jié)構(gòu)均分別與電阻結(jié)構(gòu)串聯(lián)連接；該電阻結(jié)構(gòu)采用金屬線或者多晶硅層設(shè)計(jì)，且該電阻可以被不同待測(cè)結(jié)構(gòu)共用，且共用電阻的待測(cè)結(jié)構(gòu)的數(shù)量可以為單個(gè)，也可以多個(gè)。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述電阻結(jié)構(gòu)可以為一個(gè)電阻，也可以為包括若干串聯(lián)和/或并聯(lián)在一起的電阻形成的等效電阻，即該電阻結(jié)構(gòu)的個(gè)數(shù)可以為一個(gè)或多個(gè)，而且電阻結(jié)構(gòu)在測(cè)試結(jié)構(gòu)中的位置、電阻結(jié)構(gòu)的形狀、電阻結(jié)構(gòu)阻值的大小以及電阻結(jié)構(gòu)的制造工藝均可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)工藝需求設(shè)定，只要能夠滿足本發(fā)明的目的即可。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括若干排探針焊盤(pán)，每排探針焊盤(pán)均包括若干探針焊盤(pán)；上述若干待測(cè)結(jié)構(gòu)和電阻結(jié)構(gòu)均連接到同一排探針焊盤(pán)上，以方便探針卡進(jìn)行測(cè)試。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述若干待測(cè)結(jié)構(gòu)包括金屬層間電介質(zhì)擊穿電壓的測(cè)試結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，金屬層間電介質(zhì)擊穿電壓的測(cè)試結(jié)構(gòu)包括：兩組金屬線，該兩組金屬線位于同一層，且兩組金屬線之間通過(guò)層間電介質(zhì)隔離；其中，每組金屬線與一探針焊盤(pán)相連接，即兩組金屬線所連接的探針焊盤(pán)不是同一個(gè)，但兩組金屬線所連接的探針焊盤(pán)位于同一排。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，金屬層間電介質(zhì)擊穿電壓的測(cè)試結(jié)構(gòu)包括：兩組金屬層，且該兩組金屬層之間通過(guò)層間電介質(zhì)隔離；其中，每組金屬層與一探針焊盤(pán)相連接，即兩組金屬線所連接的探針焊盤(pán)不是同一個(gè)，但兩組金屬線所連接的探針焊盤(pán)位于同一排。

優(yōu)選的，上述層間電介質(zhì)的材質(zhì)為氧化物（例如二氧化硅）、氮化物（氮化硅）等絕緣材質(zhì)。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，上述電阻結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為多晶硅或金屬。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，電阻結(jié)構(gòu)的阻值為 100 ~ 10000Ω（例如100Ω、800Ω、5500Ω或10000Ω等），具體的，可以根據(jù)實(shí)際需要量測(cè)的金屬層間電介質(zhì)擊穿電壓結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)選擇合適的串聯(lián)電阻。

下面結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明：

如圖3所示（圖中僅示出了待測(cè)結(jié)構(gòu)包括兩組金屬線的情況），本實(shí)施例涉及一種測(cè)試結(jié)構(gòu)，該測(cè)試結(jié)構(gòu)具體包括待測(cè)結(jié)構(gòu)300、待測(cè)結(jié)構(gòu)400以及與待測(cè)結(jié)構(gòu)300、待測(cè)結(jié)構(gòu)400分別串聯(lián)連接的電阻結(jié)構(gòu)200，該待測(cè)結(jié)構(gòu)300中的兩組金屬線分別與探針焊盤(pán)2和探針焊盤(pán)3連接、待測(cè)結(jié)構(gòu)400兩組金屬線分別與探針焊盤(pán)4和探針焊盤(pán)5連接；該測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括與電阻結(jié)構(gòu)200一端連接的探針焊盤(pán)1、探針焊盤(pán)2和探針焊盤(pán)4。

下面對(duì)比傳統(tǒng)測(cè)試結(jié)構(gòu)（即測(cè)試結(jié)構(gòu)只包括待測(cè)結(jié)構(gòu)不包括電阻結(jié)構(gòu)的情況）來(lái)對(duì)本發(fā)明的測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法進(jìn)行說(shuō)明：

采用傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)測(cè)試時(shí)，對(duì)待測(cè)結(jié)構(gòu)300進(jìn)行測(cè)試時(shí)選擇探針焊盤(pán)2和探針焊盤(pán)3進(jìn)行測(cè)試；對(duì)待測(cè)結(jié)構(gòu)400進(jìn)行測(cè)試時(shí)選擇探針焊盤(pán)4和探針焊盤(pán)5進(jìn)行測(cè)試。

采用本發(fā)明的測(cè)試結(jié)構(gòu)測(cè)試時(shí)，對(duì)待測(cè)結(jié)構(gòu)300進(jìn)行測(cè)試時(shí)選擇探針焊盤(pán)1和探針焊盤(pán)3進(jìn)行測(cè)試；對(duì)待測(cè)結(jié)構(gòu)400進(jìn)行測(cè)試時(shí)選擇探針焊盤(pán)1和探針焊盤(pán)5進(jìn)行測(cè)試，以將電阻結(jié)構(gòu)200串入測(cè)試電路，進(jìn)而在進(jìn)行可靠性測(cè)試時(shí)，防止由于電壓比較高，可能把測(cè)試探針卡或者測(cè)試結(jié)構(gòu)的金屬連線燒毀的現(xiàn)象發(fā)生。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員在結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)以及上述實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)變化例，在此不做贅述。這樣的變化例并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。

以上對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式，其中未盡詳細(xì)描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實(shí)施；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例，這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。