1.一種高兼容性的快充類產(chǎn)品老化測試系統(tǒng)，其特征在于：包括電網(wǎng)供電模塊、主控單元MCU模塊、充電控制模塊、充電電壓電流采集模塊、快充控制模塊、子控單元MCU模塊；
主控單元MCU模塊經(jīng)過電源適配器與電網(wǎng)供電模塊電性連接，充電控制模塊、充電電壓電流采集模塊并聯(lián)后與主控單元MCU模塊電性串聯(lián)連接，充電控制模塊、充電電壓電流采集模塊通過設(shè)置的充電接口與被測產(chǎn)品電性連接；子控單元MCU模塊經(jīng)過電源適配器與電網(wǎng)供電模塊電性連接，同時子控單元MCU模塊通過光電隔離器與主控單元MCU模塊建立串行通信連接，快充控制模塊與子控單元MCU模塊電性串聯(lián)連接，快充控制模塊通過快充接口與被測產(chǎn)品電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高兼容性的快充類產(chǎn)品老化測試系統(tǒng)，其特征在于：所述老化測試系統(tǒng)還包括放電控制模塊、放電電壓電流采集模塊，所述電控制模塊、放電電壓電流采集模塊并聯(lián)連接后與子控單元MCU模塊電性串聯(lián)連接，同時，放電控制模塊、放電電壓電流采集模塊通過放電接口與被測產(chǎn)品電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高兼容性的快充類產(chǎn)品老化測試系統(tǒng)，其特征在于：所述充電控制模塊包括開關(guān)三極管和開關(guān)MOS管，充電控制模塊通過開關(guān)三極管驅(qū)動開關(guān)MOS管的開和關(guān)，控制充電電壓的接通與斷開。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高兼容性的快充類產(chǎn)品老化測試系統(tǒng)，其特征在于：所述放電控制模塊包括電壓比較器和功率MOS管，子控單元MCU模塊的控制信號輸入到電壓比較器的同相端，電流信號輸入電壓比較器的反相端，子控單元MCU模塊采集經(jīng)過功率MOS管的電流，控制信號和電流信號經(jīng)過電壓比較器后輸出控制信號到功率MOS管柵極。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高兼容性的快充類產(chǎn)品老化測試系統(tǒng)，其特征在于：放電電壓電流檢測模塊包括電壓分壓電路、電流取樣電路和放大電路，產(chǎn)品電壓接入電壓分壓電路，經(jīng)分壓后輸入到子控單元MCU模塊進行電壓采集；電流取樣電路包括在放電電流流經(jīng)的通路中串聯(lián)的取樣電阻；放大電路用于將電流信號進行信號放大后接入子控單元MCU模塊的ADC轉(zhuǎn)換模塊進行電流信號的采集。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高兼容性的快充類產(chǎn)品老化測試系統(tǒng)，其特征在于：所述快充控制模塊包括快充控制電壓信號產(chǎn)生電路，用于支持快充通信協(xié)議QC2.0、QC3.0或MTK。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種高兼容性的快充類產(chǎn)品老化測試系統(tǒng)，其特征在于：支持QC2.0、QC3.0協(xié)議的快充控制電壓信號產(chǎn)生電路包括控制芯片和分壓電路，控制芯片用于控制分壓電路分別產(chǎn)生0V、0.6V、3.3V的電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種高兼容性的快充類產(chǎn)品老化測試系統(tǒng)，其特征在于：支持MTK協(xié)議的快充控制電壓信號產(chǎn)生電路包括控制芯片和恒流電路，控制芯片用于控制恒流電路分別產(chǎn)生0mA、500mA的電流。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高兼容性的快充類產(chǎn)品老化測試系統(tǒng)，其特征在于：所述充電接口和放電接口數(shù)量為多個。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高兼容性的快充類產(chǎn)品老化測試系統(tǒng)，其特征在于：老化測試系統(tǒng)還包括上位機監(jiān)控系統(tǒng)和RS232轉(zhuǎn)RS485通信模塊，所述上位機監(jiān)控系統(tǒng)電連接電網(wǎng)供電模塊，同時通過RS232轉(zhuǎn)RS485通信模塊與主控單元MCU模塊建立串行通信電性連接。